VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置

摘要

本发明涉及晶体管检测技术领域，尤其为VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，包括电路板和晶体管，所述电路板的顶端固定连接有挡板，所述挡板的顶端一侧固定连接有水平设置的电热丝，所述电路板的顶端电性连接有钢丝，所述钢丝的另一端固定连接有水平设置的压板，所述压板的顶端固定连接有竖直设置的弹簧，且弹簧的顶端与电路板的底端固定连接，本发明中，通过设置的电热丝、曲杆和金属丝实现对高温状态下的晶体管的稳定性测试，能够检测晶体管能否在散热不良的恶劣的工作环境中正常运作，缩短实验参数与实际使用的参数之间的差距，这种设计构思新颖，设计科学，具有巨大的经济效益和广泛的市场前景，值得推广使用。

权利要求

1.VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，包括电路板(1)和晶体管(8)，其特征在于：所述电路板(1)的顶端固定连接有挡板(2)，所述挡板(2)的顶端一侧固定连接有水平设置的电热丝(3)，所述电路板(1)的顶端电性连接有钢丝(4)，所述钢丝(4)的另一端固定连接有水平设置的压板(5)，所述压板(5)的顶端固定连接有竖直设置的弹簧(6)，且弹簧(6)的顶端与电路板(1)的底端固定连接，所述晶体管(8)的前端电性连接有水平设置的引脚(7)，所述电路板(1)的顶端左右两侧均转动连接有曲杆(9)，所述曲杆(9)的内侧固定连接有弹簧片(10)，且弹簧片(10)的底端与电路板(1)的顶端固定连接，左侧所述曲杆(9)的顶端固定连接有水平设置的固定块(11)，所述固定块(11)的右端固定连接有金属丝(12)，所述金属丝(12)的另一端固定连接有拉环(13)，右侧所述曲杆(9)的顶端固定连接有限位环(14)，且限位环(14)的内侧与金属丝(12)的外侧滑动连接。

2.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，其特征在于：所述挡板(2)的内端面呈弧面状设置，且挡板(2)的弧面端与晶体管(8)的外侧底端滑动连接。

3.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，其特征在于：所述金属丝(12)的外侧滑动连接有弹簧夹(15)，且弹簧夹(15)的左端与限位环(14)的右端相贴合。

4.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，其特征在于：所述电热丝(3)的轴线与曲杆(9)的中心位于同一竖直平面上，且电热丝(3)位于晶体管(8)的正上方。

5.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，其特征在于：所述钢丝(4)的数量为3根，所述钢丝(4)的长度均相等，且钢丝(4)呈均匀分布在压板(5)的顶端。

说明书

VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置

技术领域

[0001] 本发明涉及晶体管检测技术领域，具体为VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置。

背景技术

[0002] 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等，特征为接近无限大的静态输入阻抗特性，非常快的开关时间，导通电阻正温度系数，近似常数的跨导，高dV/dt，制造时，先在重掺杂N+衬底上生长一层N型外延层，由P型基区与N+源区的两次横向扩散结深之差形成沟道，这两个区域在离子注入过程中都是通过栅自对准工艺注入各自的掺杂杂质，因此，对VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置的需求日益增长。

[0003] 目前市场上存在的大部分VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置无法测试高温状态下的晶体管的稳定性，无法检测晶体管能否在散热不良的恶劣的工作环境中正常运作，实验参数与实际使用的参数差距较大，而且传统的VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置缺少对引脚的简易固定装置，引脚容易弯折甚至断裂，容易使晶体管在检测过程中损坏，因此，针对上述问题提出VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

[0005] 为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

[0006]  VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，包括电路板和晶体管，所述电路板的顶端固定连接有挡板，所述挡板的顶端一侧固定连接有水平设置的电热丝，所述电路板的顶端电性连接有钢丝，所述钢丝的另一端固定连接有水平设置的压板，所述压板的顶端固定连接有竖直设置的弹簧，且弹簧的顶端与电路板的底端固定连接，所述晶体管的前端电性连接有水平设置的引脚，所述电路板的顶端左右两侧均转动连接有曲杆，所述曲杆的内侧固定连接有弹簧片，且弹簧片的底端与电路板的顶端固定连接，左侧所述曲杆的顶端固定连接有水平设置的固定块，所述固定块的右端固定连接有金属丝，所述金属丝的另一端固定连接有拉环，右侧所述曲杆的顶端固定连接有限位环，且限位环的内侧与金属丝的外侧滑动连接。

[0007] 优选的，所述挡板的一端面呈弧面状设置，且挡板的弧面端与晶体管的外侧底端滑动连接。

[0008] 优选的，所述金属丝的外侧滑动连接有弹簧夹，且弹簧夹的左端与限位环的右端相贴合。

[0009] 优选的，所述电热丝的轴线与曲杆的中心位于同一竖直平面上，且电热丝位于晶体管的正上方。

[0010] 优选的，所述钢丝的数量为3根，所述钢丝的长度均相等，且钢丝呈均匀分布在压板的顶端。

[0011] 与现有技术相比，本发明的有益效果是：

[0012] 1、本发明中，通过设置的电热丝、曲杆和金属丝实现对高温状态下的晶体管的稳定性测试，能够检测晶体管能否在散热不良的恶劣的工作环境中正常运作，缩短实验参数与实际使用的参数之间的差距。

[0013] 2、本发明中，通过设置的钢丝、压板和弹簧实现了对引脚的简易固定，减少引脚的弯折，防止断裂，避免晶体管在检测过程中出现机械损坏，这种设计构思新颖，设计科学，具有巨大的经济效益和广泛的市场前景，值得推广使用。

附图说明

[0014] 图1为本发明整体结构示意图；

[0015] 图2为挡板的安装结构示意图。

[0016] 图中：1-电路板、2-挡板、3-电热丝、4-钢丝、5-压板、6-弹簧、7-引脚、8-晶体管、9-曲杆、10-弹簧片、11-固定块、12-金属丝、13-拉环、14- 限位环、15-弹簧夹。

具体实施方式

[0017] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0018] 请参阅图1-2，本发明提供一种技术方案：

[0019]  VDMOS垂直栅场效应晶体管性能检测装置，包括电路板1和晶体管8，所述电路板1的顶端固定连接有挡板2，所述挡板2的顶端一侧固定连接有水平设置的电热丝3，所述电路板1的顶端电性连接有钢丝4，所述钢丝4的另一端固定连接有水平设置的压板5，所述压板5的顶端固定连接有竖直设置的弹簧6，且弹簧6的顶端与电路板1的底端固定连接，所述晶体管8的前端电性连接有水平设置的引脚7，所述电路板1的顶端左右两侧均转动连接有曲杆9，所述曲杆9的内侧固定连接有弹簧片10，且弹簧片10的底端与电路板1的顶端固定连接，左侧所述曲杆9的顶端固定连接有水平设置的固定块11，所述固定块11的右端固定连接有金属丝12，所述金属丝12的另一端固定连接有拉环13，右侧所述曲杆9的顶端固定连接有限位环14，且限位环14的内侧与金属丝12的外侧滑动连接。

[0020] 所述挡板2的一端面呈弧面状设置，且挡板2的弧面端与晶体管8的外侧底端滑动连接，这种设置有利于保护晶体管8内部电路，减少晶体管8底端的摩擦，所述金属丝12的外侧滑动连接有弹簧夹15，且弹簧夹15的左端与限位环14的右端相贴合，这种设置有利于稳定曲杆9，维持电热丝3下压状态，所述电热丝3的轴线与曲杆9的中心位于同一竖直平面上，且电热丝3 位于晶体管8的正上方，这种设置有利于电热丝3精准下压加热晶体管8，所述钢丝4的数量为3根，所述钢丝4的长度均相等，且钢丝4呈均匀分布在压板5的顶端，这种设置有利于对3根引脚7施加相同的压力，减少引脚7 的弯折。

[0021] 电热丝3的型号为MZFR-J1000W发热丝。

[0022] 工作流程：使用前装置接通电源，向上按压压板5，弹簧6受力压缩，钢丝4上滑，向前推动晶体管8，弹簧6伸长，压板5弹下，钢丝4下滑压紧引脚7，实现了对引脚7的简易固定，减少引脚7的弯折，防止断裂，避免晶体管8在检测过程中出现机械损坏，向右拉动拉环13，金属丝12右移，固定块 11带动左侧曲杆9顺时针旋转，左侧曲杆9带动固定块11和金属丝12下降，限位环14下降带动右侧曲杆9逆时针旋转，曲杆9的一端按压电热丝3，电热丝3的底端与晶体管8的顶端相贴合，电热丝3通电加热晶体管8，实现对高温状态下的晶体管的稳定性测试，能够检测晶体管能否在散热不良的恶劣的工作环境中正常运作，缩短实验参数与实际使用的参数之间的差距。

[0023] 尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。