高压芯片出光组件

摘要

本发明公开了一种高压芯片出光组件，包括多个阵列化的单元，每个单元包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构。由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围增加光强分布，形成边缘清晰均匀分布的光斑。

权利要求

1.一种高压芯片出光组件，其特征在于：包括多个阵列化的单元，每个单元包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的侧面向内倾斜，所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角。

2.根据权利要求1所述的高压芯片出光组件，其特征在于：每个所述的棱镜结构的横截面均呈向外倾斜的三角形。

3.根据权利要求1所述的高压芯片出光组件，其特征在于：所述的棱镜结构的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的高压芯片出光组件，其特征在于：每个所述的棱镜结构的间隔从内到外逐渐增加。

5.根据权利要求1所述的高压芯片出光组件，其特征在于：所述的棱镜结构从内到外尺寸逐渐增加。

6.根据权利要求1所述的高压芯片出光组件，其特征在于：所述的高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，所述的n-GaN层上形成有n型电极，所述的p-GaN层上形成有p型电极。

7.根据权利要求6所述的高压芯片出光组件，其特征在于：所述的p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。

8.根据权利要求1所述的高压芯片出光组件，其特征在于：至少包括8个阵列化的单元。

说明书

高压芯片出光组件

技术领域

[0001] 本发明涉及一种LED组件。

背景技术

[0002] 现有照明组件的各个单元之间存在匹配的问题，如果装配精度不够，则会出现阴影等不良现象。

发明内容

[0003] 为了克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种组合后照明均匀的高压芯片出光组件。

[0004] 为了达到以上目的，本发明提供了一种高压芯片出光组件，包括多个阵列化的单元，每个单元包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构。

[0005] 作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的横截面均呈向外倾斜的三角形。

[0006] 作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小。

[0007] 作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的间隔从内到外逐渐增加。

[0008] 作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构从内到外尺寸逐渐增加。

[0009] 作为本发明进一步的改进，所述的高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，所述的n-GaN层上形成有n型电极，所述的p-GaN层上形成有p型电极。

[0010] 作为本发明进一步的改进，所述的p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。

[0011] 作为本发明进一步的改进，所述的边缘调整座的侧面向内倾斜。

[0012] 作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角。

[0013] 作为本发明进一步的改进，至少包括8个阵列化的单元。

[0014] 由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围增加光强分布，形成边缘清晰均匀分布的光斑。

附图说明

[0015] 附图1为根据本发明的组件示意图；

[0016] 附图2为根据本发明的原理示意图。

具体实施方式

[0017] 下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

[0018] 参见附图1和附图2，本发明的高压芯片出光组件，包括12个阵列化的单元，每个单元包括一立方体的边缘调整座1，边缘调整座1的底面中心向上凹陷形成入光面2，凹陷内设置有高压芯片3，边缘调整座1的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面4，出光面4的交界线的投影与立方体的顶面的对角线相重合，边缘调整座1的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构5，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构。

[0019] 从图中可以看出，每个棱镜结构5的横截面均呈向外倾斜的三角形，棱镜结构5的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小，每个棱镜结构5的间隔从内到外逐渐增加，棱镜结构5从内到外尺寸逐渐增加。

[0020] 高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，n-GaN层上形成有n型电极，p-GaN层上形成有p型电极，另外，p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。

[0021] 可以看到，边缘调整座1的侧面向内倾斜，其中，棱镜结构5的倾斜角小于边缘调整座1侧面的倾斜角。

[0022] 出光面4将高压芯片3的小角度出射光线以大体方形光斑的形状均匀投射，主要覆盖约80%的区域，如图中光线a所示；棱镜结构5将高压芯片3的较大角度的出射光线投射到方形光斑的边缘附近，如图中光线b、c所示，由于从内到外的出射光线角度越大，因此需要对棱镜结构采取渐变的结构以应对这种改变，主要覆盖约10%的区域；边缘调整座1的侧面将高压芯片3的最大角度的出射光线透射在方形光斑的边缘，如图中光线d，从而形成边缘清晰的方形，对整个光斑形成边缘约束作用。

[0023] 以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。