显示装置及其制造方法

摘要

提供一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘基底，其中通孔限定为穿过绝缘基底；以及有机层，覆盖绝缘基底。在显示装置中，围绕通孔的阻挡区域限定在绝缘基底中，并且中断有机层所处的中断部分限定在阻挡区域中。

权利要求

1.一种显示装置，所述显示装置包括：绝缘基底，其中通孔限定为穿过所述绝缘基底；以及有机层，覆盖所述绝缘基底，

其中，围绕所述通孔的阻挡区域限定在所述绝缘基底中，并且中断所述有机层所处的中断部分限定在所述阻挡区域中。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，凹槽在所述阻挡区域中限定在所述绝缘基底上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述凹槽包括彼此间隔开的第一侧壁和第二侧壁，并且所述中断部分通过所述第一侧壁限定。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一侧壁的斜率与所述第二侧壁的斜率彼此相同。

5.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述有机层的电极，其中，所述电极在所述中断部分处被中断。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述电极与所述第一侧壁接触，并且所述电极不与所述第二侧壁接触。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，显示图像的显示区域和设置在所述显示区域的外侧的非显示区域限定在所述绝缘基底中，并且所述通孔限定在所述显示区域中。

8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述绝缘基底包括彼此顺序堆叠的第一基底、无机层和第二基底，并且所述凹槽限定在所述第二基底中。

9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述凹槽的平面形状为围绕所述通孔的环形形状。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，围绕所述阻挡区域的坝区域在所述阻挡区域的外侧限定在所述绝缘基底中，并且坝在所述坝区域中设置在所述绝缘基底上。

说明书

显示装置及其制造方法

[0001] 此申请要求于2017年9月4日提交的第10‑2017‑0112640号韩国专利申请的优先权以及由此获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

[0002] 发明的实施例涉及一种显示装置以及一种制造该显示装置的方法。

背景技术

[0003] 在各种类型的显示装置中，由于有机发光显示装置的期望的特性(例如宽视角、高对比度和快响应速度)，因此有机显示发光装置作为下一代显示装置已备受关注。

[0004] 通常，有机发光显示装置包括位于基底上的用于自发光的有机发光二极管和薄膜晶体管。这样的有机发光显示装置可以用作诸如移动电话的小型电子设备的显示单元或诸如电视机的大型电子设备的显示单元。

[0005] 具体地讲，随着对柔性显示装置的兴趣增加，正在对有机发光显示器中的柔性显示装置进行积极研究。为了实现柔性显示装置，使用由诸如合成树脂的材料制成的柔性基底来代替传统的玻璃基底。

发明内容

[0006] 然而，因为柔性基底是柔性的，所以在制造工艺中处理柔性基底并不容易。因此，柔性基底可以形成在对于各种工艺具有足够刚性的支撑基底上，然后可以与支撑基底分离，以在制造工艺中有效地处理柔性基底。

[0007] 发明的实施例提供了一种防止湿气流入显示区域中的显示装置。

[0008] 根据发明的实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：绝缘基底，在绝缘基底中通孔限定为穿过绝缘基底；有机层，覆盖绝缘基底。在这样的实施例中，围绕通孔的阻挡区域限定在绝缘基底中，并且中断有机层所处的中断部分设置在阻挡区域中。

[0009] 在实施例中，凹槽可以在阻挡区域中限定在绝缘基底上。

[0010] 在实施例中，凹槽可以包括彼此间隔开的第一侧壁和第二侧壁，中断部分可以通过第一侧壁限定。

[0011] 在实施例中，第一侧壁的斜率与第二侧壁的斜率可以彼此基本相同。

[0012] 在实施例中，显示装置还可以包括覆盖有机层的电极，其中，电极可以在中断部分处被中断。

[0013] 在实施例中，电极可以与第一侧壁接触，并且电极可以不与第二侧壁接触。

[0014] 在实施例中，显示图像的显示区域和设置在显示区域的外侧的非显示区域可以限定在绝缘基底中，通孔可以限定在显示区域中。

[0015] 在实施例中，绝缘基底可以包括彼此顺序堆叠的第一基底、无机层和第二基底，凹槽可以限定在第二基底中。

[0016] 在实施例中，凹槽的平面形状可以为围绕通孔的环形形状。

[0017] 在实施例中，围绕阻挡区域的坝区域可以在阻挡区域的外侧限定在绝缘基底中，坝可以在坝区域中设置在绝缘基底上。

[0018] 在实施例中，坝可以设置成多个，并且坝可以包括第一坝以及与第一坝间隔开的第二坝。

[0019] 在实施例中，显示图像的显示区域和设置在显示区域的外侧的非显示区域可以限定在绝缘基底中，通孔可以限定在显示区域中。

[0020] 在实施例中，显示区域可以包括第一电极以及与第一电极相对的第二电极，有机层可以设置在第一电极与第二电极之间。

[0021] 在实施例中，有机层可以包括有机发光层。

[0022] 在实施例中，显示图像的显示区域和设置在显示区域的外侧的非显示区域可以限定在绝缘基底中，通孔可以限定在非显示区域中。

[0023] 根据本发明的另一实施例，一种制造显示装置的方法包括：在绝缘基底的第一区域上设置坝，其中，绝缘基底设置在载体基底上，并且第一区域、第二区域和第三区域限定在绝缘基底中；通过沿第一方向向第三区域照射激光束来形成激光切割部分；通过在与第一方向不同的第二方向上向第二区域照射激光束来在绝缘基底中形成凹槽；在绝缘基底上设置有机层以至少部分地覆盖凹槽，其中，在第二区域中形成中断有机层所处的中断部分。

[0024] 在实施例中，所述方法还可以包括：从绝缘基底分离载体基底；将保护膜附着到绝缘基底的下表面。

[0025] 在实施例中，所述方法还可以包括通过切除保护膜的与第三区域对应的部分来形成通孔。

[0026] 在实施例中，凹槽可以包括彼此间隔开的第一侧壁和第二侧壁，中断部分可以通过第一侧壁限定。

[0027] 在实施例中，所述方法还可以包括在绝缘基底上设置电极以覆盖有机层。

附图说明

[0028] 通过下面结合附图对实施例的描述，发明的这些和/或其它特征将变得明显和更容易理解，在附图中：

[0029] 图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；

[0030] 图2是图1的部分‘A’的放大图；

[0031] 图3是沿图2的线I‑I'截取的剖视图；

[0032] 图4是沿图2的线II‑II'截取的剖视图；

[0033] 图5是图3的一部分的放大图；

[0034] 图6是根据可选实施例的显示装置的一部分的放大图；

[0035] 图7是根据另一可选实施例的显示装置的剖视图；

[0036] 图8是根据另一可选实施例的显示装置的示意性平面图；

[0037] 图9是图8的部分‘B’的放大图；

[0038] 图10是沿图9的线III‑III'截取的剖视图；

[0039] 图11是根据另一可选实施例的显示装置的示意性平面图；

[0040] 图12是图11的部分‘C’的放大图；

[0041] 图13至图19是示出根据实施例的制造显示装置的方法的图；以及

[0042] 图20是示出根据实施例的制造显示装置的方法的平面图。

具体实施方式

[0043] 现在将在下文中参照示出各种实施例的附图，对发明进行更充分地描述。然而，此发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得此公开将是透彻的和完整的，并将把发明的范围充分传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终指示同样的元件。

[0044] 将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，其可以直接在所述另一元件上，或者可以在其间存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。

[0045] 将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

[0046] 这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”(包括“至少一个(种/者)”)意图包括复数形式。“或”意味着“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在此说明书中使用术语“包括”及其变型和/或“包含”及其变型时，说明存在陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但并不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

[0047] 此外，在这里可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”等的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一(其它)元件的关系。将理解的是，相对术语意图包含装置的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件随后将被定向为在所述其它元件的“上”侧上。因此，根据附图的特定方位，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。同样地，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以包含上方和下方两种方位。

[0048] 如这里所使用的“约”或“近似”包括陈述的值，并且意味着：考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围之内。

[0049] 除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与此公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非这里明确如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与在相关领域和本公开的上下文中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义进行解释。

[0050] 这里参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预计出现由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为局限于如在此示出的区域的具体形状，而是包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制本权利要求的范围。

[0051] 在下文中，将参照附图描述发明的实施例。

[0052] 图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。图2是图1的部分‘A’的放大图。图3是沿图2的线I‑I'截取的剖视图。图4是沿图2的线II‑II'截取的剖视图。图5是图3的一部分的放大图。

[0053] 参照图1至图5，显示装置的实施例包括绝缘基底500和覆盖绝缘基底500的有机层EL，其中，通孔H被限定为穿过绝缘基底500。

[0054] 绝缘基底500可以包括第一基底501和第二基底502。在实施例中，第一基底501和/或第二基底502可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(“PAR”)和聚醚酰亚胺中的至少一种，或者由聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(“PAR”)和聚醚酰亚胺中的至少一种制成。然而，第一基底501和第二基底502的材料不限于此。

[0055] 在可选实施例中，绝缘基底500可以包括诸如金属或者玻璃的材料。

[0056] 在实施例中，绝缘基底500可以是柔性基底。在这样的实施例中，绝缘基底500可以是能够弯曲、卷绕或折叠的柔性基底。

[0057] 在实施例中，绝缘基底500可以包括彼此顺序堆叠的第一基底501、无机层400和第二基底502(见图3)。

[0058] 在绝缘基底500是柔性基底的实施例中，第一基底501和第二基底502可以包括聚酰亚胺(“PI”)。

[0059] 在实施例中，无机层400可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的至少一种。

[0060] 显示区域DA和非显示区域NDA可以限定在绝缘基底500中。显示区域DA是显示图像的区域，非显示区域NDA是设置在显示区域DA的外侧的区域，各种信号线和电源线布置在非显示区域NDA中以在显示区域DA中显示图像。

[0061] 多个像素(未示出)可以限定在显示区域DA中，薄膜晶体管和有机发光二极管可以设置在每个像素中。这将在后面更详细地描述。

[0062] 驱动集成电路IC可以设置在非显示区域NDA的一侧上。在一个实施例中，例如，驱动集成电路IC可以直接安装在绝缘基底500上。尽管图1中示出了单个驱动集成电路IC，但是驱动集成电路IC的数量不限于此。在可选实施例中，多个驱动集成电路IC可以设置在非显示区域NDA上。

[0063] 驱动集成电路IC可以产生多个扫描信号和/或多个数据信号，并将扫描信号和/或数据信号提供给显示区域DA的像素。在这样的实施例中，用于将驱动集成电路IC电连接到像素的多条信号线(未示出)可以设置在绝缘基底500上。

[0064] 在显示装置的实施例中，通孔H可以被限定为穿过绝缘基底500。

[0065] 在这样的实施例中，通孔H可以形成从绝缘基底500的上表面延伸到下表面的开口。

[0066] 在实施例中，当在显示装置的厚度方向上从平面图观看时，通孔H可以设置在显示区域DA的内侧。现在将参照图2描述通孔H和与通孔H相邻设置的元件。

[0067] 孔区域HA(其是被通孔H占据的区域)限定在显示装置中。在实施例中，如图1和图2中所示，通孔H的平面形状可以是圆形形状。在可选实施例中，通孔H的平面形状可以是多边形或者椭圆形形状。在实施例中，通孔H的平面形状可以是包括直线和曲线的形状。

[0068] 阻挡区域BA可以限定为围绕通孔H的区域。在通孔H的平面形状为圆形形状的实施例中，阻挡区域BA的外边界可以是圆形的。在这样的实施例中，阻挡区域BA的外边界可以与通孔H的外边界同心。

[0069] 在这样的实施例中，凹槽可以设置在阻挡区域BA中。

[0070] 在实施例中，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以限定在绝缘基底500的阻挡区域BA中。第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以布置为围绕通孔H。在这样的实施例中，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的平面形状可以是围绕通孔H的环形形状。

[0071] 在实施例中，如图2中所示，三个凹槽(即，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3)布置在阻挡区域BA中。然而，凹槽的数量不限于三个。在可选实施例中，凹槽的数量可以进行各种修改，例如四个或更多个。

[0072] 在实施例中，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以顺序地布置在通孔H的外侧。在通孔H为圆形的实施例中，当从平面图观看时，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以具有以通孔H的中心为其中心的同心圆的形状。

[0073] 坝区域D可以限定为围绕阻挡区域BA的区域。在实施例中，多个坝可以设置在坝区域D中。在实施例中，如图2中所示，第一坝D1和第二坝D2可以设置在坝区域D中，但坝的数量不限于两个。在可选实施例中，坝的数量可以是一个或者可以是三个或更多个。

[0074] 在实施例中，如上面描述的，通孔H可以设置在显示区域DA的内侧。在通孔H设置在显示区域DA的内侧的这样的实施例中，显示区域DA可以设置在坝区域D的外侧。

[0075] 现在将参照图3和图4更详细地描述显示装置的实施例的剖面形状。

[0076] 在实施例中，如上面描述的，绝缘基底500可以为柔性基底。在实施例中，绝缘基底500可以包括彼此顺序堆叠的第一基底501、无机层400和第二基底502，并且第一基底501和第二基底502可以包括PI。

[0077] 缓冲层100可以设置在第二基底502上。在实施例中，缓冲层100可以设置在显示区域DA和坝区域D中。缓冲层100可以不设置在孔区域HA中。缓冲层100可以部分地设置在阻挡区域BA中，或者可以不设置在阻挡区域BA中。

[0078] 缓冲层100可以有效地防止穿过第二基底502的杂质渗透到缓冲层100上方的层中，并且可以使第二基底502的上表面平坦化。

[0079] 在实施例中，缓冲层100可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛中的至少一种。

[0080] 在实施例中，缓冲层100可以包括聚酰亚胺、聚酯和丙烯酸中的至少一种。

[0081] 在实施例中，如图3中所示，缓冲层100可以具有单层结构。然而，缓冲层100的结构不限于单层结构。在可选实施例中，缓冲层100可以具有包括多个功能膜的堆叠件的多层结构。

[0082] 半导体图案层700可以设置在缓冲层100上。在实施例中，半导体图案层700可以包括诸如非晶硅或者多晶硅的无机半导体。在可选实施例中，半导体图案层700可以包括有机半导体或氧化物半导体。

[0083] 在实施例中，半导体图案层700可以包括源区(未示出)和漏区(未示出)。将要在后面描述的源电极SE可以电连接到半导体图案层700的源区，将要在后面描述的漏电极DE可以电连接到半导体图案层700的漏区。

[0084] 栅极绝缘膜GI可以设置在半导体图案层700上。栅极绝缘膜GI可以设置在显示区域DA和坝区域D中。栅极绝缘膜GI可以不设置在孔区域HA中。栅极绝缘膜GI可以部分地设置在阻挡区域BA中，或者可以不设置在阻挡区域BA中。

[0085] 在实施例中，栅极绝缘膜GI的端部和缓冲层100的端部可以彼此对齐。在这样的实施例中，如图3中所示，栅极绝缘膜GI的侧壁和缓冲层100的侧壁可以彼此对齐。

[0086] 在实施例中，栅极绝缘膜GI可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。

[0087] 栅电极GE可以设置在栅极绝缘膜GI上。栅电极GE可以包括含铝(Al)基金属的铝合金、含银(Ag)基金属的银合金、含铜(Cu)基金属的铜合金、含钼(Mo)基金属的钼合金、铬(Cr)、钛(Ti)和钽(Ta)中的至少一种。

[0088] 层间绝缘膜ILD可以设置在栅电极GE上以覆盖栅电极GE。层间绝缘膜ILD可以设置在显示区域DA和坝区域D中。层间绝缘膜ILD可以不设置在孔区域HA中。层间绝缘膜ILD可以部分地设置在阻挡区域BA中或者可以不设置在阻挡区域BA中。

[0089] 在实施例中，层间绝缘膜ILD的端部和栅极绝缘膜GI的端部可以彼此对齐。在这样的实施例中，层间绝缘膜ILD的侧壁和栅极绝缘膜GI的侧壁可以彼此对齐。在这样的实施例中，层间绝缘膜ILD的侧壁、栅极绝缘膜GI的侧壁和缓冲层100的侧壁可以彼此对齐。

[0090] 在实施例中，如图3和图4中所示，层间绝缘膜ILD为单膜。然而，层间绝缘膜ILD不一定是单膜。在可选实施例中，层间绝缘膜ILD可以是两个或更多个功能层的堆叠件。

[0091] 源电极SE和漏电极DE设置在层间绝缘膜ILD上。在实施例中，层间绝缘膜ILD可以暴露半导体图案层700的源区和漏区，并且源电极SE和漏电极DE可以通过暴露的源区和漏区与半导体图案层700接触。因此，源电极SE和漏电极DE中的每个可以电连接到半导体图案层700。

[0092] 在实施例中，栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以共同限定薄膜晶体管。

[0093] 薄膜晶体管可以是用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管。

[0094] 在实施例中，如图3中所示，示出了栅电极GE设置在半导体图案层700上的顶栅型显示装置。然而，显示装置不限于顶栅型显示装置。在可选实施例中，显示装置可以采用栅电极GE设置在半导体图案层700下方的底栅型。

[0095] 钝化膜600可以设置在源电极SE、漏电极DE和层间绝缘膜ILD上。钝化膜600可以部分地覆盖层间绝缘膜ILD。在这样的实施例中，钝化膜600可以部分暴露漏电极DE。

[0096] 第一电极201、有机层EL和第二电极202可以设置在钝化膜600上。第一电极201、有机层EL和第二电极202可以共同限定有机发光二极管。

[0097] 在实施例中，第一电极201可以是阳极。第一电极201可以设置在钝化膜600上并且可以接触通过钝化膜600暴露的漏电极DE。在这样的实施例中，第一电极201可以电连接到漏电极DE。

[0098] 在实施例中，第一电极201可以是反射电极。在这样的实施例中，反射电极可以包括反射膜以及设置在反射膜上的透明电极或者半透明电极，所述反射膜包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。

[0099] 透明电极或者半透明电极可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)中的至少一种。

[0100] 包括绝缘材料的像素限定层PDL可以设置在第一电极201上。像素限定层PDL可以暴露第一电极201的至少一部分。

[0101] 有机层EL可以设置在像素限定层PDL和第一电极201上。有机层EL可以包括包含低分子量有机材料或者高分子量有机材料的有机发光层。

[0102] 在实施例中，有机发光层可以发射红色、绿色和蓝色中的一种的光。

[0103] 在这样的实施例中，有机层EL还可以包括空穴传输层(“HTL”)、空穴注入层(“HIL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少一个。

[0104] 在实施例中，有机层EL可以覆盖绝缘基底500的至少一部分。在这样的实施例中，有机层EL可以至少部分地覆盖显示区域DA、坝区域D和阻挡区域BA。

[0105] 第二电极202可以设置在有机层EL上。在实施例中，第二电极202可以是阴极。

[0106] 在实施例中，第二电极202可以是覆盖绝缘基底500的整个表面的整面电极。

[0107] 第二电极202可以覆盖有机层EL。在有机层EL覆盖显示区域DA、非显示区域NDA、坝区域D和阻挡区域BA的实施例中，第二电极202可以覆盖显示区域DA、非显示区域NDA、坝区域D和阻挡区域BA。

[0108] 在实施例中，第二电极202可以是透明电极或半透明电极。在实施例中，第二电极202可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中的至少一种。在实施例中，第二电极202可以包括具有低逸出功的金属薄膜或者由具有低逸出功的金属薄膜制成。

[0109] 在实施例中，透明电极或半透明电极可以包括ITO、IZO、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、IGO和AZO中的至少一种。

[0110] 在实施例中，显示装置可以是有机层EL产生的光朝向第二电极202发射的顶发射型显示装置。

[0111] 在可选实施例中，显示装置可以是有机层EL产生的光朝向第一电极201发射的底发射型显示装置。在这样的实施例中，第二电极202可以是反射电极，第一电极201可以是透明电极或者半透明电极。

[0112] 在另一可选实施例中，显示装置可以是有机层EL产生的光朝向第一电极201和第二电极202发射的双侧发射型显示装置。

[0113] 封装膜300可以设置在第二电极202上。在实施例中，封装膜300可以包括第一无机膜301、第一有机膜302和第二无机膜303。

[0114] 第一无机膜301可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的至少一种。

[0115] 在实施例中，如图3和图4中所示，第一无机膜301可以具有单层结构。然而，第一无机膜301的结构不限于单层结构。在可选实施例中，第一无机膜301可以具有包括多个功能膜的堆叠件的多层结构。

[0116] 在实施例中，第一无机膜301可以是由氧化硅(SiOx)制成的膜和由氮化硅(SiNx)制成的膜彼此交替堆叠的膜。第一有机膜302可以设置在第一无机膜301上。第一有机膜302可以设置在第一无机膜301上并且可以具有足够大的厚度(例如，可以具有大约30000埃的厚度)，以使由像素限定层PDL形成的台阶平坦化。

[0117] 在实施例中，第一有机膜302可以包括环氧树脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种。

[0118] 第二无机膜303可以设置在第一有机膜302上。第二无机膜303可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的至少一种。

[0119] 在图3中，第二无机膜303可以具有单层结构。然而，第二无机膜303的结构不限于单层结构。在可选实施例中，第二无机膜303可以具有包括多个功能膜的堆叠件的多层结构。在实施例中，第二无机膜303可以是由氧化硅(SiOx)制成的膜和由氮化硅(SiNx)制成的膜彼此交替堆叠的膜。

[0120] 接下来，将详细描述坝区域D。

[0121] 缓冲层100、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD可以设置在坝区域D中。在实施例中，如图3中所示，由三层(即，缓冲层100、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD)构成的无机膜设置在坝区域D中。然而，形成在坝区域D中的无机膜不限于此。在可选实施例中，由至少一个层构成的无机膜可以设置在坝区域D中，所述至少一个层可以由与缓冲层100、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD中的一个的材料相同的材料制成。

[0122] 第一坝D1和第二坝D2可以设置在层间绝缘膜ILD上。第一坝D1与通孔H间隔开。

[0123] 在实施例中，第一坝D1可以限定阻挡区域BA。在这样的实施例中，阻挡区域BA可以限定为在第一坝D1与通孔H之间的区域。

[0124] 在实施例中，第一坝D1可以包括与显示区域DA的像素限定层PDL的材料相同的材料或者由与显示区域DA的像素限定层PDL的材料相同的材料制成。在这样的实施例中，第一坝D1可以与像素限定层PDL设置在同一层上。在这样的实施例中，第一坝D1可以与像素限定层PDL在同一工艺期间形成。然而，发明不限于这种情况。在可选实施例中，第一坝D1可以独立于像素限定层PDL形成。

[0125] 第二坝D2可以与第一坝D1间隔开。第二坝D2可以设置在显示区域DA与第一坝D1之间。第二坝D2的高度可以不同于第一坝D1的高度。第二坝D2的高度可以比第一坝D1的高度小。然而，发明不限于此。在可选实施例中，第二坝D2的高度可以与第一坝D1的高度基本相同。

[0126] 在实施例中，第二坝D2可以由与显示区域DA的钝化膜600的材料相同的材料制成。在这样的实施例中，第二坝D2可以与钝化膜600在同一工艺期间形成。然而，发明不限于此。
在可选实施例中，第二坝D2可以独立于钝化膜600形成。

[0127] 封装膜300可以设置在第一坝D1和第二坝D2上。

[0128] 第一无机膜301、第一有机膜302和第二无机膜303可以设置在第二坝D2上。

[0129] 在实施例中，仅第一无机膜301和第二无机膜303可以设置在第一坝D1上，而第一有机膜302可以不设置在第一坝D1上。

[0130] 在这样的实施例中，当第二坝D2的上表面与第一有机膜302叠置时，第一坝D1的上表面可以不与第一有机膜302叠置。

[0131] 在这样的实施例中，第一无机膜301和第二无机膜303可以在第一坝D1上彼此直接接触。

[0132] 接下来，将详细描述阻挡区域BA。

[0133] 在实施例中，无机膜可以从阻挡区域BA去除或可以部分存在于阻挡区域BA中。

[0134] 在实施例中，阻挡区域BA可以包括第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3。

[0135] 如上面参照图2所述，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的外圆周可以具有带有不同直径的同心圆的形状。第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以具有彼此基本相同的剖面形状。

[0136] 在实施例中，如图3和图4中所示，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3具有彼此基本相同的宽度。然而，发明不限于此。在可选实施例中，第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以具有彼此不同的宽度。

[0137] 接下来，将详细描述孔区域HA。

[0138] 在实施例中，如上面描述的，通孔H可以限定在孔区域HA中。在实施例中，限定通孔H的两个侧壁可以呈锥形。在这样的实施例中，如图4中所示，通孔H的剖面可以从绝缘基底500的上表面向绝缘基底500的下表面变窄。

[0139] 现在将参照图5更详细地描述第一凹槽GR1的剖面形状。

[0140] 图5是图3的一部分的放大图。

[0141] 参照图5，第一凹槽GR1可以包括第一侧壁SW1、底表面BS和第二侧壁SW2。

[0142] 底表面BS可以设置在第一侧壁SW1与第二侧壁SW2之间。

[0143] 在实施例中，底表面BS可以通过无机层400的上表面限定。在这样的实施例中，第一凹槽GR1可以穿过第二基底502，但可以不穿过无机层400和第一基底501。在这样的实施例中，底表面BS可以通过无机层400限定，并且第一侧壁SW1和第二侧壁SW2可以通过第二基底502的侧壁限定。

[0144] 在实施例中，第一凹槽GR1的高度(即，从第二基底502的上表面到底表面BS的距离)可以是5.8微米(μm)或更大。

[0145] 在实施例中，第一侧壁SW1可以与底表面BS形成第一角度θ1。这里，第一角度θ1可以是锐角。当第一角度θ1是锐角时，从第二基底502的上表面延伸的第一侧壁SW1可以陡峭地倾斜。

[0146] 第二侧壁SW2可以与底表面BS形成第二角度θ2。在实施例中，第二角度θ2与第一角度θ1之和可以为大约180度。

[0147] 在这样的实施例中，第二侧壁SW2和第一侧壁SW1可以彼此平行延伸。

[0148] 这将在后面以斜率来描述。侧壁的斜率可以在剖面中定义。在实施例中，斜率可以定义为通过将由图5中示出的x轴和y轴构成的平面坐标系中的y轴方向的变化量除以x轴方向的变化量来获得的值。这里，斜率是指平面或线相对于x轴倾斜的程度。

[0149] 在这样的实施例中，第一侧壁SW1和第二侧壁SW2中的每个可以具有正斜率或者负斜率。在这样的实施例中，第一侧壁SW1和第二侧壁SW2可以具有彼此基本相同的斜率。

[0150] 在实施例中，如图5中所示，第一侧壁SW1和第二侧壁SW2中的每个具有正斜率。在可选实施例中，如图6中所示，第一侧壁SW1和第二侧壁SW2中的每个具有负斜率。

[0151] 有机层EL可以设置在第二基底502和第一凹槽GR1上。设置在绝缘基底500上的有机层EL可能成为湿气流动所沿的路径，从而通孔H周围产生的湿气可能通过有机层EL流入显示区域DA中，由此引起显示缺陷。

[0152] 在实施例中，有机层EL被构造为被中断以防止湿气通过有机层EL流入显示区域DA中。这里，术语“中断”可以用于打破连续元件的连续性。即，如果连续元件被中断，则它可以变得不连续，使得该元件被分成彼此断开的多个部分。

[0153] 有机层EL由于其高覆盖率而形成在具有缓坡的结构上时会无法被有效地中断。当第一侧壁SW1具有陡坡时，有机层EL可以被有效地中断，从而防止湿气通过有机层EL流入显示区域DA中。

[0154] 因此，在实施例中，有机层EL被中断的中断部分可以设置在阻挡区域BA中。

[0155] 在实施例中，如图3和图4中所示，第一中断部分CP1、第二中断部分CP2和第三中断部分CP3限定在阻挡区域BA中以分别与第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3对应，但不限于此。可选地，与凹槽对应的中断部分的数量可以基于设置在中断部分中的凹槽的数量进行各种修改。

[0156] 在下文中，将参照图5详细描述第一中断部分CP1。由于第二中断部分CP2和第三中断部分CP3与第一中断部分CP1基本相同，因此为了方便描述，将省略其任何重复的详细描述。

[0157] 在实施例中，如图5中所示，第一中断部分CP1可以通过第一侧壁SW1限定。

[0158] 中断有机层EL的第一中断部分CP1可以具有如下结构：第一侧壁SW1的一部分可以与有机层EL接触，第一侧壁SW1的其余部分可以不与有机层EL接触，并且整个底表面BS和整个第二侧壁SW2可以与有机层EL接触。

[0159] 第二电极202可以设置在有机层EL上。在实施例中，第二电极202可以在第一中断部分CP1处被中断。因此，第二电极202可以与第一侧壁SW1直接接触。底表面BS和第二侧壁SW2由于有机层EL而可以不与第二电极202直接接触。

[0160] 在这样的实施例中，有机层EL可以不覆盖第一侧壁SW1的一部分，从而暴露第一侧壁SW1的所述一部分。

[0161] 第一无机膜301可以设置在第二电极202上。在实施例中，第一无机膜301可以与第一侧壁SW1的被第二电极202和有机层EL暴露的部分直接接触。

[0162] 第二无机膜303可以设置在第一无机膜301上。在这样的实施例中，第一无机膜301和第二无机膜303可以在阻挡区域BA中彼此直接接触。

[0163] 第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以具有与第一凹槽GR1的形状基本相同的形状。因此，将省略对第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的任何重复的详细描述。

[0164] 返回参照图4，通孔H可以设置在阻挡区域BA的内侧。通孔H可以完全穿过绝缘基底500来限定。因此，孔区域HA中可以限定空的空间。

[0165] 在下文中，将详细描述显示装置的可选实施例。在下文中，与上面描述的元件相同的这样实施例的元件由同样的附图标记表示，并且将省略或简化其任何重复的详细描述。

[0166] 图6是根据可选实施例的显示装置的部分放大图。参照图6，在实施例中，在第一凹槽GR1_1中，第一侧壁SW1_1与底表面BS1形成第一角度θ1，第二侧壁SW2_1与底表面BS1形成第二角度θ2。除了由第二侧壁SW2_1和底表面BS1形成的第二角度θ2是锐角之外，图6中所示的实施例与图5中所示的实施例基本相同。

[0167] 在这样的实施例中，由第一侧壁SW1_1和底表面BS1形成的第一角度θ1可以是钝角，由第二侧壁SW2_1和底表面BS1形成的第二角度θ2可以是锐角。

[0168] 在这样的实施例中，第一中断部分CP1_1可以限定在第二侧壁SW2_1处。在这样的实施例中，有机层EL可以被中断。因此，第二侧壁SW2_1的一部分可以与有机层EL接触，并且第二侧壁SW2_1的其余部分可以不与有机层EL接触。在这样的实施例中，整个底表面BS1和整个第一侧壁SW1_1可以与有机层EL接触。

[0169] 第二电极202可以设置在有机层EL上。在实施例中，第二电极202可以在第一中断部分CP1_1处被中断。因此，第二电极202可以与第二侧壁SW2_1直接接触。底表面BS1和第一侧壁SW1_1由于有机层EL而可以不与第二电极202直接接触。

[0170] 在这样的实施例中，有机层EL可以不覆盖第二侧壁SW2_1的一部分，从而暴露第二侧壁SW2_1的所述一部分。

[0171] 第一无机膜301可以设置在第二电极202上。在实施例中，第一无机膜301可以与第二侧壁SW2_1的被第二电极202和有机层EL暴露的部分直接接触。

[0172] 图7是根据另一可选实施例的显示装置的剖视图。

[0173] 参照图7，绝缘膜可以设置在阻挡区域BA的未限定凹槽的部分中。

[0174] 在实施例中，缓冲层100、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD可以设置在阻挡区域BA的未限定第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的部分中。

[0175] 在实施例中，如图7中所示，所有的缓冲层100、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD设置在阻挡区域BA的未限定第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的部分中。然而，发明不限于这种情况。

[0176] 在可选实施例中，缓冲层100、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD中的至少一个可以设置在阻挡区域BA的未限定第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的部分中。在这样的实施例中，可以省略缓冲层100、栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD中的至少一个。

[0177] 图8是根据可选实施例的显示装置的示意性平面图。图9是图8的部分‘B’的放大图。图10是沿图9的线III‑III'截取的剖视图。

[0178] 参照图8至图10，在实施例中，通孔H1可以设置在非显示区域NDA中。

[0179] 参照图8至图10，通孔H1可以限定为在非显示区域NDA中穿过绝缘基底500。阻挡区域BA和坝区域D可以围绕由通孔H1占据的孔区域HA设置。在这样的实施例中，阻挡区域BA和坝区域D与上面参照图2描述的阻挡区域BA和坝区域D基本相同，并且将省略其任何重复的详细描述。

[0180] 非显示区域NDA可以设置在坝区域D的外侧。参照图10，第一绝缘膜801、第二绝缘膜802和第三绝缘膜803可以在非显示区域NDA和坝区域D中形成在第二基底502上。

[0181] 在实施例中，第一绝缘膜801可以包括与显示区域DA的缓冲层100的材料相同的材料或者由与显示区域DA的缓冲层100的材料相同的材料制成，第二绝缘膜802可以包括与显示区域DA的栅极绝缘膜GI的材料相同的材料或者由与显示区域DA的栅极绝缘膜GI的材料相同的材料制成，第三绝缘膜803可以包括与显示区域DA的钝化膜600的材料相同的材料或者由与显示区域DA的钝化膜600的材料相同的材料制成。

[0182] 在实施例中，如图10中所示，由三层构成的绝缘膜设置在非显示区域NDA和坝区域D中。然而，绝缘膜的结构不限于此。绝缘膜可以具有单层结构或者包括四层或更多层的堆叠件的多层结构。

[0183] 第一无机膜301和第二无机膜303可以设置在非显示区域NDA中的第三绝缘膜803上。在这样的实施例中，第一无机膜301和第二无机膜303可以在非显示区域NDA中彼此直接接触。

[0184] 然而，发明不限于这种情况。在可选实施例中，第一有机膜302可以设置在第一无机膜301与第二无机膜303之间(见图3)。

[0185] 第一坝D1和第二坝D2可以在坝区域D中设置在第三绝缘膜803上。由于第一坝D1和第二坝D2与上面参照图3描述的第一坝D1和第二坝D2基本相同，所以将省略其任何重复的详细描述。

[0186] 图11是根据另一可选实施例的显示装置的示意性平面图。图12是图11的部分‘C’的放大图。

[0187] 参照图11，在实施例中，通孔H2可以具有四边形形状。在发明的实施例中，通孔H2的形状不限于如上面描述的四边形形状。

[0188] 参照图12，在通孔H2具有四边形形状的实施例中，围绕通孔H2的第一凹槽GR1_2、第二凹槽GR2_2和第三凹槽GR3_2可以具有四边形形状。在这样的实施例中，通孔H2的平面形状可以类似于第一凹槽GR1_2、第二凹槽GR2_2和第三凹槽GR3_2的平面形状。

[0189] 在通孔H2具有四边形形状的这样的实施例中，第一坝D1_2和第二坝D2_2中的每个的平面形状可以是四边形形状。通孔H2的平面形状可以类似于第一坝D1_2和第二坝D2_2的平面形状。

[0190] 在实施例中，如图12中所示，第一凹槽GR1_2、第二凹槽GR2_2、第三凹槽GR3_2、第一坝D1_2和第二坝D2_2的平面形状为四边形形状，并且通孔H2具有四边形形状。然而，第一凹槽GR1_2、第二凹槽GR2_2、第三凹槽GR3_2、第一坝D1_2和第二坝D2_2的平面形状不限于此。

[0191] 在可选实施例中，通孔H2可以具有四边形形状，第一凹槽GR1_2、第二凹槽GR2_2、第三凹槽GR3_2、第一坝D1_2和第二坝D2_2的平面形状可以是如图2中的圆形形状。

[0192] 在下文中，将描述制造显示装置的方法的实施例。在下面描述的一些元件可以与上面描述的显示装置的实施例中的元件相同或相似，因此将省略对相同或相似元件的任何重复的详细描述。

[0193] 图13至图19是示出根据实施例的制造显示装置的方法的图。图20是示出根据实施例的制造显示装置的方法的平面图。参照图13至图20，制造显示装置的方法的实施例包括：在设置在载体基底G上的绝缘基底500的第一区域A1上设置一个或更多个坝D1和D2，其中，在绝缘基底500中限定第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3；通过沿第一方向向第三区域A3照射激光束来形成激光切割部分LC；通过沿不同于第一方向的第二方向向第二区域A2照射激光束，在绝缘基底500中形成一个或更多个凹槽；以及在绝缘基底500上设置有机层EL以部分地覆盖凹槽。

[0194] 参照图13，在限定有第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3的绝缘基底500的第一区域A1上设置一个或更多个坝D1和D2。

[0195] 绝缘基底500可以设置在载体基底G上。载体基底G可以包括玻璃。

[0196] 在实施例中，第三区域A3的平面形状可以是圆形形状。在这样的实施例中，在后续的工艺中，可以在第三区域A3中形成通孔H。

[0197] 在这样的实施例中，第三区域A3可以与图2或者图12的孔区域HA对应。

[0198] 在这样的实施例中，第一区域A1可以与图2或者图12的坝区域D对应，第二区域A2可以与图2或者图12的阻挡区域BA对应。

[0199] 在实施例中，可以在第一区域A1中设置一个或更多个绝缘膜。绝缘膜可以包括第一绝缘膜801、第二绝缘膜802和第三绝缘膜803中的一个或更多个。

[0200] 在这样的实施例中，可以不在第二区域A2和第三区域A3中设置绝缘膜。在实施例中，可以在绝缘基底500的整个表面上设置绝缘膜，然后可以去除绝缘膜的与第二区域A2和第三区域A3对应的部分。在可选实施例中，可以使用掩模仅在第一区域A1中形成绝缘膜。

[0201] 在实施例中，如图13中所示，没有在第二区域A2和第三区域A3中设置绝缘膜。然而，发明不限于此。在可选实施例中，可以如在第一区域A1中那样在第二区域A2和第三区域A3中设置第一绝缘膜801、第二绝缘膜802和第三绝缘膜803中的一个或更多个。

[0202] 在这样的实施例中，通过将要在后面描述的这样的工艺获得的结构可以为如图7中所示的结构。

[0203] 可以在第一区域A1的第三绝缘膜803上形成第一坝D1和/或第二坝D2。

[0204] 在实施例中，第一坝D1可以与显示区域DA的像素限定层PDL在同一工艺中形成，但不限于此。在这样的实施例中，第二坝D2可以与显示区域DA的钝化膜600在同一工艺中形成(见图3)。

[0205] 参照图14，可以通过沿第一方向向绝缘基底500的第三区域A3照射激光束来形成激光切割部分LC。

[0206] 在实施例中，第一方向可以是绝缘基底500的厚度方向，即垂直于绝缘基底500的方向。沿第一方向照射的第一激光束L1可以完全穿透绝缘基底500。在这样的实施例中，第一激光束L1可以形成完全穿过第一基底501、无机层400和第二基底502的激光切割部分LC。

[0207] 在实施例中，激光切割部分LC可以成形为如图15中所示的环形。在可选实施例中，激光切割部分LC可以成形为框架。

[0208] 当激光切割部分LC形成为环形形状时，可以在激光切割部分LC的内侧形成岛图案50。可以随后去除岛图案50。

[0209] 参照图16，通过沿与第一方向不同的第二方向向第二区域A2照射激光束，在绝缘基底500中穿过第二基底502形成一个或更多个凹槽GR1至GR3，所述一个或更多个凹槽GR1至GR3均具有第一侧壁SW1、第二侧壁SW2和底表面BS。

[0210] 第二方向可以与第一方向不同。定义参考平面RL以描述第二方向。参考平面RL可以是平行于绝缘基底500的上表面的假想平面。

[0211] 作为第二激光束L2的照射方向的第二方向可以与参考平面RL形成第三角度θ3。在实施例中，第三角度θ3可以与由第一侧壁SW1和底表面BS形成的第一角度θ1基本相同。

[0212] 在这样的实施例中，第一角度θ1和第三角度θ3可以是锐角。

[0213] 照射到绝缘基底500上的第二激光束L2可穿透第二基底502。然而，因为无机层400起阻挡层作用，所以第二激光束L2可以不穿透无机层400和第一基底501。

[0214] 通过第二激光束L2形成的第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3与上面参照图5或图6描述的第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3基本相同。因此，将省略对第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的任何重复的详细描述。

[0215] 在实施例中，可以设置多个第二激光束L2。在实施例中，如图16中所示，第二激光束L2的数量是三个。然而，第二激光束L2的数量不限于三个。在可选实施例中，第二激光束L2的数量可以是一个或者可以是四个或更多个。

[0216] 参照图17，制造显示装置的方法的实施例还可以包括在绝缘基底500上设置有机层EL、在有机层EL上设置第二电极202以及在第二电极202上设置封装膜300。

[0217] 在一个实施例中，例如，可以通过化学气相沉积法或者喷墨法来形成有机层EL，但不限于此。

[0218] 可以在绝缘基底500上设置或者形成有机层EL。如上面参照图4描述的，可以通过形成在第二区域A2中的一个或更多个凹槽来限定中断有机层EL的中断部分CP1至CP3。

[0219] 在实施例中，可以使用化学气相沉积法来形成第二电极202。

[0220] 第二电极202可以具有与图3的第二电极202的结构基本相同的结构。

[0221] 可以在第二电极202上设置或形成封装膜300。封装膜300可以包括第一无机膜301、第一有机膜302和第二无机膜303。封装膜300可以与图3的封装膜300基本相同。

[0222] 参照图18，制造显示装置的方法的实施例还可以包括从绝缘基底500分离载体玻璃G以及将保护膜PF附着到绝缘基底500。

[0223] 在分离载体玻璃G中，可以去除岛图案50或者可以如图18中所示保留岛图案50。然而，即使保留岛图案50，也将在切割保护膜PF的后续工艺期间去除岛图案50。

[0224] 可以将保护膜PF附着到绝缘基底500的下表面以确保在分离载体玻璃G之后的后续工艺中的稳定性。

[0225] 参照图19和图20，制造显示装置的方法的实施例还可以包括切割保护膜PF。

[0226] 在实施例中，可以切除保护膜PF的与第三区域A3对应的部分。当切割保护膜PF时，可以去除位于第三区域A3中并位于保护膜PF上的留存的岛图案50。因此，可以在第三区域A3中形成通孔H。可以沿激光切割部分LC切割保护膜PF。结果，可以形成如图20中所示的没有岛图案50的通孔H。

[0227] 在发明的实施例中，有效地防止湿气渗入显示区域中，使得可以有效地防止显示缺陷的发生。

[0228] 然而，实施例的效果不限于这里阐述的效果。对于实施例所属领域的普通技术人员而言，通过参照权利要求，实施例的上面效果和其它效果将变得更加明显。

[0229] 虽然已经参照发明的示例性实施例具体示出和描述了发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求所限定的发明的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。示例性实施例应该仅被认为是描述性的而不是为了限制的目的。