压力传感器设备和压力传感器设备的制造方法

摘要

本公开涉及压力传感器设备和压力传感器设备的制造方法。压力传感器设备(2000)包括压力传感器设备(2000)的半导体管芯(120)和压力传感器设备(2000)的接合线(110)。接合线(110)的一部分与半导体管芯(120)之间的最大垂直距离(2012)大于半导体管芯(120)与覆盖半导体管芯(120)的凝胶(2010)的表面之间的最小垂直距离(2014)。

权利要求

1.一种压力传感器设备(2000)，包括：所述压力传感器设备(2000)的半导体管芯(120)，所述半导体管芯具有包括压力感测区域的管芯表面；以及

所述压力传感器设备(2000)的第一接合线(110)，被接合至所述管芯表面的第一外周区域，并在所述管芯表面上方延伸到所述管芯表面的第二外周区域，其中所述第二外周区域与第一外周区域成对角；以及

凝胶，覆盖所述半导体管芯和所述第一接合线的一部分，其中所述凝胶包括凝胶表面，所述凝胶表面提供在所述凝胶和所述半导体管芯所在的腔体之间的界面，其中所述凝胶具有在所述管芯表面和所述凝胶表面之间的最小垂直距离；

其中所述第一接合线(110)的一部分与所述凝胶表面之间的最大垂直距离(2012)大于所述管芯表面和所述凝胶表面之间的所述最小垂直距离(2014)。

2.根据权利要求1所述的压力传感器设备，其中所述第一接合线(110)的至少一部分位于所述凝胶外。

3.根据权利要求1所述的压力传感器设备，其中所述第一接合线被凝胶薄膜覆盖。

4.根据权利要求1‑3中任一项所述的压力传感器设备，其中所述腔体被定位为与覆盖所述半导体管芯(120)的所述凝胶相邻，其中所述第一接合线(110)的至少一部分被定位在所述腔体内。

5.根据权利要求1‑3中任一项所述的压力传感器设备，其中所述第一接合线(110)的所述一部分与所述半导体管芯(120)之间的所述最大垂直距离(2012)大于600μm。

6.根据权利要求1‑3中任一项所述的压力传感器设备，其中所述半导体管芯(120)与所述凝胶(2010)的表面之间的所述最小垂直距离(2014)大于1μm且小于200μm。

7.根据权利要求1‑3中任一项所述的压力传感器设备，其中所述第一接合线(110)的所述一部分与所述管芯表面之间的所述最大垂直距离(2012)大于所述管芯表面和所述凝胶表面之间的所述最小垂直距离(2014)的两倍。

8.根据权利要求1‑3中任一项所述的压力传感器设备，其中所述半导体管芯(120)包括被配置为由于当前气体压力的改变而变形的膜结构，其中在所述半导体管芯(120)的顶视图中，第一接合线不与所述膜结构重叠。

9.根据权利要求1‑3中任一项所述的压力传感器设备，其中所述半导体管芯(120)包括第一接合焊盘，其中所述第一接合线(110)的端部接合至所述半导体管芯(120)的所述第一接合焊盘。

10.根据权利要求9所述的压力传感器设备，其中所述第一接合焊盘是参考电压焊盘。

11.根据权利要求9所述的压力传感器设备，还包括接合至所述半导体管芯(120)的第二接合焊盘的第二接合线，其中所述第一接合焊盘与所述第二接合焊盘之间的横向距离大于所述半导体管芯(120)的横向尺寸的一半。

12.根据权利要求1‑3、10和11中任一项所述的压力传感器设备，其中所述压力传感器设备包括封装结构，所述封装结构包括接合焊盘，其中所述第一接合线(110)的端部接合至所述封装结构的接合焊盘。

13.一种压力传感器设备，包括：

所述压力传感器设备的半导体管芯(120)；以及所述压力传感器设备的第一接合线(110)，被接合至管芯表面的第一外周区域，并在所述管芯表面上方延伸到所述管芯表面的第二外周区域，其中所述第二外周区域与第一外周区域成对角；

其中所述第一接合线(110)的至少交叉部分(CS)在所述半导体管芯(120)之上延伸，并且其中所述交叉部分(CS)的长度长于所述半导体管芯(120)的尺寸(SD)的一半。

14.根据权利要求13所述的压力传感器设备，其中所述第一接合线(110)的中间接触部分接合至所述半导体管芯(120)的接合焊盘。

15.根据权利要求13或14所述的压力传感器设备，其中所述半导体管芯(120)包括被配置为通过当前气体压力而变形的膜结构，所述第一接合线(110)的所述交叉部分(CS)跨所述膜结构延伸。

16.根据权利要求13或14所述的压力传感器设备，其中所述交叉部分(CS)的长度大于所述半导体管芯(120)的尺寸(SD)。

17.根据权利要求1或13所述的压力传感器设备，还包括：所述压力传感器设备的第二接合线，其中所述第二接合线的第一端(A)接合至所述半导体管芯(120)的接合焊盘，并且所述第二接合线的第二端(B)是开口端。

18.根据权利要求17所述的压力传感器设备，其中所述压力传感器设备的所述第一接合线和所述第二接合线的长度小于1mm。

19.一种用于制造压力传感器设备的方法(2500)，包括：提供(2510)所述压力传感器设备的半导体管芯，所述半导体管芯具有包括压力感测区域的管芯表面；以及

形成(2520)所述压力传感器设备的第一接合线，所述第一接合线被接合至所述管芯表面的第一外周区域，并在所述管芯表面上方延伸到所述管芯表面的第二外周区域，其中所述第二外周区域与第一外周区域成对角；以及形成凝胶，所述凝胶覆盖所述半导体管芯和所述第一接合线的一部分，其中所述凝胶包括凝胶表面，所述凝胶表面提供在所述凝胶和所述半导体管芯所在的腔体之间的界面，其中所述凝胶具有在所述管芯表面和所述凝胶表面之间的最小垂直距离，其中所述第一接合线的一部分与所述管芯表面之间的最大垂直距离大于所述管芯表面与覆盖所述半导体管芯的所述凝胶表面之间的所述最小垂直距离。

说明书

压力传感器设备和压力传感器设备的制造方法

技术领域

[0001] 本公开的示例涉及用于保护免受静电放电(ESD)对压力传感器设备的影响及其应用，尤其涉及压力传感器设备以及压力传感器设备的制造方法。

背景技术

[0002] 压力传感器具有压力端口，该压力端口是封装中的开口，通过该开口可以在压力传感器的感测元件上测量压力。压力端口能够使传感器测量例如汽车的车门腔中的气压。
空气体积直接暴露于传感器表面。

[0003] 由于第一(和第二)层级封装中的压力端口，这种类型的传感器在ESD(测试)期间特别容易受到这种类型的空气放电的影响。在压力端口的空气填充中，在ESD(测试)期间存
在高电场。在空气填充过程中，这些会引起气体放电(电晕)，从而引起如空气填充中产生自
由电荷(离子和电子)、完全隔离的系统内的自由电荷的漂移、空气填充中非常陡峭和不可
预测的电场瞬变以及内腔壁和传感器表面的充电的二次效应，具有不受控制的电荷分布。

[0004] 可以期望为压力传感器设备获得更好的ESD保护。

发明内容

[0005] 可能需要提供压力传感器设备的概念，这允许提高ESD鲁棒性。

[0006] 这样的需求可以通过权利要求的主题来满足。

[0007] 一些实施例涉及一种压力传感器设备，其包括压力传感器设备的半导体管芯以及压力传感器设备的接合线。接合线的一部分与半导体管芯之间的最大垂直距离大于半导体
管芯与覆盖半导体管芯的凝胶的表面之间的最小垂直距离。

[0008] 一些实施例涉及一种压力传感器设备。该压力传感器设备包括压力传感器设备的半导体管芯。压力传感器设备包括压力传感器设备的接合线。接合线的至少一个交叉部分
在半导体管芯之上延伸。交叉部分的长度比半导体管芯的尺寸的一半长。

[0009] 一些实施例涉及一种压力传感器设备。该压力传感器设备包括压力传感器设备的半导体管芯。压力传感器设备包括压力传感器设备的接合线。接合线的第一端接合至半导
体管芯的接合焊盘。接合线的第二端是开口端。

[0010] 一些实施例涉及一种用于制造压力传感器设备的方法。该方法包括提供压力传感器设备的半导体管芯。该方法包括形成压力传感器设备的接合线。接合线的至少一个交叉
部分在半导体管芯之上延伸。交叉部分的长度比半导体管芯的尺寸的一半长。

[0011] 一些实施例涉及一种用于制造压力传感器设备的方法。该方法包括提供压力传感器设备的半导体管芯。该方法包括形成压力传感器设备的接合线。接合线的第一端接合至
半导体管芯的接合焊盘，而接合线的第二端是开口端。

附图说明

[0012] 以下将仅通过示例并参考附图描述装置和/或方法的一些示例，其中

[0013] 图1示出了压力传感器设备的顶侧的示意图，该压力传感器设备包括在半导体管芯之上具有交叉部分的接合线。

[0014] 图2示出了包括具有开口端的接合线的压力传感器设备的截面的示意图；

[0015] 图3示出了用于制造压力传感器设备的方法的流程图；

[0016] 图4示出了用于制造压力传感器设备并形成接合线的方法的流程图；

[0017] 图5示出了压力传感器设备的截面的示意图，其中接合线的一端位于封装结构上且接合线的另一端位于半导体管芯上；

[0018] 图6示出了图5的压力传感器设备的顶侧的示意性顶视图；

[0019] 图7示出了图5的压力传感器设备的顶侧的另一示意性顶视图；

[0020] 图8示出了压力传感器设备的截面的示意图，其中接合线的一端位于封装结构上且接合线的另一端也位于封装结构上；

[0021] 图9示出了图8的压力传感器设备的示意性顶视图；

[0022] 图10示出了压力传感器设备的截面的示意图，其中接合线的第一端位于半导体器件上，接合线的中间端位于半导体器件上，并且接合线的第二端位于封装结构上；

[0023] 图11示出了图10的压力传感器设备的顶视图的示意图；

[0024] 图12示出了图10的压力传感器设备的顶视图的另一示意图；

[0025] 图13示出了压力传感器设备的顶视图的示意图，其中接合线的第一侧被放置在封装结构的接地焊盘处且开口端被放置在第二侧处；

[0026] 图14示出了压力传感器设备的顶视图的示意图，其中接合线从半导体管芯的边缘延伸到半导体管芯的相应其它边缘；

[0027] 图15示出了柱状凸起形式的接合线的示意图；

[0028] 图16示出了具有倾斜的柱状凸起形式的接合线的示意图；

[0029] 图17示出了汽车压力传感器上的静电放电测试的示意图；

[0030] 图18示出了汽车压力传感器上的放电测试的测试系统概况的示意图；

[0031] 图19示出了压力传感器模块中的材料堆叠的示意图；

[0032] 图20示出了压力传感器设备的截面的示意图；

[0033] 图21示出了压力传感器设备的截面的示意图，其包括具有高回路的两条接合线；

[0034] 图22示出了图21的压力传感器设备的顶侧的示意图；

[0035] 图23示出了压力传感器设备和球形等电位表面的截面的示意图；

[0036] 图24示出了到达高接合线的球形等电位表面的示意图；以及

[0037] 图25示出了用于制造压力传感器设备的方法的流程图。

具体实施方式

[0038] 现在将参照附图更加详细地描述各个示例，其中示出了一些示例。在图中，为了清楚起见，线条、层和/或区域的厚度可以被夸大。

[0039] 因此，虽然进一步的示例能够进行各种修改和替代形式，但在图中示出了一些特定示例并且随后将详细描述。然而，这种详细描述并不将进一步的示例限于所描述的特定
形式。进一步的示例可以覆盖落在本公开范围内的所有修改、等效和替换。类似的数字在附
图的描述中表示类似或相似的元件，并且当相互比较时可以相同地或者以修改形式来实
施，同时提供相同或相似的功能。

[0040] 应理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”至另一元件时，元件可以直接连接或耦合或者经由一个或多个中间元件连接或耦合。如果两个元件A和B使用“或”组合，这将被
理解为公开所有可能的组合，即仅A、仅B以及A和B。对于相同组合的替换措辞是“A和B中的
至少一个”。这同样适用于超过2个元件的组合。

[0041] 本文为了描述特定示例的所使用的术语不用于限制进一步的示例。当使用诸如“一个”和“该”的单数形式时，仅使用单个元件既不是明显也不暗示地定义为强制的，进一
步的示例也可以使用多个元件来实现相同的功能。类似地，当功能随后被描述为使用多个
元件实施时，进一步的示例可以使用单个元件或处理实体来实现相同的功能。还应理解，术
语“包括”和/或“包含”在使用时指定所陈述特征、整数、步骤、操作、过程、动作、元件和/或
组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、进程、动作、元件、组件和/或
它们的任何组的存在或添加。

[0042] 除非另有定义，否则所有术语(包括技术和科学术语)在本文以这些示例所属领域的一般含义来使用。

[0043] 图1示出了根据一个实施例的压力传感器设备100的顶侧的示意图。压力传感器设备100包括压力传感器设备100的半导体管芯120。压力传感器设备100包括压力传感器设备
100的接合线110。接合线110的至少一个交叉部分CS在半导体管芯120之上延伸。交叉部分
CS的长度大于半导体管芯120的尺寸SD的一半(或大于70％)。

[0044] 由于半导体管芯110之上的交叉部分CS，可以沿着接合线引导电荷。这可以减少或避免通过半导体管芯的不希望部分的放电。以这种方式，可以提高半导体管芯110的ESD鲁
棒性。

[0045] 例如，(第一)接合线110的交叉部分CS是接合线的一部分，其位于半导体管芯120的顶视图中的半导体管芯120的区域中。例如，接合线110的交叉部分CS是接合线的一部分，
其与半导体管芯120的区域重叠。例如，接合线110的交叉部分CS是由半导体管芯120的边缘
横向限制的区域内(例如，在包括从半导体管芯边缘开始且垂直延伸的侧壁的立方体内)的
位于半导体管芯110上方的接合线的一部分。例如，如果接合线从半导体管芯的横向区域外
延伸到半导体管芯的接合焊盘，则接合线110的交叉部分CS是接合线110的部分，其从半导
体管芯120的接合焊盘延伸到垂直位于半导体管芯120的边缘上方的点。

[0046] 半导体管芯120的尺寸SD可以是半导体管芯120的边缘或最长边缘的长度。例如，半导体管芯120可以包括矩形形状，并且半导体管芯120的尺寸SD可以是矩形的长边(或短
边)的长度。

[0047] 例如，交叉部分CS的长度大于半导体管芯120的尺寸SD。尺寸SD可以是横向长度。尺寸SD可以是半导体管芯的长度或宽度。

[0048] 例如，交叉部分CS的长度等于或小于半导体管芯120的对角线尺寸DD。交叉部分CS可以大于半导体管芯120的尺寸SD。交叉部分CS可以小于半导体管芯120的对角线尺寸DD。

[0049] 由于交叉部分CS的长度，所以电荷可以保持远离半导体管芯120。

[0050] 例如，接合焊盘是参考电压焊盘(例如，接地焊盘)，以能够实现与参考电压(例如，接地)的连接。半导体管芯120可以包括一个或多个作为接地焊盘的接合焊盘。压力传感器
设备100可以包括一条或多条用于改进ESD鲁棒性的接合线110。一条或多条接合线110可以
连接至相应的接地焊盘，或者一些接合线可以连接至同一接地焊盘。

[0051] 例如，接合线110和半导体管芯120之间的最大垂直距离大于50μm(或大于100μm或大于200μm)和/或小于1mm(或小于700μm或小于500μm)。例如，接合线110的直径大于10μm
(或大于30μm或大于80μm)且小于300μm(或小于100μm或小于70μm)。

[0052] 例如，半导体管芯120包括接合焊盘，其中接合线110的端部接合至半导体管芯120的接合焊盘。

[0053] 例如，半导体管芯120包括另一(第二)接合焊盘，其中接合线110在另一接合焊盘上结束。在该示例中，整个接合线100在半导体管芯之上延伸，使得接合线的交叉部分CS是
整个接合线110。半导体管芯120的(第一)接合焊盘和半导体管芯120的另一(第二)接合焊
盘可以布置在半导体管芯120的尺寸的至少一半处，在半导体管芯120的相对边缘处分开。
半导体管芯120的第一接合焊盘可以与第二接合焊盘隔开半导体管芯120的尺寸SD的至少
一半。半导体管芯120的第一接合焊盘可以与第二接合焊盘隔开小于半导体管芯120的对角
线尺寸DD。第一和第二接合焊盘可以布置在半导体管芯120的边缘处。第一和第二接合焊盘
可以布置在半导体管芯120的拐角处。

[0054] 例如，压力传感器设备100包括封装结构(例如，包括引线框或封装载体衬底)。封装结构可以包括接合焊盘，并且接合线110的端部可以接合至封装结构的接合焊盘。例如，
接合线110在半导体管芯120的接合焊盘上开始并且在封装结构的接合焊盘上结束。

[0055] 例如，接合线110的中间接触部分可以接合在半导体管芯120的又一接合焊盘上。半导体管芯120上的两个接合焊盘之间的距离可以大于半导体管芯120的尺寸SD。半导体管
芯120上的两个接合焊盘之间的距离可以小于半导体管芯120的对角线尺寸DD。半导体管芯
120的接合焊盘与封装结构的接合焊盘之间的距离可以大于半导体管芯120的又一接合焊
盘与封装结构的接合焊盘之间的距离。

[0056] 例如，接合线110的交叉部分CS的至少一部分位于半导体管芯120的接合焊盘和接合线110的中间端(另一接合焊盘)之间。

[0057] 例如，半导体管芯的接合焊盘相对于封装结构的接合焊盘被定位在半导体管芯120的远侧处，使得接合线110的交叉部分CS在半导体管芯120的尺寸的至少一半之上延伸。

[0058] 例如，接合线110的交叉部分CS在横向上在半导体管芯120之上延伸。例如，接合线110的交叉部分CS在半导体管芯120之上平行于半导体管芯的一侧延伸。接合线110的交叉
部分CS可以在半导体管芯的中心区域之上延伸。中心区域可以由半导体管芯120的中心周
围的区域限定。中心周围的面积可以小于方格的半导体管芯120的尺寸的50％(或小于30％
或小于20％)。

[0059] 例如，半导体管芯120包括膜结构。膜结构可适于通过存在的气体压力变形。接合线110的交叉部分CS可以横跨膜结构延伸。膜结构可以布置在半导体管芯的中心。膜结构可
位于半导体管芯的中心区域处。膜结构可以形成中心区域。

[0060] 例如，压力传感器设备100包括第一接合线110和第二接合线。第二接合线的第一端A可以接合至半导体管芯120的接合焊盘。第二接合线的第二端B可以是开口端(例如参见
图14)。压力传感器设备100的第一接合线110和第二接合线可以接合至半导体管芯120的相
同接合焊盘或不同接合焊盘。第一接合线110和第二接合线可相隔位于半导体管芯120的尺
寸SD的至少一半处。第一接合线110和第二接合线可以相隔小于半导体管芯120的对角线尺
寸DD。第一接合线110和/或第二接合线可以布置在半导体管芯120的相应边缘处的接合焊
盘上。第一接合线110和/或第二接合线可以布置在半导体管芯120的相应拐角处的接合焊
盘上。

[0061] 例如，压力传感器设备100包括又一些接合线。该又一些接合线可以被布置和适于连接半导体管芯120的接合焊盘(例如，输入和/或输出接合焊盘和/或电压供应焊盘)与封
装结构的接合焊盘。

[0062] 例如，压力传感器设备包括接合至封装结构的接合焊盘并具有开口端的又一接合线110。

[0063] 例如，压力传感器设备100包括凝胶。半导体管芯120的至少一部分或整个半导体管芯120可以被凝胶覆盖。凝胶可以是粘弹性材料(例如，聚二甲基硅氧烷)。凝胶可具有小
于10Pa*s的粘度。凝胶可具有大于10mPa*s的粘度。凝胶可具有大于100mPa*s的粘度。凝胶
可具有大于1Pa*s的粘度。

[0064] 接合线110可以至少部分地穿过凝胶行进(例如，参见图5)。例如，交叉部分在凝胶外或内。

[0065] 例如，接合线110被凝胶覆盖。接合线110可以完全被凝胶覆盖。接合线110与凝胶的表面之间的最小距离可以小于10μm(或小于5μm或小于1μm)。

[0066] 例如，压力传感器设备100包括腔体。该腔体可以包括大于100μm(或大于300μm或大于500μm或大于1mm)和/或小于5mm(或小于2mm或小于1mm)的最大垂直延伸，和/或大于半
导体管芯120的尺寸的横向延伸。例如，腔体被定位为与凝胶相邻。接合线110的交叉部分CS
的至少一部分位于腔体内。例如，接合线110的交叉部分CS的至少一部分位于凝胶外。

[0067] 例如，半导体管芯120上方的凝胶的最小厚度小于接合线110与凝胶表面之间的最大距离。以这种方式，远在到达凝胶或半导体管芯120之前，放电可能会撞击接合线。

[0068] 例如，位于凝胶外的接合线(110)的所有部分的长度与位于凝胶内的接合线(110)的所有部分的长度之间的比率大于2:1(或大于3:1、大于4:1、大于5:1、大于6:1、或大于7:
1)。

[0069] 例如，半导体管芯120是微机电系统MEMS。

[0070] 半导体管芯可以包括半导体衬底和位于半导体衬底上的布线层堆叠。例如，半导体管芯可以包括例如硅衬底。备选地，半导体衬底可以是具有大于硅的带隙(1.1eV)的带隙
的宽带隙半导体衬底。例如，半导体衬底可以是基于碳化硅(SiC)的半导体衬底、或基于砷
化镓(GaAs)的半导体衬底、或基于氮化镓(GaN)的半导体衬底。

[0071] 例如，层的垂直方向和垂直尺寸或厚度可以与半导体管芯或半导体管芯的半导体衬底的前侧表面正交地测量，并且横向方向和横向尺寸可以平行于半导体管芯或半导体管
芯的半导体衬底的前侧表面测量。

[0072] 半导体管芯或半导体衬底的前侧(或前侧表面)可以是用于实施比半导体管芯或半导体衬底的背侧实施更精致和复杂的结构(例如，压力传感器设备的膜可以在前侧处实
施)的侧面(或表面)，这是因为例如如果已经在半导体管芯或半导体衬底的一侧处形成结
构，则工艺参数(例如温度)和处理可被限制在背侧。

[0073] 图2示出了根据一个实施例的压力传感器设备200的截面的示意图。压力传感器设备200包括压力传感器设备200的半导体管芯120。压力传感器设备200包括压力传感器设备
200的接合线110。接合线110的第一端A接合至半导体管芯120的接合焊盘。接合线110的第
二端B为开口端。

[0074] 例如，如果发生ESD事件，则具有开口端的接合线可以如避雷针一样工作。ESD放电可以至少部分地通过接合线耗散。以这种方式，可以提高压力传感器设备200的ESD鲁棒性。

[0075] 例如，接合线110具有开口端，使得接合线110仅一端接合至焊盘。开口端可以是接合线没有接合至焊盘的端部。例如，接合线110的开口端可以位于半导体管芯120上方的腔
体中，或者位于覆盖半导体管芯120的至少一部分的凝胶中。接合线110可以为柱状凸起的
形式。

[0076] 接合焊盘可以是半导体管芯120的接地焊盘。压力传感器设备200可以包括封装结构。封装结构可以包括引线框。引线框可以包括一个或多个接地焊盘。一个或多个接地焊盘
可以电连接至半导体管芯120的接地焊盘。

[0077] 例如，压力传感器设备200的接合线110的长度小于1mm(或小于700μm)，并且长于200μm(或大于500μm)。

[0078] 例如，压力传感器设备200的接合线110具有40度的最大倾角。最大倾角可以由接合线110的方向和相对于半导体管芯120的前侧的法线方向之间的角度来定义。

[0079] 例如，接合线是第一接合线110。例如，压力传感器设备200包括第二接合线。第二接合线的第一端A可接合至半导体管芯120的接合焊盘。第二接合线的第二端B可以是开口
端。压力传感器设备200的第一接合线110和第二接合线可以布置在半导体管芯120的不同
接合焊盘上。第一接合线110和第二接合线可相隔定位在半导体管芯120的尺寸SD的至少一
半处。第一接合线110和第二接合线可以相隔定位至少半导体管芯120的尺寸SD。第一接合
线110和第二接合线可以相隔定位小于半导体管芯120的对角尺寸DD。

[0080] 例如，压力传感器设备200包括另一接合线。另一接合线可以从封装结构垂直延伸并具有开口端。压力传感器设备200可以包括更多的其它接合线。其它接合线可以布置在半
导体管芯120周围。其它接合线可以分别布置在封装结构上的半导体管芯120的边缘附近。

[0081] 例如，压力传感器设备200包括凝胶。半导体管芯120的至少一部分可以被凝胶覆盖。接合线110可以至少部分地穿过凝胶行进。例如，接合线110在凝胶外至少有接合线110
的长度的一半。例如，接合线110可以至少部分地被凝胶覆盖。

[0082] 例如，接合线110可以完全被凝胶覆盖。例如，从接合线110到凝胶表面的最小距离小于10μm。

[0083] 例如，腔体可定位为与凝胶相邻。接合线110的至少一部分可以延伸到腔体中。

[0084] 例如，凝胶的厚度可以小于腔体的深度。

[0085] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图2所示实施例可以包括一个或多个可选的附加特征，它们对应于结合所提出的概念或者上述(例如，参见图1)或下述(例如，
图3‑图25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0086] 图3示出了根据一个实施例的用于制造压力传感器设备的方法的流程图。该方法包括提供压力传感器设备的半导体管芯(310)。该方法包括形成压力传感器设备的接合线
(320)。接合线的至少一个交叉部分CS在半导体管芯之上延伸。交叉部分CS的长度比半导体
管芯的尺寸SD的一半长。

[0087] 该方法还可以包括将半导体管芯附接至封装结构。封装结构可以包括引线框。例如，接合线可以从封装结构的接地焊盘接合至封装结构的另一接地焊盘或半导体管芯120
的接地焊盘。

[0088] 该方法还可以包括形成凝胶以覆盖半导体管芯的至少一部分。

[0089] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图3所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图2)或下述(例如，图4‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0090] 图4示出了根据一个实施例的用于制造压力传感器设备和形成接合线的方法的流程图。该方法包括提供压力传感器设备的半导体管芯120(410)。该方法包括形成压力传感
器设备的接合线(420)。接合线的第一端A接合至半导体管芯的接合焊盘。接合线的第二端B
是开口端。

[0091] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图4所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图3)或下述(例如，图5‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0092] 图5示出了根据一个实施例的压力传感器设备500的截面的示意图，其中接合线110的一端位于封装结构190上，并且接合线110的另一端位于半导体管芯120上。接合线(可
以是与将硅管芯连接至封装结构的接合焊盘所使用的相同类型)在(MEMS)传感器(半导体
管芯120)上方且跨(MEMS)传感器进行布线。交叉接合线可用作电屏蔽和闪电极(lightning 
pole)，也可作为机械稳定锚。图5进一步示出了封装结构190。在图5中，接合线110仅连接至
两个接合焊盘。两个接合焊盘中的一个是封装结构190的接地焊盘。两个接合焊盘中的另一
个是半导体管芯120的接地焊盘。在图5中，接合线110横跨腔体180。横跨腔体180的接合线
110的长度至少是不横跨腔体180的长度的两倍。以接合线从封装结构190到半导体管芯120
的接地焊盘至少横跨半导体管芯120的尺寸SD的这种方式，接合线110从封装结构190连接
到半导体管芯120。半导体管芯120的接地焊盘相对于封装结构190的接地焊盘位于远边缘。
跨半导体管芯120的至少一部分的接合线110也可以称为交叉接合线。

[0093] 例如，图5示出从芯片到引线的交叉接合。交叉接合可以接合在主GND焊盘上的芯片侧上，或者可以添加额外的焊盘以减少辐射免疫易感性。

[0094] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图5所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图4)或下述(例如，图6‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0095] 图6示出了图5的压力传感器设备的顶侧的示意性顶视图。接合线从封装结构190的一个边缘延伸到半导体管芯120的相对边缘，使得接合线110至少横跨半导体管芯120的
尺寸SD。

[0096] 图7示出了图5的压力传感器设备的另一示意性顶视图。相对于图6，进一步示出了封装轮廓。

[0097] 交叉接合线110在传感器区域之上布线。接合线110在xy平面中的方向可以是(MEMS)半导体管芯120上的对角线，或者例如与侧面平行。接合线110与MEMS半导体管芯120
之间的z轴距离是可调节的。在凝胶内或凝胶外包括导线是可调节的。例如，起始端点可以
在引线框上，或者可以在引线框上开始并且在芯片或者芯片到芯片或者柱状凸起线(一端
接合，另一端自由)上结束。

[0098] 图7示意性示出了从芯片到引线的交叉接合。交叉接合线110可以在主接地焊盘上在芯片侧上接合，或者可以增加附加焊盘。

[0099] 图8示出了根据一个实施例的压力传感器设备600的截面的示意图，其中接合线110的一端位于封装结构190上，接合线110的另一端也位于封装结构190上。接合线110在半
导体管芯120之上延伸。接合线110仅连接在封装结构190上的两个接地焊盘之间。接合线部
分地穿过腔体180延伸。腔体180覆盖/环绕接合线110至少接合线的长度的70％。接合线适
于在半导体管芯120的中心区域之上延伸。因此，电荷可以保持远离半导体管芯120的膜放
电。

[0100] 例如，图8示出了从引线到引线的交叉接合。在这种配置中，可以显著改善电效应(电场在导线下方减小、电晕焦点)。

[0101] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图8所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图7)或下述(例如，图9‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0102] 图9示出了图8的压力传感器设备600的示意性顶视图。接合线110仅连接至封装结构190的两个相对边缘，使得接合线在半导体管芯120之上沿对角线方向延伸。

[0103] 图10示出了根据一个实施例的压力传感器设备700的截面的示意图，其中接合线110的第一端位于半导体器件120上，接合线110的中间端位于半导体器件120上，以及接合
线110的第二端位于封装结构190上。接合线110通过从接合线110的第一端到接合线110的
中间端到接合线110的第二端的接合来设置。接合线110位于接合线110的第一端与接合线
110的中间端之间的部分延伸穿过腔体180。

[0104] 例如，图10示出芯片上的交叉接合(焊盘到焊盘)和凸块上的楔形球。

[0105] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图10所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图9)或下述(例如，图11‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0106] 图11示出了图10的压力传感器设备的顶视图的示意图。接合线110位于接合线110的第一端与接合线110的中间端之间的部分至少大于半导体管芯120的尺寸SD。接合线110
位于接合线110的第一端与接合线110的中间端之间的部分小于半导体管芯120的对角线尺
寸DD。接合线110的中间端相对于接合线110的第二端位于近边缘/拐角处。接合线110从半
导体管芯120的外结合焊盘(第一端)横向地结合到封装结构190的外结合焊盘(第二端)。

[0107] 图12示出了图10的压力传感器设备的顶视图的另一示意图。

[0108] 图13示出了根据一个实施例的压力传感器设备800的顶视图的示意图，其中接合线110被放置在封装结构190的接地焊盘处。接合线110具有柱状凸起的形式。两个柱状凸起
放置在最远离半导体管芯120的接地焊盘上。

[0109] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图13所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图12)或下述(例如，图14‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0110] 图14示出了根据一个实施例的压力传感器设备900的顶视图，其中接合线110从半导体管芯120的边缘延伸到半导体管芯120的相应其它边缘。两条接合线110被示出平行于
半导体管芯120的边缘从一个边缘延伸到另一边缘。此外，接合线110以柱状凸起的形式示
出。柱状凸起均匀分布在半导体管芯120的相应(剩余的)接地焊盘上。

[0111] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图14所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图13)或下述(例如，图15‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0112] 图15示出了柱状凸起形式的接合线110的示意图。柱状凸起可以具有小于400μm的长度/高度。

[0113] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图15所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图14)或下述(例如，图16‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0114] 图16示出了具有倾斜的柱状凸起形式的接合线110的示意图。柱状凸起可以倾斜。柱状凸起的高度可以小于800μm。

[0115] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图16所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图15)或下述(例如，图17‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0116] 图17示出了对汽车压力传感器的静电放电测试的示意图。图17还示出了传感器模块100(根据前述附图的压力传感器设备100)、ESD枪、ESD发生器、接地平面、ECU(电子控制
单元)等效电路、电池、监控系统。ESD枪由生成用于测试ESD能力的脉冲的ESD发生器驱动。
ECU由电池供电，并具有经由光学链路连接的监控系统。接地平面经由1MOhm阻抗连接至地。
场耦合平面经由50mm介质隔离与接地平面分离。

[0117] 例如，所提出的概念可用于汽车压力传感器。汽车压力传感器应该在直接供电ESD空气放电测试(例如，侧气囊门卫星传感器)期间保持它们的全功能。

[0118] ESD空气放电测试期间的一个问题是压力传感器读数被破坏，这可能导致规则违例。

[0119] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图17所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图16)或下述(例如，图18‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0120] 图18示出了对汽车压力传感器的放电测试的测试系统概述的示意图。测试系统包括监控系统、可编程FPGA、ECU等效电路、电池、双绞线电缆和塑料传感器模块(其具有传感
器IC以及PCB上可选的外部电路装置)。塑料传感器模块经由双绞线电缆连接至ECU等效电
路。ECU等效电路由电池供电，并经由光学链路连接至可编程FPGA。监控系统连接至可编程
FPGA。

[0121] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图18所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图17)或下述(例如，图19‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0122] 图19示出了压力传感器模块100中的材料堆叠的示意图。图19还示出了空气放电枪尖、IC的封装结构190、传感器模块壳体130、单孔盖160、传感器管芯120、管芯盖(凝胶)
140、接合线110、腔体180和PCB。也可以省略单孔盖160，使得腔体仅延伸到单孔盖160。

[0123] 与接触放电ESD测试(其中静电放电直接施加在被测系统的导电部件上)相反，通过在被测系统中朝向指定的隔离位置(例如，传感器模块壳体130)接近带电ESD枪(空气放
电枪尖)来执行空气放电ESD测试

[0124] 由于凝胶140与腔体的绝缘特性，即使在气体放电结束之后，受影响的表面仍保持带电。

[0125] 存在与压力传感器中的ESD空气放电有关的两类主要问题(取决于实施方式、以及其他传感器，例如气体)。

[0126] 高电场强度瞬变影响压力传感器MEMS读数。这对于具有电容式压力读出原理的传感器尤其如此。

[0127] 在汽车压力传感器中，传感器还覆盖有凝胶，主要用于防止颗粒污染并且防止通过经由压力端口开口渗透的湿气对焊盘和接合线的腐蚀。在ESD(测试)期间，由于气体放电
的二次效应，保护凝胶的形状和位置也受到影响，从而对压力传感器膜产生机械冲击。这在
压力传感器的输出信号处转换为不想要的压力脉冲，而与传感原理(电容性、压阻性等)无
关。

[0128] 该测试在第二级封装上进行。保护方法可以包括适当的第二级封装设计，其具有足够的电隔离以及ESD枪与(卫星)压力传感器模块100内的芯片之间的距离。方法可以包括
用于传感器IC 150的接地金属盖，以屏蔽传感器150免受ESD电场和接下来引发的影响(气
体放电)。

[0129] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图19所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图18)或下述一个或多个实
施例提到的一个或多个方面。

[0130] 一些实施例涉及交叉接合线作为防止供电ESD放电的保护方法。

[0131] 根据一个方面，可以减小接合线110的交叉部分CS下方的电场。

[0132] 根据一个方面，横向延伸的接合线110可以将电场集中在单点处，由此避免其对凝胶覆盖的冲击和次级效应。

[0133] 根据一个方面，接合线110的交叉部分CS可以避免所产生的自由电荷粘附在凝胶表面上，因为它们可以在气体放电期间被接合线110的导电交叉部分CS直接捕获。

[0134] 根据一个方面，接合线110的交叉部分CS可以机械地稳定凝胶。

[0135] 根据一个方面，接合线110的交叉部分CS可以减少凝胶的移动。

[0136] 根据一个方面，接合线110的交叉部分CS可以在ESD放电的影响下减小半导体管芯120的MEMS膜上的脉冲。

[0137] 根据一个方面，电效应(电场在接合线110下方减小、电晕焦点)可以是最佳的，以保护不受ESD的影响。

[0138] 根据一个方面，Tierl层级处的ESD性能可独立于Tierl设计而进行。

[0139] 根据一个方面，供电ESD的易敏性降低。

[0140] 根据一个方面，可以实现模块设计中更大的灵活性(例如，在压力传感器设备100中除朝向车门内的其他方向上定向MEMS传感器)。

[0141] 根据一个方面，更便宜的制造和测试成本是可能的。

[0142] 根据一个方面，可以通过接地的导电接合线实现电晕创建电荷的ESD屏蔽和捕获。这些措施要么以芯片封装级实现，要么以管芯级(第一级封装)实现。

[0143] 根据一个方面，可以引导气体放电。

[0144] 根据一个方面，可以提供具有较低成本的压力传感器设备100。

[0145] 根据一个方面，由于在压力传感器的设计中没有附加约束，所以可以在Tierl和OEM层级处提供灵活性。

[0146] 接地金属盖可能是昂贵的。因此，根据一个方面，可以在不需要设备投资的情况下提供更便宜的压力传感器设备100。

[0147] 图20示出了压力传感器设备的截面的示意图。压力传感器设备2000包括压力传感器设备2000的半导体管芯120和压力传感器设备2000的接合线110。接合线110的一部分与
半导体管芯120之间的最大垂直距离2012大于半导体管芯120与覆盖半导体管芯120的凝胶
2010的表面之间的最小垂直距离2014。

[0148] 通过实施远离半导体管芯垂直延伸且比凝胶表面延伸更高的接合线，可以减少或避免通过半导体管芯或凝胶表面的不期望部分处的放电。以这种方式，可以提高半导体管
芯和/或压力传感器设备的ESD鲁棒性。

[0149] 接合线110和半导体管芯120之间的最大垂直距离可以在接合线110的具有与半导体管芯120的最大垂直距离的一部分与凝胶2010和半导体管芯120之间的界面或边界(或者
半导体管芯的半导体衬底的表面)之间进行测量。例如，接合线110的该部分与半导体管芯
120之间的最大垂直距离2012可以大于600μm(或大于800μm或大于1mm)和/或小于5mm(或小
于2mm或小于1mm)。

[0150] 半导体管芯120与凝胶2010的表面之间的最小垂直距离2014可以在凝胶2010表面的与半导体模120具有最小垂直距离的一部分与凝胶2010和半导体管芯120之间的界面或
边界(或者半导体管芯的半导体衬底的表面)之间进行测量。例如，半导体管芯120与凝胶
2010的表面之间的最小垂直距离2014可以大于1μm(或大于5μm或大于10μm)和/或小于200μ
m(或小于100μm或小于50μm)。

[0151] 最大垂直距离和最小垂直距离可以垂直于半导体管芯的半导体衬底的(正侧或背侧)表面进行测量。

[0152] 例如，接合线110的该部分与半导体管芯120之间的最大垂直距离2012大于半导体管芯120与凝胶2010的表面之间的最小垂直距离2014的两倍(或大于5倍或大于10倍)。

[0153] 腔体可以定位为与覆盖半导体管芯120的凝胶2010相邻。凝胶的表面可以是凝胶2010和腔体之间的边界。凝胶可以覆盖半导体管芯120，使得腔体不到达半导体管芯120。以
这种方式，凝胶可以保护半导体管芯(例如，免受湿气影响)，但是仍然可以允许压力通过腔
施加于半导体管芯。例如，接合线的至少一部分(例如，至少具有与半导体管芯的最大垂直
距离的部分)可以位于腔体内。

[0154] 例如，接合线110的至少一部分可以位于凝胶外(例如，在腔体内)。备选地，接合线可以被凝胶薄膜覆盖。凝胶薄膜可以包括小于5μm(或小于2μm或小于1μm)的厚度。例如，凝
胶喷涂(gel spray)可用于用凝胶覆盖半导体管芯，这也可以用凝胶薄膜覆盖(例如，完全
覆盖)接合线。

[0155] 半导体管芯120可以包括膜结构。膜结构(例如，微机电系统MEMS膜结构)可以被配置为由于当前气体压力的变化而变形。例如，在半导体管芯120的顶视图中，压力传感器设
备2000的接合线不与膜结构重叠。以这种方式，即使在将接合线110接合至半导体管芯120
之后，也可以进行膜结构的容易和/或自动的光学检查。例如，与交叉接合设备相比，可以实
现更容易的可制造性。可以清除(无阻挡)从上面到MEMS的光学视线，以允许进行一些生产
测试测量(例如，凝胶高度测量)。

[0156] 半导体管芯120可以包括第一接合焊盘，并且(第一)接合线110的端部可以接合至导体管芯120的第一接合焊盘。

[0157] 半导体管芯120可以进一步包括与半导体管芯120的第二接合焊盘接合的第二接合线。例如，第一接合焊盘与第二接合焊盘之间的横向距离可大于半导体管芯120的横向尺
寸的一半。

[0158] 压力传感器设备2000可以包括封装结构(例如，引线框)，其包括接合焊盘，并且(第一)接合线110的端部可以接合至封装结构的接合焊盘。

[0159] 半导体管芯120的第一接合焊盘和/或第二接合焊盘、和/或封装结构的接合焊盘可以是参考电压焊盘(例如，接地焊盘)。

[0160] 例如，第一接合焊盘和/或第二接合焊盘可以是拐角接合焊盘。拐角接合焊盘可以是比半导体管芯120的任何其它接合焊盘更靠近半导体管芯120的拐角的接合焊盘。例如，
矩形或方形的半导体管芯可以包括四个拐角焊盘。

[0161] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图20所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图19)或下述(例如，图21‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0162] 图21和图22示出了压力传感器设备2100的示意图，该压力传感器设备包括接合至压力传感器设备2100的半导体管芯120的相对拐角焊盘的具有高环路的两条接合线110。压
力传感器设备2100的实施方式可以类似于结合图20所描述的实施方式。

[0163] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图20所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图20)或下述(例如，图23‑图
25)一个或多个实施例提到的一个或多个方面。

[0164] 图23示出了压力传感器设备和球形等电位表面2310的截面的示意图，以及图24示出了到达高接合线的球形等电位表面的示意图。用于有效性的一些因素和/或标准可以是
闪电球形状、闪电球半径、避雷针之间的距离(例如，接合线的顶点)和/或凝胶表面上方的
接合线的高度。如果芯片没有安装在第二级封装(模块)中，则闪电球具有围绕枪尖的中心。
然而，将芯片安装在模块中可能会弯曲电场线，并且等电位面不再是完全球形的，这使得在
特定模块配置之外的数值标准变得困难。枪尖越靠近传感器IC(集成电路)，闪电球越小并
且管芯的保护越难(例如，可以使用闪电极的密集网络)。高接合线越接近，可以保护它们之
间更多的凝胶体积。此外，高接合线可以均匀地分布在整个凝胶表面上。接合线越高，保护
效果越好。

[0165] 可通过图24示出用于两个拐角接合的简化数值标准。假设球形闪电球并且闪电球位于凝胶之上。在极限情况下，闪电球接触凝胶，并且条件可能是：

[0166] Δh>R*(1‑sqrt(1‑(d/2R)^2))

[0167] d是高接合线的顶点之间的距离，R是球形闪电球的半径，以及Δh是接合线的顶端与半导体管芯之间的最大垂直距离和半导体管芯与覆盖半导体管芯的凝胶的表面之间的
最小垂直距离之间的差。

[0168] 图25示出了用于形成压力传感器设备的方法的流程图。方法2500包括提供压力传感器设备的半导体管芯(2510)以及形成压力传感器设备的接合线(2520)。接合线的一部分
与半导体管芯之间的最大垂直距离大于半导体管芯与覆盖半导体管芯的凝胶的表面之间
的最小垂直距离。

[0169] 通过实施远离半导体管芯垂直延伸且高于凝胶表面的接合线，可以减少或避免通过半导体管芯或凝胶表面的不期望部分的放电。以这种方式，可以提高半导体管芯和/或压
力传感器设备的ESD鲁棒性。

[0170] 结合上述或下述实施例提到更多细节和方面。图20所示实施例可包括一个或多个可选的附加特征，其对应于与所提出的概念或上述(例如，图1‑图24)或下述一个或多个实
施例提到的一个或多个方面。

[0171] 一些实施例涉及不延伸或跨管芯的高拐角接合(例如，两个或更多拐角接合)的实施方式。例如，由接合线实施的更多闪电极(＞＝2)可用于增加它们下方的ESD保护体积，从
而能够保护MEMS及其上方凝胶，即使闪电极不横跨在MEMS上方。例如，可以实施设计有更高
顶点的高接合线，以满足足够的标准。附加地或备选地，可以使用满足该功能和布置的引线
框部分或者两个或多个接地导电金属部的任何其他系统。

[0172] 用于测试极点系统有效性的闪电球可以是具有等电位表面的假想球，其中可能发生闪电。由于电位和电场低得多，所以可以保护极点尖端下方的区域(例如，具有闪电的低
风险)。通过使用交叉接合(例如，图1)，可以通过交叉接合保护管芯之上的凝胶体积。由于
交叉接合，闪电球(例如，枪尖周围的等电位表面)可能不接触管芯上方的凝胶表面(敏感区
域)。

[0173] 通过易于制造的单个高拐角接合，闪电球仍然可以触摸管芯上方的凝胶表面。有效地，单个高拐角接合的高度可超出容易制造的值(例如，线可与塑料封装相交)。

[0174] 因此，可以使用两个或更多个高拐角接合。管芯之上的凝胶体积可以被两个高拐角接合保护(例如，图23)。以这种方式，闪电球(例如，枪尖周围的等电位表面)可能不接触
管芯上方的凝胶表面(例如，敏感区域)。

[0175] 接合线的高度可以在x射线照片中测量，其具有高拐角接合线的轮廓、凝胶表面的附加标记以及测量接合顶点高度的垂直标尺(vertical ruler)。例如，根据半导体管芯的
管芯尺寸，600μm高的接合线不能提供足够的保护，而800μm高的接合线可以提供充分降低
的设备的ESD损害的风险。

[0176] 与一个或多个先前详述的示例和附图一起提及和描述的方面和特征也可以与一个或多个其他示例相结合，以替换其他示例的类似特征，或者将该特征附加地引入到其他
示例。

[0177] 说明书和附图仅示出了本公开的原理。此外，本文引用的所有示例主要是为了教导目的以帮助读者理解本公开的原理和发明人为本领域做出的贡献。本文引用本公开的原
理、方面和示例的所有表述及其具体示例用于包括等效物。

[0178] 在说明书或权利要求中公开的方法可以通过具有用于执行这些方法中的每一对应行为的装置的设备来实现。

[0179] 应当理解，除非例如出于技术原因另有明确或隐含说明，否则在说明书或权利要求书中公开的多个动作、处理、操作、步骤或功能不应被解释为在特定顺序内。因此，多个动
作或功能的公开不限于这些特定顺序，除非这些动作或功能因技术原因而不能互换。此外，
在一些示例中，单个动作、功能、处理、操作或步骤可以包括或可以分成多个子动作、子功
能、子处理、子操作或子步骤。除非明确排除，否则这种子动作可包括并作为该单个动作的
一部分。

[0180] 此外，以下权利要求结合到详细描述中，其中每个权利要求可以单独作为一个示例。虽然每条权利要求可以单独作为示例，但应注意，尽管从属权利要求可以在权利要求中
与一个或多个其他权利要求进行具体组合，但其他示例也可以包括从属权利要求与每个其
他从属或独立权利要求的主体的组合。本文明确提出这种组合，除非声明不想要特定组合。
此外，意图包括任何其他独立权利要求的特征，即使该权利要求不直接从属于该独立权利
要求。