一种闪烁体阵列发光衰减时间测试方法转让专利
申请号 : CN201811533020.X
文献号 : CN109490940B
文献日 : 2020-04-28
发明人 : 吴和宇 , 郭维新
申请人 : 江苏赛诺格兰医疗科技有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种闪烁体阵列发光衰减时间测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:被测闪烁体阵列发出的闪烁光被相应设置的光电探测阵列接受,并转化成电脉冲信号;
步骤S2:将步骤S1中得到的电脉冲信号传输到电阻网络中,所述电阻网络将输入的电脉冲信号整合成四路输出的电脉冲信号,四路输出的电脉冲信号分别经由4个前置放大器传送到脉冲形状分析系统得到四路脉冲形状信息;
步骤S3:对步骤S2得到的四路脉冲形状信息分别进行第一次校正,得到第一次校正后的四路脉冲形状信息;
步骤S4:对得到的第一次校正后的四路脉冲形状信息进行面积计算得到每个闪烁体发光事件的坐标位置,并对四路脉冲形状信息加和,得到加和脉冲,对加和脉冲的后沿做曲线拟合,得到闪烁体一次事件的发光衰减时间,通过对多次事件积累获得闪烁体发光衰减时间分布;
步骤S5:对步骤S4得到的闪烁体发光衰减时间分布进行闪烁体阵列测量精度的第二次校正,得到还原测量精度的闪烁体阵列发光衰减时间分布,根据得到的还原测量精度的闪烁体阵列发光衰减时间分布判断闪烁体阵列中是否有不合格的闪烁体;
步骤S3中通过变形校正函数FA,B,C,D(X,Y,t)进行第一次校正,所述变形校正函数FA,B,C,D(X,Y,t)通过理论模拟手段得到或通过同一个闪烁体在不同位置测试结果与该闪烁体自身本征发光衰减时间做对比得到,其中X,Y为辐射发光事件的位置坐标,t为时间;
步骤S5中第二次校正根据刻度曲线的关系式进行校正,所述刻度曲线通过不同发光衰减时间的晶体在单晶体和快PMT上测试结果与闪烁体阵列测试结果比对得到。
2.根据权利要求1所述的闪烁体阵列发光衰减时间测试方法,其特征在于,假定所述电阻网络的四路脉冲信号输出分别为A、B、C和D四路脉冲信号输出,电阻网络的A和C两个输出端相连,B和D两个输出端相连,假定有N×N路信号输入,则所述电阻网络设置有N×N路信号输入端,则电阻网络的A和C两个输出端之间串联N+1个电阻,B和D两个输出端之间串联N+1个电阻,在AC上每两个相邻电阻之间与BD上每两个相邻电阻之间对应并联N条线路,所述并联N条线路的每条线路上设置有N路信号输入端,并且所述并联N条线路的每条线路上串联有N+1个电阻,每一路信号输入端设置在所述并联N条线路的每条线路上相邻两个电阻之间。
3.根据权利要求2所述的闪烁体阵列发光衰减时间测试方法,其特征在于,步骤S3中对步骤S2得到的第一次校正后的四路脉冲形状信息进行面积计算时,假定辐射发光事件的位置坐标用(X,Y)来表示,则A、B、C和D四路脉冲信号的面积或脉冲高度与辐射发光事件的位置坐标的关系用下式(1)表示:对得到的第一次校正后的四路脉冲形状信息中的脉冲信号的面积进行如式(1)的计算,即能够得到每个闪烁体发光事件的坐标位置。
4.根据权利要求1所述的闪烁体阵列发光衰减时间测试方法,其特征在于,步骤S1中对于光电探测阵列设置光导以用来使闪烁体阵列中各个闪烁体的坐标区分开,设置光导时要根据被测闪烁体阵列与光电探测器之间的有效面积关系及像素大小关系来设置。
5.根据权利要求1所述的闪烁体阵列发光衰减时间测试方法,其特征在于,步骤S1中设置γ放射源,通过γ放射源在闪烁体阵列产生辐射发光事件。
说明书 :
一种闪烁体阵列发光衰减时间测试方法
技术领域
背景技术
测器。
烁体,已经有很多成熟的方法来评价这些特性。
艺,这样会导致即使是同一闪烁体棒料上切出来的闪烁体也会因为激活剂浓度不同或晶格
缺陷等问题而出现光产额或发光衰减时间的差异。这些差异会导致探测器阵列不同位置上
的能量分辨和时间分辨的分布与预期不符。
192个探测器算,一台PET要用到用37632条闪烁体。这种应用场合下,在闪烁体阵列制造过
程中用传统的闪烁体性能测试方法测每个闪烁体显然效率太低了,而在阵列性能的最终检
测时传统的单个闪烁体性能测试方法又不能分辨每个闪烁体的性能,所以需要有更高效准
确的方法解决这个问题。
发明内容
装置。
送到脉冲形状分析系统得到四路脉冲形状信息;
做曲线拟合,得到闪烁体一次事件的发光衰减时间,通过对多次事件积累获得闪烁体发光
衰减时间分布;
的闪烁体阵列发光衰减时间分布判断闪烁体阵列中是否有不合格的闪烁体。
则所述电阻网络设置有N×N 路信号输入端,则电阻网络的A和C两个输出端之间串联N+1个
电阻, B和D两个输出端之间串联N+1个电阻,在AC上每两个相邻电阻之间与BD上每两个相
邻电阻之间对应并联N条线路,所述并联N条线路的每条线路上设置有N路信号输入端,并且
所述并联N条线路的每条线路上串联有N+1个电阻,每一路信号输入端设置在所述并联N条
线路的每条线路上相邻两个电阻之间。
射发光事件的位置坐标的关系用下式(1)表示:
身本征发光衰减时间做对比得到,其中 X,Y为辐射发光事件的位置坐标,t为时间;
测器之间的有效面积关系、像素大小关系以及相对位置来设置。
冲信号输出整合为四路输出后输入前置放大网络;前置放大器将放大后进入脉冲形状分析
系统,前置放大器要保证对信号做有效放大而无失真,且不需要进行整形处理,前置放大器
的放大倍数要匹配后端脉冲分析系统的测试量程;脉冲形状分析系统主要用于获取电阻网
络四路输出脉冲信号的脉冲形状信息,通过分析校正后四路输出脉冲面积和得到闪烁体的
相对光产额,通过分析校正后脉冲后沿的时间特征得到闪烁体的发光衰减时间。
输入端,则电阻网络的A和 C两个输出端之间串联N+1个电阻,B和D两个输出端之间串联N+1
个电阻,且所述电阻网络的AC与BD之间并联设置N条线路,所述并联设置的N条线路的每条
线路上分别设置有N路信号输入端,并且所述并联设置的N条线路的每条线路上串联有N+1
个电阻,每一路信号输入端设置在所述并联N条线路的每条线路上相邻两个电阻之间。
导的能使闪烁体阵列中各个闪烁体的坐标区分开,光电探测阵列由多个光电探测器组成阵
列或者直接用阵列型光电探测器构成。
挑选。
出整合成四路输出,对四路输出的电脉冲信号进行面积计算,就能够得到闪烁体阵列中每
个闪烁体的位置。
附图说明
具体实施方式
大器传送到脉冲形状分析系统得到四路脉冲形状信息。
曲线拟合,得到闪烁体一次事件的发光衰减时间,通过对多次事件的积累获得闪烁体发光
衰减时间分布。
闪烁体阵列发光衰减时间分布判断闪烁体阵列中是否有不合格的闪烁体。
常数据超过规定的合格限值,则该异常数据对应的闪烁体是异常的或不及格的。
电阻网络设置有N×N路信号输入端,电阻网络的A和C两个输出端之间串联N+1个电阻,B和D
两个输出端之间串联N+1个电阻,在AC上每两个相邻电阻之间与BD上每两个相邻电阻之间
对应并联N条线路,并联N条线路的每条线路上设置有N路信号输入端,并且并联N条线路的
每条线路上串联有N+1个电阻,每一路信号输入端设置在并联N条线路的每条线路上相邻两
个电阻之间。
或脉冲高度与辐射发光事件的位置坐标的关系用下式(1)表示:
个闪烁体中的事件空间分布,如图3即为一个15×15闪烁体阵列的事件分布散点图。这样我
们通过坐标分布即可区分每个辐射发光事件是发生在哪个闪烁体中。
电阻网络的A、B、C和D四路输出的电脉冲信号的每一路输出进行校正即第一次校正,具体为
通过变形校正函数FA,B,C,D(X,Y,t)进行第一次校正,进一步地,变形校正函数 FA,B,C,D(X,Y,t)通过理论模拟手段得到或通过同一个闪烁体在不同位置测试结果与该闪烁体自身本征
发光衰减时间做对比得到,且其中X,Y为辐射发光事件的位置坐标,t为时间。
到,形成刻度曲线,根据刻度曲线找出刻度曲线的关系式,通过刻度曲线的关系式对步骤S4
得到的闪烁体发光衰减时间分布进行第二次校正,得到还原测量精度的闪烁体阵列发光衰
减时间分布。
到被测闪烁体阵列每条闪烁体的发光衰减时间及其分布;第二次校正是用于校正闪烁体阵
列测试方法、电子学处理方法带来的系统偏差,通过与单晶体和快PMT进行测量结果上的对
比进行纠正。
器之间的有效面积关系、像素大小关系以及相对位置来设置。
闪烁体阵列辐射发光时,光电探测阵列接收到被测闪烁体阵列辐射发出的光,然后将光信
号转化为电脉冲信号输送到电阻网络,电阻网络将电脉冲信号输送至前置放大器进行信号
放大,然后前置放大器将放大后的电脉冲信号输送至脉冲形状分析系统进行电脉冲信号的
信息的采集并进行分析。
整合成四路输出,四路输出分别与前置放大器输入端连接,前置放大器输出端与脉冲形状
分析系统的输入端连接,前置放大器将输出信号幅度放大至与脉冲形状分析系统量程相匹
配。
探测器的电脉冲信号输出整合为四路输出后输入前置放大网络;前置放大器将放大后进入
脉冲形状分析系统,前置放大器要保证对信号做有效放大而无失真,且不需要进行整形处
理,前置放大器的放大倍数要匹配后端脉冲分析系统的测试量程;脉冲形状分析系统主要
用于获取电阻网络四路输出脉冲信号的脉冲形状信息,通过分析校正后四路输出脉冲面积
和得到闪烁体的相对光产额,通过分析校正后脉冲后沿的时间特征得到闪烁体的发光衰减
时间。通过单晶条测试和阵列测试比较,建立刻度曲线,通过刻度还原测量的准确度。
N=4,即如图2所示,图2是匹配4×4输出的光探测器的电阻网络图,A、B、C和D四路输出为A
与C相连,B与D相连,A 和C两个输出端之间串联有5个电阻,B和D两个输出端之间串联有5个
电阻, AC与BD之间并联4条线路,AC与BD之间并联的每条线路上串联有5个电阻,并设置有4
个输入端口,共有16路信号输入端,每路信号输入端设置在AC与 BD之间并联的每条线路上
每两个相邻电阻之间,将16路光电探测器(即 CH1-1~4,CH2-1~4,CH3-1~4,CH4-1~4)的
16路输入整合为A、B、C和D 四路输出。
端脉冲分析系统的测试量程,脉冲形状分析系统用于获取经由前置放大器后的四路输出信
号的脉冲形状信息,脉冲形状信息包括脉冲信号形状的面积和下降沿,对脉冲信号形状的
面积根据步骤进行计算得到光产额信息;对脉冲信号形状的下降沿可得到发光衰减时间信
息。
性,如光电倍增管等。
器阵列和光导的作用是最终能使闪烁体阵列中各个闪烁体的坐标能分开。
核素如137Cs或68Ge。在闪烁体自身有自发放射性(如 LYSO闪烁体有自发放射性)且对光产额
测试不做较高要求时可不用γ放射源。
号输入适应性扩展为8×8路信号输入,即可完成对 15×15的LYSO闪烁体阵列的测试,并同
实施例1中一样,令N=9,最后同样将8×8个光电探测器的输出整合为A、B、C和D四路输出,
其中A与C相连, B与D相连,A和C两个输出端之间串联有9个电阻,B和D两个输出端之间串联
有9个电阻,AC与BD之间并联8条线路,每条线路上设置有8个输入端口,共有64路信号输入
端,AC与BD之间并联的每条线路上串联有9个电阻,每路信号输入端设置在AC与BD之间并联
的每条线路上每两个相邻电阻之间,最终将64路信号输入整合为A、B、C和D四路输出。
沿有20个以上的采集数据点,一次采集存储空间可采集225000个事件。
示。
43.61 42.61 42.50 42.36 41.92 41.51 39.43 41.18 38.80 39.29 41.78 41.33 41.14 42.49 41.42
39.06 41.23 41.25 41.44 42.55 43.42 41.14 41.49 40.79 40.85 40.04 41.31 41.78 42.53 41.57
41.59 39.47 38.90 39.36 39.37 39.45 41.19 40.78 39.52 39.15 41.67 39.35 40.93 41.90 41.96
42.22 41.46 41.50 41.19 42.12 39.47 42.10 39.62 38.91 40.60 42.66 40.94 39.99 41.88 39.45
41.59 41.90 41.22 41.16 39.62 41.52 39.41 38.69 38.81 39.33 40.94 41.13 38.81 39.95 41.38
41.51 41.61 41.37 39.29 40.61 41.01 39.04 40.72 41.84 39.33 40.50 38.98 40.77 38.92 42.44
41.29 41.58 41.66 39.09 40.65 40.96 39.68 41.51 39.54 41.63 39.62 39.86 41.38 39.66 42.97
38.68 41.07 41.75 39.42 40.82 41.37 40.54 39.11 41.27 42.64 39.93 41.85 42.87 42.35 39.09
38.76 41.20 40.85 38.74 40.04 41.70 41.02 38.84 40.84 42.11 41.86 39.68 39.41 39.32 42.12
41.00 38.98 38.72 39.11 41.09 41.42 41.41 41.11 38.66 39.12 41.38 41.19 40.79 41.30 41.61
39.15 39.36 41.13 41.40 41.65 41.27 41.42 41.21 38.70 39.11 41.03 38.78 39.05 41.18 42.06
42.72 41.23 41.64 41.62 41.44 39.90 41.02 41.12 39.35 41.97 41.51 39.08 40.83 41.09 41.78
43.75 42.19 41.52 41.27 38.84 41.21 41.47 41.26 39.46 42.83 41.53 41.35 41.13 38.80 38.23 [0075] 根据步骤S5对对表1中的发光衰减时间分布进行第二次校正,得到的刻度曲线的
关系式为下式(2):
取表1第一行第一列的数据40.73,则Y=40.73× 1.0592-7.622,需要注意的是乘法运算需
要保留三位小数,最后结果保留两位小数,即40.73×1.0592=43.141,43.141-7.622=
35.52,最终的得到的Y值为对应位置的表2中的数值即表2中第一行第一列数据的数值,表2
中其他数据的数值由此根据式(2)得到。
38.57 37.51 37.40 37.25 36.77 36.35 34.14 35.99 33.48 34.00 36.63 36.16 35.96 37.38 36.25
33.75 36.05 36.07 36.27 37.45 38.36 35.96 36.33 35.58 35.65 34.79 36.14 36.63 37.42 36.41
36.43 34.18 33.59 34.06 34.08 34.16 36.01 35.57 34.24 33.84 36.51 34.06 35.73 36.76 36.82
37.09 36.29 36.34 36.00 36.99 34.18 36.97 34.34 33.59 35.38 37.56 35.74 34.73 36.74 34.17
36.43 36.76 36.03 35.97 34.34 36.36 34.12 33.36 33.48 34.04 35.74 35.94 33.49 34.70 36.20
36.35 36.46 36.19 34.00 35.40 35.81 33.73 35.51 36.70 34.04 35.28 33.66 35.57 33.60 37.33
36.11 36.41 36.51 33.78 35.44 35.77 34.40 36.35 34.25 36.47 34.34 34.60 36.20 34.38 37.89
33.34 35.88 36.60 34.13 35.61 36.20 35.31 33.80 36.09 37.54 34.68 36.71 37.79 37.23 33.78
33.43 36.02 35.65 33.41 34.79 36.55 35.83 33.51 35.63 36.98 36.72 34.41 34.12 34.02 36.99
35.81 33.67 33.39 33.80 35.90 36.25 36.24 35.92 33.33 33.81 36.21 36.01 35.58 36.13 36.46
33.85 34.06 35.94 36.23 36.49 36.09 36.25 36.03 33.37 33.80 35.84 33.46 33.74 36.00 36.92
37.63 36.05 36.48 36.46 36.27 34.64 35.82 35.93 34.06 36.83 36.35 33.77 35.62 35.90 36.63
38.72 37.07 36.35 36.09 33.51 36.03 36.31 36.08 34.17 37.75 36.37 36.17 35.94 33.48 32.87 [0081] 根据表2中的15×15阵列闪烁体校正后的发光衰减时间分布中进行判断,即如果
有异常偏大或异常偏小的数据,且该异常数据超过规定的合格限值,则该异常数据对应的
闪烁体是异常的或不及格的,如针对表2,规定的合格限值为38ns,表2中第3行第1列的数据
38.57ns,第4行第6列的数值38.36ns以及第15行第1列的数值38.72ns比周围数据明显偏
大,且超过合格限值38ns,则该这三个异常数据38.57ns,38.36ns以及38.72ns对应位置的
闪烁体是异常的或不及格的。
选。
本发明并不限于上述特定实施方式。凡是在本发明权利要求的范围内做出的各种变化或修
饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。