显示面板及显示装置

摘要

本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有多个亚像素单元，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有多个光检测单元，所述光检测单元与所述亚像素单元对应设置；所述光检测单元用于获取对应的所述亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。本发明所提供的显示面板及显示装置，能够实时检测亚像素的光强变化，实时对亚像素进行补偿，从而达到改善显示器件的显示状态的目的。

权利要求

1.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有多个亚像素单元，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有多个光检测单元，所述光检测单元与所述亚像素单元对应设置；

所述光检测单元用于获取对应的所述亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号；

所述光检测单元的远离所述第二基底的一侧设置有透反光结构，所述透反光结构用于将所述亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射；

所述亚像素单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述第二电极能够将所述亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射，所述透反光结构包括所述第二电极。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极包括第一子电极和第二子电极，所述有机发光层位于所述第一子电极和所述第一电极之间，所述第二子电极位于所述第一子电极的远离所述有机发光层的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子电极的材料为透明导电材料，所述第二子电极的材料为金属材料。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光检测单元包括第二薄膜晶体管、第三电极、第四电极和光电转换层，所述第三电极与所述第二薄膜晶体管连接，所述光电转换层位于所述第三电极和第四电极之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述光电转换层的材料为Si、有机光敏材料或者铜铟镓硒。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述光电转换层与所述亚像素单元一一对应设置，且所述光电转换层在第二基底上的正投影与对应的亚像素单元在第二基底上的正投影至少部分重叠；或者，所述光电转换层与全部所述亚像素单元对应设置，且所述光电转换层在第二基底上的正投影覆盖全部所述亚像素单元在第二基底上的正投影。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6任一所述的显示面板。

说明书

显示面板及显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

[0002] 在有机发光二极管(OLED)显示器件中，尤其是氧化物有机发光二极管(Oxide OLED)显示器件的制作中，除了像素内部设计补偿电路外，通常需要在伽马(Gamma)调试完毕后,利用电荷耦合器件(CCD)进行一次像素(pixel)级精准的光学校对，进行像素电路的外部电学补偿，补偿阈值电压(Vth)的偏移。但此种补偿方法不能实时侦测每个亚像素的光强变化，导致OLED显示器件不能到达最佳显示状态。

发明内容

[0003] 本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示面板及显示装置，用于实现实时检测亚像素的光强变化，实时对亚像素进行补偿，从而达到改善显示器件的显示状态的目的。

[0004] 为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有多个亚像素单元，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有多个光检测单元，所述光检测单元与所述亚像素单元对应设置；

[0005] 所述光检测单元用于获取对应的所述亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。

[0006] 可选地，所述光检测单元的远离所述第二基底的一侧设置有透反光结构，所述透反光结构用于将所述亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射。

[0007] 可选地，所述亚像素单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层；

[0008] 所述透反光结构包括遮光层，所述遮光层设置于所述光检测单元与所述第二电极之间，所述遮光层中设置有对应所述亚像素单元设置的多个开口区域。

[0009] 可选地，所述亚像素单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述第二电极能够将所述亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射，所述透反光结构包括所述第二电极。

[0010] 可选地，所述第二电极包括第一子电极和第二子电极，所述有机发光层位于所述第一子电极和所述第一电极之间，所述第二子电极位于所述第一子电极的远离所述有机发光层的一侧。

[0011] 可选地，所述第一子电极的材料为透明导电材料，所述第二子电极的材料为金属材料。

[0012] 可选地，所述光检测单元包括第二薄膜晶体管、第三电极、第四电极和光电转换层，所述第三电极与所述第二薄膜晶体管连接，所述光电转换层位于所述第三电极和第四电极之间。

[0013] 可选地，所述光电转换层的材料为Si、有机光敏材料或者铜铟镓硒。

[0014] 可选地，所述光电转换层与所述亚像素单元一一对应设置，且所述光电转换层在第二基底上的正投影与对应的亚像素单元在第二基底上的正投影至少部分重叠；或者，[0015] 所述光电转换层与全部所述亚像素单元对应设置，且所述光电转换层在第二基底上的正投影覆盖全部所述亚像素单元在第二基底上的正投影。

[0016] 为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

[0017] 本发明的有益效果：

[0018] 本发明所提供的显示面板及显示装置的技术方案中，光检测单元与亚像素单元对应设置，光检测单元用于获取对应的亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。通过光检测单元实时监控每个亚像素单元的当前实际光强即所述光信号的变化，从而可以根据该亚像素单元的当前实际光强变化实时对该亚像素单元进行补偿，进而改善了显示器件的显示状态。

附图说明

[0019] 图1为本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图；

[0020] 图2为本发明实施例二提供的一种显示面板的结构示意图；

[0021] 图3为图2中的显示面板的第一基板的结构示意图；

[0022] 图4为图2中的显示面板的第二基板的结构示意图；

[0023] 图5为本发明实施例三提供的一种显示面板的结构示意图；

[0024] 图6为图5中的显示面板的第一基板的结构示意图；

[0025] 图7为图5中的显示面板的第二基板的结构示意图；

[0026] 图8为有机光敏材料的光电转换效率示意图；

[0027] 图9为铜铟镓硒和a-Si的光电转换效率示意图。

具体实施方式

[0028] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示面板及显示装置进行详细描述。

[0029] 图1为本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，该显示面板包括相对设置的第一基底1和第二基底2，第一基底1的靠近第二基底2的一侧设置有多个亚像素单元3，第二基底2的靠近第一基底1的一侧设置有多个光检测单元4，光检测单元4与亚像素单元3对应设置，光检测单元4用于获取对应的亚像素单元3发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。

[0030] 本实施例中，每个亚像素单元3对应设置有至少一个光检测单元4，优选地，每个亚像素单元3对应设置有一个光检测单元4。本实施例中，通过光检测单元4实时监控每个亚像素单元3的当前实际发光强度即所述光信号，并将该光信号转换为电信号，进而可以根据该电信号实时调整该亚像素单元3的驱动电流，以实现实时对该亚像素单元进行补偿，从而能够改善显示器件的显示状态。例如，亚像素单元的光强随时间的推移出现衰减现象，当检测出亚像素单元的光强出现衰减时，即可根据该光强变化实时调整该亚像素单元的驱动电流，以实时对亚像素单元进行补偿，以使亚像素单元的光强达到设定的光强，从而改善显示器件的显示状态。

[0031] 本实施例所提供的显示面板的技术方案中，光检测单元与亚像素单元对应设置，光检测单元用于获取对应的亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。通过光检测单元实时监控每个亚像素单元的当前实际光强即所述光信号的变化，从而可以根据该亚像素单元的当前实际光强变化实时对该亚像素单元进行补偿，进而改善了显示器件的显示状态。

[0032] 图2为本发明实施例二提供的一种显示面板的结构示意图，如图2所示，该显示面板包括相对设置的第一基底1和第二基底2，第一基底1的靠近第二基底2的一侧设置有多个亚像素单元，第二基底2的靠近第一基底1的一侧设置有多个光检测单元，光检测单元与亚像素单元对应设置，光检测单元用于获取对应的亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。

[0033] 优选地，光检测单元的远离第二基底2的一侧设置有透反光结构，透反光结构用于将亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射。具体地，亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中，部分透过透反光结构传输至光检测单元上，另一部分被透反光结构反射出去，作为显示光出射。

[0034] 具体地，显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，图3为图2中的显示面板的第一基板的结构示意图，图4为图2中的显示面板的第二基板的结构示意图，如图3和图4所示，第一基板包括第一基底1和位于第一基底1上的多个亚像素单元，第二基板包括第二基底2和位于第二基底2上的多个光检测单元。

[0035] 具体地，如图2和图3所示，第一基底1的靠近第二基底2的一侧设置有多个第一像素界定图案(PDL)5，相邻的第一像素界定图案5之间限定出所述亚像素单元，每个亚像素单元包括第一电极31、第二电极32和位于第一电极31和第二电极32之间的有机发光层(EL)33。具体地，所述亚像素单元中，第一电极31位于第一基底1的靠近第二基底2的一侧，有机发光层33位于第一电极31的远离第一基底1的一侧，第二电极32位于有机发光层33的远离第一基底1的一侧。本实施例中，有机发光层33可包括：从下至上依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电致发光层、电子传输层以及电子注入层(图中均未示出)。

[0036] 具体地，如图2和图3所示，第一基板还包括第一遮挡层(LS)6，第一遮挡层6位于第一基底1的靠近第二基底2的一侧，且第一遮挡层6位于第一像素界定图案对应的区域，即亚像素单元所在区域以外的区域。

[0037] 具体地，如图2和图3所示，第一基板还包括第一缓冲层(Buffer)7，第一缓冲层(Buffer)7位于第一遮挡层6的远离第一基底1的一侧且覆盖第一基底1。

[0038] 具体地，第一基板还包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管位于第一缓冲层7的远离第一基底1的一侧，且位于第一像素界定图案5对应的区域，即亚像素单元所在区域以外的区域。如图2和图3所示，第一薄膜晶体管包括第一有源层(ACT)8、第一栅极(Gate)9和第一源漏极(SD)10，其中，第一源漏极10与第一有源层8连接。

[0039] 具体地，第一有源层8位于第一缓冲层7的远离第一基底1的一侧，第一有源层8的远离第一基底1的一侧还设置有第一绝缘层(GI)11，第一栅极9位于第一绝缘层11的远离第一基底1的一侧，第一栅极9的远离第一基底1的一侧还设置有第二绝缘层(PVX)12，第二绝缘层12覆盖第一基底1，第一源漏极10位于第二绝缘层12的远离第一基底1的一侧，且第一源漏极10通过第二绝缘层12中的过孔与第一有源层8连接。

[0040] 具体地，如图2和图3所示，第一基板还包括第一平坦层(PLN)13，第一平坦层13位于第一源漏极10的远离第一基底1的一侧，且第一平坦层13覆盖第一基底1。

[0041] 本实施例中，如图2和图3所示，第一像素界定图案5位于第一平坦层13的远离第一基底1的一侧。

[0042] 本实施例中，如图2和图3所示，第一电极31还从亚像素单元中延伸至第一像素界定图案5对应的区域，并通过第一平坦层13中的过孔与第一源漏极10连接。如图2和图3所示，第二电极32还从亚像素单元中延伸至第一像素界定图案5对应的区域，且覆盖第一基底1。

[0043] 具体地，第一基板还包括第一隔垫物(PS)14，第一隔垫物14位于第一像素界定图案5的远离第一基底1的一侧，且位于第一像素界定图案5对应的区域。

[0044] 本实施例中，优选地，第一电极31为阳极(Anode)，第二电极32为阴极(Cathode)。优选地，第一电极31和第二电极32的材料均为透明导电材料。

[0045] 具体地，如图2和图4所示，第二基板还包括第二遮挡层(LS)15，第二遮挡层15位于第二基底2的靠近第一基底1的一侧，且第二遮挡层15位于第一像素界定图案5对应的区域。

[0046] 具体地，如图2和图4所示，第二基板还包括第二缓冲层(Buffer)16，第二缓冲层16位于第二遮挡层15的远离第二基底2的一侧且覆盖第二基底2。

[0047] 具体地，第二基板还包括第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管位于第二缓冲层16的远离第二基底2的一侧，且位于第一像素界定图案5对应的区域。如图2和图4所示，第二薄膜晶体管包括第二有源层(ACT)17、第二栅极(Gate)18和第二源漏极(SD)19，其中，第二源漏极19与第二有源层17连接。

[0048] 具体地，第二有源层17位于第二缓冲层16的远离第二基底2的一侧，第二有源层17的远离第二基底2的一侧还设置有第三绝缘层(GI)20，第二栅极18位于第三绝缘层20的远离第二基底2的一侧，第二栅极18的远离第二基底2的一侧还设置有第四绝缘层(PVX)21，第四绝缘层21覆盖第二基底2，第二源漏极19位于第四绝缘层21的远离第二基底2的一侧，且第二源漏极19通过第四绝缘层21中的过孔与第二有源层17连接。

[0049] 本实施例中，优选地，光检测单元与亚像素单元一一对应设置。如图2和图4所示，光检测单元包括所述第二薄膜晶体管、第三电极、光电转换层22和第四电极23，第三电极与所述第二薄膜晶体管连接，光电转换层22位于所述第三电极和第四电极23之间。优选地，第三电极为从第二基底2的对应第一像素界定图案5的区域中延伸至对应亚像素单元的区域的部分第二源漏极19，光电转换层22位于第三电极的远离第二基底2的一侧，第四电极23位于光电转换层22的远离第二基底2的一侧。具体地，光电转换层22与亚像素单元一一对应设置，且光电转换层22在第二基底2上的正投影与对应的亚像素单元在第二基底2上的正投影至少部分重叠，且第四电极23在第二基底2上的正投影与对应的亚像素单元在第二基底2上的正投影至少部分重叠。

[0050] 优选地，光电转换层22为PIN结，换言之，光检测单元包括PIN光电传感器(PIN Sensor)。优选地，光电转换层22的材料为Si。

[0051] 优选地，第四电极23的材料为透明导电材料，例如，ITO。

[0052] 具体地，如图2和图4所示，第二基板还包括第五绝缘层(PVX)24，第五绝缘层24位于第四电极23的远离第二基底2的一侧且覆盖第二基底2。

[0053] 具体地，如图2和图4所示，第二基板还包括第二平坦层(PLN)25，第二平坦层25位于第五绝缘层24的远离第二基底2的一侧且覆盖第二基底2。

[0054] 具体地，如图2和图4所示，第二基板还包括遮光层26，透反光结构包括遮光层26，遮光层26设置于光检测单元与第二电极32之间。具体地，遮光层26位于第二平坦层25的远离第二基底2的一侧。本实施例中，在第二基底2的对应亚像素单元的区域中，遮光层26中设置有对应亚像素单元设置的多个开口区域L。如图2和图4所示，遮光层26包括多个遮光图形，在第二基底2的对应亚像素单元的区域中，相邻的遮光图形之间形成有所述开口区域L，开口区域L用于将亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射，遮光图形用于将亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的另一部分进行反射。本实施例中，在第二基底2的对应第一像素界定图案5的区域中，遮光层26通过形成于第二平坦层25和第五绝缘层24中的过孔与第四电极23连接。

[0055] 具体地，如图2和图4所示，光电转换层22在第二基底2上的正投影覆盖至少部分开口区域L在第二基底2上的正投影，且第四电极23在第二基底2上的正投影覆盖至少部分开口区域L在第二基底2上的正投影。优选地，光电转换层22在第二基底2上的正投影覆盖全部开口区域L在第二基底2上的正投影，且第四电极23在第二基底2上的正投影覆盖全部开口区域L在第二基底2上的正投影。

[0056] 本实施例中，遮光层26的材料为导电材料。优选地，遮光层26的材料为高反射的导电材料。

[0057] 具体地，如图2和图4所示，第二基板还包括第二像素界定层(PDL)27，第二像素界定层27位于遮光层26的远离第二基底2的一侧且覆盖第二基底2。

[0058] 具体地，如图2和图4所示，第二基板还包括第二隔垫物(PS)28，第二隔垫物28位于第二像素界定层27的远离第二基底2的一侧且与第一隔垫物14对应设置。

[0059] 本实施例中，第一基底1的材料为玻璃材料或者聚酰亚胺(PI)材料，第二基底2的材料为玻璃材料或者聚酰亚胺(PI)材料。

[0060] 本实施例中，优选地，显示面板为OLED面板，例如，Oxide OLED面板。更为优选地，显示面板为底发射型OLED面板。

[0061] 本实施例中，有机发光层33发出的光中部分光直接出射显示，另一部分光通过遮光层26的开口区域L入射至光检测单元上。具体地，另一部分光中，部分被遮光层26反射出去，作为显示光出射，部分通过遮光层26的开口区域L入射至光检测单元的第四电极23上。光检测单元获取到来自亚像素单元的光信号后，将光信号转换为电信号，即光电流，进而可以根据电信号实时调整亚像素单元的驱动电流，补偿亚像素单元，从而改善了显示器件的显示状态。

[0062] 本实施例所提供的显示面板的技术方案中，光检测单元与亚像素单元对应设置，光检测单元用于获取对应的亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。通过光检测单元实时监控每个亚像素单元的当前实际光强即所述光信号的变化，从而可以根据该亚像素单元的当前实际光强变化实时对该亚像素单元进行补偿，进而改善了显示器件的显示状态。

[0063] 图5为本发明实施例三提供的一种显示面板的结构示意图，如图5所示，该显示面板包括相对设置的第一基底1和第二基底2，第一基底1的靠近第二基底2的一侧设置有多个亚像素单元，第二基底2的靠近第一基底1的一侧设置有多个光检测单元，光检测单元与亚像素单元对应设置，光检测单元用于获取对应的亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。

[0064] 优选地，光检测单元的远离第二基底2的一侧设置有透反光结构，透反光结构用于将亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射。具体地，亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中，部分透过透反光结构传输至光检测单元上，另一部分被透反光结构反射出去，作为显示光出射。

[0065] 具体地，显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，图6为图5中的显示面板的第一基板的结构示意图，图7为图5中的显示面板的第二基板的结构示意图，如图6和图7所示，第一基板包括第一基底1和位于第一基底1上的多个亚像素单元，第二基板包括第二基底2和位于第二基底2上的多个光检测单元。

[0066] 具体地，如图5至图7所示，本实施例与上述实施例二的区别在于：本实施例中，第二电极32能够将亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射，透反光结构包括第二电极32。

[0067] 本实施例中，优选地，第二电极32包括第一子电极321和第二子电极322，第一子电极321位于有机发光层33的远离第一基底1的一侧且覆盖第一基底1，第二子电极322位于第一子电极321的远离第一基底1的一侧且覆盖第一基底1。其中，第二子电极322能够将亚像素单元朝向光检测单元发射的光信号中的部分进行透射、另一部分进行反射。

[0068] 本实施例中，光检测单元中，第三电极29位于第二平坦层25的远离第二基底2的一侧且覆盖第二基底2，且第三电极29通过第二平坦层25中的过孔与第二薄膜晶体管的第二源漏极19连接，光电转换层22位于第三电极的远离第二基底2的一侧覆盖第二基底2，第四电极23位于光电转换层22的远离第二基底2的一侧，且第四电极23位于第二基底2的除对应第一隔垫物14的区域以外的区域。换言之，光电转换层22与全部亚像素单元对应设置，且光电转换层22在第二基底2上的正投影覆盖全部亚像素单元在第二基底2上的正投影，同样地，第四电极23在第二基底2上的正投影覆盖全部亚像素单元在第二基底2上的正投影。

[0069] 由于光电转换层22覆盖第二基底2，第四电极23覆盖第二基底2，因此在制作过程中，光电转换层22和第四电极23可以直接涂覆和沉积形成，无需进行图案化处理。

[0070] 本实施例中，光电转换层22的材料为可见光或者红外光敏材料。为了在可见光或者近红外区域获得较高的光电转换效率，优选地，光电转换层22的材料可以为有机光敏材料(OPD)或者铜铟镓硒(CIGS)。本实施例中，优选地，光检测单元可包括红外光电传感器(IR Sensor)。图8为有机光敏材料的光电转换效率示意图，图9为铜铟镓硒和a-Si的光电转换效率示意图，如图8和图9所示，横坐标表示吸收的光的波长(Wavelength)，纵坐标表示光电转换效率(External Quantum Efficiency，简称：EQE)。

[0071] 本实施例中，优选地，第一子电极321的材料为透明导电材料；第二子电极322为具有一定透过率的薄层金属，其材料为金属材料。由于薄层金属的电阻比较大，因此第一子电极321的材料采用透明导电材料，能够在一定程度上减小第二电极32的整体电阻。

[0072] 本实施例中，优选地，第三电极29的材料为透明导电材料或者不透明导电材料。

[0073] 本实施例中，第二子电极322具有半透半反射的作用，有机发光层33朝向光检测单元发出的光照射在第二子电极322上，其中一部分光被第二子电极322反射出去，作为显示光出射，另一部分光直接透过第二子电极322，照射在第四电极23上，被光电转换层22接收转换为电信号，进而根据电信号实时调整该亚像素单元的驱动电流，以实现实时对该亚像素单元进行补偿，从而能够改善显示器件的显示状态。

[0074] 关于本实施例所提供的显示面板的其他描述可参见上述实施例二，此处不再赘述。

[0075] 本实施例所提供的显示面板的技术方案中，光检测单元与亚像素单元对应设置，光检测单元用于获取对应的亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。通过光检测单元实时监控每个亚像素单元的当前实际光强即所述光信号的变化，从而可以根据该亚像素单元的当前实际光强变化实时对该亚像素单元进行补偿，进而改善了显示器件的显示状态。

[0076] 本发明实施例四提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板，该显示面板包括上述实施例一、实施例二或者实施例三提供的显示面板，具体描述可参见上述实施例一、实施例二或者实施例三，此处不再赘述。

[0077] 本实施例所提供的显示装置的技术方案中，光检测单元与亚像素单元对应设置，光检测单元用于获取对应的亚像素单元发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号。通过光检测单元实时监控每个亚像素单元的当前实际光强即所述光信号的变化，从而可以根据该亚像素单元的当前实际光强变化实时对该亚像素单元进行补偿，进而改善了显示器件的显示状态。

[0078] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。