一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置

摘要

本申请实施例公开了一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置，包括获取初始掩模图形，根据初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形，在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源，其中，目标光源库包括测试图形和测试光源的对应关系，测试光源为与测试图形对应的经过优化的光源，根据查找到的测试光源的测试参数，可以确定初始光源的初始参数。相比于现有技术中将环形光源作为初始光源，本申请实施例中根据测试光源的测试参数确定的初始光源，更加接近初始掩模图形对应优化得到的最佳光源，因此，基于确定出的初始光源，可以减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率。

权利要求

1.一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取初始掩模图形；

根据所述初始掩模图形的几何特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形；

在目标光源库中查找与所述测试图形对应的测试光源，所述测试光源为与所述测试图形对应的经过优化的光源；

根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述测试图形为多个，则所述根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数，包括：根据所述测试图形的重要程度，确定与所述测试图形匹配的测试光源的权重；

根据所述测试光源的权重，对所述测试光源的光源参数进行加权平均，得到所述初始光源的光源参数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标光源库中的测试光源可以通过以下方式获取：利用光源掩模协同优化方法，对所述测试图形和环形光源进行协同优化，得到所述测试图形对应的测试光源。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始掩模图形的集合特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形，包括：对所述初始掩模图形进行拆分，得到至少一个所述测试图形；和/或，根据所述初始掩模图形的几何特征，提取所述初始掩模图形中的关键图形，根据所述关键图形设计至少一个所述测试图形。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述初始掩模图形的几何特征包括：构成初始掩模图形的各个单元图形的线宽、周期、方向、数量以及排布。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述测试图形包括以下图形的至少一种：独立线条图形、线条周期图形、独立方块图形、方块周期阵列图形、方块交错排列图形、独立矩形图形、矩形周期阵列图形、矩形交错排列图形、端对端周期图形、端对线周期图形、L型图形、U型图形、T型图形、H型图形。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：利用光源掩模协同优化方法，对所述初始掩模图形的图形参数和所述初始光源的光源参数进行优化。

8.一种光源掩膜协同优化初始光源的确定装置，其特征在于，所述装置包括：图形获取单元，用于获取初始掩模图形；

测试图形生成单元，用于根据所述初始掩模图形的几何特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形；

测试光源查找单元，用于在目标光源库中查找与所述测试图形对应的测试光源，所述测试光源为与所述测试图形对应的经过优化的光源；

初始光源确定单元，用于根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，若所述测试图形为多个，则所述初始光源确定单元，包括：权重确定单元，用于根据所述测试图形的重要程度，确定与所述测试图形匹配的测试光源的权重；

初始光源确定子单元，用于根据所述测试光源的权重，对所述测试光源的光源参数进行加权平均，得到所述初始光源的光源参数。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：测试光源获取单元，用于利用光源掩模协同优化方法，对所述测试图形和环形光源进行协同优化，得到所述目标光源库中与所述测试图形对应的测试光源。

11.根据权利要求8-10任意一项所述的装置，其特征在于，所述测试图形生成单元具体用于：对所述初始掩模图形进行拆分，得到至少一个所述测试图形；和/或，根据所述初始掩模图形的几何特征，提取所述初始掩模图形中的关键图形，根据所述关键图形设计至少一个所述测试图形。

12.根据权利要求8-10任意一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：优化单元，用于利用光源掩模协同优化方法，对所述初始掩模图形的图形参数和所述初始光源的光源参数进行优化。

说明书

一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置

技术领域

[0001] 本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置。

背景技术

[0002] 在半导体领域，光刻是集成电路生产中的一个重要工艺，具体的，可以通过曝光，将掩模版上的掩模图形按照一定比例转移到要加工的对象上。随着集成电路的发展，半导体器件的尺寸逐渐减小，人们对于增强光刻分辨率和光刻工艺窗口(Process Window，PW)的需求越来越强烈，其中，光刻工艺窗口指保证掩模图形能够正确复制到硅片上的曝光剂量和离焦量范围，可以包含三个信息：成像精确度、曝光度和焦深。

[0003] 现有技术中，可以先获取初始掩模图形和初始光源，利用光源掩模协同优化(Source Mask Optimization，SMO)方法，对初始掩模图形和初始光源进行协同优化，从而有效增大光刻工艺窗口，增强光学表现，满足制造需求。其中，为了兼顾各个方向的初始掩模图形，确定的初始光源通常是环形(Annular)光源，也就是说，利用SMO方法对初始掩模图形和环形光源进行协同优化，从而增大光刻工艺窗口，这种优化方式的往往需要较多次迭代计算，计算量较大，优化效率低。

发明内容

[0004] 为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种初始光源的确定方法及装置，通过确定与初始掩模图形相关的初始光源，减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率。

[0005] 本申请实施例提供了一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法，所述方法包括：

[0006] 获取初始掩模图形；

[0007] 根据所述初始掩模图形的几何特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形；

[0008] 在目标光源库中查找与所述测试图形对应的测试光源，所述测试光源为与所述测试图形对应的经过优化的光源；

[0009] 根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数。

[0010] 可选的，若所述测试图形为多个，则所述根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数，包括：

[0011] 根据所述测试图形的重要程度，确定与所述测试图形匹配的测试光源的权重；

[0012] 根据所述测试光源的权重，对所述测试光源的光源参数进行加权平均，得到所述初始光源的光源参数。

[0013] 可选的，所述目标光源库中的测试光源可以通过以下方式获取：利用光源掩模协同优化方法，对所述测试图形和环形光源进行协同优化，得到所述测试图形对应的测试光源。

[0014] 可选的，所述根据所述初始掩模图形的集合特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形，包括：

[0015] 对所述初始掩模图形进行拆分，得到至少一个测试图形；和/或，

[0016] 根据所述初始掩模图形的几何特征，提取所述初始掩模图形中的关键图形，根据所述关键图形设计得到至少一个测试图形。

[0017] 可选的，所述初始掩模图形的几何特征包括：构成初始掩模图形的各个单元图形的线宽、周期、方向、数量以及排布。

[0018] 可选的，所述测试图形包括以下图形的至少一种：独立线条图形、线条周期图形、独立方块图形、方块周期阵列图形、方块交错排列图形、独立矩形图形、矩形周期阵列图形、矩形交错排列图形、端对端周期图形、端对线周期图形、L型图形、U型图形、T型图形、H型图形。

[0019] 可选的，所述方法还包括：

[0020] 利用光源掩模协同优化方法，对所述初始掩模图形的图形参数和所述初始光源的光源参数进行优化。

[0021] 本申请实施例提供了一种光源掩模协同优化初始光源的确定装置，所述装置包括：

[0022] 图形获取单元，用于获取初始掩模图形；

[0023] 测试图形生成单元，用于根据所述初始掩模图形的几何特征，得到与所述初始掩模图形相关的至少一个测试图形；

[0024] 测试光源查找单元，用于在目标光源库中查找与所述测试图形对应的测试光源，所述测试光源为与所述测试图形对应的经过优化的光源；

[0025] 初始光源确定单元，用于根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数。

[0026] 可选的，若所述测试图形为多个，则所述初始光源确定单元，包括：

[0027] 权重确定单元，用于根据所述测试图形的重要程度，确定与所述测试图形匹配的测试光源的权重；

[0028] 初始光源确定子单元，用于根据所述测试光源的权重，对所述测试光源的光源参数进行加权平均，得到所述初始光源的光源参数。

[0029] 可选的，所述装置还包括：

[0030] 测试光源获取单元，用于利用光源掩模协同优化方法，对所述测试图形和环形光源进行协同优化，得到所述目标光源库中与所述测试图形对应的测试光源。

[0031] 可选的，所述测试图形生成单元具体用于：

[0032] 对所述初始掩模图形进行拆分，得到至少一个所述测试图形；和/或，[0033] 根据所述初始掩模图形的几何特征，提取所述初始掩模图形中的关键图形，根据所述关键图形设计至少一个所述测试图形。

[0034] 可选的，所述初始掩模图形的几何特征包括：构成初始掩模图形的各个单元图形的线宽、周期、方向、数量以及排布。

[0035] 可选的，所述测试图形包括以下图形的至少一种：独立线条图形、线条周期图形、独立方块图形、方块周期阵列图形、方块交错排列图形、独立矩形图形、矩形周期阵列图形、矩形交错排列图形、端对端周期图形、端对线周期图形、L型图形、U型图形、T型图形、H型图形。

[0036] 可选的，所述装置还包括：

[0037] 优化单元，用于利用光源掩模协同优化方法，对所述初始掩模图形的图形参数和所述初始光源的光源参数进行优化。

[0038] 在本申请实施例中，获取初始掩模图形，根据初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形，在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源，其中，测试光源为与测试图形对应的经过优化的光源，根据查找到的测试光源的测试参数，可以确定初始光源的初始参数。由于测试图形是根据初始掩模图形的几何特征得到的，测试图形可以体现初始掩模图形的几何特征，而测试图形与测试光源对应，因此，查找得到的测试光源与初始掩模图形的几何特征相关，也就是说，根据测试光源的测试参数确定的初始光源的初始参数，与初始掩模图形的几何特征也相关。因此，相比于现有技术中的环形光源，本申请实施例中根据测试光源的测试参数确定的初始光源，更加接近优化得到的最佳光源，因此，基于确定出的初始光源，可以减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率。

附图说明

[0039] 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0040] 图1为本申请实施例中的一种示例性的环形光源的光照强度分布示意图；

[0041] 图2为本申请实施例提供的一种初始光源的确定方法的流程图；

[0042] 图3为本申请实施例中的示例性的测试图形；

[0043] 图4为本申请实施例中的一种示例性的初始掩模图形的示意图；

[0044] 图5为本申请实施例中对示例性的与初始掩模图形相关的测试图形示意图；

[0045] 图6为本申请实施例中一种示例性的测试光源的光照强度分布示意图；

[0046] 图7为本申请实施例中一种示例性的初始光源的光照强度分布示意图；

[0047] 图8为本申请实施例中一种示例性的优化光源的光照强度分布示意图及不同的优化光源的光照强度之差的分布示意图；

[0048] 图9为本申请实施例提供的一种初始光源的确定装置的结构框图。

具体实施方式

[0049] 发明人经过研究发现，随着集成电路的发展，半导体器件的尺寸逐渐减小，人们对于增强光刻分辨率和光刻工艺窗口的需求越来越强烈，其中，光刻工艺窗口指保证掩模图形能够正确复制到硅片上的曝光剂量和离焦量范围，可以包含三个信息：成像精确度、曝光度和焦深。

[0050] 现有技术中，可以先获取初始掩模图形和初始光源参数，根据初始掩模图形，利用光源掩模协同优化(Source Mask Optimization，SMO)方法，对初始掩模参数和初始光源参数进行优化，从而有效增大光刻工艺窗口，增强光学表现，满足制造需求。其中，为了兼顾各个方向的版图图形，初始光源通常是环形光源，环形光源是指能量都集中在在环形的位置光源，参考图1所示，为环形光源的光照强度分布示意图，其中，横坐标为x轴方向(x position)，纵坐标为y轴方向(y position)，不同灰度值表示不同的光照强度，从图中可以看出，光照强度的范围为[0-1]区间，黑色表示光照强度为0，即最暗，白色表示光照强度为1，即最亮。

[0051] 也就是说，现有技术中，利用SMO方法对初始掩模图形和环形光源进行优化，得到初始掩模图形对应的最佳光源，以实现较大的光刻工艺窗口。这种优化方式的往往需要较多次迭代计算，计算量较大，优化效率低。

[0052] 基于此，在本申请实施例中，提供了一种初始光源的确定方法及装置，以确定与初始掩模图形相关的初始光源，从而减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率。具体的，可以获取初始掩模图形，根据初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形，在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源，其中，测试光源为与测试图形对应的经过优化的光源，根据查找到的测试光源的测试参数，可以确定初始光源的初始参数。由于测试图形是根据初始掩模图形的几何特征得到的因此，测试图形可以体现初始掩模图形的几何特征，而测试图形与测试光源对应，因此，测试光源与初始掩模图形的几何特征相关，也就是说，根据测试光源的测试参数确定的初始光源的初始参数，与初始掩模图形的几何特征也相关。因此，相比于现有技术中的环形光源，本申请实施例中根据测试光源的测试参数确定的初始光源，更加接近优化得到的最佳光源，因此，基于确定出的初始光源，可以减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率。

[0053] 下面结合附图，通过实施例来详细说明本申请实施例中初始光源的确定方法及装置的具体实现方式。

[0054] 参考图2所示为本申请实施例提供的一种初始光源的确定方法的流程图，该方法可以包括以下步骤：

[0055] S101，获取初始掩模图形。

[0056] 初始掩模图形是指掩模上用于优化的图形，可以是光刻工程师选定或者设计得到的图形。获取初始掩模图形可以具体为，获取用户输入的初始掩模图形，或者对用户输入的掩模图形进行简化，得到初始掩模图形。

[0057] S102，根据初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形。

[0058] 初始掩模图形是待优化的掩模图形，根据初始掩模图形的几何特征，可以得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形。其中，初始掩模图形的几何特征可以包括初始掩模图形中的单元图形的线宽、周期、数量、方向及排布等特征。

[0059] 在本申请实施例中，测试图形可以包括单元图形，其中，单元图形可以是独立线条图形、独立方块图形、独立矩形图形、L型图形、U型图形、T型图形和H型图形等。具体的，独立线条图形可以包括横向独立线条图形和纵向独立线条图形，独立矩形图形可以包括横向独立矩形图形和纵向独立矩形图形。

[0060] 在本申请实施例中，测试图形也可以包括单元图形组合形成的组合图形，其中，组合图形可以包括：线条周期图形、方块周期阵列图形、方块交错排列图形、矩形周期阵列图形、矩形交错排列图形、端对端周期图形、端对线周期图形等。具体的，线条周期图形可以包括横向线条周期图形和纵向线条周期图形，矩形周期阵列图形可以包括横向矩形周期阵列图形和纵向矩形周期阵列图形，矩形交错排列图形包括横向矩形交错排列图形和纵向矩形交错排列图形，端对端图形可以包括横向端对端图形和纵向端对端图形，端对线图形可以包括横向端对线图形和纵向端对线图形。

[0061] 其中，横向线条周期图形由多个横向独立线条图形组成，纵向线条周期图形由多个纵向独立线条图形组成；方块周期阵列图形由多个独立方块图形按阵列排布而成，方块交错排列图形由多个独立方块图形交错排布而成；横向矩形周期阵列图形由多个横向独立矩形图形按阵列排布而成，纵向矩形周期阵列图形由多个纵向独立矩形图形按阵列排布而成；横向矩形交错排列图形由多个横向独立矩形图形交错排布而成，纵向矩形交错排列图形由多个纵向独立矩形图形交错排布而成；横向端对端图形可以由至少两组横向线条周期图形在水平方向上排布而成，纵向端对端图形可以由至少两组纵向线条周期图形在竖直方向上排布而成；横向端对线图形可以由纵向独立线条图形和纵向独立线条图形两侧的横向线条周期图形组成，纵向端对线图形可以由横向独立线条图形和横向独立线条图形两侧的纵向线条周期图形组成。

[0062] 当然，在实际操作中，可以根据实际情况扩充测试图形。

[0063] 参考图3所示为本申请实施例提供的示例性的测试图形，其中，图3(a)所示为纵向独立线条图形，图3(b)所示为纵向线条周期图形，图3(c)所示为横向独立线条图形，图3(d)所示为横向线条周期图形，图3(e)所示为独立方块图形，图3(f)所示为方块周期阵列图形，图3(g)所示为方块交错排列图形，图3(h)所示为纵向独立矩形图形，图3(i)所示为纵向矩形周期阵列图形，图3(j)所示为纵向矩形交错排列图形，图3(k)所示为横向独立矩形图形，图3(l)所示为横向矩形周期阵列图形，图3(m)所示为横向矩形交错排列图形，图3(n)所示为横向端对端图形，图3(o)所示为纵向端对端图形，图3(p)所示为横向端对线图形，图3(q)所示为纵向端对线图形。

[0064] 作为一种可能的实施方式，可以通过对初始掩模图形进行拆分，得到至少一个测试图形。这种实施方式中，测试图形是初始掩模图形的一部分，因此与初始掩模图形相关。以图4所示的初始掩模图形为例，初始掩模图形包括纵向线条周期图形、独立方块图形和端对线周期图形，可以对初始掩模图形进行拆分，得到如图5所示的示例性的与初始掩模图形相关的测试图形，其中，图5(a)所示的第一测试图形，为初始掩模图形左右两边的独立方块图形；图5(b)所示的第二测试图形，为初始掩模图形的上下横向线条周期图形；图5(c)所示的第三测试图形，为初始掩模图形的中间部分的横向端对线图形。

[0065] 拆分得到的这3个测试图形具有测试参数，其中，测试参数可以包括线条的线宽、周期、间距等。例如图5(a)所示的第一测试图形中，方块图形的线宽为50nm，图5(b)所示为第二测试图形中，线条矩阵图形中，线条图形的线宽为50nm，线条矩阵图形的周期为100nm，图5(c)所示的第三测试图形中，线条图形的线度均为50nm，横向线条周期图形的周期为100nm，横向线条周期图形的端部与纵向线条周期图形的最小间距为50nm。

[0066] 当然，在具体实施时，对初始掩模图形还可以有其他拆分方式，在此不做一一举例。

[0067] 作为另一种可能的实施方式，可以根据初始掩模图形的几何特征，提取初始掩模图形中的关键图形，根据关键图形设计至少一个测试图形，这些测试图形根据初始掩模图形中的关键图形设计，因此可以代表初始掩模图形的几何特征。

[0068] S103，在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源。

[0069] 目标光源库中的测试光源是与测试图形对应的经过优化的光源，通常是预先获取的，在得到测试图形后，可以直接在目标光源库中查找。当然，目标光源库也可以和测试图形同时获取得到，在此之后，目标光源库可以重复利用，也可以在重复利用的过程中持续更新。

[0070] 在实际操作中，目标光源库中的测试光源可以通过以下方式获取：可以利用光源掩模协同优化方法，对测试图形和环形光源进行协同优化，以得到较大的工艺窗口，其中工艺窗口最大时的光源为测试图形对应的测试光源。目标光源库可以是在获得初始掩模图形之前得到的，来源于服务器闲时对常见测试图形的仿真计算，以及日常仿真中的积累。

[0071] S104，根据测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数。

[0072] 测试光源的光源参数是指测试光源在不同位置上的光照强度分布，其中，测试光源的光照强度较强的位置较灰度值较大，光照强度较弱的位置较灰度值较小。

[0073] 参考图6所示为本申请实施例中一种示例性的测试光源的光照强度分布示意图，图6(a)为第一测试图形对应的测试光源的光照强度分布示意图，图6(b)为第二测试图形对应的测试光源的光照强度分布示意图，图6(c)为第三测试图形对应的测试光源的光照强度分布示意图。在图6中，横坐标为x轴方向(x position)，纵坐标为y轴方向(y position)，不同灰度值表示不同的光照强度，从图中可以看出，光照强度的范围为[0-1]区间，黑色表示光照强度为0，即最暗，白色表示光照强度为1，即最亮。

[0074] 在测试图形为一种时，得到的测试光源也只有一种，当然，此时的测试图形可以图初始掩模图形相同，也可以在几何特征上与初始掩模图形相似。这样，测试光源的光源参数就可以作为初始光源的光源参数，从而确定初始光源。

[0075] 在测试图形为多种时，得到的测试光源也有多种，此时，可以根据测试图形的重要程度，确定与测试图形对应的测试光源的权重，根据测试光源的权重，对测试光源的光源参数进行加权平均，得到初始光源的光源参数。

[0076] 具体的，测试图形的重要程度可以根据测试图形的几何特征、测试图形在初始掩模图形中所占的比例、以及测试图形本身的工艺难度等确定，例如相对密集的测试图形，其重要程度高于相对稀疏的测试图形，在初始掩模图形中占的比例较大的测试图形，其重要程度高于占的比例较小的测试图形。当然，在实际操作中，可以根据实际情况确定测试图形的重要程度，以便确定测试图形对应的测试光源的权重。

[0077] 举例来说，图5所示的第一测试图形对应的测试光源的权重可以是5/16，第二测试图形对应的测试光源的权重可以是10/16，第三测试图形对应的测试光源的权重可以是1/16，则根据各个测试光源的权重对测试光源的光源参数进行加权平均，可以得到初始光源的光源参数。

[0078] 图7所示为本申请实施例中一种示例性的初始光源的光照强度分布示意图，其中，横坐标为x轴方向(x position)，纵坐标为y轴方向(y position)，不同灰度值表示不同的光照强度，从图中可以看出，光照强度的范围为[0-1]区间，黑色表示光照强度为0，即最暗，白色表示光照强度为1，即最亮。

[0079] 在本申请实施例中，确定初始光源的光源参数后，还可以利用光源掩模协同优化方法，对初始掩模图形的图形参数和初始光源的光源参数进行优化，得到优化掩模图形的图形参数和优化光源的光源参数。

[0080] 为了对优化结果进行对比分析，本申请实施例提供了利用光源掩模协同优化方法，基于不同的初始光源优化得到的优化光源的光源参数的示意图，参考图8所示为本申请实施例中一种示例性的优化光源的光照强度分布示意图及不同的优化光源的光照强度之差的分布示意图，其中，横坐标为x轴方向(x position)，纵坐标为y轴方向(y position)不同颜色表示不同的光照强度，从图中可以看出，光照强度的范围为[0-1]区间，黑色表示光照强度为0，即最暗，白色表示光照强度为1，即最亮。

[0081] 其中，图8(a)所示为基于本申请实施例确定的初始光源进行优化得到的优化光源的光照强度分布示意图，图8(b)为基于环形光源进行优化得到的优化光源的光照强度分布示意图，图8(c)为前述两种优化光源的光照强度之差的分布示意图。

[0082] 由此可以看出，基于不同的初始光源确定的优化光源的形状和分布大致相同，但是仍然存在差异，光照强度的差值的区间为[-1,1]。为了进一步比对分析，图8(a)所示的优化光源对应的工艺窗口为131.04nm，而图8(b)所示的优化光源对应的工艺窗口为125.06，因此，本申请实施例提供的初始光源使优化结果更接近最优解，获得更大工艺窗口，同时优化得到图8(a)所示的优化光源需要的计算时间相比与优化得到图8(b)所示的优化光源的计算时间，减少15％，因此，本申请实施例提供的初始光源使优化过程更快。

[0083] 需要说明的是，上述初始光源的确定方法适用于集成电路最先进的多个技术节点的关键图层的光源掩模协同优化，包括但不限于28纳米、22纳米、20纳米、16纳米、14纳米、10纳米、7纳米、5纳米、3纳米等技术节点。同时，上述初始光源的确定方法不仅适用于193纳米深紫外光刻的光源掩模协同优化，也适用于极紫外光刻的光源掩模协同优化。

[0084] 在本申请实施例中，获取初始掩模图形，根据初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形，在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源，其中，测试光源为与测试图形对应的经过优化的光源，根据查找到的测试光源的测试参数，可以确定初始光源的初始参数。由于测试图形是根据初始掩模图形的几何特征得到的，因此，测试图形可以体现初始掩模图形的几何特征，而测试图形与测试光源对应，因此，查找得到的测试光源与初始掩模图形的几何特征相关，也就是说，根据测试光源的测试参数确定的初始光源的初始参数，与初始掩模图形的几何特征也相关。因此，相比于现有技术中的环形光源，本申请实施例中根据测试光源的测试参数确定的初始光源，更加接近优化得到的最佳光源，因此，基于确定出的初始光源，可以减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率，同时使优化结果更加接近最优解，得到更大的工艺窗口。

[0085] 基于以上初始光源的确定方法，本申请实施例还提供了一种初始光源的确定装置，参考图9所示为本申请实施例提供的一种初始光源的确定装置的结构框图，该装置可以包括：

[0086] 图形获取单元110，用于获取初始掩模图形；

[0087] 测试图形生成单元120，用于根据所述初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形；

[0088] 测试光源查找单元130，用于在目标光源库中查找与所述测试图形对应的测试光源，所述测试光源为与所述测试图形对应的经过优化的光源；

[0089] 初始光源确定单元140，用于根据所述测试光源的光源参数，确定初始光源的光源参数。

[0090] 可选的，若所述测试图形为多个，则所述初始光源确定单元，包括：

[0091] 权重确定单元，用于根据所述测试图形的重要程度，确定与所述测试图形匹配的测试光源的权重；

[0092] 初始光源确定子单元，用于根据所述测试光源的权重，对所述测试光源的光源参数进行加权平均，得到所述初始光源的光源参数。

[0093] 可选的，所述装置还包括：

[0094] 测试光源获取单元，用于利用光源掩模协同优化方法，对所述测试图形和环形光源进行协同优化，得到所述目标光源库中与所述测试图形对应的测试光源。

[0095] 可选的，所述测试图形生成单元具体用于：

[0096] 对所述初始掩模图形进行拆分，得到至少一个所述测试图形；和/或，[0097] 根据所述初始掩模图形的几何特征，提取所述初始掩模图形中的关键图形，根据所述关键图形设计至少一个所述测试图形。

[0098] 可选的，所述初始掩模图形的几何特征包括：构成初始掩模图形的各个单元图形的线宽、周期、方向、数量以及排布。

[0099] 可选的，所述测试图形应该具有与以下图形类似的几何特征：独立线条图形、线条周期图形、独立方块图形、方块周期阵列图形、方块交错排列图形、独立矩形图形、矩形周期阵列图形、矩形交错排列图形、端对端周期图形、端对线周期图形、L型图形、U型图形、T型图形、H型图形等。

[0100] 可选的，所述装置还包括：

[0101] 优化单元，用于利用光源掩模协同优化方法，对所述初始掩模图形的图形参数和所述初始光源的光源参数进行优化。

[0102] 在本申请实施例中，获取初始掩模图形，根据初始掩模图形的几何特征，得到与初始掩模图形相关的至少一个测试图形，在目标光源库中查找与测试图形对应的测试光源，其中，测试光源为与测试图形对应的经过优化的光源，目标光源库包括测试图形和测试光源的对应关系，再根据查找到的测试光源的测试参数，确定初始光源的初始参数。由于测试图形是根据初始掩模图形的几何特征得到的，测试图形可以体现初始掩模图形的几何特征，而测试图形与测试光源对应，因此，查找得到的测试光源与初始掩模图形的几何特征相关，也就是说，根据测试光源的测试参数确定的初始光源的初始参数，与初始掩模图形的几何特征也相关。因此，相比于现有技术中将中的环形光源作为初始光源，本申请实施例中根据测试光源的测试参数确定的初始光源，更加接近优化得到初始掩模图形对应的最佳光源，因此，基于确定出的初始光源，可以减少光源掩模协同优化方法的迭代次数，提高优化效率，同时使优化结果更加接近最优解，得到更大的工艺窗口。

[0103] 本申请实施例中提到的“第一……”、“第一……”等名称中的“第一”只是用来做名字标识，并不代表顺序上的第一。该规则同样适用于“第二”等。

[0104] 通过以上的实施方式的描述可知，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法中的全部或部分步骤可借助软件加通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本申请的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如只读存储器(英文：read-only memory，ROM)/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者诸如路由器等网络通信设备)执行本申请各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

[0105] 本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例和设备实施例而言，由于其基本相似于系统实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见系统实施例的部分说明即可。以上所描述的设备及系统实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

[0106] 以上所述仅是本申请的优选实施方式，并非用于限定本申请的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。