测量装置、曝光装置以及物品的制造方法

摘要

一种测量装置，针对具有与互不相同的第一方向和第二方向中的一个方向上的高度偏差相比另一个方向上的高度偏差较大的表面的基板测量该表面的高度分布，该测量装置包括：检测部，其对检测区域内的检测对象部位的高度进行检测；以及处理部，其通过相对地扫描所述基板和所述检测区域来求出扫描方向上的所述基板的表面的高度分布，其中，所述处理部通过沿所述第一方向相对地扫描所述基板和所述检测区域，来求出所述第一方向上的所述基板的表面的高度分布作为第一分布，判断所述第一分布中的高度偏差是否为基准值以上，在判断为所述第一分布中的高度偏差小于基准值的情况下，通过沿所述第二方向相对地扫描所述基板和所述检测区域来求出所述第二方向上的所述基板的表面的高度分布。

权利要求

1.一种测量装置，针对具有与互不相同的第一方向和第二方向中的一个方向上的高度偏差相比另一个方向上的高度偏差较大的表面的基板测量该表面的高度分布，该测量装置的特征在于，具备：检测部，其在检测区域内对所述基板的表面的高度进行检测；以及处理部，其通过相对地扫描所述基板和所述检测区域来求出扫描方向上的所述基板的表面的高度分布，其中，所述处理部通过沿所述第一方向相对地扫描所述基板和所述检测区域，来求出所述第一方向上的所述基板的表面的高度分布作为第一分布，并判断所述第一分布中的高度偏差是否为基准值以上，在判断为所述第一分布中的高度偏差小于所述基准值的情况下，通过沿所述第二方向相对地扫描所述基板和所述检测区域来求出所述第二方向上的所述基板的表面的高度分布。

2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

所述基板包括形成有图案的多个图案区域和设置在所述多个图案区域之间的间隙区域，所述处理部基于所述多个图案区域的布局信息来相对地扫描所述基板和所述检测区域，使得所述检测部在所述间隙区域进行高度的检测。

3.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

所述处理部通过沿所述第一方向仅相对地扫描一次所述基板和所述检测区域来求出所述第一分布，在判断为所述第一分布中的高度偏差小于所述基准值的情况下，通过沿所述第二方向仅相对地扫描一次所述基板和所述检测区域来求出所述第二方向上的所述基板的表面的高度分布。

4.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

所述基板具有矩形形状，

所述第一方向和所述第二方向分别与所述基板的表面的边中的互相正交的两条边平行。

5.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

所述处理部在判断为所述第一分布中的高度偏差为所述基准值以上的情况下，获取根据所述第一分布生成的表示所述基板的表面内的高度分布的分布信息。

6.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

所述处理部在判断为所述第一分布中的高度偏差为所述基准值以上的情况下，根据所述第一分布生成表示所述基板的表面内的高度分布的分布信息。

7.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

所述处理部在判断为所述第一分布中的高度偏差为所述基准值以上的情况下，不沿所述第二方向相对地扫描所述基板和所述检测区域，根据所述第一分布生成表示所述基板的表面内的高度分布的分布信息。

8.根据权利要求6所述的测量装置，其特征在于，

所述处理部在判断为所述第一分布中的高度偏差为所述基准值以上的情况下，针对所述第二方向上的多个位置，也估计为与所述第一方向平行的方向上的所述基板的表面的高度分布是所述第一分布，并生成所述分布信息。

9.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

所述处理部在判断为所述第一分布中的高度偏差小于所述基准值的情况下，基于所述第二方向上的所述基板的表面的高度分布来生成表示所述基板的表面内的高度分布的分布信息。

10.根据权利要求9所述的测量装置，其特征在于，所述处理部在判断为所述第一分布中的高度偏差小于所述基准值的情况下，还基于所述第一分布来生成所述分布信息。

11.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述处理部在判断为所述第一分布中的高度偏差小于所述基准值的情况下，基于所述第一分布和所述第二方向上的所述基板的表面的高度分布对所述基板的表面中的未被所述检测部进行检测的未检测部分的高度进行插值，由此生成表示所述基板的表面内的高度分布的分布信息。

12.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述第一分布中的高度偏差包括所述第一分布中的高度的最大值与最小值之差。

13.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，包括具有用于保持所述基板的保持面的台，

所述检测部检测所述基板的厚度，基于所述基板的厚度的检测结果和表示所述保持面的高度分布的信息来求出由所述保持面保持的所述基板的表面的高度。

14.一种曝光装置，使基板曝光，该曝光装置的特征在于，包括：投影光学系统，其将掩模的图案投影到所述基板上；

根据权利要求1所述的测量装置，其测量所述基板的表面的高度分布；以及控制部，其基于所述测量装置的测量结果来控制所述基板的曝光。

15.一种物品的制造方法，其特征在于，包括：

使用根据权利要求14所述的曝光装置来使基板曝光的工序；以及使在所述工序中曝光的所述基板进行显影的工序，

其中，从显影后的基板获得物品。

说明书

测量装置、曝光装置以及物品的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种测量基板的表面的高度分布的测量装置、曝光装置以及物品的制造方法。

背景技术

[0002] 在液晶面板、有机EL面板等平板或半导体设备的制造中，使用一种将掩模的图案经由投影光学系统转印到涂布有抗蚀剂的玻璃板、晶圆等基板上的曝光装置。在这种曝光装置的情况下，在基板的曝光中，与要曝光的基板上的位置相应地将基板的表面配置于投影光学系统的成像面(焦点面)，因此优选事先求出基板的表面的高度分布。在专利文献1中提出了如下一种方法：事先分别测量基板的厚度分布和保持该基板的保持面的高度分布，由此基于该测量结果求出被保持在保持面上的基板的表面的高度分布。

[0003] 专利文献1：日本特开2006-156508号公报

发明内容

[0004] 发明要解决的问题

[0005] 在测量基板的表面的高度分布的测量装置中，有时对检测区域内的检测对象部位的高度进行检测。在这种测量装置中，能够通过一边相对地扫描基板和检测区域一边对检测区域内的基板的表面的高度进行检测来测量基板的表面的高度分布。然而，当在遍及基板的整个表面地扫描检测区域来进行该表面的高度的检测时，该检测需要相应的时间，在吞吐量这点上可能不利。

[0006] 因此，本发明的目的在于提供一种有利于缩短测量基板的表面的高度分布的时间的技术。

[0007] 用于解决问题的方案

[0008] 为了实现上述目的，作为本发明的一个侧面的测量装置针对具有与互不相同的第一方向和第二方向中的一个方向上的高度偏差相比另一个方向上的高度偏差较大的表面的基板测量该表面的高度分布，该测量装置包括：检测部，其对检测区域内的检测对象部位的高度进行检测；以及处理部，其通过相对地扫描所述基板和所述检测区域来求出扫描方向上的所述基板的表面的高度分布，其中，所述处理部通过沿所述第一方向相对地扫描所述基板和所述检测区域，来求出所述第一方向上的所述基板的表面的高度分布作为第一分布，判断所述第一分布中的高度偏差是否为基准值以上，在判断为所述第一分布中的高度偏差小于基准值的情况下，通过沿所述第二方向相对地扫描所述基板和所述检测区域来求出所述第二方向上的所述基板的表面的高度分布。

[0009] 发明的效果

[0010] 根据本发明，例如能够提供一种有利于缩短测量基板的表面的高度分布的时间的技术。

[0011] 通过参照了所附附图的以下的说明能够明确本发明的其它特征和优点。此外，在所附附图中，对相同或者同样的结构标注相同的参照编号。

附图说明

[0012] 所附附图包括在说明书中，构成该说明书的一部分且示出本发明的实施方式，用于在描述所附附图的同时说明本发明的原理。

[0013] 图1是表示曝光装置的结构的概要图。

[0014] 图2是表示玻璃基板的厚度的偏差的图。

[0015] 图3是表示第一实施方式所涉及的分布信息的生成方法的流程图。

[0016] 图4是表示由焦点检测部检测基板的表面的高度的情形的图。

[0017] 图5是表示具有多个图案区域的基板的图。

[0018] 图6是表示第二实施方式所涉及的分布信息的生成方法的流程图。

[0019] 图7是用于说明基板的厚度的检测原理的图。

具体实施方式

[0020] 以下，参照所附附图来说明本发明的优选的实施方式。此外，在各图中，对同一构件乃至要素标注同一参照编号，并省略重复的说明。

[0021] <第一实施方式>

[0022] 参照图1对本发明所涉及的第一实施方式的曝光装置100进行说明。图1是表示曝光装置100的结构的概要图。曝光装置100例如能够包括照明光学系统1、用于保持掩模2的掩模台3、投影光学系统4、用于保持基板5的基板台6、位置测量部7、焦点检测部8、处理部9以及控制部10。控制部10例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，来控制将掩模2的图案转印到基板5上的处理(使基板5曝光的处理)。

[0023] 照明光学系统1使用从光源(未图示)射出的光对由掩模台3保持的掩模2均匀地进行照明。投影光学系统4具有规定的投影倍率，用于将掩模2的图案投影到基板5。基板台6例如包括用于保持基板5的基板卡盘6a和用于对基板卡盘6a(基板5)进行驱动的基板驱动部6b，且构成为能够沿着与投影光学系统4的光轴正交的方向(XY方向)移动。位置测量部7例如包括激光干涉仪，用于测量基板台6的位置。激光干涉仪向设置于基板台6的反射板11照射激光，使用被反射板11反射的激光来检测基板台6的位移。由此，位置测量部7能够基于由激光干涉仪检测出的位移来求出基板台6的当前位置。

[0024] 焦点检测部8对检测区域内的检测对象部位的高度进行检测。例如，焦点检测部8能够包括使光斜入射到基板5的表面的光源和具有二维地排列的多个像素的图像传感器。而且，焦点检测部8基于被基板的表面反射的光所入射的图像传感器上的位置，来检测基板
5的表面中的被斜入射了光的区域内(检测区域内)的检测对象部位的高度。

[0025] 处理部9例如由包括CPU、存储器等的计算机构成，基于焦点检测部8的检测结果求出基板5的表面的高度分布。例如，处理部9一边利用基板台6沿着基板5的面内方向(XY方向)中的一个方向相对地扫描基板5和焦点检测部8的检测区域，一边使焦点检测部8对检测区域内的基板5的表面的高度进行检测。由此，处理部9能够获得这个方向(扫描方向)上的基板5的表面的高度分布。在此，本实施方式的处理部9与控制部10分开地构成，但也可以与控制部10一体地构成。另外，焦点检测部8和处理部9构成用于测量基板5的表面的高度分布的测量装置。在本实施方式中，该测量装置设置在曝光装置100的内部，但也可以设置在曝光装置100的外部。

[0026] 在像这样构成的曝光装置100的情况下，在基板5的曝光中，能够利用控制部10控制投影光学系统4的投影像，使得与基板上的要曝光的位置(照射区域的位置)相应地将基板5的表面配置于投影光学系统4的成像面(焦点面)。例如能够通过对设置于投影光学系统4的光学元件(透镜)进行驱动或者利用基板台6沿着与投影光学系统4的光轴平行的方向驱动基板5，来进行该投影像的控制。因此，曝光装置100优选事先获取表示基板5的表面内(基板5的整个表面)的高度分布的分布信息。然而，在测量装置中，当遍及基板的整个表面地扫描检测区域并使焦点检测部8检测该表面的高度时，在该检测中需要相应的时间，在吞吐量这点上可能不利。

[0027] 因此，第一实施方式的测量装置通过利用由基板5的制造方法引起的基板5的表面内的高度分布的倾向(特征)来减少相对地扫描基板5和检测区域并使焦点检测部8检测基板5的表面的高度的次数。也就是说，在第一实施方式的测量装置中，不用遍及基板5的整个表面地由焦点检测部8进行基板5的表面的高度的检测就生成分布信息。由此，能够大幅地缩短测量基板5的表面的高度分布的时间。以下，对由基板5的制造方法引起的基板5的表面的高度分布的倾向以及分布信息的生成方法进行说明。

[0028] 首先，对由基板5的制造方法引起的基板5的表面的高度分布的倾向进行说明。例如，假定将在液晶设备等中使用的透明的矩形形状的玻璃基板用作基板5的情况。通过使用浮动法、熔解法等沿某个方向延伸来制造玻璃基板(制板)。通过这种制造方法制作出的玻璃基板能够使厚度在延伸方向上大致均匀，但在与延伸方向正交的方向(以下，设为正交方向)上，由于制造中的周围的局部的温度变动或温度波动导致厚度可能产生偏差。

[0029] 例如，在实际制造具有厚度为500μm、大小为1.5m×1.8m的矩形形状的玻璃基板时，如图2所示，玻璃基板的延伸方向上的厚度的偏差是1.4μm，与此相对地，正交方向上的厚度的偏差为12μm。即，正交方向上的厚度偏差比延伸方向上的厚度偏差约大1位。这表示对于延伸方向的多个位置中的各位置来说，正交方向上的厚度分布(即，正交方向上的表面高度分布)为同样的倾向。因而，如果能够测定正交方向上的基板5的表面的高度分布，则能够根据该测量结果对基板5的整个表面的高度进行插值(估计)来求出基板5的整个表面的高度分布。

[0030] 这样，在玻璃基板的表面(要进行曝光处理的面)中，与互不相同的第一方向和第二方向中的一个方向上的高度偏差相比另一个方向上的高度偏差较大。在此，第一方向和第二方向能够是与玻璃基板(基板5)的表面的边中互相正交的两条边分别平行的方向。然而，在测量该玻璃基板的表面的高度分布时，不知道第一方向和第二方向中的哪个方向是高度偏差(厚度偏差)大的正交方向。

[0031] 因此，处理部9通过沿第一方向相对地扫描基板5和焦点检测部8的检测区域，来求出第一方向上的基板5的表面的高度分布作为第一分布。此时，如果第一分布中的高度偏差为基准值以上，则第一方向与高度偏差大的正交方向对应。另一方面，在第一分布中的高度偏差小于基准值的情况下，第二方向与正交方向对应。在该情况下，处理部9通过沿第二方向相对地扫描基板5和焦点检测部8的检测区域来求出第二方向上的基板5的表面的高度分布。在此，基准值被设定为在基板5(玻璃基板)的延伸方向上可能产生的厚度的偏差与在正交方向上可能产生的厚度的偏差之间的值。另外，本实施方式中的“(基板的表面的)高度”能够包括“(基板的)厚度”的概念。即，“(基板的表面的)高度分布”能够包括“(基板的)厚度分布”的概念。

[0032] 接着，参照图3和图4对分布信息的生成方法进行说明。图3是表示分布信息的生成方法的流程图，图4是表示由焦点检测部8检测基板5的表面的高度的情形的图。另外，图3所示的流程图的各工序能够由处理部9进行。

[0033] 在S11中，处理部9如图4的用箭头20a表示的那样进行以下处理(第一方向的检测处理)：一边沿第一方向(例如X方向)相对地扫描基板5和焦点检测部8的检测区域一边使焦点检测部8检测基板5的表面的高度。也可以进行多次第一方向的检测处理，但基于吞吐量的观点，优选只进行一次第一方向的检测处理。由此，处理部9能够获得第一方向上的基板5的表面的高度分布。以下，将S11的工序中得到的第一方向上的基板5的表面的高度分布称为“第一分布”。在此，能够在第二方向上的任意的位置(坐标)进行S11中的第一方向的检测处理。

[0034] 在S12中，处理部9判断第一分布中的高度偏差是否为基准值以上。作为第一分布中的高度偏差，能够使用第一分布中的高度的最大值与最小值的差，但并不限于此，例如，也可以使用第一分布中的标准偏差等值。在第一分布中的高度偏差为基准值以上的情况下，判断(确定)为第一方向与基板5的表面的高度偏差比较大的正交方向对应，并进入S13。在该情况下，处理部9不是沿第二方向相对地扫描基板5和焦点检测部8的检测区域，而是根据第一分布生成分布信息。

[0035] 在S13中，处理部9针对第二方向上的多个位置中的各个位置，也估计为与第一方向平行的方向上的基板5的表面的高度分布是第一分布，并生成分布信息。例如，处理部9通过直接应用第一分布作为分别穿过第二方向上的多个位置且与第一方向平行的多个方向中的各方向上的基板5的表面的高度分布，来生成分布信息。如上所述，在基板5的延伸方向中，基板5的厚度的偏差非常小，因此能够假定没有产生该厚度的偏差。因此，处理部9即使如上述那样仅使用第一分布来生成分布信息，也能够减小相对于实际的基板5的表面的高度分布的误差。

[0036] 另一方面，在S12中，在第一分布中的高度偏差小于基准值的情况下，判断(确定)为第二方向与基板5的正交方向对应，并进入S14。在S14中，处理部9如图4的用箭头20b所示的那样进行以下的处理(第二方向的检测处理)：一边沿第二方向(例如Y方向)相对地扫描基板5和焦点检测部8的检测区域一边使焦点检测部8检测基板5的表面的高度。可以进行多次第二方向的检测处理，但基于吞吐量的观点，优选仅进行一次第二方向的检测处理。由此，处理部9能够获得基板5中的在第二方向上的高度分布。以下，将在S14的工序中得到的第二方向的高度分布称为“第二分布”。在此，能够在第一方向上的任意的位置(坐标)进行S14中的第二方向的检测处理。

[0037] 如图5所示，有时在由测量装置进行表面的高度的检测的对象的基板5中排列有已经形成了基底图案(设备图案)的多个图案区域5a(照射区域)。在该情况下，在S11和S14中，当由焦点检测部8检测图案区域内的高度时，有时由于在该图案区域5a中形成的基底图案而导致检测结果产生误差。因此，优选在设置于多个图案区域5a之间的间隙区域5b(划线区域)中由焦点检测部8进行高度的检测。因而，处理部9优选基于表示多个图案区域5a的布局(配置)的布局信息相对地扫描基板5和检测区域，使得在间隙区域5b中由焦点检测部8进行高度的检测。例如既可以通过实际测量多个图案区域5a的位置来获取布局信息，布局信息也可以是多个图案区域5a的位置的设计信息。

[0038] 在S15中，处理部9基于在S11中获取到的第一分布和在S14中获取到的第二分布对基板5的表面中的未被焦点检测部8进行检测的未检测部分的高度进行插值(估计)，由此生成分布信息。能够通过应用以第二分布中的规定位置处的高度对第一分布进行校正所得到的结果作为穿过第二方向的规定位置且与第一方向平行的方向上的高度分布，来进行未检测部分的高度的插值。

[0039] 例如，处理部9在S11的工序中通过在第二方向的位置Y1处进行第一方向的检测处理来获取第一分布，在S14的工序中通过在第一方向的位置X1处进行第二方向的检测处理来获取第二分布。在该情况下，处理部9应用以根据第二分布得到的位置Y1处的高度与位置Yi处的高度之差对第一分布进行校正所得到的结果(分布)，来作为穿过第二方向的位置Yi且与第一方向平行的方向上的高度分布。这样，处理部9通过针对第二方向上的多个位置中的各个位置均同样地应用校正了第一分布所得到的结果，能够对未检测部分的高度进行插值来生成分布信息。在此，在S15中，使用第一分布和第二分布这两种分布生成了分布信息，但并不限于此，也可以仅使用第二分布来生成分布信息。

[0040] 如上所述，第一实施方式的测量装置在通过第一方向的检测处理得到的第一分布中的高度偏差为基准值以上的情况下，基于第一分布来生成分布信息。另一方面，在第一分布中的高度偏差小于基准值的情况下，通过进行第二方向的检测处理来求出第二分布，并基于第一分布和第二分布来生成分布信息。通过像这样测量基板5的表面的高度分布，能够大幅地缩短高度分布的测量所需要的时间，在吞吐量这点上能够有利。在此，在第一实施方式中，对测量装置(处理部9)进行生成分布信息的处理的例子进行了说明，但并不限于此。例如，测量装置也可以仅进行生成第一分布、或者第一分布和第二分布的处理，而由曝光装置100的控制部10、外部计算机等进行生成分布信息的处理。在该情况下，处理部9获取由曝光装置100的控制部10、外部计算机等生成的分布信息。

[0041] <第二实施方式>

[0042] 在第二实施方式中，说明与分布信息的生成方法有关的另一例子。在第二实施方式中，首先进行第一方向的检测处理和第二方向的检测处理，基于由此得到的第一分布和第二分布对未检测部分的高度进行插值(估计)，由此生成分布信息。图6是表示第二实施方式所涉及的分布信息的生成方法的流程图。图6所示的流程图的各工序能够由处理部9进行。

[0043] 在S21中，处理部9进行第一方向的检测处理。可以进行多次第一方向的检测处理，但基于吞吐量的观点，优选仅进行一次第一方向的检测处理。由此，处理部9能够获得第一方向上的基板5的表面的高度分布。以下将在S21的工序中得到的第一方向上的基板5的表面的高度分布称作“第一分布”。在此，能够在第二方向上的任意的位置(坐标)进行第一方向的检测处理。

[0044] 在S22中，处理部9进行第二方向的检测处理。可以进行多次第二方向的检测处理，但基于吞吐量的观点，优选仅进行一次第二方向的检测处理。由此，处理部9能够获得第二方向上的基板5的表面的高度分布。以下将在S22的工序中得到的第二方向上的基板5的表面的高度分布称为“第二分布”。在此，能够在第一方向上的任意的位置(坐标)进行第二方向的检测处理。

[0045] 在S23中，处理部9通过基于在S21中获取到的第一分布和在S22中获取到的第二分布对未检测部分的高度进行插值(估计)，来生成分布信息。S23的工序与图3的流程图中的S15的工序相同，因此省略此处的说明。通过像这样生成分布信息，能够大幅地缩短基板5的表面的高度分布的测量所需的时间，在吞吐量这点上能够有利。

[0046] <第三实施方式>

[0047] 在第一实施方式和第二实施方式中，对由焦点检测部8检测基板5的表面的高度的例子进行了说明，但在第三实施方式中，对于检测基板5的厚度取代检测基板5的表面的高度的例子进行说明。在该情况下，处理部9使焦点检测部8事先检测基板台6(基板卡盘6a)的保持面的高度，并事先获取表示该保持面的高度分布的信息。然后，处理部9基于按照图3或图6所示的流程图使焦点检测部8检测基板5的厚度所得到的结果，来求出表示基板5的厚度分布的信息。由此，处理部9能够基于表示基板台6的保持面的高度分布的信息和表示基板5的厚度分布的信息来求出表示由基板台6保持的基板5的表面内的高度分布的信息(分布信息)。

[0048] 在此，参照图7对由焦点检测部8检测基板5的厚度的原理进行说明。焦点检测部8例如能够构成为包括射出波长为500nm～1200nm左右的光的光源8a和由CCD、CMOS等构成的图像传感器8b，且使从光源8a射出的光斜入射到基板5(例如玻璃基板)。从光源8a(位置A)射出并斜入射到基板5的表面的位置B的光被分为被基板5的表面反射的光和进入基板的内部的光。被基板5的表面反射的光入射到图像传感器上的位置E。另一方面，进入了基板5的内部的光在基板5的背面的位置C处反射而透过基板5的表面的位置D，并入射到图像传感器上的位置F。该图像传感器上的位置E与位置F之差对应于基板5的厚度t，因此焦点检测部8能够基于该差求出基板5的厚度t。

[0049] <物品的制造方法的实施方式>

[0050] 本发明的实施方式的物品的制造方法例如适于制造半导体设备等电子设备、具有细微构造的元件等物品。本实施方式的物品的制造方法包括使用上述曝光装置在涂布于基板的感光剂上形成潜像图案的工序(使基板曝光的工序)和使在上述工序中形成了潜像图案的基板显影的工序。上述制造方法还包括其它周知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、焊接、封装等)。本实施方式的物品的制造方法与以往的方法相比，在物品的性能、品质、生产率、生产成本中的至少一个方面是有利的。

[0051] <其它实施例>

[0052] 本发明也能够通过以下处理来实现：将实现上述实施方式的一个以上功能的程序经由网络或存储介质提供给系统或装置，该系统或装置的计算机中的一个以上的处理器读出并执行程序。另外，也能够通过实现一个以上的功能的电路(例如，ASIC)来实现本发明。

[0053] 本发明并不限定于上述实施方式，只要不脱离本发明的精神和范围就能够进行各种变更和变形。因而，为了公开本发明的范围而附加了以下的权利要求。

[0054] 本申请以2016年8月5日提出的日本专利申请特愿2016-154946为基础来要求优先权，在此引用其所有记载内容。