研磨头扫描方法及装置

摘要

本发明提供了一种研磨头扫描方法及装置，涉及化学机械研磨的技术领域，包括：获取目标研磨头的运行参数；运行参数包括：频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度；根据运行参数确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标；根据时间位移坐标拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹；获取目标研磨头的位移坐标，并根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区；控制目标研磨头以位移坐标为起点，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。在设定目标研磨头的运行参数后，确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标并拟合运行轨迹，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。可以增加研磨头扫描效率，降低研磨头扫描成本。

权利要求

1.一种研磨头扫描方法，其特征在于，应用于研磨头电机的控制器，包括：获取目标研磨头的运行参数；所述运行参数包括：频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度；

根据所述运行参数确定所述目标研磨头在每个分区的时间位移坐标；

根据所述时间位移坐标拟合所述目标研磨头在所述每个分区内的运行轨迹；

获取所述目标研磨头的位移坐标，并根据所述位移坐标确定所述目标研磨头处于的分区；

控制所述目标研磨头以所述位移坐标为起点，按照所述目标研磨头所处分区对应的所述运行轨迹进行扫描。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述时间位移坐标拟合所述目标研磨头在所述每个分区内的运行轨迹，包括：根据所述时间位移坐标，采用三次函数拟合所述目标研磨头在所述每个分区内的运行轨迹。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用以下算式拟合所述目标研磨头在所述每个分区内的运行轨迹：Yn＝A[n]*(t-tn-1)3+B[n]*(t-tn-1)2+C[n]*(t-tn-1)+D[n]；

其中，n为第n个分区；tn-1为所述目标研磨头进入所述第n个分区的起始时间；t为所述目标研磨头的时间坐标；Yn为所述目标研磨头在时间为t时对应的位移坐标；A[n]、B[n]、C[n]、D[n]分别为所述第n个分区的拟合系数。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述目标研磨头的位移坐标，并根据所述位移坐标确定所述目标研磨头处于的分区，包括：采用以下算式确定所述目标研磨头处于的分区：n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N；

其中，n为所述目标研磨头处于的分区的编号；N为所述分区数量；Yi为所述目标研磨头的位移坐标；Ymin为所述位移最小值；Ymax为所述位移最大值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取目标研磨头的运行参数，包括：获取目标研磨头的频率；所述频率决定所述目标研磨头的运行周期；

获取所述目标研磨头的分区数量；所述分区数量决定所述目标研磨头研磨的精细程度；

获取所述目标研磨头的位移最小值和位移最大值；所述位移最小值和位移最大值决定所述目标研磨头的位移区域；

获取所述目标研磨头的时间间隔；所述时间间隔决定所述目标研磨头在每个所述分区的停留时间；

获取所述目标研磨头的平滑度；所述平滑度决定所述目标研磨头的运行轨迹的光滑程度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述平滑度的范围在0-1之间。

7.一种研磨头扫描装置，其特征在于，包括：

参数获取模块，用于获取目标研磨头的运行参数；所述运行参数包括：频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度；

坐标确定模块，用于根据所述运行参数确定所述目标研磨头在每个分区的时间位移坐标；

轨迹拟合模块，用于根据所述时间位移坐标拟合所述目标研磨头在所述每个分区内的运行轨迹；

分区确定模块，用于获取所述目标研磨头的位移坐标，并根据所述位移坐标确定所述目标研磨头处于的分区；

控制扫描模块，用于控制所述目标研磨头以所述位移坐标为起点，按照所述目标研磨头所处分区对应的所述运行轨迹进行扫描。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括：三次函数拟合模块，用于根据所述时间位移坐标，采用三次函数拟合所述目标研磨头在所述每个分区内的运行轨迹。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：第一计算模块，用于采用以下算式拟合所述目标研磨头在所述每个分区内的运行轨迹：

3 2

Yn＝A[n]*(t-tn-1) +B[n]*(t-tn-1) +C[n]*(t-tn-1)+D[n]；

其中，n为第n个分区；tn-1为所述目标研磨头进入所述第n个分区的起始时间；t为所述目标研磨头的时间坐标；Yn为所述目标研磨头在时间为t时对应的位移坐标；A[n]、B[n]、C[n]、D[n]分别为所述第n个分区的拟合系数。

10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括：第二计算模块，用于采用以下算式确定所述目标研磨头处于的分区：n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N；

其中，n为所述目标研磨头处于的分区的编号；N为所述分区数量；Yi为所述目标研磨头的位移坐标；Ymin为所述位移最小值；Ymax为所述位移最大值。

说明书

研磨头扫描方法及装置

技术领域

[0001] 本发明涉及化学机械研磨技术领域，尤其是涉及一种研磨头扫描方法及装置。

背景技术

[0002] 化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish，CMP)又称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，在CMP设备中，每个研磨盘研磨头(Head)电机控制Head扫描运行，使得晶圆(wafer)充分和研磨盘(Platen)接触研磨。在此工艺中，Head的运行需要符合工艺设定的各类参数，包括起始点，终止点，运行频率，控制划分区域等。此处的研磨工艺需要精确控制，Head的运行轨迹是影响wafer研磨效果的关键环节。

[0003] 传统的Head运行需要从设定的起始点出发，在起始点和终止点之间运行。无论Head在什么地方，都必须先回到设定的起始点，再开始扫描，这种必须回到设定的起始点的扫描方法，会导致Head扫描的效率降低，也会造成控制成本的增加。

[0004] 针对上述现有技术中研磨头扫描方法效率低、成本高的问题，目前尚未提出有效解决方案。

发明内容

[0005] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种研磨头扫描方法及装置，以增加研磨头扫描效率，降低研磨头扫描成本。

[0006] 第一方面，本发明实施例提供了一种研磨头扫描方法，应用于研磨头电机的控制器，包括：获取目标研磨头的运行参数；运行参数包括：频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度；根据运行参数确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标；根据时间位移坐标拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹；获取目标研磨头的位移坐标，并根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区；控制目标研磨头以位移坐标为起点，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。

[0007] 结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，根据时间位移坐标拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹，包括：根据时间位移坐标，采用三次函数拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹。

[0008] 结合第一方面的第一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，采用以下算式拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹：Yn＝A3 2
[n]*(t-tn-1) +B[n]*(t-tn-1)+C[n]*(t-tn-1)+D[n]；其中，n为第n个分区；tn-1为目标研磨头进入第n个分区的起始时间；t为目标研磨头的时间坐标；Yn为目标研磨头在时间为t时对应的位移坐标；A[n]、B[n]、C[n]、D[n]分别为第n个分区的拟合系数。

[0009] 结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，获取目标研磨头的位移坐标，并根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区，包括：采用以下算式确定目标研磨头处于的分区：n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N；其中，n为目标研磨头处于的分区的编号；N为分区数量；Yi为目标研磨头的位移坐标；Ymin为位移最小值；Ymax为位移最大值。

[0010] 结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，获取目标研磨头的运行参数，包括：获取目标研磨头的频率；频率决定目标研磨头的运行周期；获取目标研磨头的分区数量；分区数量决定目标研磨头研磨的精细程度；获取目标研磨头的位移最小值和位移最大值；位移最小值和位移最大值决定目标研磨头的位移区域；获取目标研磨头的时间间隔；时间间隔决定目标研磨头在每个分区的停留时间；获取目标研磨头的平滑度；平滑度决定目标研磨头的运行轨迹的光滑程度。

[0011] 结合第一方面的第四种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，平滑度的范围在0-1之间。

[0012] 第二方面，本发明实施例还提供一种研磨头扫描装置，包括：参数获取模块，用于获取目标研磨头的运行参数；运行参数包括：频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度；坐标确定模块，用于根据运行参数确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标；轨迹拟合模块，用于根据时间位移坐标拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹；分区确定模块，用于获取目标研磨头的位移坐标，并根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区；控制扫描模块，用于控制目标研磨头以位移坐标为起点，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。

[0013] 结合第二方面，本发明实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中，还包括：三次函数拟合模块，用于根据时间位移坐标，采用三次函数拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹。

[0014] 结合第二方面的第一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第二方面的第二种可能的实施方式，其中，还包括：第一计算模块，用于采用以下算式拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹：Yn＝A[n]*(t-tn-1)3+B[n]*(t-tn-1)2+C[n]*(t-tn-1)+D[n]；其中，n为第n个分区；tn-1为目标研磨头进入第n个分区的起始时间；t为目标研磨头的时间坐标；Yn为目标研磨头在时间为t时对应的位移坐标；A[n]、B[n]、C[n]、D[n]分别为第n个分区的拟合系数。

[0015] 结合第二方面，本发明实施例提供了第二方面的第三种可能的实施方式，其中，还包括：第二计算模块，用于采用以下算式确定目标研磨头处于的分区：n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N；其中，n为目标研磨头处于的分区的编号；N为分区数量；Yi为目标研磨头的位移坐标；Ymin为位移最小值；Ymax为位移最大值。

[0016] 本发明实施例带来了以下有益效果：

[0017] 本发明实施例提供的一种研磨头扫描方法及装置，在设定目标研磨头的运行参数后，确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标并拟合运行轨迹，根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。可以增加研磨头扫描效率，降低研磨头扫描成本。

[0018] 本公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，或者，部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本公开的上述技术即可得知。

[0019] 为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

[0020] 为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0021] 图1为本发明实施例提供的一种研磨头扫描方法的流程图；

[0022] 图2为本发明实施例提供的一种研磨头扫描轨迹的示意图；

[0023] 图3为本发明实施例提供的一种获取目标研磨头的运行参数的方法的流程图；

[0024] 图4为本发明实施例提供的一种研磨头扫描装置的结构示意图。

具体实施方式

[0025] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0026] 目前，在CMP设备中,在每个Platen中，需要Head电机控制Head扫描运行，使得wafer充分和Platen接触研磨。在此工艺中，Head的运行需要符合工艺设定的各类参数，包括起始点，终止点，运行频率，控制划分区域等。此处的研磨工艺需要精确控制，Head的运行轨迹是影响wafer研磨效果的关键环节。在CMP中，Head运行根据起始点，终止点，频率等参数进行运动。传统的Head运行需要从设定的起始点出发，在起始点和终止点之间运行。在CMP中，Head运行根据起始点，终止点，频率等参数进行运动。传统的Head运行需要从设定的起始点出发，在起始点和终止点之间运行。基于此，本发明实施例提供的一种研磨头扫描方法及装置，在设定目标研磨头的运行参数后，确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标并拟合运行轨迹，根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。可以增加研磨头扫描效率，降低研磨头扫描成本。

[0027] 为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种研磨头扫描方法进行详细介绍。

[0028] 实施例1

[0029] 本发明实施例1提供了一种研磨头扫描方法，应用于研磨头电机的控制器，参见图1所示的一种研磨头扫描方法的流程图，包括如下步骤：

[0030] 步骤S102，获取目标研磨头的运行参数。

[0031] 运行参数包括：频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度；频率决定目标研磨头电机的运行周期；分区数量决定目标研磨头电机的运行分区数，分区数越多，则目标研磨头电机的控制越精细；位移最小值决定目标研磨头电机向外运行的最小值；位移最大值决定目标研磨头电机向外运行的最大值，运行的单位有英寸或毫米两种；时间间隔代表着目标研磨头电机在每个分区内的停留时间，值越大代表着目标研磨头电机在此区域内运行的时间比例越久；平滑度决定目标研磨头电机运行轨迹的光滑程度。

[0032] 步骤S104，根据运行参数确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标。

[0033] 知道运行参数，就可以确定目标研磨头在每个分区内的时间位移坐标，该时间位移坐标以时间为横坐标，位移为纵坐标。

[0034] 步骤S106，根据时间位移坐标拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹。

[0035] 根据每个分区内的时间位移坐标，就可以对目标研磨头的运行轨迹做出拟合。参见图2所示的一种研磨头扫描轨迹的示意图，如图2所示，横坐标为时间，单位是秒(s)；纵坐标为位移，单位是毫米(mm)；起始点为130mm处，最大值为150，最小值为113，周期为10s，分区数量为3。

[0036] 步骤S108，获取目标研磨头的位移坐标，并根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区。

[0037] 因为运行轨迹是根据分区拟合的，因此需要确定目标研磨头处在的分区。然后就可以根据该分区的拟合的运行轨迹，判断目标研磨头处在的该拟合的运行轨迹的位置，然后根据该拟合的运行轨迹，继续运行。

[0038] 步骤S110，控制目标研磨头以位移坐标为起点，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。

[0039] 在确定分区之后，以目标研磨头的位移坐标为起点，根据该分区拟合的运行轨迹进行扫描。

[0040] 本发明实施例提供的上述方法，在设定目标研磨头的运行参数后，确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标并拟合运行轨迹，根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。可以增加研磨头扫描效率，降低研磨头扫描成本。

[0041] 在拟合运行轨迹的过程中，可以使用三次函数进行拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹，上述方法还包括：据时间位移坐标，采用三次函数拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹。使用三次函数拟合，可以在不消耗较长时间的情况下较为准确的拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹。

[0042] 采用以下算式拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹：

[0043] Yn＝A[n]*(t-tn-1)3+B[n]*(t-tn-1)2+C[n]*(t-tn-1)+D[n]；

[0044] 其中，n为第n个分区；tn-1为目标研磨头进入第n个分区的起始时间；t为目标研磨头的时间坐标；Yn为目标研磨头在时间为t时对应的位移坐标；A[n]、B[n]、C[n]、D[n]分别为第n个分区的拟合系数。

[0045] 对于不同分区，n、tn-1是不同且唯一的，A[n]、B[n]、C[n]、D[n]作为拟合系数也是确定的，就是说上述算式只是以t为自变量，Yn为因变量的一元三次方程，即位移与时间的一元三次方程。

[0046] 本发明实施例提供的上述方法，可以使用三次函数进行拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹，作为一种拟合方法，具体的说，可以使用以下算式拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹：Yn＝A[n]*(t-tn-1)3+B[n]*(t-tn-1)2+C[n]*(t-tn-1)+D[n]。

[0047] 在得到目标研磨头的位移坐标后，需要确定目标研磨头处于的分区，可以采用以下算式确定目标研磨头处于的分区：

[0048] n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N；

[0049] 其中，n为目标研磨头处于的分区的编号；N为分区数量；Yi为目标研磨头的位移坐标；Ymin为位移最小值；Ymax为位移最大值。

[0050] 以图2所示的一种研磨头扫描轨迹的示意图为例，Ymin＝113，Ymax＝150，N＝3，输入目标研磨头的位移坐标Yi，就可以得到目标研磨头处于的分区的编号，再结合拟合的运行轨迹，可以控制目标研磨头按照拟合的运行轨迹扫描，无需回到起始点。

[0051] 本发明实施例提供的上述方法，在得到目标研磨头的位移坐标后，可以采用以下算式确定目标研磨头处于的分区：n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N，再结合拟合的运行轨迹，可以控制目标研磨头按照拟合的运行轨迹扫描，无需回到起始点。

[0052] 获取目标研磨头的运行参数，参见图3所示的一种获取目标研磨头的运行参数的方法的流程图可以按照以下步骤执行：

[0053] 步骤S302，获取目标研磨头的频率。

[0054] 频率决定目标研磨头的运行周期；目标研磨头的频率的频率越高，则目标研磨头的运行周期越短，相同时间往复的次数就越多。

[0055] 步骤S304，获取目标研磨头的分区数量。

[0056] 分区数量决定目标研磨头研磨的精细程度；分区数量越多，则说明在一个周期内的分的区域越多，研磨越精细。

[0057] 步骤S306，获取目标研磨头的位移最小值和位移最大值。

[0058] 位移最小值和位移最大值决定目标研磨头的位移区域；位移最小值决定目标研磨头电机向外运行的最小值，位移最大值决定目标研磨头电机向外运行的最大值，运行的单位有英寸或毫米两种

[0059] 步骤S308，获取目标研磨头的时间间隔。

[0060] 时间间隔决定目标研磨头在每个分区的停留时间；时间间隔的值越大，说明在此区域内目标研磨头运行的时间越长，在此区域内目标研磨头研磨的时间较长。

[0061] 步骤S310，获取目标研磨头的平滑度。

[0062] 平滑度决定目标研磨头的运行轨迹的光滑程度。平滑度的范围在0-1之间，平滑度的值越大，说明运行轨迹越光滑。如果平滑度的值为0，则运行轨迹为折线；如果平滑度的值为1，则运行轨迹为光滑曲线。

[0063] 本发明实施例提供的上述方法，通过依次获得目标研磨头的频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度作为运行参数，用来拟合运行轨迹。

[0064] 本实施例提供的一种研磨头扫描方法，在设定目标研磨头的运行参数后，确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标并拟合运行轨迹，根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描；可以使用三次函数进行拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹，作为一种拟合方法，具体的说，可以使用以下算式拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹：Yn＝A[n]*(t-tn-1)3+B[n]*(t-tn-1)2+C[n]*(t-tn-1)+D[n]；在得到目标研磨头的位移坐标后，可以采用以下算式确定目标研磨头处于的分区：n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N，再结合拟合的运行轨迹，可以控制目标研磨头按照拟合的运行轨迹扫描，无需回到起始点；通过依次获得目标研磨头的频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度作为运行参数，用来拟合运行轨迹。可以增加研磨头扫描效率，降低研磨头扫描成本。

[0065] 实施例2

[0066] 本发明实施例2提供一种研磨头扫描装置，参见图4所示的一种研磨头扫描装置的结构示意图，包括参数获取模块41、坐标确定模块42、轨迹拟合模块43、分区确定模块44和控制扫描模块45，上述各模块的功能如下：

[0067] 参数获取模块41，用于获取目标研磨头的运行参数；运行参数包括：频率、分区数量、位移最小值、位移最大值、时间间隔和平滑度；

[0068] 坐标确定模块42，用于根据运行参数确定目标研磨头在每个分区的时间位移坐标；

[0069] 轨迹拟合模块43，用于根据时间位移坐标拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹；

[0070] 分区确定模块44，用于获取目标研磨头的位移坐标，并根据位移坐标确定目标研磨头处于的分区；

[0071] 控制扫描模块45，用于控制目标研磨头以位移坐标为起点，按照目标研磨头所处分区对应的运行轨迹进行扫描。

[0072] 可以采用三次函数拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹，上述装置还包括：三次函数拟合模块，用于根据时间位移坐标，采用三次函数拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹。

[0073] 具体来说，可以采用以下算式拟合每个分区内的运行轨迹，上述装置还包括：第一计算模块，用于采用以下算式拟合目标研磨头在每个分区内的运行轨迹：

[0074] Yn＝A[n]*(t-tn-1)3+B[n]*(t-tn-1)2+C[n]*(t-tn-1)+D[n]；

[0075] 其中，n为第n个分区；tn-1为目标研磨头进入第n个分区的起始时间；t为目标研磨头的时间坐标；Yn为目标研磨头在时间为t时对应的位移坐标；A[n]、B[n]、C[n]、D[n]分别为第n个分区的拟合系数。

[0076] 具体来说，可以采用以下算式确定目标研磨头处于的分区，上述装置还包括：第二计算模块，用于采用以下算式确定目标研磨头处于的分区：

[0077] n＝(Yi-Ymin)/(Ymax-Ymin)*N；

[0078] 其中，n为目标研磨头处于的分区的编号；N为分区数量；Yi为目标研磨头的位移坐标；Ymin为位移最小值；Ymax为位移最大值。

[0079] 所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的研磨头扫描装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

[0080] 本发明实施例提供的研磨头扫描装置，与上述实施例提供的研磨头扫描方法具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。

[0081] 此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

[0082] 最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。