一种激光器发射组件以及相应的光模块

摘要

本发明公开了一种激光器发射组件以及相应的光模块，该激光器发射组件包括陶瓷管壳，陶瓷管壳的底部设置有管脚，陶瓷管壳上还设置有金属化结构，管脚与金属化结构电气连接；激光器发射组件还包括过渡块，过渡块设置在陶瓷管壳内，过渡块上设置有一个或者多个激光器芯片；激光器芯片通过金属化结构与管脚电气连接，以接收控制信号，其中，金属化结构的上表面高度与过渡块上表面高度存在距离差，距离差在预设范围内。本发明采用金属化结构将激光器芯片与陶瓷管壳的管脚建立连接，保证激光器发射组件在较宽的温度范围内工作时的性能，并改善激光器发射组件的高频特性，提高激光器发射组件的可靠性。

权利要求

1.一种激光器发射组件，其特征在于，所述激光器发射组件包括陶瓷管壳(1)，所述陶瓷管壳(1)的底部设置有管脚(11)，所述陶瓷管壳(1)上还设置有金属化结构(12)，所述管脚(11)与所述金属化结构(12)电气连接；

所述激光器发射组件还包括过渡块(2)，所述过渡块(2)设置在所述陶瓷管壳(1)内，所述过渡块(2)上设置有一个或者多个激光器芯片(3)；

所述激光器芯片(3)通过所述金属化结构(12)与所述管脚(11)电气连接，以接收控制信号，其中，所述金属化结构(12)的上表面高度与所述过渡块(2)上表面高度存在距离差，所述距离差在预设范围内；

所述金属化结构(12)包括N层陶瓷层(120)，所述陶瓷层(120)包括第一金属化传输部分(121)、介质部分(122)以及第二金属化传输部分(123)，所述介质部分(122)设置在所述第一金属化传输部分(121)以及所述第二金属化传输部分(123)之间；

其中，所述第一金属化传输部分(121)的阻抗、所述介质部分(122)的阻抗以及所述第二金属化传输部分(123)的阻抗相互匹配；

相邻所述陶瓷层(120)中的第二金属化传输部分(123)相互错开，且所述陶瓷层(120)中的第二金属化传输部分(123)与所述陶瓷管壳(1)的管脚(11)之间的距离，在沿远离所述激光器芯片(3)的方向上逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的激光器发射组件，其特征在于，所述第一金属化传输部分(121)用于与系统地信号耦接，所述第二金属化传输部分(123)用于传输调制信号；

每一所述陶瓷层(120)包括两个所述第一金属化传输部分(121)，所述第二金属化传输部分(123)设置在所述第一金属化传输部分(121)之间。

3.根据权利要求2所述的激光器发射组件，其特征在于，每一所述陶瓷层(120)包括一个所述第二金属化传输部分(123)；或每一所述陶瓷层(120)包括两个所述第二金属化传输部分(123)，相邻所述第二金属化传输部分(123)设置有所述介质部分(122)。

4.根据权利要求1所述的激光器发射组件，其特征在于，所述过渡块(2)为高频薄膜电路，所述过渡块(2)与所述金属化结构(12)通过金丝或金层连接。

5.根据权利要求1所述的激光器发射组件，其特征在于，所述激光器发射组件还包括光窗(4)，所述光窗(4)设置在所述陶瓷管壳(1)的一侧壁上，且所述光窗(4)设置在所述激光器芯片(3)的出光侧，其中，所述光窗(4)允许至少一个或者多个激光器芯片(3)所发射的激光通过。

6.根据权利要求1所述的激光器发射组件，其特征在于，所述激光器发射组件还包括半导体制冷器(5)以及热沉(6)；

所述半导体制冷器(5)设置在所述陶瓷管壳(1)的底部，所述热沉(6)设置在所述半导体制冷器(5)上，所述过渡块(2)设置在所述热沉(6)上。

7.根据权利要求6所述的激光器发射组件，其特征在于，所述激光器发射组件还包括多个透镜(7)，所述透镜(7)的数目与所述激光器芯片(3)的数目相匹配；

所述透镜(7)设置在所述热沉(6)上，所述透镜(7)的中心光轴穿过对应所述激光器芯片(3)的发光面中心；

所述透镜(7)用于对所述激光器芯片(3)所发射的激光进行整形。

8.一种光模块，其特征在于，所述光模块包括如权利要求1～7任一项所述的激光器发射组件、控制模块以及电路板，所述控制模块设置在所述电路板上，所述的激光器发射组件通过陶瓷管壳(1)的管脚(11)焊接在所述电路板上，所述控制模块与所述激光器发射组件连接；

所述控制模块用于产生控制信号，以控制所述激光器发射组件发射相应的激光。

说明书

一种激光器发射组件以及相应的光模块

技术领域

[0001] 本发明属于光通信技术领域，更具体地，涉及一种激光器发射组件以及相应的光模块。

背景技术

[0002] 近年来随着互联网的发展，光发射单元的密度越来越高，对速率的要求也越来越高，并且往往希望以较低的成本制作性能较好的产品。尤其是5G技术的应用，对激光器发射组件的宽温特性和可靠性也有更高的要求。

[0003] 目前，可以基于板上芯片COB(chip On board，简写为COB)技术，制作激光器发射组件，但是由该方式制作的激光器发射组件对温度的变化比较敏感、宽温特性较差，高频特性较差。而且，可靠性较低，使用寿命受限。目前该结构的产品只能应用于短距离传输和对环境变化不明显的区域。

[0004] 为了克服环境的影响，还可以采用带软带(FPC)的气密封装技术，制作激光器发射组件。采用软带技术制作的激光器发射组件时，软带焊接等工序对工艺要求高制作工艺复杂，成本较高，良品率较低。而且，在后续使用中，FPC电路板容易受外力而被折断，可靠性较低。

[0005] 鉴于此，克服该现有技术产品所存在的不足是本技术领域亟待解决的问题。

发明内容

[0006] 针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种激光器发射组件以及相应的光模块，其目的在于采用金属化结构将激光器芯片与陶瓷管壳的管脚建立连接，保证激光器发射组件在较宽的温度范围内工作时的性能，并改善激光器发射组件的高频特性，提高激光器发射组件的可靠性，由此解决目前激光器组件宽温特性较差，高频特性不佳，可靠性较差的技术问题。

[0007] 为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种激光器发射组件，所述激光器发射组件包括陶瓷管壳1，所述陶瓷管壳1的底部设置有管脚11，所述陶瓷管壳1上还设置有金属化结构12，所述管脚11与所述金属化结构12电气连接；

[0008] 所述激光器发射组件还包括过渡块2，所述过渡块2设置在所述陶瓷管壳1内，所述过渡块2上设置有一个或者多个激光器芯片3；

[0009] 所述激光器芯片3通过所述过渡块2与所述管脚11电气连接，以接收控制信号，其中，所述金属化结构12的上表面高度与所述过渡块2上表面高度存在距离差，所述距离差在预设范围内。

[0010] 优选地，所述金属化结构12包括至少一层陶瓷层120；

[0011] 所述陶瓷层120包括第一金属化传输部分121、介质部分122以及第二金属化传输部分123，所述介质部分122设置在所述第一金属化传输部分121以及所述第二金属化传输部分123之间；

[0012] 其中，所述第一金属化传输部分121的阻抗、所述介质部分122的阻抗以及所述第二金属化传输部分123的阻抗相互匹配。

[0013] 优选地，所述第一金属化传输部分121用于与系统地信号耦接，所述第二金属化传输部分123用于传输调制信号；

[0014] 每一所述陶瓷层120包括两个所述第一金属化传输部分121，所述第二金属化传输部分123设置在所述第一金属化传输部分121之间。

[0015] 优选地，每一所述陶瓷层120包括一个所述第二金属化传输部分123；或[0016] 每一所述陶瓷层120包括两个所述第二金属化传输部分123，相邻所述第二金属化传输部分123设置有所述介质部分122。

[0017] 优选地，所述金属化结构12包括N层陶瓷层120；

[0018] 相邻所述陶瓷层120中的第二金属化传输部分123相互错开，且所述陶瓷层120中的第二金属化传输部分123与所述陶瓷管壳1的管脚11之间的距离，在沿远离所述激光器芯片3的方向上逐渐减小。

[0019] 优选地，所述过渡块2为高频薄膜电路，所述过渡块2与所述金属化结构12通过金丝或金层连接。

[0020] 优选地，所述激光器发射组件还包括光窗4，所述光窗4设置在所述陶瓷管壳1的一侧壁上，且所述光窗4设置在所述激光器芯片3的出光侧，其中，所述光窗(4)允许至少一个或者多个激光器芯片(3)所发射的激光通过。

[0021] 优选地，所述激光器发射组件还包括半导体制冷器5以及热沉6；

[0022] 所述半导体制冷器5设置在所述陶瓷管壳1的底部，所述热沉6设置在所述半导体制冷器5上，所述过渡块2设置在所述热沉6上。

[0023] 优选地，所述激光器发射组件还包括多个透镜7，所述透镜7的数目与所述激光器芯片3的数目相匹配；

[0024] 所述透镜7设置在所述热沉6上，所述透镜7的中心光轴穿过对应所述激光器芯片3的发光面中心；

[0025] 所述透镜7用于对所述激光器芯片3所发射的激光进行整形。

[0026] 按照本发明的另一方面，提供了一种光模块，其特征在于，所述光模块包括本发明所述的激光器发射组件、控制模块以及电路板，所述控制模块设置在所述电路板上，所述的激光器发射组件通过陶瓷管壳1的管脚11焊接在所述电路板上，所述控制模块与所述激光器发射组件连接；

[0027] 所述控制模块用于产生控制信号，以控制所述激光器发射组件发射相应的激光。

[0028] 总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有如下有益效果：本发明提供一种激光器发射组件，该激光器发射组件包括陶瓷管壳，所述陶瓷管壳的底部设置有管脚，所述陶瓷管壳上还设置有金属化结构，所述管脚与所述金属化结构电气连接。该陶瓷管壳具有较好的导热性，可以保证激光器发射组件在宽的温度范围内工作时的性能，改善宽温特性。

[0029] 另一方面，激光器芯片通过该金属化结构与陶瓷管壳的管脚建立电气连接，以接收控制信号，该金属化结构具有高频低损耗的特点，可以有效改善激光器发射组件的高频特性。

附图说明

[0030] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0031] 图1是本发明实施例提供的一种激光器发射组件的俯视结构示意图；

[0032] 图2是本发明实施例提供的一种激光器发射组件的剖视结构示意图；

[0033] 图3是本发明实施例提供的一种金属化结构的结构示意图；

[0034] 图4是本发明实施例提供的另一种金属化结构的结构示意图；

[0035] 图5是本发明实施例提供的另一种激光器发射组件的俯视结构示意图；

[0036] 图6是本发明实施例提供的又一种激光器发射组件的俯视结构示意图。

具体实施方式

[0037] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

[0038] 实施例1：

[0039] 目前，可以基于板上芯片COB(chip On board，简写为COB)技术，制作激光器发射组件，但是由该方式制作的激光器发射组件对温度的变化比较敏感、宽温特性较差，高频特性较差。而且，可靠性较低，使用寿命受限。目前该结构的产品只能应用于短距离传输和对环境变化不明显的区域。为了克服环境的影响，还可以采用软带的封装技术(FPC)，制作激光器发射组件。采用软带技术制作的激光器发射组件时，软带焊接等工序对工艺要求高制作工艺复杂，成本较高，良品率较低。而且，在后续使用中，FPC电路板容易受外力而被折断，可靠性较低。

[0040] 为解决上述问题，本实施例提供一种激光器发射组件，下面结合图1～图6，具体说明该激光器发射组件的实现方式之一。

[0041] 如图1和图2所示，在本实施例中，所述激光器发射组件包括陶瓷管壳1，所述陶瓷管壳1所述陶瓷管壳1的底部设置有管脚11，所述陶瓷管壳1上还设置有金属化结构12，所述管脚11与所述金属化结构12电气连接。其中，所述管脚11用于与外部电路连接。

[0042] 所述激光器发射组件还包括过渡块2，所述过渡块2设置在所述陶瓷管壳1内，所述过渡块2上设置有多个激光器芯片3。其中，所述过渡块2为高频薄膜电路，例如，由氮化铝材料制成的高频薄膜电路，多个激光器芯片3设置在所述过渡块2上。

[0043] 在本实施例中，所述激光器芯片3通过所述金属化结构12，与所述陶瓷管壳1的管脚11连接，以接收控制信号。在可选地实施例中，所述过渡块2与所述金属化结构12电气连接，所述激光器芯片3通过所述过渡块2以及所述金属化结构12，与所述陶瓷管壳1的管脚11连接，以接收控制信号，其中，所述控制信号包括调制信号。即，所述激光器芯片3可以直接通过所述金属化结构12与管脚11建立连接；所述激光器芯片3也可以通过过渡块2以及所述金属化结构12与管脚11建立连接，具体依据激光器芯片3的具体结构而定。

[0044] 在具体应用场景下，所述金属化结构12的上表面高度与所述过渡块2上表面高度存在距离差，所述距离差在预设范围内，其中，预设范围依据实际情况而定，金属化结构12的上表面可以与过渡块2上表面平齐，金属化结构12的上表面也可以低于过渡块2上表面，或者，金属化结构12的上表面也可以高于过渡块2上表面，金属化结构12的上表面高度与所述过渡块2上表面高度之间的距离差，控制在预设范围内，例如，预设的范围为5mm～10mm，或者其他范围，在此不做具体限定。所述金属化结构12采用层层递进的方式传递所述控制信号，关于金属化结构12的具体结构请详见下文描述。

[0045] 在可选的实施例中，所述过渡块2与所述金属化结构12通过金丝或金层连接。由于金属化结构12具有低损耗高速率垂直射频的特性，可以提高信号传输的带宽，使得带宽可达到30G以上，可以有效改善激光器发射组件的高频特性。

[0046] 如图3和图4所示，所述金属化结构12包括至少一层陶瓷层120，所述陶瓷层120包括第一金属化传输部分121、介质部分122以及第二金属化传输部分123，所述介质部分122设置在所述第一金属化传输部分121以及第二金属化传输部分123之间；其中，所述第一金属化传输部分121的阻抗、所述介质部分122的阻抗以及所述第二金属化传输部分123的阻抗相互匹配。在此，需要说明的是，前述的第一金属化传输部分121以及第一金属化传输部分123并非是纯金属，而是在陶瓷上镀金属形成。

[0047] 在本实施例中，所述介质部分122一方面用于将所述第一金属化传输部分121与第二金属化传输部分123绝缘隔离；另一方面，所述介质部分122还起到阻抗匹配的作用，提高金属化结构12的高频特性。在实际应用场景下，所述介质部分122可以采用介电常数接近空气的材料制作而成，所述第一金属化传输部分121以及所述第二金属化传输部分123可以采用氧化铝等导电材料制作而成。

[0048] 进一步地，所述第一金属化传输部分121用于与系统地信号耦接，所述第二金属化传输部分123用于传输调制信号。每一所述陶瓷层120包括两个所述第一金属化传输部分121，所述第二金属化传输部分123设置在所述第一金属化传输部分121之间，以减小所述第二金属化传输部分123所受到的信号干扰。

[0049] 在具体应用场景下，金属化结构12一般用于传输调制信号，可以采用单端的方式进行调制，也可以采用差分双端的方式进行调制。当采用单端的方式进行调制时，陶瓷层120为GSG传输模式，陶瓷层120的具体结构如图3所示，其中，G(Ground)表示地信号，S(Signal)表示调制信号，GSG传输模式是指：在陶瓷层120中，两个第一金属化传输部分121之间设置有一个第二金属化传输部分123，其中，第一金属化传输部分121用于传输地信号，第二金属化传输部分123用于传输调制信号，形成GSG传输模式。

[0050] 具体地，每一所述陶瓷层120包括两个所述第一金属化传输部分121、一个所述第二金属化传输部分123以及设置在所述第一金属化传输部分121以及所述第二金属化传输部分123的介质部分122，其中，所述第二金属化传输部分123设置在两个所述第一金属化传输部分121之间，形成GSG传输模式。在实际工作状态下，所述第一金属化传输部分121用于传输地信号(Ground信号)，所述第二金属化传输部分123用于调制信号。

[0051] 当采用差分双端的方式进行调制时，陶瓷层120为GSSG传输模式，如图4所示，其中，G(Ground)表示地信号，S(Signal)表示调制信号，GSSG传输模式是指：在陶瓷层120中，两个第一金属化传输部分121之间设置有两个第二金属化传输部分123，其中，第一金属化传输部分121用于传输地信号，第二金属化传输部分123用于传输调制信号，形成GSSG传输模式。

[0052] 具体地，每一所述陶瓷层120包括两个所述第一金属化传输部分121、两个所述第二金属化传输部分123、设置在相邻所述第二金属化传输部分123之间的介质部分122以及设置在所述第一金属化传输部分121与所述第二金属化传输部分123之间的介质部分122，其中，两个所述第二金属化传输部分123均设置在两个所述第一金属化传输部分121之间，形成GSSG传输模式。在实际工作状态下，所述第一金属化传输部分121用于传输地信号(Ground信号)，所述第二金属化传输部分123用于差分调制信号。

[0053] 在本实施例中，可以依据过渡块2离陶瓷管壳1的底部(陶瓷管壳1设置有管脚11的一面)的距离设置N层呈垂直分布的陶瓷层120，其中，N为正整数。在实际制作过程中，利用过孔或介质将陶瓷层120对应的结构层层传递，管脚11所接收到的调制信号可以依次通过多层陶瓷层120，传递到过渡块2，以对激光器芯片3进行调制，可以有效降低损耗，提高高频特性。

[0054] 为了较小传输损耗，在实际制作中，可以采用层层递进，相互错开的方式制作金属化结构12。相邻所述陶瓷层120中的第二金属化传输部分123相互错开，相邻的陶瓷层120中的第二金属化传输部分123至少部分重叠，以保证信号能够层层递进传输，且所述陶瓷层120中的第二金属化传输部分123与所述陶瓷管壳1的管脚11之间的距离，在沿远离所述激光器芯片3的方向上逐渐减小，以使金属化结构12与激光器芯片3之间的走线较短，金属化结构12与管脚11之间的走线较短，从而降低传输损耗。

[0055] 在本实施例的金属化结构12中，越靠近激光器芯片3的陶瓷层120中的第二金属化传输部分123与激光器芯片3之间的距离越短，以减小陶瓷层120与激光器芯片3之间的走线长度，降低损耗。越远离激光器芯片3的陶瓷层120中的第二金属化传输部分123与激光器芯片3之间的距离越长，相应地，越靠近管脚11的陶瓷层120中的第二金属化传输部分123与相应管脚11之间的距离越短，以便于将第二金属化传输部分123与管脚11电气连接。

[0056] 在本实施例中，陶瓷管壳1可由可阀合金、氧化铝以及钨铜制成。具体为，陶瓷管壳1的底部为钨铜，陶瓷管壳1的金属部分可阀合金。陶瓷管壳1的金属部分和金属化结构12通过高温焊接在一起。由于可阀合金材料具有良好的导热性和低的热膨胀系数，可以保证激光器发射组件在宽的温度范围内工作时的性能，改善激光器组件的宽温特性。同时，金属化结构12可以保证激光器发射组件良好的高频性能。

[0057] 为了达到更好的气密性，继续参阅图1，在本实施例中，所述激光器发射组件还包括光窗4，所述光窗4设置在所述陶瓷管壳1的一侧壁上，且所述光窗4设置在所述激光器芯片3的出光侧，其中，所述光窗4允许至少一个或者多个激光器芯片3所发射的激光通过。其中，所述光窗4为矩形玻璃或蓝宝石光窗4。由于该光窗4为矩形状，有效通光孔径足够大，可同时容纳多路芯片的光通过，光窗4也可以其它形状，例如，椭圆形，保证能同时让多路光通过即可。而且，光窗4可以与陶瓷管壳1的侧壁以及上盖更好地耦合，可以提高封装的气密性。

[0058] 进一步地，所述激光器发射组件还包括半导体制冷器5以及热沉6，所述半导体制冷器5设置在所述陶瓷管壳1的底部，所述热沉6设置在所述半导体制冷器5上，所述过渡块2设置在所述热沉6上。所述半导体制冷器5通过焊料或导电胶与陶瓷管壳1的底部相连，半导体制冷器5自适应调节激光器芯片3的工作温度，使得激光器芯片3的工作温度较为稳定，从而改善温漂效应。所述热沉6通过焊料或环氧胶与所述半导体制冷器5固定连接。其中，所述热沉6的材料为钨铜、镍或氮化铝材料。

[0059] 在本实施例中，所述激光器发射组件还包括多个透镜7，所述透镜7的数目与所述激光器芯片3的数目相匹配；所述透镜7设置在所述热沉6上，所述透镜7的中心光轴穿过对应所述激光器芯片3的发光面中心；所述透镜7用于对所述激光器芯片3所发射的激光进行整形。

[0060] 此外，所述激光器发射组件还包括光探测器、射频匹配电路以及热敏电阻，其中，射频匹配电路使得激光器芯片3对应的驱动电路的阻抗保持规定的值，以达到阻抗匹配的目的。所述光探测器、所述射频匹配电路以及所述热敏电阻均对应设置在所述过渡块2上。其中，所述光探测器用于监测激光器芯片3的背功率，以根据实际需求自适应调节激光器芯片3的发射功率；所述热敏电阻用于实时检测激光器芯片3的工作温度，以使半导体制冷器5依据热敏电阻的温度检测结果，调节激光器芯片3的工作温度，从而有效改善温漂效应，提高激光器反射组件的宽温特性。

[0061] 进一步地，如图5和图6所示，所述激光器发射组件还包括电路板、合波器件8以及尾纤组件9；所述陶瓷管壳1通过表贴技术焊接在电路板上，所述合波器件8以及所述尾纤组件9均固定在所述电路板上；其中，所述合波器件8设置在所述陶瓷管壳1的外部，所述合波器件8设置在所述陶瓷管壳1以及所述尾纤组件9之间。

[0062] 在本实施例中，将光路合波部分放置到激光器发射组件的陶瓷管壳1外部，进一步降低了封装成本，简化了封装工艺，同时也提高激光器发射组件的性能。

[0063] 在实际应用场景中，依据所述透镜7的类型需要选择相应的合波器件8，在可选的实施例中，如图5所示，所述透镜7为准直透镜，所述准直透镜将所述激光器芯片3所发射的激光整形为平行光，所述合波器件8为TFF合波器件，将多路平行光通过反射滤波原理合成一束后，耦合进尾纤组件9中。在另一个可选的实施例中，如图6所示，所述透镜7为汇聚透镜，所述汇聚透镜将所述激光器芯片3所发射的激光整形为汇聚光，所述合波器件8为AWG合波器件，利用波导原理，将多路入射光合成一束后，耦合进尾纤组件9中。

[0064] 下面简要说明，激光器发射组件的制作装配过程：首先，将半导体制冷器5烧焊在陶瓷管壳1的底部，半导体制冷器5与陶瓷管壳1的底部几乎没有焊接空隙，可以保证良好的热传导，以及激光器发射组件的可靠性。

[0065] 在实际制作过程中，热沉6及其上的部件在陶瓷管壳1外焊接完成，具体是首先将射频匹配电路、热敏电阻、激光器芯片3以及光探测器焊接在过渡块2上，将过渡块2焊接在热沉6上，再通过光学耦合平台将透镜7固定在热沉6上，从而形成热沉6组件。然后，将焊接好的热沉6组件焊接在半导体制冷器5上，将过渡块2通过金线或金层与金属化结构12建立电气连接，再将陶瓷管壳1通过表贴技术，焊接在电路板上。最后，将合波器件8以及尾纤组件9固定在电路板上，从而形成激光器发射组件。

[0066] 本发明实施例减少了软性电路板的使用，直接将激光器发射组件利用表贴的技术焊接到电路板上，同时，陶瓷管壳1包含金属化结构12使得激光器发射组件的高频性能更好。另外，制作工艺更简单，成本更低。在实际使用过程中，可以依据具体场景，选择不同类型的透镜7以及合波器件8，既可以跟AWG配合使用，也可以跟TFF配合使用，具有较广的适用性。

[0067] 在实际使用中，本发明实施例的激光器发射组件主要应用于100G及以上速率的光模块，其中，光模块的封装类型可以为CFP、CFP2、QSFP28或QSFPDD。该激光器发射组件具有较好的气密性，以及较佳的宽温特性，同时，具有较高的可靠性，提高了激光器发射组件的使用寿命。而且，与通常的气密性封装的组件相比，减少了软带应用，简化制作工艺，降低了成本。

[0068] 本发明实施例还提供一种光模块，该光模块包括上述任一实施例的激光器发射组件、控制模块以及电路板，所述控制模块设置在所述电路板上，所述的激光器发射组件通过陶瓷管壳1的管脚11焊接在所述电路板上，所述控制模块与所述激光器发射组件连接；所述控制模块用于产生控制信号，以控制所述激光器发射组件发射相应的激光。

[0069] 关于激光器发射组件的具体结构请参照图1～图6，以及相关的文字描述，在此不再赘述。

[0070] 区别于现有技术，本发明实施例的激光器发射组件包括陶瓷管壳，所述陶瓷管壳上设置有管脚，所述陶瓷管壳上还设置有金属化结构，所述管脚与所述金属化结构电气连接。该陶瓷管壳具有较好的导热性，可以保证激光器发射组件在宽的温度范围内工作时的性能，改善宽温特性。另一方面，激光器芯片通过该金属化结构与陶瓷管壳的管脚建立电气连接，以接收控制信号，该金属化结构具有高频低损耗的特点，可以有效改善激光器发射组件的高频特性。同时，该激光器发射组件可靠性较高。

[0071] 本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。