TFT基板及具备TFT基板的扫描天线

摘要

本发明在抑制扫描天线的天线性能的下降的同时使成本降低，并提供一种能够在抑制扫描天线的天线性能的下降的同时使成本降低的TFT基板，TFT基板(101A)具有：电介质基板(1)；多个天线单元区域(U)，它们排列在电介质基板上，各自具有TFT(10)、和与TFT的漏极电极(7D)电连接的贴片电极(15)；以及平坦化层(21)，其在电介质基板上，在比包含贴片电极的层(15l)靠上侧，由树脂形成。

权利要求

1.一种TFT基板，其特征在于，具有：电介质基板；以及

多个天线单元区域，其排列在所述电介质基板上，各自具有TFT、和与所述TFT的漏极电极电连接的贴片电极，缝隙基板隔着设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间的液晶层以与所述TFT基板相对的方式配置时，在此，所述缝隙基板具有又一电介质基板和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述又一电介质基板的所述液晶层侧的表面，所述缝隙电极具有多个缝隙，多个天线单元构成为分别包括所述多个天线单元区域中的任一个所述贴片电极、包含所述多个缝隙中的任一个的所述缝隙电极的部分以及它们之间的所述液晶层，所述TFT基板进一步包括平坦化层，其在所述电介质基板上，在比包含所述贴片电极的层靠上侧，由树脂形成，所述平坦化层以在从所述电介质基板的法线方向观察时，不与所述贴片电极的至少一部分重叠的方式形成。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述平坦化层的上表面与所述贴片电极的上表面为相同高度、或者所述平坦化层的上表面低于所述贴片电极的上表面。

3.根据权利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，不与所述贴片电极重叠的方式形成。

4.根据权利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，所述贴片电极的厚度为2000nm以下。

5.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述平坦化层的上表面高于所述贴片电极的上表面。

6.根据权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，从所述电介质基板的法线方向观察时，所述平坦化层在所述多个天线单元区域的每一个中，具有与所述贴片电极的至少一部分重叠的开口部。

7.根据权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述开口部的侧面的锥角为70°以下。

8.根据权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述开口部的平面形状为圆形或者椭圆形。

9.根据权利要求1、2、5～8中的任一项所述的TFT基板，其特征在于，所述平坦化层的上表面的高度与所述贴片电极的上表面的高度之差为500nm以下。

10.一种扫描天线，其特征在于，具备：TFT基板，其记载于权利要求1～9中的任一项；

缝隙基板，其以与所述TFT基板相对的方式配置；

液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以与所述缝隙基板的与所述液晶层相反一侧的表面经由电介质层相对的方式配置，所述TFT基板具有第一取向膜，所述第一取向膜与所述平坦化层及所述液晶层接触，所述缝隙基板具有：又一电介质基板；

缝隙电极，其形成于所述又一电介质基板的所述液晶层侧的表面；以及第二取向膜，其覆盖所述缝隙电极，并与所述液晶层接触，所述缝隙电极具有多个缝隙，所述多个缝隙分别与所述TFT基板的所述多个天线单元区域的每一个中的所述贴片电极对应配置。

11.根据权利要求10所述的扫描天线，其特征在于，所述平坦化层的上表面的高度与所述贴片电极的上表面的高度之差为所述贴片电极与所述缝隙电极之间的所述液晶层的厚度的23％以下。

12.根据权利要求10或11所述的扫描天线，其特征在于，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，与所述贴片电极及所述多个缝隙均不重叠的方式形成。

13.根据权利要求10或11所述的扫描天线，其特征在于，所述TFT基板或者所述缝隙基板中的一个还具有多个柱状间隔物。

14.根据权利要求13所述的扫描天线，其特征在于，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，不与所述多个柱状间隔物重叠的方式形成。

15.根据权利要求13所述的扫描天线，其特征在于，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，与所述多个柱状间隔物重叠的方式形成。

16.根据权利要求13所述的扫描天线，其特征在于，从所述电介质基板的法线方向观察时，所述TFT基板具有与所述多个柱状间隔物重叠的凸部。

17.根据权利要求16所述的扫描天线，其特征在于，所述凸部包含金属层。

18.根据权利要求16或17所述的扫描天线，其特征在于，所述凸部由与所述贴片电极相同的层形成。

说明书

TFT基板及具备TFT基板的扫描天线

技术领域

[0001] 本发明涉及扫描天线，特别涉及天线单元(有时也称为“振子天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。)、及该扫描天线所使用的TFT基板。

背景技术

[0002] 移动体通信、卫星广播用天线需要能改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beam steering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scannedantenna)”。)，已知具备天线单元的相控阵列天线。但是，现有的相控阵列天线的价格高，这成为向消费品普及的障碍。特别是，当天线单元的数量增加时，成本会显著上升。

[0003] 因此，已提出利用了液晶材料(向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1～5和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性，因此在本说明书中，将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数M(εM)”。

[0004] 在专利文献3和非专利文献1中，记载了通过液晶显示装置(以下称为“LCD”。)的技术能得到价格低的扫描天线。

[0005] 本申请人对能够利用现有的LCD的制造技术来进行量产的扫描天线进行开发。由本申请人发明的专利文献6公开了能够利用现有的LCD的制造技术来进行量产的扫描天线、用于该扫描天线的TFT基板以及该扫描天线的制造方法及驱动方法。为了进行参考，在本说明书中引用专利文献6的全部公开内容。

[0006] 现有技术文献

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献1：日本特开2007-116573号公报

[0009] 专利文献2：日本特开2007-295044号公报

[0010] 专利文献3：日本特表2009-538565号公报

[0011] 专利文献4：日本特表2013-539949号公报

[0012] 专利文献5：国际公开第2015/126550号

[0013] 专利文献6：国际公开第2017/061527号

[0014] 非专利文献

[0015] 非专利文献1：R.A.Stevensonetal.,“RethinkingWirelessCommunications:AdvancedAntennaDesignusingLCDTechnology”，SID2015DIGEST，pp.827-830.

[0016] 非专利文献2：M.ANDOetal.，“ARadialLineSlotAntennafor12GHzSatelliteTVReception”，IEEETransactionsofAntennasandPropagation，Vol.AP-33，No.12，pp.1347-1353(1985).

发明内容

[0017] 本发明所要解决的技术问题

[0018] 本发明者为了不使专利文献6所记载的扫描天线的天线性能下降并使成本降低，研究了各种结构。本发明的目的在于能够在抑制天线性能的下降的同时，使扫描天线的成本降低、以及能够提供一种在抑制天线性能的下降的同时使扫描天线的成本降低的TFT基板。

[0019] 解决问题的手段

[0020] 本发明的实施方式的TFT基板具有：电介质基板；多个天线单元区域，它们排列在所述电介质基板上，各自具有TFT、和与所述TFT的漏极电极电连接的贴片电极；以及平坦化层，其在所述电介质基板上，在比包含所述贴片电极的层靠上侧，由树脂形成。

[0021] 在某一实施方式中，所述平坦化层的上表面与所述贴片电极的上表面为相同高度或者所述平坦化层的上表面低于所述贴片电极的上表面。

[0022] 在某一实施方式中，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，不与所述贴片电极重叠的方式形成。

[0023] 在某一实施方式中，所述贴片电极的厚度为2000nm以下。

[0024] 在某一实施方式中，所述平坦化层的上表面高于所述贴片电极的上表面。

[0025] 在某一实施方式中，从所述电介质基板的法线方向观察时，所述平坦化层在所述多个天线单元区域的每一个中，具有与所述贴片电极的至少一部分重叠的开口部。

[0026] 在某一实施方式中，所述开口部的侧面的锥角为70°以下。

[0027] 在某一实施方式中，所述开口部的平面形状为圆形或者椭圆形。

[0028] 在某一实施方式中，所述平坦化层的上表面的高度与所述贴片电极的上表面的高度之差为500nm以下。

[0029] 本发明的实施方式的扫描天线具备：TFT基板，其记载于技术方案1～9中的任一项；缝隙基板，其以与所述TFT基板相对的方式配置；液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以与所述缝隙基板的与所述液晶层相反一侧的表面经由电介质层相对的方式配置，所述TFT基板具有第一取向膜，所述第一取向膜与所述平坦化层及所述液晶层接触，所述缝隙基板具有：又一电介质基板；缝隙电极，其形成于所述又一电介质基板的所述液晶层侧的表面；以及第二取向膜，其覆盖所述缝隙电极，并与所述液晶层接触，所述缝隙电极具有多个缝隙，所述多个缝隙分别与所述TFT基板的所述多个天线单元区域的每一个中的所述贴片电极对应配置。。

[0030] 在某一实施方式中，所述平坦化层的上表面的高度与所述贴片电极的上表面的高度之差为所述贴片电极与所述缝隙电极之间的所述液晶层的厚度的23％以下。

[0031] 在某一实施方式中，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，与所述贴片电极及所述多个缝隙均不重叠的方式形成。

[0032] 在某一实施方式中，所述TFT基板或者所述缝隙基板中的一个还具有多个柱状间隔物。

[0033] 在某一实施方式中，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，不与所述多个柱状间隔物重叠的方式形成。

[0034] 在某一实施方式中，所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时，与所述多个柱状间隔物重叠的方式形成。

[0035] 在某一实施方式中，从所述电介质基板的法线方向观察时，所述TFT基板具有与所述多个柱状间隔物重叠的凸部。

[0036] 在某一实施方式中，所述凸部包含金属层。

[0037] 在某一实施方式中，所述凸部由与所述贴片电极相同的层形成。

[0038] 发明效果

[0039] 根据本发明的实施方式，能够在抑制扫描天线的天线性能的下降同时使成本降低，以及提供一种能够在抑制扫描天线的天线性能的下降同时使成本降低TFT基板。。

附图说明

[0040] 图1是示意性地表示本发明的第一实施方式的扫描天线1000A的一部分的截面图。

[0041] 图2的(a)和(b)分别是表示扫描天线1000A所具备的TFT基板101A和缝隙基板201的示意性俯视图。

[0042] 图3的(a)是扫描天线1000A的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图，(b)和(c)是扫描天线1000A的非发送接收区域R2的示意性俯视图。

[0043] 图4(a)～(e)是TFT基板101A的示意性截面图。

[0044] 图5(a)～(c)是TFT基板101A的示意性截面图，(d)是扫描天线1000A所具备的液晶面板100A的示意性截面图。

[0045] 图6是表示扫描天线1000A所具备的液晶面板100A的结构的截面图。

[0046] 图7的(a)是示意性地表示缝隙基板201的截面图，(b)是用于说明TFT基板101A和缝隙基板201中的传输部的示意性截面图。

[0047] 图8(a)～(g)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0048] 图9(a)～(g)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0049] 图10(a)～(d)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0050] 图11(a)～(d)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0051] 图12(a)～(d)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0052] 图13(a)～(d)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0053] 图14(a)～(c)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0054] 图15(a)～(c)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。

[0055] 图16的(a)是第一实施方式的变形例的扫描天线1000Aa的示意性俯视图，(b)是扫描天线1000Aa所具备的TFT基板101Aa的示意性截面图。

[0056] 图17的(a)是第二实施方式的扫描天线1000B的示意性俯视图，(b)是扫描天线1000B所具备的TFT基板101B的示意性截面图。

[0057] 图18是扫描天线1000B所具备的液晶面板100B的示意性截面图。

[0058] 图19(a)～(d)是TFT基板101B的示意性截面图。

[0059] 图20是TFT基板101B的示意性截面图。

[0060] 图21的(a)和(b)是用于说明TFT基板101B的制造方法的示意性截面图。

[0061] 图22的(a)和(b)是用于说明TFT基板101B的制造方法的示意性截面图。

[0062] 图23的(a)是第二实施方式的变形例的扫描天线1000Ba的示意性俯视图，(b)是扫描天线1000Ba所具备的TFT基板101Ba的示意性截面图。

[0063] 图24是扫描天线1000Ba所具备的液晶面板100Ba的示意性截面图。

[0064] 图25的(a)是第三实施方式的扫描天线1000C的示意性俯视图，(b)是扫描天线1000C所具备的TFT基板101C的示意性截面图。

[0065] 图26是扫描天线1000C所具备的液晶面板100C的示意性截面图。

[0066] 图27的(a)和(b)是TFT基板101C的示意性截面图。

[0067] 图28的(a)是第三实施方式的变形例的扫描天线1000Ca的示意性俯视图，(b)是扫描天线1000Ca所具备的液晶面板100Ca的示意性截面图。

[0068] 图29的(a)是第四实施方式的扫描天线1000D的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图，(b)和(c)是扫描天线1000D的非发送接收区域R2的示意性俯视图。

[0069] 图30的(a)～(e)是扫描天线1000D所具备的TFT基板101D的示意性截面图。

[0070] 图31的(a)～(c)是TFT基板101D的示意性截面图，(d)是扫描天线1000D所具备的液晶面板100D的示意性截面图。

[0071] 图32的(a)～(e)是用于说明TFT基板101D的制造方法的示意性截面图。

[0072] 图33的(a)～(c)是用于说明TFT基板101D的制造方法的示意性截面图。

[0073] 图34的(a)～(c)是用于说明TFT基板101D的制造方法的示意性截面图。

[0074] 图35的(a)、(b)是用于说明TFT基板101D的制造方法的示意性截面图。

具体实施方式

[0075] 以下，参照附图说明本发明的实施方式的扫描天线、扫描天线的制造方法、及扫描天线所使用的TFT基板。此外，本发明并不限于以下例示的实施方式。并且，本发明的实施方式并不限于附图。例如，截面图中的层的厚度、俯视图中的导电部和开口部的尺寸等是例示的。

[0076] (扫描天线的基本结构)

[0077] 使用了利用液晶材料的大的介电常数M(εM)的各向异性(双折射率)的天线单元的扫描天线对施加于与LCD面板的像素对应的天线单元的各液晶层的电压进行控制，使各天线单元的液晶层的有效的介电常数M(εM)变化，从而由静电电容不同的天线单元形成二维图案(与由LCD进行的图像的显示对应。)。从天线出射或者由天线接收的电磁波(例如微波)被赋予与各天线单元的静电电容相应的相位差，根据由静电电容不同的天线单元形成的二维图案而在特定的方向上具有强指向性(波束扫描)。例如，从天线出射的电磁波是通过考虑由各天线单元赋予的相位差而对输入电磁波入射到各天线单元并在各天线单元散射后得到的球面波进行积分而得到的。也能够认为各天线单元作为“移相器：phaseshifter”发挥功能。关于使用液晶材料的扫描天线的基本结构和动作原理，请参照专利文献1～4和非专利文献1、2。非专利文献2公开了排列有螺旋状缝隙的扫描天线的基本结构。为了参考，在本说明书中引用专利文献1～4和非专利文献1、2的全部公开内容。

[0078] 此外，本发明的实施方式的扫描天线的天线单元虽然与LCD面板的像素类似，但是与LCD面板的像素的结构不同，且多个天线单元的排列也与LCD面板中的像素的排列不同。参照示出后面详细说明的第一实施方式的扫描天线1000A的图1来说明本发明的实施方式的扫描天线的基本结构。扫描天线1000A是缝隙排列成同心圆状的径向线缝隙天线，但本发明的实施方式的扫描天线不限于此，例如缝隙的排列也可以是公知的各种排列。特别是，关于缝隙和/或天线单元的排列，为了参考，在本说明书中引用专利文献5的全部公开内容。

[0079] 图1是示意性地表示本实施方式的扫描天线1000A的一部分的截面图，示意性地表示从设置于成同心圆状排列的缝隙的中心近旁的供电销72(参照图2的(b))起沿着半径方向的截面的一部分。

[0080] 扫描天线1000A具备TFT基板101A、缝隙基板201、配置在它们之间的液晶层LC、以及以隔着空气层54与缝隙基板201相对的方式配置的反射导电板65。扫描天线1000A从TFT基板101A侧收发微波。

[0081] TFT基板101A具有玻璃基板等电介质基板1、形成于电介质基板1上的多个贴片电极15以及多个TFT10。各贴片电极15连接到对应的TFT10。各TFT10连接到栅极总线和源极总线。

[0082] 缝隙基板201具有玻璃基板等电介质基板51和形成于电介质基板51的液晶层LC侧的缝隙电极55。缝隙电极55具有多个缝隙57。

[0083] 反射导电板65配置成隔着空气层54与缝隙基板201相对。能够使用相对于微波的介电常数M小的电介质(例如PTFE等氟树脂)形成的层来代替空气层54。缝隙电极55和反射导电板65以及它们之间的电介质基板51及空气层54作为波导路径301发挥功能。

[0084] 贴片电极15、包含缝隙57的缝隙电极55的部分以及它们之间的液晶层LC构成天线单元U。在各天线单元U中，一个贴片电极15隔着液晶层LC与包含一个缝隙57的缝隙电极55的部分相对，构成液晶电容。另外，各天线单元U具有与液晶电容电并联的辅助电容(参照图3)。扫描天线1000A的天线单元U与LCD面板中的像素具有类似的构成。另外，扫描天线1000A与LCD面板具有许多的不同点。

[0085] 首先，扫描天线1000A的电介质基板1、51所要求的性能不同于LCD面板的基板所要求的性能。

[0086] LCD面板一般使用在可见光透明的基板，例如使用玻璃基板或塑料基板。在反射型的LCD面板中，背面侧的基板不需要有透明性，因此有时也使用半导体基板。而作为天线用的电介质基板1、51，优选相对于微波的介电损耗(将相对于微波的介电耗角表示为tanδM。)小。电介质基板1、51的tanδM为大致0.03以下，进一步优选为0.01以下。具体地，能使用玻璃基板或者塑料基板。玻璃基板与塑料基板相比尺寸稳定性、耐热性优异，适用使用LCD技术形成TFT、配线、电极等电路要素。例如在形成波导路径的材料是空气和玻璃的情况下，玻璃的上述介电损耗较大，因此从较薄的玻璃更能减小导波损耗这一观点来看，优选是400μm以下，更优选是300μm以下。没有特别的下限，只要在制造工艺中能无破损地进行处理即可。

[0087] 电极所使用的导电材料也是不同的。在LCD面板的像素电极、相对电极中多使用ITO膜作为透明导电膜。但是，ITO相对于微波的tanδM大，无法作为天线中的导电层使用。缝隙电极55与反射导电板65一起作为波导路径301的壁发挥功能。因而，为了抑制波微波透射过导路径301的壁，优选波导路径301的壁的厚度、即金属层(Cu层或者Al层)的厚度大。已知金属层的厚度若是表皮深度的3倍，则电磁波衰减为1/20(-26dB)，若是5倍，则衰减为1/150(-43dB)左右。因而，若金属层的厚度是表皮深度的5倍，则能将电磁波的透射率降低为1％。例如，当针对10GHz的微波使用厚度为3.3μm以上的Cu层、和厚度为4.0μm以上的Al层时，能将微波降低到1/150。另外，当针对30GHz的微波使用厚度为1.9μm以上的Cu层和厚度为2.3μm以上的Al层时，能将微波降低到1/150。这样，优选缝隙电极55由比较厚的Cu层或者Al层形成。Cu层或者Al层的厚度没有特别的上限，能考虑成膜时间、成本而适当地设定。当使用Cu层时，能得到与使用Al层相比形成为较薄的优点。不仅能采用在LCD的制造工艺中使用的薄膜沉积法，还能采用将Cu箔或者Al箔贴附于基板等其他方法来形成比较厚的Cu层或者Al层。金属层的厚度例如是2μm以上30μm以下。在使用薄膜沉积法形成的情况下，优选金属层的厚度是5μm以下。此外，反射导电板65能使用例如厚度为数mm的铝板、铜板等。

[0088] 贴片电极15并不是如缝隙电极55那样构成波导路径301，因此能使用与缝隙电极55相比厚度较小的Cu层或者Al层。但是，为了避免缝隙电极55的缝隙57附近的自由电子的振动被诱发为贴片电极15内的自由电子的振动时转化为热的损耗，而优选电阻低的贴片电极15。从批量生产性的观点来看，与Cu层相比优选使用Al层，优选Al层的厚度例如是0.3μm以上2μm以下。

[0089] 另外，天线单元U的排列间距与像素间距大为不同。例如，当考虑12GHz(Kuband)的微波用的天线时，波长λ例如是25mm。这样，如专利文献4所记载的，天线单元U的间距是λ/4以下和/或λ/5以下，因此成为6.25mm以下和/或5mm以下。这比LCD面板的像素的间距大10倍以上。因而，天线单元U的长度和宽度也会比LCD面板的像素长度和宽度大约10倍。

[0090] 当然，天线单元U的排列可与LCD面板中的像素的排列不同。在此，示出排列成同心圆状的例子(例如参照日本特开2002-217640号公报)，但不限于此，例如也可以如非专利文献2所记载的那样排列成螺旋状。而且，也可以如专利文献4所记载的那样排列成矩阵状。

[0091] 扫描天线1000A的液晶层LC的液晶材料所要求的特性与LCD面板的液晶材料所要求的特性不同。LCD面板通过像素的液晶层的折射率变化而对可见光(波长380nm～830nm)的偏振光赋予相位差，从而使偏振光状态变化(例如使直线偏振光的偏振光轴方向旋转或者使圆偏振光的圆偏振光度变化)，由此进行显示。而实施方式的扫描天线1000A通过使天线单元U所具有的液晶电容的静电电容值变化而使从各贴片电极激振(再辐射)的微波的相位变化。因此，优选液晶层的相对于微波的介电常数M(εM)的各向异性(ΔεM)大，优选tanδM小。例如能适于使用M.Witteketal.，SID2015DIGESTpp.824-826中记载的ΔεM为4以上且tanδM为0.02以下(均为19Gz的值)。除此以外，能使用在九鬼、高分子55卷8月号pp.599-602(2006)中记载的ΔεM为0.4以上、tanδM为0.04以下的液晶材料。

[0092] 液晶材料的介电常数一般具有频率分散性，但相对于微波的介电各向异性ΔεM与相对于可见光的折射率各向异性Δn存在正相关关系。因而可以说，就相对于微波的天线单元用的液晶材料而言，优选是相对于可见光的折射率各向异性Δn大的材料。LCD用的液晶材料的折射率各向异性Δn是用相对于550nm的光的折射率各向异性来评价的。当在此也将相对于550nm的光的Δn(双折射率)用作指标时，在针对微波的天线单元中使用Δn为0.3以上、优选为0.4以上的向列液晶。Δn没有特别的上限。不过，Δn大的液晶材料存在极性强的倾向，因此有可能使可靠性降低。从可靠性的观点来看，优选Δn是0.4以下。液晶层的厚度例如是1μm～500μm。

[0093] 以下,更详细地说明本发明的实施方式的扫描天线的结构和制造方法。

[0094] (第一实施方式)

[0095] 首先，参照图1和图2。图1如详述那样是扫描天线1000A的中心附近的示意性局部截面图，图2的(a)和(b)分别是表示扫描天线1000A所具备的TFT基板101A和缝隙基板201的示意性俯视图。

[0096] 扫描天线1000A具有按二维排列的多个天线单元U，在此例如的扫描天线1000A中，多个天线单元排列成同心圆状。在以下的说明中，将与天线单元U对应的TFT基板101A的区域和缝隙基板201的区域称为“天线单元区域”，标注与天线单元相同的附图标记U。另外，如图2的(a)和(b)所示，在TFT基板101A和缝隙基板201中，将由按二维排列的多个天线单元区域划定的区域称为“发送接收区域R1”，将发送接收区域R1以外的区域称为“非发送接收区域R2”。在非发送接收区域R2中设置端子部、驱动电路等。

[0097] 图2的(a)是表示扫描天线1000A所具备的TFT基板101A的示意性俯视图。

[0098] 在图示的例子中，从TFT基板101A的法线方向观看时，发送接收区域R1是环状。非发送接收区域R2包括位于发送接收区域R1的中心部的第一非发送接收区域R2a和位于发送接收区域R1的周缘部的第二非发送接收区域R2b。发送接收区域R1的外径例如是200mm～1500mm，是根据通信量等设定的。

[0099] 在TFT基板101A的发送接收区域R1中设有由电介质基板1支撑的多个栅极总线GL和多个源极总线SL，利用这些配线来规定天线单元区域U。天线单元区域U在发送接收区域R1中排列成例如同心圆状。天线单元区域U各自包括TFT和电连接到TFT的贴片电极。TFT的源极电极连接到源极总线SL，TFT的栅极电极连接到栅极总线GL。另外，TFT的漏极电极与贴片电极电连接。

[0100] 在非发送接收区域R2(R2a、R2b)中以包围发送接收区域R1的方式配置有密封区域Rs。对密封区域Rs赋予密封材料(未图示)。密封材料使TFT基板101A和缝隙基板201相互粘接，并且在这些基板101A、201之间封入液晶。

[0101] 在非发送接收区域R2中的密封区域Rs的外侧设置有栅极端子部GT、栅极驱动器GD、源极端子部ST以及源极驱动器SD。栅极总线GL各自经由栅极端子部GT连接到栅极驱动器GD。源极总线SL各自经由源极端子部ST连接到源极驱动器SD。此外，在该例中，源极驱动器SD和栅极驱动器GD形成于电介质基板1上，但这些驱动器中的一方或者双方也可以设置于另一电介质基板上。

[0102] 在非发送接收区域R2中还设置有多个传输端子部PT。传输端子部PT与缝隙基板201的缝隙电极55(图2的(b))电连接。在本说明书中，将传输端子部PT与缝隙电极55的连接部称为“传输部”。如图所示，传输端子部PT(传输部)可以配置于密封区域Rs内。在该情况下，可以使用含有导电性粒子的树脂作为密封材料。由此，能使液晶封入TFT基板101A与缝隙基板201之间，并且能确保传输端子部PT与缝隙基板201的缝隙电极55的电连接。在该例中，在第一非发送接收区域R2a和第二非发送接收区域R2b两者中均配置有传输端子部PT，但也可以仅配置于任意一者。

[0103] 此外，传输端子部PT(传输部)也可以不配置于密封区域Rs内。例如也可以配置于非发送接收区域R2中的密封区域Rs的外侧。

[0104] 图2的(b)是例示扫描天线1000A中的缝隙基板201的示意性俯视图，示出缝隙基板201的液晶层LC侧的表面。

[0105] 在缝隙基板201中，在电介质基板51上，跨发送接收区域R1和非发送接收区域R2形成有缝隙电极55。

[0106] 在缝隙基板201的发送接收区域R1中，多个缝隙57配置于缝隙电极55。缝隙57与TFT基板101A中的天线单元区域U对应配置。在图示的例子中，多个缝隙57为了构成径向线缝隙天线，而使在相互大致正交的方向上延伸的一对缝隙57排列成同心圆状。由于具有相互大致正交的缝隙，因此扫描天线1000A能收发圆偏振波。

[0107] 缝隙电极55的端子部IT在非发送接收区域R2中设置有多个。端子部IT与TFT基板101A的传输端子部PT(图2的(a))电连接。在该例中，端子部IT配置于密封区域Rs内，通过含有导电性粒子的密封材料与对应的传输端子部PT电连接。

[0108] 另外，在第一非发送接收区域R2a中，供电销配置于缝隙基板201的背面侧。微波通过供电销72进入由缝隙电极55、反射导电板65以及电介质基板51构成的波导路径301。供电销72连接到供电装置70。从排列有缝隙57的同心圆的中心进行供电。供电的方式可以是直接连结供电方式和电磁耦合方式中的任意一种，能采用公知的供电结构。

[0109] 在图2的(a)和(b)中，示出了密封区域Rs以将包含发送接收区域R1的比较狭窄的区域包围的方式设置的例子，但不限于此。特别是，设置于发送接收区域R1的外侧的密封区域Rs也可以以距发送接收区域R1一定以上的距离的方式例如设置于电介质基板1和/或电介质基板51的边的近旁。当然，设置于非发送接收区域R2的、例如端子部、驱动电路也可以形成于密封区域Rs的外侧(即不存在液晶层的一侧)。通过在距发送接收区域R1一定以上的距离的位置形成密封区域Rs，由此能够抑制受到密封材料(特别是固化性树脂)所含有的杂质(特别是离子性杂质)的影响而使天线特性下降。

[0110] 以下，对扫描天线1000A的结构更加具体地进行说明。

[0111] (天线单元区域U)

[0112] 参照图3的(a)、图4的(a)及图5(d)，说明本实施方式的扫描天线1000A的发送接收区域R1的天线单元区域U的结构。

[0113] 图3的(a)是扫描天线1000A的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图。图4的(a)是扫描天线1000A所具备的TFT基板101A的示意性截面图，示出了沿着图3的(a)中的A-A’线的截面。图5的(d)是扫描天线1000A所具备的液晶面板100A的示意性截面图，示出了沿着图3(a)中的H-H’线的截面。液晶面板100A具有TFT基板101A、缝隙基板201、设置在它们之间的液晶层LC。

[0114] 如图3的(a)、图4的(a)及图5的(d)所示，TFT基板101A具有：电介质基板1；多个天线单元区域U，它们排列在电介质基板1上，各自具有TFT10、和与TFT10的漏极电极7D电连接的贴片电极15；以及平坦化层21，其电介质基板1上，在比包含贴片电极15的层(这里为贴片金属层15l)靠上侧，由树脂形成。

[0115] 如上述那样，本发明的实施方式的扫描天线使用相对于微波的介电各向异性ΔεM(相对于可见光的双折射率Δn)大的向列液晶材料。微波区域的介电各向异性ΔεM大的液晶材料与现在LCD所使用的液晶材料相比普遍价格高。微波区域的介电各向异性ΔεM大的液晶材料例如包含异硫氰酸根基(-NCS)或者硫氰酸盐基(-SCN)。此外，一般地，液晶材料是多种液晶分子(液晶化合物)的混合物，因此无需液晶材料所包含的全部液晶分子具有异硫氰酸根基或硫氰酸盐基。

[0116] 在本实施方式中，TFT基板101A具有平坦化层21，由此能够削减具有TFT基板101A的扫描天线1000A的液晶层LC的体积。由于能够削减液晶材料，因此降低了扫描天线1000A的成本。

[0117] 液晶层LC通过密封部而被限制在TFT基板101A与缝隙基板201之间。由密封部包围的区域可以包含发送接收区域R1的全部和非发送接收区域R2的一部分。将平坦化层21设置在由密封部包围的区域内，由此能够削减液晶层LC的体积。并且，平坦化层21优选不形成在非发送接收区域R2的各端子部上。即，各端子部的上部连接部被从平坦化层21露出即可。从天线性能的观点来看，优选平坦化层21以从电介质基板1的法线方向观察时，不与贴片电极15的至少一部分重叠的方式形成。因为从天线性能的观点来看优选平坦化层21是绝缘的，且覆盖贴片电极15的绝缘层的厚度小。从天线性能的观点来看，更加优选平坦化层21以从电介质基板1的法线方向观察时，不与贴片电极15重叠的方式形成，进一步优选以与贴片电极15和缝隙57均不重叠的方式形成。

[0118] 平坦化层21例如由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、或者有机硅树脂。平坦化层21可以是有机绝缘层。平坦化层21例如优选由感光性树脂(例如丙烯酸树脂)形成。感光性树脂既可以是正型，也可以是负型。若将平坦化层21由具有感光性的树脂形成，则为了将平坦化层21图案化(例如形成开口部)，无需另外形成光刻胶层，因此能够降低制造工序及制造成本。
在将包含感光性树脂的溶液(前体溶液)赋予到基板上(涂布或印刷)，并进行预烘烤(溶剂的加热除去)之后，借助具有规定的图案的光掩膜进行露光、显影，由此得到平坦化层21。根据需要，也可以在显影后进行后烘烤。

[0119] 在使用不具有感光性的树脂(例如热固化性树脂)来形成平坦化层21的情况下，在暂时形成的热固化性树脂的膜上形成具有规定的图案的光刻胶层，将光刻胶层作为蚀刻掩模而对热固化性树脂的膜进行蚀刻，由此形成平坦化层21即可。

[0120] 在TFT基板101A中，平坦化层21的上表面低于贴片电极15的上表面。这里，平坦化层21的上表面和贴片电极15的上表面分别称为平坦化层21的液晶层LC侧的表面和贴片电极15的液晶层LC侧的表面。例如，当在贴片电极15之下形成有接触孔，通过接触孔使贴片电极15的表面具有凹部的情况下，对“贴片电极15的上表面的高度”不考虑该凹部的影响。关于TFT基板所具有的其他导电部(例如电极)和绝缘层的上表面，除非另有说明，否则是相同的。贴片电极15的厚度例如可以是2000nm以下。

[0121] 在TFT基板101A，平坦化层21的上表面低于贴片电极15的上表面，因此平坦化层21以从电介质基板1的法线方向观察时，不与贴片电极15重叠的方式形成。因此，在具备TFT基板101A的扫描天线1000A中，在抑制因具有平坦化层21而引起的天线性能的下降的同时，削减了成本。

[0122] 在形成具有比贴片电极15的上表面低的上面的平坦化层21的工序中，也可以在形成树脂膜之后或者对树脂膜图案化之后，对树脂膜实施灰化处理。关于TFT基板101A的制造方法在后文叙述。

[0123] 并不限于图示的例子，平坦化层21的上表面也可以与贴片电极15的上表面为相同的高度。在该情况下，也能得到同样的效果。

[0124] 图6是表示扫描天线1000A所具备的液晶面板100A的结构的截面图。如图6所示，TFT基板101A具有覆盖TFT基板101A的液晶层LC侧的表面的第一取向膜32A。第一取向膜32A与平坦化层21及液晶层LC接触。以与TFT基板101A相对的方式配置的缝隙基板201覆盖缝隙电极55，并具有与液晶层LC接触的第二取向膜42A。

[0125] 如后述那样，从天线性能的观点来看，优选TFT基板的液晶层侧的表面的高低差较小。平坦化层21的上表面的高度与贴片电极15的上表面的高度之差例如优选为500nm以下。平坦化层21的上表面的高度与贴片电极15的上表面的高度之差例如优选为贴片电极15与缝隙电极55之间的液晶层LC的厚度dl(参照图1)的23％以下。此外，通常，通过形成第一取向膜32A，存在TFT基板的液晶层侧的表面的高低差变小的趋势。

[0126] 此外，在截面图中，为了简便，对于栅极绝缘层4、第一绝缘层11及第二绝缘层17，有时也像平坦化层那样表示，但通常，利用薄膜沉积法(例如CVD法、溅射法、真空沉积法)形成的层具有反映出基底的高低差的表面。

[0127] ＜TFT基板101A的结构(天线单元区域U)＞

[0128] 对TFT基板101A的天线单元区域U的结构更加详细地进行说明。此外，本发明的实施方式的TFT基板的结构并不限于图示的例子。

[0129] 如图3的(a)所示，TFT基板101A具有：由电介质基板1支撑的栅极金属层3；形成在栅极金属层3上的半导体层5；形成在栅极金属层3与半导体层5之间的栅极绝缘层4；形成在栅极绝缘层4上的源极金属层7；形成在源极金属层7上的第一绝缘层11；形成在第一绝缘层11上的贴片金属层15l；形成在贴片金属层15l上的第二绝缘层17；以及形成在第二绝缘层
17上的平坦化层21。TFT基板101A还具有形成在第一绝缘层11与贴片金属层15l之间的下部导电层13。TFT基板101A还具有形成在第二绝缘层17上的上部导电层19。

[0130] 各天线单元区域U所具有的TFT10具备栅极电极3G、岛状的半导体层5、接触层6S和6D、配置在栅极电极3G与半导体层5之间的栅极绝缘层4、以及源极电极7S和漏极电极7D。在该例子中，TFT10是具有底栅结构的沟道蚀刻型的TFT。

[0131] 栅极电极3G与栅极总线GL电连接，从栅极总线GL供给扫描信号电压。源极电极7S与源极总线SL电连接，从源极总线SL供给数据信号电压。在该例子中，栅极电极3G和栅极总线GL由相同的导电膜(栅极用导电膜)形成。这里，源极电极7S、漏极电极7D及源极总线SL由相同的导电膜(源极用导电膜)形成。栅极用导电膜和源极用导电膜例如为金属膜。

[0132] 半导体层5以经由栅极绝缘层4而与栅极电极3G重叠的方式配置。在图示的例子中，在半导体层5上形成有源极接触层6S和漏极接触层6D。源极接触层6S和漏极接触层6D配置在半导体层5中的形成有沟道的区域(沟道区域)的两侧。半导体层5可以为本征非晶硅(i-a-Si)层，源极接触层6S和漏极接触层6D可以为n+型非晶硅(n+-a-Si)层。

[0133] 源极电极7S以与源极接触层6S接触的方式设置，并经由源极接触层6S而与半导体层5连接。漏极电极7D以与漏极接触层6D接触的方式设置，并经由漏极接触层6D而与半导体层5连接。

[0134] 这里，各天线单元区域U具有与液晶电容以电气的方式并联连接的辅助电容。在该例子中，辅助电容构成为包括：与漏极电极7D电连接的辅助电容电极7C；栅极绝缘层4；以及经由栅极绝缘层4而与辅助电容电极7C相对的辅助电容相对电极3C。辅助电容相对电极3C包含于栅极金属层3，辅助电容电极7C包含于源极金属层7。栅极金属层3还包含与辅助电容相对电极3C连接的CS总线(辅助电容线)CL。CS总线CL例如与栅极总线GL大致平行地延伸。在该例子中，辅助电容相对电极3C与CS总线CL一体地形成。辅助电容相对电极3C的宽度可以大于CS总线CL的宽度幅。并且，在该例子中，辅助电容电极7C从漏极电极7D延伸设置。辅助电容电极7C的宽度可以大于从漏极电极7D延伸设置的部分中除辅助电容电极7C以外的部分的宽度。此外，辅助电容与贴片电极15的配置关系并不限于图示的例子。

[0135] 栅极金属层3包含TFT10的栅极电极3G、栅极总线GL、辅助电容相对电极3C、以及CS总线CL。

[0136] 源极金属层7包含TFT10的源极电极7S和漏极电极7D、源极总线SL、以及辅助电容电极7C。

[0137] 第一绝缘层11以覆盖TFT10的方式形成。第一绝缘层11具有到达从漏极电极7D或者漏极电极7D延伸设置的部分的开口部11a。有时将开口部11a称为接触孔CH_a。

[0138] 下部导电层13包含形成在第一绝缘层11上及开口部11a内的连接部13a。连接部13a与在开口部11a内从漏极电极7D或者漏极电极7D延伸设置的部分连接。例如这里，连接部13a与在开口部11a内从漏极电极7D延伸设置的部分接触。

[0139] 下部导电层13例如包含透明导电层(例如ITO层)。

[0140] 贴片金属层15l包含贴片电极15和连接部15a。连接部15a形成在连接部13a上，并与连接部13a电连接。例如这里，连接部15a以与连接部13a接触的方式形成。在该例子中，连接部15a与从贴片电极15延伸设置的配线15w一体地形成。在该例子中，贴片电极15与漏极电极7D经由连接部13a、连接部15a及配线15w而电连接。

[0141] 贴片金属层15l包含金属层。贴片金属层15l也可以仅由金属层形成。贴片金属层15l例如具有层叠结构，该层叠结构具有低电阻金属层、和在低电阻金属层之下的高熔点金属包含层。层叠结构还可以在低电阻金属层之上具有高熔点金属包含层。“高熔点金属包含层”为从由钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)及铌(Nb)组成的组中选择出的至少包含一种元素的层。“高熔点金属包含层”可以为层叠结构。例如高熔点金属包含层指的是以Ti、W、Mo、Ta、Nb、包含它们的合金、它们的氮化物、以及上述金属或合金与上述氮化物的固溶体中的任意一种形成的层。“低电阻金属层”是从由铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)及金(Au)组成的组中选择出的至少包含一种元素的层。“低电阻金属层”可以为层叠结构。有时将贴片金属层15l的低电阻金属层称为“主层”，有时将低电阻金属层之下及之上的高熔点金属包含层分别称为“下层”和“上层”。

[0142] 贴片金属层15l例如包含Cu层或Al层作为主层。即，贴片电极15例如包含Cu层或Al层作为主层。扫描天线的性能与贴片电极15的电阻相关，主层的厚度以得到所希望的电阻的方式设定。从电阻的观点来看，存在与Al层相比，能够减小Cu层贴片电极15的厚度的可能性。贴片金属层15l所具有的金属层的厚度(即，贴片电极15所具有的金属层的厚度)例如以比源极电极7S和漏极电极7D的厚度大的方式设定。在贴片电极15中的金属层的厚度在由Al层形成的情况下，例如设定为0.3μm以上。

[0143] 第二绝缘层17形成在贴片金属层15l上。第二绝缘层17以覆盖贴片电极15、连接部15a及配线15w的方式形成。

[0144] 此外，本发明的实施方式并不限于图示的例子。例如TFT的结构并不限于图示的例子。并且，栅极金属层3与源极金属层7的配置关系也可以是相反的。并且，贴片电极也可以包含于栅极金属层3或者源极金属层7。

[0145] ＜间隔物结构＞

[0146] 扫描天线1000A具有控制液晶层LC的厚度的间隔物。

[0147] 如图3的(a)和图5的(d)所示，扫描天线1000A具有形成在多个天线单元区域U的每一个的、控制液晶层LC的厚度的柱状间隔物PS。在该例子中，缝隙基板201具有柱状间隔物PS。柱状间隔物是使用紫外线固化性树脂等感光性树脂利用光刻工艺形成的间隔物，有时也称为“光间隔物”。此外，作为间隔物，也可以并用混合于密封材料的间隔物(有时称为“粒状间隔物”。)。并且，虽然省略了间隔物的个数、配置的具体例的图示，但可以是任意的。柱状间隔物PS也可以在各天线单元区域U设置有多个。间隔物也可以设置于非发送接收区域R2。

[0148] 从电介质基板1和51的法线方向观察时，TFT基板101A在多个天线单元区域U的每一个中具有与柱状间隔物PS重叠的凸部15h。这里，凸部15h包含于贴片金属层15l。即，凸部15h由与贴片电极15相同的层形成。凸部15h通常包含金属层。TFT基板101A所具有的、与柱状间隔物PS重叠的凸部并不限于图示的例子，例如也可以包含栅极金属层3、源极金属层7以及贴片金属层15l中的至少一个导电层。

[0149] 通过TFT基板101A具有凸部15h，由此得到以下的效果。在液晶层LC的厚度较大的情况下，不易使用感光性树脂来形成较高的柱状间隔物(例如高度超过5μm的柱状间隔物)。在那样的情况下，若在TFT基板101A所具有的凸部15h之上形成柱状间隔物PS，则能够降低柱状间隔物PS的高度。此外，柱状间隔物PS的高度相当于柱状间隔物PS所规定的液晶层LC的厚度dp(参照图5的(d))。

[0150] 在该例子中，平坦化层21以从电介质基板1、51的法线方向观察时，在上述多个天线单元区域的每一个中，均不与柱状间隔物PS重叠的方式形成。是因为凸部15h的上表面高于平坦化层21的上表面。在该例子中，TFT基板101A所具有的除贴片金属层15l以外的导电层以从电介质基板1的法线方向观察时，不与贴片电极15重叠的方式形成。因此，贴片电极15的上表面的高度与贴片金属层15l所包含的凸部15h的上表面的高度几乎相等。

[0151] 柱状间隔物PS的高度可以通过构成凸部15h的导电层的结构、液晶层LC的厚度等适当地进行调整。

[0152] 这里，例示了缝隙基板201具有柱状间隔物PS的例子，但在本发明的实施方式的扫描天线中，TFT基板也可以具有柱状间隔物。在TFT基板具有柱状间隔物的情况下，存在如下有点：不会产生柱状间隔物与TFT基板所具有的凸部15h的错位的问题。进一步，存在如下有优点：通过TFT基板具有平坦化层21，能够削减用于在TFT基板形成柱状间隔物的感光性树脂的量。

[0153] ＜缝隙基板201的结构(天线单元区域U)＞

[0154] 参照图5的(d)，对扫描天线1000A所具备的缝隙基板201的结构更加具体地进行说明。

[0155] 缝隙基板201具备：具有表面和背面的电介质基板51；形成在电介质基板51的表面的第三绝缘层52；形成在第三绝缘层52上的缝隙电极55；以及覆盖缝隙电极55的第四绝缘层58。反射导电板65以经由电介质层(空气层)54而与电介质基板51的背面相对的方式配置。缝隙电极55和反射导电板65作为波导路径301的壁发挥功能。

[0156] 在发送接收区域R1中，在缝隙电极55形成有多个缝隙57。缝隙57是贯通缝隙电极55的开口。在该例子中，在各天线单元区域U配置有一个缝隙57。

[0157] 第四绝缘层58形成在缝隙电极55上和缝隙57内。第四绝缘层58的材料可以与第三绝缘层52的材料相同。由第四绝缘层58覆盖缝隙电极55，由此缝隙电极55与液晶层LC不直接接触，因此能够提高可靠性。若缝隙电极55由Cu层形成，则有时Cu熔出于液晶层LC。并且，若使用薄膜堆积技术由Al层形成缝隙电极55，则有时Al层含有孔隙。第四绝缘层58能够防止液晶材料侵入到Al层的孔隙中。此外，若将铝箔通过粘接材料粘贴于电介质基板51，并对其进行图案化，来制作缝隙电极55，则能够避免孔隙的问题。

[0158] 缝隙电极55包含Cu层、Al层等的主层55M。缝隙电极55可以具有包含主层55M、和以夹着主层55M的方式配置的上层55U及下层55L的层叠结构(参照图7的(a)和(b))。主层55M的厚度根据材料并考虑表皮效应而进行设定，例如可以为2μm以上30μm以下。主层55M的厚度通常大于上层55U和下层55L的厚度。

[0159] 在图示的例子中，主层55M为Cu层，上层55U和下层55L为Ti层。通过在主层55M与第三绝缘层52之间配置下层55L，由此能够提高缝隙电极55与第三绝缘层52的紧贴性。并且，通过设置上层55U，能够抑制腐蚀主层55M(例如Cu层)。

[0160] 反射导电板65构成波导路径301的壁，因此优选具有表皮深度的3倍以上、更优选具有5倍以上的厚度。反射导电板65例如能够使用通过切削而制作出的厚度为几mm的铝板、铜板等。

[0161] (非发送接收区域R2)

[0162] 参照图3～图5及图7，对扫描天线1000A的非发送接收区域R2的结构进行说明。TFT基板101A所具有的平坦化层21形成在除各端子部(传输端子部、源极端子部上、栅极端子部上以及CS端子部)以外的区域的几乎整个面。TFT基板101A所具有的平坦化层21也可以形成在各端子部上。

[0163] ＜TFT基板101A的结构(非发送接收区域R2)＞

[0164] 图3的(b)和图3的(c)是扫描天线1000A的非发送接收区域R2的示意性俯视图，图4的(b)～(e)及图5的(a)～(c)是TFT基板101A的非发送接收区域R2的示意性截面图。

[0165] 图3的(b)示出设置于非发送接收区域R2的传输端子部PT、栅极端子部GT以及CS端子部CT，图3的(c)示出设置于非发送接收区域R2的源极-栅极连接部SG和源极端子部ST。

[0166] 传输端子部PT包含位于密封区域Rs的第一传输端子部PT1、和设置于密封区域Rs的外侧(没有液晶层的一侧)的第二传输端子部PT2。在图示的例子中，第一传输端子部PT1沿着密封区域Rs以包围发送接收区域R1的方式延伸。

[0167] 图4的(b)示出沿着图3的(b)中的B-B’线的第一传输端子部PT1的截面，图4的(c)示出沿着图3的(c)中的C-C’线的源极-栅极连接部SG的截面，图4的(d)示出沿着图3的(c)中的D-D’线的源极端子部ST的截面，图4的(e)示出沿着图3的(b)中的E-E’线的第二传输端子部PT2的截面，图5的(a)示出沿着图3的(b)中的F-F’线的第一传输端子部PT1的截面，图5的(b)示出沿着图3的(c)中的G-G’线的源极-栅极连接部SG的截面，图5的(c)示出沿着图3的(c)中的I-I’线的源极-栅极连接部SG和极端子部ST截面。

[0168] 一般地，栅极端子部GT和源极端子部ST分别设置于每个栅极总线和每个源极总线。源极-栅极连接部SG通常以与各源极总线对应的方式设置。在图3的(b)中，以与栅极端子部GT并排的方式图示了CS端子部CT和第二传输端子部PT2，但CS端子部CT和第二传输端子部PT2的个数和配置分别与栅极端子部GT相独立地进行设定。通常，CS端子部CT和第二传输端子部PT2的个数比栅极端子部GT的个数少，并考虑CS电极和缝隙电极的电压的均匀性而适当地进行设定。并且，在形成有第一传输端子部PT1的情况下，可以省略第二传输端子部PT2。

[0169] 各CS端子部CT例如与各CS总线相对应设置。各CS端子部CT也可以与多个CS总线相对应设置。例如，在对各CS总线供给与缝隙电压相同的电压的情况下，TFT基板101A至少具有一个CS端子部CT即可。但是，为了降低配线电阻，优选TFT基板101A具有多个CS端子部CT。此外，缝隙电压例如为接地电位。并且，在对CS总线供给与缝隙电压相同的电压的情况下，能够省略CS端子部CT或者第二传输端子部PT2中的任意一种。

[0170] ·源极-栅极连接部SG

[0171] 如图3的(c)所示，TFT基板101A在非发送接收区域R2具有源极-栅极连接部SG。源极-栅极连接部SG通常设置于每个源极总线SL。源极-栅极连接部SG与将各源极总线SL形成在栅极金属层3内的连接配线(有时称为“源极下部连接配线”。)电连接。

[0172] 如图3的(c)、图4的(c)、图5的(b)及图5的(d)所示，源极-栅极连接部SG具有源极下部连接配线3sg、形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1、源极总线连接部7sg、形成于第一绝缘层11的开口部11sg1和开口部11sg2、以及源极总线上部连接部13sg。以覆盖源极-栅极连接部SG上的方式形成有平坦化层21。

[0173] 源极下部连接配线3sg包含于栅极金属层3。源极下部连接配线3sg与栅极总线GL电分离。

[0174] 形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1到达源极下部连接配线3sg。

[0175] 源极总线连接部7sg包含于源极金属层7，并与源极总线SL电连接。在该例子中，源极总线连接部7sg从源极总线SL延伸设置，并与源极总线SL一体地形成。源极总线连接部7sg的宽度可以大于源极总线SL的宽度幅。

[0176] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11sg1与形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1和形成于第一绝缘层11的开口部11sg1构成接触孔CH_1。

[0177] 形成于第一绝缘层11的开口部11sg2到达源极总线连接部7sg。有时将开口部11sg2称为接触孔CH_sg2。

[0178] 源极总线上部连接部13sg(有时简称为“上部连接部13sg”。)包含于下部导电层13。上部连接部13sg形成在第一绝缘层11上、接触孔CH_sg1内、及接触孔CH_sg2内，并在接触孔CH_sg1内与源极下部连接配线3sg连接，在接触孔CH_sg2内与源极总线连接部7sg连接。例如这里，上部连接部13sg在形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1内与源极下部连接配线
3sg接触，在形成于第一绝缘层11的开口部11sg2内与源极总线连接部7sg接触。

[0179] 源极下部连接配线3sg中的、通过开口部4sg1露出的部分优选由上部连接部13sg覆盖。源极总线连接部7sg中的、通过开口部11sg2露出的部分优选由上部连接部13sg覆盖。

[0180] 在该例子中，源极-栅极连接部SG具有贴片金属层15l所包含的导电部和上部导电层19所包含的导电部。

[0181] TFT基板101A在源极-栅极连接部SG具有上部连接部13sg，由此具有优异的动作稳定性。源极-栅极连接部SG具有上部连接部13sg，由此能够减轻对用于形成贴片金属层15l的贴片用导电膜进行蚀刻的工序中的、对栅极金属层3和/或源极金属层7的损伤。对该效果进行说明。

[0182] 如上述那样，在TFT基板101A中，源极-栅极连接部SG不具有贴片金属层15l所包含的导电部。即，在贴片用导电膜的图案化工序中，源极-栅极连接部形成区域的贴片用导电膜被除去。但在源极-栅极连接部SG不具有上部连接部13sg的情况下，在接触孔CH_sg1内露出栅极金属层3(源极下部连接配线3sg)，因此应被除去的贴片用导电膜被在接触孔CH_sg1内堆积，并形成为与源极下部连接配线3sg接触。同样地，当在源极-栅极连接部SG不具有上部连接部13sg的情况下，在接触孔CH_sg2内露出源极金属层7(源极总线连接部7sg)，因此应被除去的贴片用导电膜被在接触孔CH_sg2内堆积，并形成为与源极总线连接部7sg接触。在这种情况下，栅极金属层3和/或源极金属层7有可能受到蚀刻损伤。在对贴片用导电膜进行图案化的工序中，例如使用包含磷酸、硝酸及醋酸的腐蚀液。若源极下部连接配线3sg和/或源极总线连接部7sg受到蚀刻损伤，则有可能在源极-栅极连接部SG中产生接触不良。

[0183] TFT基板101A的源极-栅极连接部SG具有形成在接触孔CH_sg1内和接触孔CH_sg2内的上部连接部13sg。因此，减轻了贴片用导电膜的图案化工序中的、由蚀刻引起的对源极下部连接配线3sg和/或源极总线连接部7sg的损伤。因此，TFT基板101A在动作稳定性上优异。

[0184] 从有效地减轻对栅极金属层3和/或源极金属层7的蚀刻损伤的观点来看，优选源极下部连接配线3sg中的、通过接触孔CH_sg1露出的部分由上部连接部13sg覆盖，源极总线连接部7sg中的、通过开口部11sg2露出的部分由上部连接部13sg覆盖。

[0185] 在扫描天线所使用的TFT基板中，有时使用比较厚的导电膜(贴片用导电膜)来形成贴片电极。在该情况下，贴片用导电膜的蚀刻时间和过蚀刻时间能够比其他层的蚀刻工序长。此时，若在接触孔CH_sg1内和接触孔CH_sg2内露出栅极金属层3(源极下部连接配线3sg)和源极金属层7(源极总线连接部7sg)，则上述金属层所受的蚀刻损伤变大。像这样，在具有比较厚的贴片金属层的TFT基板中，源极-栅极连接部SG具有上部连接部13sg，由此减轻对栅极金属层3和/或源极金属层7的蚀刻损伤的效果特别大。

[0186] 在图示的例子中，接触孔CH_sg2形成在与接触孔CH_sg1分离的位置。本实施方式并不限于此，接触孔CH_sg1和接触孔CH_sg2也可以连续(即，可以形成为单一的接触孔)。接触孔CH_sg1和接触孔CH_sg2作为单独的接触孔可以通过相同的工序形成。具体而言，也可以将源极下部连接配线3sg和到达源极总线连接部7sg的单一的接触孔形成于栅极绝缘层4和第一绝缘层11，在该接触孔内和第一绝缘层11上形成上部连接部13sg。此时，上部连接部13sg优选形成为覆盖源极下部连接配线3sg和源极总线连接部7sg中的、通过接触孔露出的部分。

[0187] 另外，如后述那样，通过设置源极-栅极连接部SG，能够由栅极金属层3形成源极端子部ST的下部连接部。对于具有由栅极金属层3形成的下部连接部的源极端子部ST而言，可靠性优异。

[0188] ·源极端子部ST

[0189] 如图3的(c)所示，TFT基板101A在非发送接收区域R2具有源极端子部ST。源极端子部ST通常与各源极总线SL对应设置。这里，与各源极总线SL对应地，设置有源极端子部ST和源极-栅极连接部SG。

[0190] 如图3的(c)、图4的(d)及图5的(c)所示，源极端子部ST具有：与形成于源极-栅极连接部SG的源极下部连接配线3sg连接的源极端子用下部连接部3s(有时也简称为“下部连接部3s”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4s、形成于第一绝缘层11的开口部11s、形成于第二绝缘层17的开口部17s、以及源极端子用上部连接部19s(有时也简称为“上部连接部19”。)。

[0191] 下部连接部3s包含于栅极金属层3。下部连接部3s与形成于源极-栅极连接部SG的源极下部连接配线3sg电连接。在该例子中，下部连接部3s从源极下部连接配线3sg延伸设置，并与源极下部连接配线3sg一体地形成。

[0192] 形成于栅极绝缘层4的开口部4s到达下部连接部3s。

[0193] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11s与形成于栅极绝缘层4的开口部4s重叠。

[0194] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第二绝缘层17的开口部17s与形成于第一绝缘层11的开口部11s重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4s、形成于第一绝缘层11的开口部11s、以及形成于第二绝缘层17的开口部17s构成接触孔CH_s。

[0195] 上部连接部19s包含于上部导电层19。上部连接部19s形成在第二绝缘层17上和接触孔CH_s内，并在接触孔CH_s内与下部连接部3s连接。这里，上部连接部19s在形成于栅极绝缘层4的开口部4s内与下部连接部3s接触。

[0196] 上部导电层19例如包含透明导电层(例如ITO层)。上部导电层19例如可以仅由透明导电层形成。或者，上部导电层19可以包含：包含透明导电层的第一上部导电层、和形成在第一上部导电层之下的第二上部导电层。第二上部导电层例如由从由Ti层、MoNbNi层、MoNb层、MoW层、W层以及Ta层组成的组中选择出的一种层或者两种以上的层的叠层形成。

[0197] 从电介质基板1的法线方向观察时，上部连接部19s的全部也可以与下部连接部3s重叠。

[0198] 在该例子中、源极端子部ST不包含：源极金属层7所包含的导电部、下部导电层13所包含的导电部、以及贴片金属层15l所包含的导电部。

[0199] 源极端子部ST具有栅极金属层3所包含的下部连接部3s，因此具有优异的可靠性。

[0200] 有时在端子部、特别是设置于比密封区域Rs靠外侧(与液晶层相反一侧)的端子部，由于大气中的水分(能够包含杂质。)产生腐蚀。大气中的水分从到达下部连接部的接触孔侵入，并到达下部连接部，从而能够在下部连接部产生腐蚀。从抑制发生腐蚀的观点来看，优选到达下部连接部的接触孔较深。即，优选形成有构成接触孔的开口部的绝缘层的厚度较大。

[0201] 另外，在制作具有玻璃基板的TFT基板作为电介质基板工序中，由于玻璃基板的碎片、碎屑(水玻璃)，有时在端子部的下部连接部产生伤痕、断线。例如，由一个母板制作多个TFT基板。水玻璃例如在将母板切断时、在母板形成划线时等产生。从防止端子部的下部连接部的伤痕、断线的观点来看，优选到达下部连接部的接触孔较深。即，优选形成有构成接触孔的开口部的绝缘层的厚度较大。

[0202] 在TFT基板101A的源极端子部ST中，下部连接部3s包含于栅极金属层3，因此到达下部连接部3s的接触孔CH_s具有：形成于栅极绝缘层4的开口部4s、形成于第一绝缘层11的开口部11s、以及形成于第二绝缘层17的开口部17s。接触孔CH_s的深度为栅极绝缘层4的厚度、第一绝缘层11的厚度、以及第二绝缘层17的厚度之和。相对于此，例如在下部连接部包含于源极金属层7的情况下，到达下部连接部的接触孔仅具有形成于第一绝缘层11的开口部和形成于第二绝缘层17的开口部，其深度为第一绝缘层11的厚度和第二绝缘层17的厚度之和，比接触孔CH_s的深度小。这里，接触孔的深度和绝缘层的厚度分别称为电介质基板1的法线方向上的深度和厚度。关于其他接触孔和绝缘层，只要没有特别地说明，则为同样的。像这样。例如与下部连接部包含于源极金属层7的情况相比，下部连接部3s包含于栅极金属层3，从而TFT基板101A的源极端子部ST具有优异的可靠性。

[0203] 形成于栅极绝缘层4的开口部4s以仅使下部连接部3s的一部分露出的方式形成。从电介质基板1的法线方向观察时，形成于栅极绝缘层4的开口部4s位于下部连接部3s的内侧。因此，开口部4s内的全部区域在电介质基板1上具有层叠结构，该层叠结构具有下部连接部3s和上部连接部19s。在源极端子部ST中，不具有下部连接部3s的整个区域具有层叠结构，该层叠结构具有栅极绝缘层4、第一绝缘层11以及第二绝缘层17。由此，TFT基板101A的源极端子部ST具有优异的可靠性。从得到优异的可靠性的观点来看，优选栅极绝缘层4的厚度、第一绝缘层11的厚度以及第二绝缘层17的厚度之和较大。

[0204] 下部连接部3s中的、通过开口部4s而露出的部分由上部连接部19s覆盖。

[0205] 若端子部的上部连接部的厚度较大(即上部导电层19的厚度较大)，则抑制在下部连接部产生腐蚀。为了有效地抑制在下部连接部产生腐蚀，如上述那样，上部导电层19可以具有层叠结构，该层叠结构包含：包含透明导电层(例如ITO层)的第一上部导电层；和形成在第一上部导电层之下，由从由Ti层、MoNbNi层、MoNb层、MoW层、W层及Ta层组成的组中选择出的一种层或者两种以上的层的叠层形成的第二上部导电层。为了更加有效地抑制在下部连接部产生腐蚀，也可以将第二上部导电层的厚度例如设为超100nm。

[0206] ·栅极端子部GT

[0207] 如图3的(b)所示，TFT基板101A在非发送接收区域R2具有栅极端子部GT。如图3的(b)所示，栅极端子部GT能够具有与源极端子部ST同样的结构。栅极端子部GT通常设置于每个栅极总线GL。

[0208] 如图3的(b)所示，在该例子中，栅极端子部GT具有栅极端子用下部连接部3g(有时也简称为“下部连接部3g”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4g、形成于第一绝缘层11的开口部11g、形成于第二绝缘层17的开口部17g、以及栅极端子用上部连接部19g(有时也简称为“上部连接部19g”。)。

[0209] 下部连接部3g包含于栅极金属层3，并与栅极总线GL电连接。在该例子中，下部连接部3g从栅极总线GL延伸设置，并与栅极总线GL一体地形成。

[0210] 形成于栅极绝缘层4的开口部4g到达下部连接部3g。

[0211] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11g与形成于栅极绝缘层4的开口部4g重叠。

[0212] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第二绝缘层17的开口部17g与形成于第一绝缘层11的开口部11g重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4g、形成于第一绝缘层11的开口部11g、以及形成于第二绝缘层17的开口部17g构成接触孔CH_g。

[0213] 上部连接部19g包含于上部导电层19。上部连接部19g形成在第二绝缘层17上和接触孔CH_g内，并在接触孔CH_g内与下部连接部3g连接。例如，上部连接部19g在形成于栅极绝缘层4的开口部4g内与下部连接部3g接触。

[0214] 从电介质基板1的法线方向观察时，上部连接部19g的全部也可以与下部连接部3g重叠。

[0215] 在该例子中，栅极端子部GT不具有：源极金属层7所包含的导电部、下部导电层13所包含的导电部、以及贴片金属层15l所包含的导电部。

[0216] 栅极端子部GT具有栅极金属层3所包含的下部连接部3g，因此与源极端子部ST同样地，具有优异的可靠性。

[0217] ·CS端子部CT

[0218] 如图3的(b)所示，TFT基板101A在非发送接收区域R2具有CS端子部CT。如图3的(b)所示，CS端子部CT在这里具有与源极端子部ST和栅极端子部GT同样的结构。CS端子部CT例如也可以与各CS总线CL对应设置。

[0219] 如图3的(b)所示，CS端子部CT具有：CS端子用下部连接部3c(有时也简称为“下部连接部3c”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4c、形成于第一绝缘层11的开口部11c、形成于第二绝缘层17的开口部17c、以及CS端子用上部连接部19c(有时也简称为“上部连接部19c”。)。

[0220] 下部连接部3c包含于栅极金属层3。下部连接部3c与CS总线CL电连接。在该例子中，下部连接部3c从CS总线CL延伸设置，并与CS总线CL一体地形成。

[0221] 形成于栅极绝缘层4的开口部4c到达下部连接部3c。

[0222] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11c与形成于栅极绝缘层4的开口部4c重叠。

[0223] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第二绝缘层17的开口部17c与形成于第一绝缘层11的开口部11c重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4c、形成于第一绝缘层11的开口部11c、以及形成于第二绝缘层17的开口部17c构成接触孔CH_c。

[0224] 上部连接部19c包含于上部导电层19。上部连接部19c形成在第二绝缘层17上和接触孔CH_c内，并在接触孔CH_c内与下部连接部3c连接。例如，上部连接部19c在形成于栅极绝缘层4的开口部4c内与下部连接部3c接触。

[0225] 从电介质基板1的法线方向观察时，上部连接部19c的全部也可以与下部连接部3c重叠。

[0226] 在该例子中，CS端子部CT不具有：源极金属层7所包含的导电部、下部导电层13所包含的导电部、以及贴片金属层15l所包含的导电部。

[0227] CS端子部CT具有栅极金属层3所包含的下部连接部3c，因此与源极端子部ST同样地，具有优异的可靠性。

[0228] ·传输端子部PT

[0229] 如图3的(b)所示，TFT基板101A在非发送接收区域R2具有第一传输端子部PT1。第一传输端子部PT1在这里设置在密封区域Rs内(即，第一传输端子部PT1设置于包围液晶层的密封部)。

[0230] 如图3的(b)和图4的(b)所示，第一传输端子部PT1具有：第一传输端子用下部连接部3p1(有时也简称为“下部连接部3p1”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4p1、形成于第一绝缘层11的开口部11p1、第一传输端子用第一导电部13p1(有时也简称为“第一导电部13p1”。)、第一传输端子用第二导电部15p1(有时也简称为“第二导电部15p1”。)、形成于第二绝缘层17的开口部17p1、以及第一传输端子用上部连接部19p1(有时也简称为“上部连接部19p1”。)。

[0231] 下部连接部3p1包含于栅极金属层3。即，下部连接部3p1由与栅极总线GL相同的导电膜形成。下部连接部3p1与栅极总线GL电分离。例如，在对CS总线CL供给与缝隙电压相同的电压的情况下，下部连接部3p1例如与CS总线CL电连接。如图示那样，下部连接部3p1也可以从CS总线延伸设置。但是并不限于该例，下部连接部3p1也可以与CS总线电分离。

[0232] 形成于栅极绝缘层4的开口部4p1到达下部连接部3p1。

[0233] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11p1与形成于栅极绝缘层4的开口部4p1重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4p1、和形成于第一绝缘层11的开口部11p1构成接触孔CH_p1。

[0234] 第一导电部13p1包含于下部导电层13。第一导电部13p1形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_p1内，并在触孔CH_p1内与下部连接部3p1连接。这里，第一导电部13p1在开口部4p1内与下部连接部3p1接触。

[0235] 第二导电部15p1包含于贴片金属层15l。第二导电部15p1形成在第一导电部13p1上。第二导电部15p1与第一导电部13p1电连接。例如在这里，第二导电部15p1与第一导电部13p1直接接触。

[0236] 形成于第二绝缘层17的开口部17p1到达第二导电部15p1。

[0237] 上部连接部19p1包含于上部导电层19。上部连接部19p1形成在第二绝缘层17上和开口部17p1内，并在开口部17p1内与导电部15p1连接。在这里，上部连接部19p1在开口部17p1内与导电部15p1接触。上部连接部19p1例如通过包含导电性粒子的密封材料而与缝隙基板侧的传输端子用上部连接部连接(参照图7的(b))。

[0238] 在该例子中，第一传输端子部PT1源极金属层7所包含的导电部。

[0239] 第一传输端子部PT1在下部连接部3p1与上部连接部19p1之间具有第一导电部13p1和第二导电部15p1。由此，第一传输端子部PT1具有下部连接部3p1与上部连接部19p1之间的电阻较低的优点。

[0240] 从电介质基板1的法线方向观察时，上部连接部19p1的全部也可以与第二导电部15p1重叠。

[0241] 在该例子中，下部连接部3p1配置在彼此邻接的两个栅极总线GL之间。以夹着栅极总线GL的方式配置的两个下部连接部3p1可以经由导电连接部(未图示)而电连接。将两个下部连接部3p1电连接的导电连接部例如可以包含于源极金属层7。

[0242] 这里，通过设置多个接触孔CH_p1，下部连接部3p1经由第一导电部13p1和第二导电部15p1而与上部连接部19p1连接，但相对于一个下部连接部3p1，设置一个以上接触孔CH_p1即可。也可以相对于一个下部连接部3p1，设置一个接触孔。接触孔的个数、形状不限于图示的例子。

[0243] 这里，以分别与各接触孔CH_p1重叠的方式形成有多个第一导电部13p1，第一导电部13p1的形状并不限于此。第一导电部也可以以与多个接触孔CH_p1重叠的方式形成。

[0244] 这里，上部连接部19p1通过一个开口部17p1而与第二导电部15p1连接，但相对于一个上部连接部19p1，设置一个以上的开口部17p1即可。也可以相对于一个上部连接部19p1设置多个开口部。开口部的个数、形状并不限于图示的例子。

[0245] 第二传输端子部PT2设置于密封区域Rs的外侧(与发送接收区域R1相反一侧)。如图3的(b)和图4的(e)所示，第二传输端子部PT2具有：第二传输端子用下部连接部15p2(有时也简称为“下部连接部15p2”。)、形成于第二绝缘层17的开口部17p2、及第二传输端子用上部连接部19p2(有时也简称为“上部连接部19p2”。)。

[0246] 第二传输端子部PT2具有与第一传输端子部PT1中的不具有下部连接部3p1、接触孔CH_p1、以及第一导电部13p1的部分(参照图5的(a))相同的截面结构。

[0247] 下部连接部15p2包含于贴片金属层15l。下部连接部15p2在这里从第一传输端子用第二导电部15p1延伸设置，并与第一传输端子用第二导电部15p1一体地形成。

[0248] 形成于第二绝缘层17的开口部(接触孔)17p2到达下部连接部15p2。

[0249] 上部连接部19p2包含于上部导电层19。上部连接部19p2形成在第二绝缘层17上和开口部17p2内，并在开口部17p2内与下部连接部15p2连接。这里，上部连接部19p2在开口部17p2内与下部连接部15p2接触。

[0250] 在该例子中，第二传输端子部PT2不具有：栅极金属层3所包含的导电部、源极金属层7所包含的导电部以及下部导电层13所包含的导电部。

[0251] 在第二传输端子部PT2中，上部连接部19p2也可以例如通过包含导电性粒子的密封材料而与缝隙基板侧的传输端子用连接部连接。

[0252] ＜缝隙基板201的结构(非发送接收区域R2)＞

[0253] 图7的(a)是示意性示出缝隙基板201的天线单元区域U、和非发送接收区域R2的端子部IT的截面图。图7的(b)是用于说明将TFT基板101A的第一传输端子部PT1与缝隙基板201的端子部IT连接的传输部的示意性截面图。

[0254] 如图7的(a)所示，在缝隙基板201的非发送接收区域R2设置有端子部IT。端子部IT具备缝隙电极55、覆盖缝隙电极55的第四绝缘层58、以及上部连接部60。第四绝缘层58具有到达缝隙电极55的开口部。上部连接部60在开口部内与缝隙电极55接触。在本实施方式中，端子部IT配置在密封区域Rs内，并通过含有导电性粒子的密封树脂而与TFT基板中的传输端子部连接(传输部)。

[0255] 如图7的(b)所示，在传输部中，端子部IT的上部连接部60与TFT基板101A中的第一传输端子部PT1的第一传输端子用上部连接部19p1电连接。在本实施方式中，将上部连接部60与上部连接部19p1经由包含导电性珠71的树脂(密封树脂)73(有时也称为“密封部73”。)连接。

[0256] 上部连接部60和19p1均为ITO膜、IZO膜等透明导电层，有时在其表面形成氧化膜。若形成氧化膜，则无法确保透明导电层彼此的电连接，有可能接触电阻变高。相对于此，在本实施方式中，经由包含导电性珠(例如Au珠)71的树脂使上述透明导电层粘接，因此即使形成表面氧化膜，也能够通过导电性珠冲破表面氧化膜(贯通)，来抑制接触电阻的增大。导电性珠71不仅是表面氧化膜，也可以贯通作为透明导电层的上部连接部60、19p1，而与导电部15p1和缝隙电极55直接接触。

[0257] 从扫描天线1000A的法线方向观察时，传输部既可以配置于扫描天线1000A的中心部和周缘部(即环状的发送接收区域R1的内侧和外侧)这两者，也可以仅配置于任意一者。传输部既可以配置在将液晶封入的密封区域Rs内，也可以配置在密封区域Rs的外侧(与液晶层相反一侧)。

[0258] ＜TFT基板101A的制造方法＞

[0259] 参照图8～图15，对TFT基板101A的制造方法进行说明。

[0260] 图8的(a)～(g)、图9的(a)～(g)、图10的(a)～(d)、图11的(a)～(d)、图12的(a)～(d)、图13的(a)～(d)、图14的(a)～(c)以及图15的(a)～(c)是用于说明TFT基板101A的制造方法的示意性截面图。上述图各自示出与图4的(a)、图4的(b)、图4的(e)、图4的(c)、图4的(d)、图5的(b)、及图5的(d)对应的截面(TFT基板101A的A-A’截面、B-B’截面、E-E’截面、C-C’截面、D-D’截面、G-G’截面、以及H-H’截面)。此外，关于与图5的(a)对应的截面(TFT基板101A的F-F’截面)，虽然省略了图示，但利用与图4的(e)对应的截面(TFT基板101A的E-E’截面)相同的方法形成。

[0261] 首先，如图8的(a)和图9的(a)所示，利用溅射法等在电介质基板1上形成栅极用导电膜3’。栅极用导电膜3’的材料没有特别地限定，例如能够适当地使用铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或者其合金、或者包含其金属氮化物的膜。这里，形成依次层叠Al膜(厚度：例如为150nm)和MoN膜(厚度：例如为100nm)而成的层叠膜(MoN/Al)作为栅极用导电膜3’。

[0262] 接着，通过对栅极用导电膜3’进行图案化，由此如图8的(b)和图9的(b)所示，形成栅极金属层3。具体而言，在天线单元形成区域形成栅极电极3G、栅极总线GL、辅助电容相对电极3C、以及CS总线CL，在源极-栅极连接部形成区域形成源极下部连接配线3sg，在各端子部形成区域形成下部连接部3s、3g、3c及3p1。这里，栅极用导电膜3’的图案化通过湿蚀刻来进行。

[0263] 之后，如图8的(c)和图9的(c)所示，以覆盖栅极金属层3的方式依次形成栅极绝缘+膜4’、本征非晶硅膜5’及n型非晶硅膜6’。栅极绝缘膜4’能够利用CVD法等形成。能够适当地使用氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SixNy)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x＞y)膜、氮化氧化硅(SiNxOy；x＞y)膜等作为栅极绝缘膜4’。这里，例如形成厚度为350nm的氮化硅(SixNy)膜作为栅极绝缘膜4’。并且，例如形成厚度为120nm的本征非晶硅膜5’和例如厚度30nm的n+型非晶硅膜6’。

[0264] 接着，通过对本征非晶硅膜5’和n+型非晶硅膜6’进行图案化，由此如图8的(d)和图9的(d)所示，得到岛状的半导体层5和接触层6。此外，用于半导体层5的半导体膜并不限定于非晶硅膜。例如也可以形成氧化物半导体层作为半导体层5。在该情况下，也可以不在半导体层5与源极电极及漏极电极之间设置接触层。

[0265] 接着，如图8的(e)和图9的(e)所示，通过溅射法等在栅极绝缘膜4’上和接触层6上形成源极用导电膜7’。源极用导电膜7’的材料没有特别地限定，例如能够适当地使用铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或者其合金、或者包含其金属氮化物的膜。在这里，形成依次层叠MoN(厚度：例如为50nm)、Al(厚度：例如为150nm)及MoN(厚度：例如为100nm)而成的层叠膜(MoN/Al/MoN)作为源极用导电膜7’。

[0266] 接着，对源极用导电膜7’进行图案化，由此如图8的(f)和图9的(f)所示，形成源极金属层7。具体而言，在天线单元形成区域形成源极电极7S、漏极电极7D、源极总线SL、以及辅助电容电极7C，在源极-栅极连接部形成区域形成源极总线连接部7sg。此时，接触层6也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6S与漏极接触层6D。这里，源极用导电膜7’的图案化通过湿蚀刻而进行。例如使用含有磷酸、硝酸及醋酸的水溶液，通过湿蚀刻同时对MoN膜和Al膜进行图案化。之后，例如通过干蚀刻，将接触层中、位于作为半导体层5的沟道区域的区域上的部分除去并形成间隙部，分离成源极接触层6S和漏极接触层6D。此时，在间隙部中，半导体层5的表面附近也被蚀刻(过蚀刻)。这样，得到TFT10。

[0267] 此外，例如在使用依次层叠Ti膜和Al膜而成的层叠膜作为源极导电膜的情况下，例如也可以在使用磷酸醋酸硝酸水溶液源，通过湿蚀刻进行膜的图案化之后，通过干蚀刻同时对Ti膜和接触层(n+型非晶硅层)6进行图案化。或者，也能够一并对源极用导电膜和接触层进行蚀刻。但是，在同时对源极用导电膜或者其下层与接触层6进行蚀刻的情况下，有时难以控制基板整体的半导体层5的蚀刻量(间隙部的挖深量)的分布。相对于此，如上述那样，若通过独立的蚀刻工序进行源/漏分离与间隙部的形成，能够更加容易地控制间隙部的蚀刻量。

[0268] 这里，在源极-栅极连接部形成区域中，源极下部连接配线3sg的至少一部分以不与源极总线连接部7sg重叠的方式形成有源极金属层7。并且，各端子部形成区域不具有源极金属层7所包含的导电部。

[0269] 接着，如图8的(g)和图9的(g)所示，以覆盖TFT10和源极金属层7的方式形成第一绝缘膜11’。第一绝缘膜11’例如利用CVD法形成。能够适当地使用氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SixNy)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x＞y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x＞y)膜等作为第一绝缘膜11’。在该例子中，第一绝缘膜11’以与半导体层5的沟道区域接触的方式形成。这里，例如形成厚度为330nm的氮化硅(SixNy)膜作为第一绝缘膜11’。

[0270] 接着，如图10的(a)和图11的(a)所示，利用公知的光刻工艺，进行第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’的蚀刻。具体而言，在天线单元形成区域中，将到达从漏极电极7D延伸设置的部分的开口部11a形成于第一绝缘膜11’。在第一传输端子部形成区域中，将到达下部连接部3p1的接触孔形成于栅极绝缘膜4’和第一绝缘膜11’。在源极-栅极连接部形成区域中，将到达源极下部连接配线3sg的接触孔CH_sg1形成于栅极绝缘膜4’及第一绝缘膜11’，将到达源极总线连接部7sg的开口部11sg2(接触孔CH_sg2)形成于第一绝缘膜11’。

[0271] 在该蚀刻工序中，将源极金属层7作为蚀刻停止层而进行第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’的蚀刻。

[0272] 在源极-栅极连接部形成区域中，在与源极下部连接配线3sg重叠的区域中，第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，并且在与源极总线连接部7sg重叠的区域，源极总线连接部7sg作为蚀刻停止层发挥功能，由此第一绝缘膜11’被蚀刻。由此，得到接触孔CH_sg1和CH_sg2。

[0273] 接触孔CH_sg1具有：形成于栅极绝缘膜4’的开口部4sg1、和形成于第一绝缘膜11’的开口部11sg1。这里，源极下部连接配线3sg的至少一部分以不与源极总线连接部7sg重叠的方式形成，由此在栅极绝缘膜4’和第一绝缘膜11’形成接触孔CH_sg1。也可以在接触孔CH_sg1的侧面，对开口部4sg1的侧面与开口部11sg1的侧面进行整合。在本说明书中，在接触孔内，不同的两个以上的层的“侧面整合”是指在上述层的接触孔内露出的侧面不仅为与垂直方向共面的情况，也包含连续地构成锥形形状等的倾斜面的情况。这种结构例如通过使用同一掩模对上述层进行蚀刻、或者将一个层作为掩模来进行另一个层的蚀刻等而得到。

[0274] 第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’例如使用同一蚀刻剂一并地被蚀刻。这里，通过使用氟系气体的干蚀刻对第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’进行蚀刻。第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’也可以使用不同的蚀刻剂进行蚀刻。

[0275] 在第一传输端子部形成区域中，第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并地被蚀刻，由此在栅极绝缘膜4’形成开口部4p1，在第一绝缘膜11’形成开口部11p1。也可以对开口部4p1的侧面与开口部11p1的侧面进行整合。

[0276] 在该工序中，在源极端子部形成区域、栅极端子部形成区域、CS端子部形成区域以及第二传输端子部形成区域中，在栅极绝缘膜4’和第一绝缘膜11’不形成开口部。

[0277] 接着，如图10的(b)和图11的(b)所示，在第一绝缘膜11’上、开口部11a内、接触孔CH_sg1内、接触孔CH_sg2内、以及接触孔CH_p1内例如利用溅射法形成下部导电膜13’。下部导电膜13’例如包含透明导电膜。例如能够使用ITO(氧化铟锡)膜、IZO膜、ZnO膜(氧化锌膜)等作为透明导电膜。这里，例如形成厚度为70nm的ITO膜作为下部导电膜13’。

[0278] 接着，通过对下部导电膜13’进行图案化，由此如图10的(c)和图11的(c)所示，形成下部导电层13。具体而言，在天线单元形成区域中，形成在开口部11a内与从漏极电极7D延伸设置的部分接触的连接部13a。在第一传输端子部形成区域中，形成在接触孔CH_p1内与下部连接部3p1接触的第一导电部13p1。在源极-栅极连接部形成区域中，形成在接触孔CH_sg1内与源极下部连接配线3sg接触、在接触孔CH_sg2内与源极总线连接部7sg接触的源极总线上部连接部13sg。

[0279] 接着，如图10的(d)和图11的(d)所示，在下部导电层13上和第一绝缘膜11’上形成贴片用导电膜15’。能够使用与栅极用导电膜3’或者源极用导电膜7’同样的材料作为贴片用导电膜15’的材料。这里，形成依次包含Ti膜(厚度：例如为20nm)和Cu膜(厚度：例如为500nm)的层叠膜(Cu/Ti)作为贴片用导电膜15’。或者，也可以形成依次包含MoN膜(厚度：例如为50nm)、Al膜(厚度：例如为1000nm)以及MoN膜(厚度：例如为50nm)的层叠膜(MoN/Al/MoN)作为贴片用导电膜15’。

[0280] 贴片用导电膜优选设定为比栅极用导电膜和源极用导电膜厚。由此，能够使贴片电极的片电阻降低，从而可以降低贴片电极内的自由电子的振动转变为热的损耗。贴片用导电膜的优选厚度例如为0.3μm以上。若比其薄，片电阻变成0.10Ω/sq以上，可能产生损耗变大的问题。贴片用导电膜的厚度例如为3μm以下，更加优选为2μm以下。若比其厚，则由于工艺中的热应力有时产生基板的翘曲。若翘曲较大，则在量产工艺中，有时发生输送故障、基板的缺损、或者基板的开裂等问题。

[0281] 接着，通过对贴片用导电膜15’进行图案化，由此如图12的(a)和图13的(a)所示，形成贴片金属层15l。具体而言，在天线单元形成区域形成贴片电极15、连接部15a以及凸部15h，在第一传输端子部形成区域形成第二导电部15p1，在第二传输端子部形成区域形成下部连接部15p2。

[0282] 在天线单元形成区域中，连接部15a以与连接部13a连接的方式形成。这里，连接部15a以与连接部13a接触的方式形成。并且，在第一传输端子部形成区域中，第二导电部15p1以与第一导电部13p1连接的方式形成。这里，第二导电部15p1以与第一导电部13p1接触的方式形成。

[0283] 在形成依次层叠MoN、Al及MoN而成的层叠膜(MoN/Al/MoN)作为贴片用导电膜15’的情况下，贴片用导电膜15’的图案化例如使用包含磷酸、硝酸以及醋酸的水溶液作为蚀刻液通过湿蚀刻将MoN膜与Al膜同时进行图案化。在形成依次层叠Ti与Cu而成的层叠膜(Cu/Ti)作为贴片用导电膜15’的情况下，贴片用导电膜15’例如能够使用混酸水溶液作为蚀刻液通过湿蚀刻进行图案化。

[0284] 在贴片用导电膜15’的图案化工序中，除去源极-栅极连接部形成区域的贴片用导电膜15’。由于在接触孔CH_sg1内和接触孔CH_sg2内形成有源极总线上部连接部13sg，因此在贴片用导电膜15’的图案化工序中，减轻了由蚀刻引起的对源极下部连接配线3sg和/或源极总线连接部7sg的损伤。

[0285] 这里，源极下部连接配线3sg中的通过接触孔CH_sg1露出的部分由源极总线上部连接部13sg覆盖，源极总线连接部7sg中的、通过接触孔CH_sg2露出的部分由源极总线上部连接部13sg覆盖。由此能够有效地减轻对源极总线连接部7sg和/或源极下部连接配线3sg的蚀刻损伤。

[0286] 接着，如图12的(b)和图13的(b)所示，在贴片金属层15l上、下部导电层13上以及第一绝缘层11上形成第二绝缘膜17’。第二绝缘膜17’以覆盖下部导电层13和贴片金属层15l的方式形成。第二绝缘膜17’例如CVD法形成。能够适当地使用氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SixNy)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x＞y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x＞y)膜等作为第二绝缘膜
17’。这里，例如形成厚度为100nm的氮化硅(SixNy)膜作为第二绝缘膜17’。

[0287] 接着，利用公知的光刻工艺，进行栅极绝缘膜4’、第一绝缘膜11’以及第二绝缘膜17’的蚀刻，由此如图12的(c)和图13的(c)所示，形成栅极绝缘层4、第一绝缘层11以及第二绝缘层17。具体而言，在源极端子部形成区域中，在第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’形成到达下部连接部3s的接触孔CH_s。在栅极端子部形成区域中，在第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’形成到达下部连接部3g的接触孔CH_g形成。在CS端子部形成区域中，在第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’形成到达下部连接部3c的接触孔CH_c。在第一传输端子部形成区域中，在第二绝缘膜17’形成到达导电部
15p1的开口部17p1。在第二传输端子部形成区域中，在第二绝缘膜17’形成到达下部连接部
15p2的开口部17p2。

[0288] 第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’例如使用同一蚀刻剂一并地被蚀刻。这里，通过使用了氟系气体的干蚀刻对第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’进行蚀刻。第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’也可以使用不同的蚀刻剂进行蚀刻。

[0289] 在该蚀刻工序中，将贴片金属层15l作为蚀刻停止层进行第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’的蚀刻。在源极端子部形成区域、栅极端子部形成区域以及CS端子部形成区域的每个区域中，没有形成源极金属层7和贴片金属层15l所包含的导电部，因此第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’一并地被蚀刻。

[0290] 在源极端子部形成区域中，第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’一并地被蚀刻，由此形成接触孔CH_s。接触孔CH_s形成于栅极绝缘层4，并具有：到达下部连接部3s的开口部4s；形成于第一绝缘层11，并与开口部4s重叠的开口部11s；以及形成于第二绝缘层17，并与开口部11s重叠的开口部17s。可以在接触孔CH_s的侧面，对开口部4s的侧面、开口部11s的侧面以及开口部17s的侧面进行整合。

[0291] 在栅极端子部形成区域中，第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’一并地被蚀刻，由此形成接触孔CH_g。接触孔CH_g形成于栅极绝缘层4，并具有：到达下部连接部3g的开口部4g；形成于第一绝缘层11，并与开口部4g重叠的开口部11g；以及形成于第二绝缘层17，并与开口部11g重叠的开口部17g。可以在接触孔CH_g的侧面，对开口部4g的侧面、开口部11g的侧面及开口部17g的侧面进行整合。

[0292] 在CS端子部形成区域中，第二绝缘膜17’、第一绝缘膜11’以及栅极绝缘膜4’一并地被蚀刻，由此形成接触孔CH_c。接触孔CH_c形成于栅极绝缘层4，并具有：到达下部连接部3c的开口部4c；形成于第一绝缘层11，并与开口部4c重叠的开口部11c；以及形成于第二绝缘层17，并与开口部11c重叠的开口部17c。可以在接触孔CH_c的侧面，对开口部4c的侧面、开口部11c的侧面、及开口部17c的侧面进行整合。

[0293] 接着，如图12的(d)和图13的(d)所示，在第二绝缘层17上、接触孔CH_s内、接触孔CH_g内、接触孔CH_c内、开口部17p1内、以及开口部17p2内通过例如溅射法形成上部导电膜19’。上部导电膜19’例如包含透明导电膜。能够使用例如ITO(氧化铟锡)膜、IZO膜、ZnO膜(氧化锌膜)等作为透明导电膜。这里，例如使用厚度为70nm的ITO膜作为上部导电膜19’。或者，也可以使用依次层叠Ti(厚度：例如为50nm)和ITO(厚度：例如为70nm)而成的层叠膜(ITO/Ti)作为上部导电膜19’。也可以代替Ti膜，使用从由MoNbNi膜、MoNb膜、MoW膜、W膜以及Ta膜组成的组中选择出的一种膜或者两种以上的膜的层叠膜。即，可以使用将从由Ti膜、MoNbNi膜、MoNb膜、MoW膜、W膜以及Ta膜组成的组中选择出的一种膜或者两种以上的膜的层叠膜、与ITO膜依次层叠后形成的层叠膜作为上部导电膜19’。

[0294] 接着，对上部导电膜19’进行图案化，由此如图14的(a)和图15的(a)所示，形成上部导电层19。具体而言，在源极端子部形成区域形成在接触孔CH_s内与下部连接部3s接触的上部连接部19s；在栅极端子部形成区域形成在接触孔CH_g内与下部连接部3g接触的上部连接部19g；在CS端子部形成区域形成在接触孔CH_c内与下部连接部3c接触的上部连接部19c；在第一传输端子部形成区域形成在开口部17p1内与导电部15p1连接的上部连接部19p1；以及在第二传输端子部形成区域形成在开口部17p2内与下部连接部15p2连接的上部连接部19p2。

[0295] 接着，如图14的(b)和图15的(b)所示，在电介质基板1的几乎整个面形成平坦化膜21’。这里，例如形成厚度为480nm的丙烯酸树脂膜作为平坦化膜21’。通常平坦化膜21’的厚度反映基底的高低差，但这里，将在最宽的区域取得的厚度的值设为平坦化膜21’的厚度。
在该例子中，示出了具有层叠结构的区域中的平坦化膜21’的厚度df(参照图14的(b))，该层叠结构具有栅极绝缘层4、第一绝缘层11以及第二绝缘层17，但不具有导电层。即，在该例子中、平坦化膜21’的厚度df为从上述区域中的、第二绝缘层17的上表面起至平坦化膜21’的上表面为止的、电介质基板1的法线方向上的距离。以下，若没有特别的说明，则相同。关于由平坦化膜21’形成的平坦化层21的厚度也设为相同。这里，以平坦化膜21’的上表面低于贴片电极15的上表面的方式形成平坦化膜21’。因此，平坦化膜21’以至少不与贴片电极
15重叠的方式形成。

[0296] 接着，如图14的(c)和图15的(c)所示，进行平坦化膜21’的图案化，由此形成平坦化层21。这里，用于使用感光性(例如正型)的丙烯酸树脂形成平坦化膜21’，因此不会在平坦化膜21’之上形成抗蚀层，并对平坦化膜21’进行露光和显影，从而能够图案化。这里，不在各端子部形成区域(源极端子部形成区域、栅极端子部形成区域、CS端子部形成区域、第一传输端子部形成区域、以及第二传输端子部形成区域)形成平坦化层21。并不限于图示的例子，各端子部的上部连接部19s、19g、19c、19p1以及19p2从平坦化层21露出即可。

[0297] 也可以在形成平坦化膜21’之后或者对平坦化膜21’进行图案化之后，对平坦化膜21’实施灰化处理。由此能够在形成平坦化膜21’时将附着于贴片电极15上的树脂除去。

[0298] 以上，得到天线单元区域U、源极-栅极连接部SG、源极端子部ST、栅极端子部GT、CS端子部CT、第一传输端子部PT1、以及第二传输端子部PT2。

[0299] 这样，来制造TFT基板101A。

[0300] ＜缝隙基板201的制造方法＞

[0301] 缝隙基板201例如能够通过以下的方法制造。

[0302] 首先，在电介质基板上形成第三绝缘层(厚度：例如为200nm)52。能够使用玻璃基板、树脂基板等、相对于电磁波的透射率高的(介电常数εM和介电损耗tanδM较小)基板作为电介质基板。为了抑制电磁波的衰减，优选电介质基板较薄。例如，也可以在玻璃基板的表面通过后述的工艺形成缝隙电极55等构成要素之后，使玻璃基板从背面侧薄板化。由此，能够将玻璃基板的厚度降低为例如500μm以下。

[0303] 在使用树脂基板作为电介质基板的情况下，既可以将TFT等构成要素直接形成在树脂基板上，也可以使用转印法而形成在树脂基板上。若利用转印法，则例如，在玻璃基板上形成树脂膜(例如聚酰亚胺膜)，并在树脂膜上通过后述的工艺形成构成要素之后，使形成有构成要素的树脂膜与玻璃基板分离。通常，与玻璃相比，树脂的介电常数εM和介电损耗tanδM较小。树脂基板的厚度例如为3μm～300μm。除聚酰亚胺之外，例如也能够使用液晶高分子作为树脂材料。

[0304] 作为第三绝缘层52没有特别地限定，例如能够适当地使用氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧化氮化硅(SiOxNy；x＞y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x＞y)膜等。

[0305] 接着，在第三绝缘层52之上形成金属膜，并对其进行图案化，由此得到具有多个缝隙57的缝隙电极55。可以使用厚度为2μm～5μm的Cu膜(或Al膜)作为金属膜。这里，使用依次层叠Ti(厚度：例如为20nm)和Cu(厚度：例如为3000nm)而成的层叠膜。此外，作为替代，也可以形成依次层叠Ti膜、Cu膜及Ti膜而成的层叠膜。

[0306] 之后，在缝隙电极55上和缝隙57内形成第四绝缘层(厚度：例如为100nm或200nm)58。第四绝缘层58的材料可以与第三绝缘层的材料相同。之后，在非发送接收区域R2中，在第四绝缘层58形成到达缝隙电极55的开口部。

[0307] 接着，在第四绝缘层58上和第四绝缘层58的开口部内形成透明导电膜，并对其进行图案化，由此形成在开口部内与缝隙电极55接触的上部连接部60。由此，得到端子部IT。

[0308] 之后，在第四绝缘层58上和上部连接部60上形成感光性树脂膜，并经由具有规定的图案的开口部的光掩膜，对感光性树脂膜进行露光、显影，形成柱状间隔物PS。感光性树脂既可以为负型也可以为正型。这里，使用丙烯酸树脂膜(厚度：例如为2.7μm)。

[0309] 这样来制造缝隙基板201。

[0310] 此外，在TFT基板具有柱状间隔物PS的情况下，在通过上述的方法制造TFT基板101A之后，在第二绝缘层17上和平坦化层21上形成感光性树脂膜，并通过对感光性树脂膜进行露光、显影，由此形成柱状间隔物PS即可。

[0311] ＜TFT10的材料及结构＞

[0312] 在本实施方式中，使用将半导体层5设为活性层的TFT作为各像素所配置的开关元件。半导体层5并不限于非晶硅层，也可以是多晶硅层、氧化物半导体层。

[0313] 在使用氧化物半导体层的情况下，氧化物半导体层所包含的氧化物半导体既可以是非晶质氧化物半导体，也可以是具有晶质部分的晶质氧化物半导体。能够列举多晶氧化物半导体、微晶氧化物半导体、c轴以与层面大致垂直的方式取向的晶质氧化物半导体等作为晶质氧化物半导体。

[0314] 氧化物半导体层可以具有两层以上的层叠结构。在氧化物半导体层具有层叠结构的情况下，氧化物半导体层可以包含非晶质氧化物半导体层与晶质氧化物半导体层。或者，也可以包含结晶结构不同的多个晶质氧化物半导体层。并且，还可以包含多个非晶质氧化物半导体层。在氧化物半导体层具有包含上层与下层的双层结构的情况下，优选上层所包含的氧化物半导体的能隙大于下层所包含的氧化物半导体的能隙。但是，在上述层的能隙之差比较小的情况下，下层的氧化物半导体的能隙也可以大于上层的氧化物半导体的能隙。

[0315] 非晶质氧化物半导体和上述各晶质氧化物半导体的材料、结构、成膜方法、具有层叠结构的氧化物半导体层的结构等例如在日本特开2014-007399号公报有所记载。为了参考，在本说明书中引用日本特开2014-007399号公报的全部公开内容。

[0316] 氧化物半导体层例如可以包含In、Ga以及Zn中的至少一种金属元素。在本实施方式中，氧化物半导体层例如包含In-Ga-Zn-O系的半导体(例如氧化铟镓锌)。这里，In-Ga-Zn-O系的半导体为In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)三元氧化物，In、Ga以及Zn的比例(组成比)没有特别地限定，例如包含In：Ga：Zn＝2：2：1、In：Ga：Zn＝1：1：1、In：Ga：Zn＝1：1：2等。这种氧化物半导体层能够由包含In-Ga-Zn-O系的半导体的氧化物半导体膜形成。

[0317] In-Ga-Zn-O系的半导体既可以是非晶，也可以是晶质。优选c轴以与层面大致垂直的方式取向的晶质In-Ga-Zn-O系的半导体作为晶质In-Ga-Zn-O系的半导体。

[0318] 此外，晶质In-Ga-Zn-O系的半导体的结晶结构例如在上述的日本特开2014-007399号公报、日本特开2012-134475号公报、及日本特开2014-209727号公报等中公开。为了进行参照，在本说明书中引用日本特开2012-134475号公报和日本特开2014-209727号公报的全部公开内容。具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT具有高移动度(与a-SiTFT相比超20倍)和低漏极流(与a-SiTFT相比不足百分之一)，因此优选用作驱动TFT(例如，设置于非发送接收区域的驱动电路所包含的TFT)和设置于各天线单元区域的TFT。

[0319] 代替In-Ga-Zn-O系半导体，氧化物半导体层也可以包含其他氧化物半导体。例如可以包含In-Sn-Zn-O系半导体(例如In2O3-SnO2-ZnO；InSnZnO)。In-Sn-Zn-O系半导体为In(铟)、Sn(锡)以及Zn(锌)的三元氧化物。或者，氧化物半导体层也可以包含In-Al-Zn-O系半导体、In-Al-Sn-Zn-O系半导体、Zn-O系半导体、In-Zn-O系半导体、Zn-Ti-O系半导体、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Ga-Sn-O系半导体、In-Ga-O系半导体、Zr-In-Zn-O系半导体、Hf-In-Zn-O系半导体、Al-Ga-Zn-O系半导体、以及Ga-Zn-O系半导体等。

[0320] 在图3所示的例子中，TFT10为具有底栅结构的沟道蚀刻型TFT。在“沟道蚀刻型的TFT”中，在沟道区域上没有形成蚀刻停止层，源极和漏极电极的沟道侧的端部下表面以与半导体层的上表面接触的方式配置。沟道蚀刻型的TFT例如在半导体层上形成源极/漏极电极用的导电膜，并通过进行源/漏分离而形成。在源/漏分离工序中，有时沟道区域的表面部分被蚀刻。

[0321] 此外，TFT10也可以是在沟道区域上形成有蚀刻停止层的蚀刻停止层型TFT。在蚀刻停止层型TFT中，源极和漏极电极的沟道侧的端部下表面例如位于蚀刻停止层上。蚀刻停止层型的TFT例如通过在形成覆盖半导体层中成为沟道区域的部分的蚀刻停止层之后，在半导体层和蚀刻停止层上形成源极/漏极电极用的导电膜，进行源/漏分离而形成。

[0322] 另外，对于TFT10而言，源极和漏极电极具有与半导体层的源极/漏极电极上表面接触的顶接触结构，但源极和漏极电极也可以以与半导体层的下表面接触的方式配置(底接触结构)。进一步，TFT10既可以是在半导体层的电介质基板侧具有栅极电极的底栅结构，也可以是在半导体层的上方具有栅极电极的顶栅结构。

[0323] (变形例)

[0324] 参照图16，对本实施方式的变形例的扫描天线1000Aa和扫描天线1000Aa所具备的TFT基板101Aa进行说明。存在对与扫描天线1000A和TFT基板101A共用的结构标注共用的附图标记，并省略说明的情况。

[0325] 图16的(a)是扫描天线1000Aa的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图，图16的(b)是沿着图16的(a)中的A-A’线的TFT基板101Aa的示意性截面图。此外，关于TFT基板101Aa的天线单元区域的其他截面(即H-H’截面)，由于与TFT基板101A相同，因此省略图示和说明。并且，关于TFT基板101Aa的非发送接收区域R2，由于与TFT基板101A相同，因此省略图示和说明。

[0326] 如图16所示，扫描天线1000Aa所具备的TFT基板101Aa在平坦化层21的形状上与扫描天线1000A所具备的TFT基板101A不同。从电介质基板1的法线方向观察时，TFT基板101Aa的平坦化层21形成为与贴片电极15和缝隙57均不重叠。TFT基板101Aa的平坦化层21在各天线单元区域具有开口部21Aa。从电介质基板的法线方向观察时，开口部21Aa与贴片电极15及缝隙57重叠。

[0327] 与扫描天线1000A相比，具备TFT基板101Aa的扫描天线1000Aa能够进一步抑制天线性能的下降。

[0328] TFT基板101Aa根据TFT基板101A的制造方法通过适当地变更平坦化膜21’的图案化形状而制造。

[0329] (第二实施方式)

[0330] 在先前的实施方式中，平坦化层的上表面低于贴片电极的上表面或者平坦化层的上表面与贴片电极的上表面为相同的高度。在本实施方式中，平坦化层的上表面高于贴片电极的上表面。

[0331] 参照图17～图20，对本实施方式的扫描天线1000B和扫描天线1000B所具备的TFT基板101B进行说明。有时对与先前的实施方式共用的结构标注共用的附图标记，并省略说明。

[0332] ＜TFT基板101B的结构(天线单元区域U)＞

[0333] 参照图17的(a)、(b)及图18，对本实施方式的扫描天线1000A的发送接收区域R1的天线单元区域U的结构进行说明。

[0334] 图17的(a)是扫描天线1000B的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图。图17的(b)是扫描天线1000B所具备的TFT基板101B的示意性截面图，是沿着图17的(a)中的A-A’线的TFT基板101B的示意性截面图。图18是扫描天线1000B所具备的液晶面板100B的示意性截面图，示出沿着图17的(a)中的H-H’线的截面。

[0335] 如图3的(a)、图4的(a)及图5的(d)所示，TFT基板101A的平坦化层21的上表面低于贴片电极15的上表面。相对于此，如图17的(a)、(b)及图18所示，TFT基板101B的平坦化层21f的上表面高于贴片电极15的上表面。从电介质基板1的法线方向观察时，平坦化层21f在各天线单元区域U具有贴片电极15和重叠开口部21B。开口部21B从电介质基板1的法线方向观察时与贴片电极15的至少一部分重叠即可。由此，在具备TFT基板101B的扫描天线1000B中，抑制了由于具有平坦化层21f而引起的天线性能的下降。

[0336] 从天线性能的观点来看，优选平坦化层21f以从电介质基板1的法线方向观察时，不与贴片电极15重叠的方式形成，更加优选以与贴片电极15及缝隙57均不重叠的方式形成。但是，若增大平坦化层21f所具有的开口部的形状，则削减液晶层LC的体积这一效果变小。

[0337] 从天线性能的观点来看，平坦化层21f的上表面的高度与贴片电极15的上表面的高度之差例如优选为500nm以下。平坦化层f21的上表面的高度与贴片电极15的上表面的高度之差例如优选为贴片电极15与缝隙电极55之间的液晶层LC的厚度dl(参照图1)的23％以下。

[0338] 如图17的(a)和图18所示，从电介质基板1的法线方向观察时，TFT基板101B的平坦化层21f在天线单元区域U还具有柱状间隔物PS和重叠开口部21Bs。平坦化层21f以从电介质基板1的法线方向观察时，不与柱状间隔物PS重叠的方式形成。由此，得到如下优点：能够以高精度控制贴片电极15与缝隙电极55之间的液晶层LC的厚度dl(参照图1)。在该例子中，贴片电极15与缝隙电极55之间的液晶层LC的厚度dl是因为仅由柱状间隔物PS的高度规定。即，不受平坦化层21f的厚度的偏差的影响。柱状间隔物PS的高度相当于柱状间隔物PS所规定的液晶层LC的厚度dp(参照图18)，为与扫描天线1000A的柱状间隔物PS的高度(参照图5的(d))相同。

[0339] 此外，能够省略开口部21Bs(例如参照图23和图24所示的变形例)。在不设置开口部21Bs的情况下，以贴片电极15与缝隙电极55之间的液晶层LC的厚度dl的精度的控制的观点来看，会变差。在省略了开口部21Bs的情况下，贴片电极15与缝隙电极55之间的液晶层LC的厚度dl是由柱状间隔物的高度与平坦化层21f的厚度决定。但是，通过省略开口部21Bs，如下优点被扩大：削减液晶层LC的体积和削减柱状间隔物PS的材料。

[0340] ＜TFT基板101B的结构(非发送接收区域R2)＞

[0341] 参照图19和图20，对TFT基板101B的非发送接收区域R2的结构进行说明。图19的(a)～(d)以及图20是TFT基板101B的非发送接收区域R2的示意性截面图。TFT基板101B的非发送接收区域R2的俯视图与图3的(b)和(c)所示的TFT基板101A的俯视图相同，因此参照图3的(b)和(c)进行说明。

[0342] 图19的(a)示出沿着图3的(b)中的B-B’线的第一传输端子部PT1的截面，图19的(b)示出沿着图3(c)中的C-C’线的源极-栅极连接部SG的截面，图19的(c)示出沿着图3的(b)中的F-F’线的第一传输端子部PT1的截面，图19的(d)示出沿着图3的(c)中的G-G’线的源极-栅极连接部SG的截面，图20示出沿着图3的(c)中的I-I’线的源极-栅极连接部SG和源极端子部ST的截面。此外，关于TFT基板101B的其他截，由于与TFT基板101A相同，因此省略图示和说明。

[0343] 如图19的(a)～(d)及图20所示，TFT基板101B的非发送接收区域R2的结构在平坦化层21f的厚度(或者上表面的高度)上与TFT基板101A不同。即，平坦化层21f的厚度大于TFT基板101A的平坦化层21的厚度。平坦化层21f的上表面高于FT基板101A的平坦化层21的上表面。

[0344] ＜TFT基板101B的制造方法＞

[0345] 参照图21和图22，对TFT基板101B的制造方法进行说明。

[0346] 图21的(a)、(b)和图22的(a)、(b)是用于说明TFT基板101B的制造方法的示意性截面图。在上述图的每一个示出与图4的(a)、图4的(b)、图4的(e)、图4的(c)、图4的(d)、图5的(b)、以及图5的(d)对应的截面(TFT基板101A的A-A’截面、B-B’截面、E-E’截面、C-C’截面、D-D’截面、G-G’截面、以及H-H’截面)。以下，参照图8～图15主要对与进行说明的TFT基板101A的制造方法不同的方面，

[0347] 首先，如图8的(a)～(g)、图9的(a)～(g)、图10的(a)～(d)、图11的(a)～(d)、图12的(a)～(d)、图13的(a)～(d)、图14的(a)以及图15的(a)所示，在电介质基板1上形成栅极金属层3、栅极绝缘层4、岛状的半导体层5、接触层6S、6D、源极金属层7、第一绝缘层11、下部导电层13、贴片金属层15l、第二绝缘层17、以及上部导电层19。

[0348] 接着，如图21的(a)和图22的(a)所示，在电介质基板1的几乎整个面形成平坦化膜21f’。这里，例如形成厚度df(参照图21的(a))为1000nm的丙烯酸树脂膜作为平坦化膜
21f’。这里，以平坦化膜21f’的上表面高于贴片电极15的上表面的方式形成平坦化膜21f’。
平坦化膜21f’以覆盖第二绝缘层17和上部导电层19的方式形成。

[0349] 接着，如图21的(b)和图22的(b)所示，通过进行平坦化膜21f’的图案化，由此形成平坦化层21f。这里，不在各端子部形成区域(源极端子部形成区域、栅极端子部形成区域、CS端子部形成区域、第一传输端子部形成区域、以及第二传输端子部形成区域)形成平坦化层21f。并且，在天线单元形成区域中，形成贴片电极15与重叠开口部21B、和凸部15h与重叠开口部21Bs。通过形成开口部21B，由此形成与贴片电极15的至少一部分不重叠的平坦化层21f。

[0350] 综上，得到天线单元区域U、源极-栅极连接部SG、源极端子部ST、栅极端子部GT、CS端子部CT、第一传输端子部PT1、以及第二传输端子部PT2。

[0351] 像这样来制造TFT基板101B。

[0352] (变形例)

[0353] 参照图23和图24对本实施方式的变形例的扫描天线1000Ba和扫描天线1000Ba所具备的TFT基板101Ba和缝隙基板201a进行说明。存在对与扫描天线1000B、TFT基板101B以及缝隙基板201共用的结构标注共用的附图标记，并省略说明的情况。

[0354] 图23的(a)是扫描天线1000Ba的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图。图23的(b)是扫描天线1000Ba所具备的TFT基板101Ba的示意性截面图，是沿着图23(a)中的A-A’线的TFT基板101Ba的示意性截面图。图24是扫描天线1000Ba所具备的液晶面板100Ba的示意性截面图，示出沿着图23的(a)中的H-H’线的截面。此外，关于TFT基板101Ba的非发送接收区域R2，由于与TFT基板101B相同，因此省略图示和说明。

[0355] 如图23和图24所示，扫描天线1000Ba所具备的TFT基板101Ba在平坦化层21f的图案化形状上与扫描天线1000B所具备的TFT基板101B不同。

[0356] 如图23的(a)和图23的(b)所示，TFT基板101Ba的平坦化层21f以从电介质基板1的法线方向观察时，不与贴片电极15重叠的方式形成。从电介质基板1的法线方向观察时，TFT基板101Ba的平坦化层21f在各天线单元区域U中具有全部贴片电极15和重叠开口部21Ba。与扫描天线1000B相比，具备TFT基板101Ba的扫描天线1000Ba进一步抑制天线性能的下降。

[0357] 另外，如图23的(a)和图24所示，TFT基板101Ba的平坦化层21f在天线单元区域U中不具有柱状间隔物PS和重叠开口部。即，平坦化层21f以从电介质基板1的法线方向观察时与柱状间隔物PS重叠的方式形成。由此，柱状间隔物PS所规定的液晶层LC的厚度dp(参照图24)小于TFT基板101B(参照图18)。因此，与扫描天线1000B相比，具备TFT基板101Ba的扫描天线1000Ba的削减液晶层LC的体积和削减柱状间隔物PS的材料的这一效果较好。并且，TFT基板101Ba在不具有凸部15h的这一点上也与TFT基板101B不同，但在扫描天线1000Ba中，即使省略凸部15h，也能够得到削减液晶层LC的体积和削减柱状间隔物PS的材料这样的优点。

[0358] TFT基板101Ba能够根据TFT基板101B的制造方法通过对贴片用导电膜15l’和平坦化膜21f’的图案化形状适当地进行变更而制造。

[0359] 缝隙基板201a能够根据缝隙基板201的制造方法通过适当地对用于形成柱状间隔物的感光性树脂膜的厚度进行调整而制造。

[0360] (第三实施方式)

[0361] 本实施方式具有如下特征：平坦化层的开口部的侧面锥角较小。

[0362] 参照图25～图27，对本实施方式的扫描天线1000C和扫描天线1000C所具备的TFT基板101C进行说明。有时对与先前的实施方式共用的结构标注共用的附图标记，并省略说明。

[0363] ＜TFT基板101C的结构(天线单元区域U)＞

[0364] 参照图25的(a)、(b)以及图26，对本实施方式的扫描天线1000A的发送接收区域R1的天线单元区域U的结构进行说明。

[0365] 图25的(a)是扫描天线1000C的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图。图25的(b)是扫描天线1000C所具备的TFT基板101C的示意性截面图，是沿着图25的(a)中的A-A’线的TFT基板101C的示意性截面图。图26是扫描天线1000C所具备的液晶面板100C的示意性截面图，示出沿着图25的(a)中的H-H’线的截面。

[0366] 如图25的(a)、(b)及图26所示，从电介质基板1的法线方向观察时，平坦化层21f在各天线单元区域U具有与贴片电极15及缝隙57均不重叠的开口部21C。从电介质基板1的法线方向观察时，平坦化层21f以与贴片电极15及缝隙57均不重叠的方式形成。开口部21C在侧面的锥角较小的方面和平面形状上与TFT基板101B的平坦化层21f所具有的开口部21B不同。开口部21C的侧面的锥角例如优选为70°以下。开口部21C的平面形状优选为圆形或椭圆形。具备TFT基板101C的扫描天线1000C具有平坦化层21f，平坦化层21f具有开口部21C，由此与具备TFT基板101B的扫描天线1000B相比，能够有效地抑制天线性能的下降。

[0367] 对在扫描天线1000C中，抑制天线性能的下降的理由进行说明。

[0368] 在扫描天线1000B中，有时没有充分抑制天线性能的下降。尤其影响天线性能的是在贴片电极15和缝隙57附近的液晶分子的取向状态。液晶分子的取向例如受到TFT基板的液晶层侧的表面形状(例如高低差)的影响。平坦化层21f的厚度越大(即平坦化层21f的上表面越高)，通过设置开口部而形成的、TFT基板的液晶层LC侧的表面的高低差越大。扫描天线1000B所具有的TFT基板101B的平坦化层21f具有与贴片电极15的至少一部分重叠的开口部21B，因此在贴片电极15和缝隙57附近的液晶分子的取向易受到由开口部21B形成的高低差的影响。由此，存在天线性能不充分的情况。

[0369] 相对于此，扫描天线1000C所具有的TFT基板101C的平坦化层21f的开口部21C的侧面的锥角例如为70°以下且较小，因此对液晶分子的取向的影响较小。因此，与扫描天线1000B相比，在扫描天线1000C中，抑制了天线性能的下降。

[0370] 另外，扫描天线1000C所具有的TFT基板101C的平坦化层21f的开口部21C的平面形状为圆形或者椭圆形，因此与开口部21B的平面形状为矩形的扫描天线1000B相比，能够降低对液晶分子的取向的影响。

[0371] 此外，图25的(a)的俯视图中的开口部21C的边缘示出开口部21C的侧面的下端(电介质基板1侧)的边缘。关于其他俯视图和开口部，只要没有特别地说明，为同样的。“平坦化层21f以从电介质基板1的法线方向观察时，与贴片电极15和缝隙57均不重叠的方式形成”是指从电介质基板1的法线方向观察时的开口部21C的最内侧的边缘与贴片电极15及缝隙57均不重叠。例如，在开口部21C的侧面的锥角为不足90°的情况下(即在开口部21C具有正锥形侧面的情况下)，开口部21C的侧面的下端(电介质基板1侧)的边缘为从电介质基板1的法线方向观察时的开口部21C的最内侧的边缘。

[0372] 如图25的(a)和图26所示，从电介质基板1的法线方向观察时，TFT基板101C的平坦化层21f在天线单元区域U中还具有柱状间隔物PS和重叠开口部21Cs。平坦化层21f以从电介质基板1的法线方向观察时，不与柱状间隔物PS重叠的方式形成。柱状间隔物PS的高度相当于柱状间隔物PS所规定的液晶层LC的厚度dp(参照图26)，为与扫描天线1000A的柱状间隔物PS的高度(参照图5的(d))相同。开口部21Cs的侧面的锥角也可以为70°以下。而在柱状间隔物PS以充分远离贴片电极15的方式配置的情况下，即使开口部21Cs的侧面的锥角超过70°，对天线性能的影响也较小。

[0373] ＜TFT基板101C的结构(非发送接收区域R2)＞

[0374] 参照图27，对TFT基板101C的非发送接收区域R2的结构进行说明。图27的(a)和(b)是TFT基板101C的非发送接收区域R2的示意性截面图。TFT基板101C的非发送接收区域R2的俯视图与图3的(b)和(c)所示的TFT基板101A的俯视图相同，因此参照图3的(b)和(c)进行说明。

[0375] 图27的(a)示出沿着图3的(b)中的B-B’线的第一传输端子部PT1的截面，图27的(c)示出沿着图3的(b)中的F-F’线的第一传输端子部PT1的截面。此外，关于TFT基板101C的其他截面，由于与TFT基板101B相同，因此省略图示和说明。

[0376] 如图27的(a)和(b)所示，TFT基板101C的非发送接收区域R2的结构在平坦化层21f的侧面的锥角较小的点上与TFT基板101B不同。

[0377] TFT基板101C根据TFT基板101B的制造方法通过适当地对平坦化膜21f’的图案化形状和侧面的锥角进行变更而制造。

[0378] (变形例)

[0379] 参照图28，对本实施方式的变形例的扫描天线1000Ca与扫描天线1000Ca所具备的TFT基板101Ca和缝隙基板201a进行说明。存在对与扫描天线1000C和TFT基板101C共用的结构标注共用的附图标记，并省略说明的情况。缝隙基板201a具有与扫描天线1000Ba所具有的缝隙基板201a同样的结构。

[0380] 图28的(a)是扫描天线1000Ca的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图。图28的(b)是扫描天线1000Ca所具备的液晶面板100Ca的示意性截面图，示出沿着图28的(a)中的H-H’线的截面。此外，关于TFT基板101Ca的天线单元区域的其他截面(即A-A’截面)，由于与TFT基板101C相同，因此省略图示和说明。并且，关于TFT基板101Ca的非发送接收区域R2，由于与TFT基板101C相同，因此省略图示和说明。

[0381] 如图28的(a)和(b)所示，TFT基板101Ca的平坦化层21f在天线单元区域U不具有柱状间隔物PS和重叠开口部的点上与TFT基板101C不同。由此，柱状间隔物PS所规定的液晶层LC的厚度dp(参照图28的(b))小于TFT基板101C(参照图26)。因此，与扫描天线1000C相比，对于具备TFT基板101Ca的扫描天线1000Ca而言，削减液晶层LC的体积和削减柱状间隔物PS的材料这一效果较好。并且，虽然在TFT基板101Ca不具有凸部15h的这一点上也与TFT基板101C不同，但在扫描天线1000Ca中，即使省略凸部15h，也得到如下优点：削减液晶层LC的体积和削减柱状间隔物PS的材料。

[0382] TFT基板101Ca根据TFT基板101C的制造方法通过适当地对贴片用导电膜15l’和平坦化膜21f’的图案化形状进行变更而制造。

[0383] (第四实施方式)

[0384] 在本实施方式中，包含TFT的栅极电极的栅极金属层、与包含TFT的源极电极的源极金属层的配置关系与先前的实施方式不同。并且，在贴片电极包含于栅极金属层的这一点上也与先前的实施方式不同。本实施方式能够适用于先前的任何实施方式。

[0385] 参照图29～图31，对本实施方式的扫描天线1000D和扫描天线1000D所具备的TFT基板101D进行说明。对与先前的实施方式共用的结构标注共用的附图标记，并省略说明。

[0386] ＜TFT基板101D的结构(天线单元区域U)＞

[0387] 参照图29的(a)、图30的(a)以及图31的(d)，对本实施方式的扫描天线1000D的发送接收区域R1的天线单元区域U的结构进行说明。

[0388] 图29的(a)是扫描天线1000D的发送接收区域R1的天线单元区域U的示意性俯视图。图30的(a)是扫描天线1000D所具备的TFT基板101D的示意性截面图，是沿着图29的(a)中的A-A’线的TFT基板101D的示意性截面图。图31的(d)是扫描天线1000D所具备的液晶面板100D的示意性截面图，示出沿着图29的(a)中的H-H’线的截面。

[0389] 如图29的(a)、图30的(a)以及图31的(d)所示，TFT基板101D具有：电介质基板1；多个天线单元区域U，它们排列在电介质基板1上，并分别具有TFT10、和与TFT10的漏极电极7D电连接的贴片电极15；以及平坦化层21f，其在电介质基板1上，在比包含贴片电极15的层(这里为栅极金属层3)靠上侧，由树脂形成。

[0390] TFT基板101D具有平坦化层21f，由此能够削减具有TFT基板101D的扫描天线1000D的液晶层LC的体积。由于能够削减液晶材料，因此降低了扫描天线1000D的成本。

[0391] TFT基板101D的平坦化层21f的上表面高于贴片电极15的上表面。从电介质基板1的法线方向观察时，平坦化层21f在各天线单元区域U中具有贴片电极15、缝隙57及重叠开口部21D。这里，从电介质基板1的法线方向观察时，平坦化层21f以与贴片电极15及缝隙57均不重叠的方式形成。由此，在具备TFT基板101D的扫描天线1000D中，抑制了由于具有平坦化层21f而引起的天线性能的下降。

[0392] TFT基板101D的平坦化层21f所具有的开口部并不限于图示的例子，如先前的实施方式所示那样，既可以具有锥角为70°以下的侧面，也可以平面形状为圆形或椭圆形。TFT基板101D所具有的平坦化层的上表面可以低于贴片电极15的上表面。

[0393] 更加详细地对TFT基板101D的天线单元区域U的结构进行说明。

[0394] 如图29的(a)、图30的(a)及图31的(d)所示，TFT基板101D具有：由电介质基板1支撑的半导体层5；形成在半导体层5上的源极金属层7；形成在源极金属层7上的栅极金属层3；形成在半导体层5与栅极金属层3之间的栅极绝缘层4、形成在栅极金属层3上的第一绝缘层11、形成在第一绝缘层11上的上部导电层19、以及形成在上部导电层19上的平坦化层
21f。

[0395] TFT基板101D在电介质基板1与半导体层5之间还具有基底绝缘层20。基底绝缘层20例如可以形成于电介质基板1的整个面。此外，能够省略基底绝缘层20。

[0396] TFT基板101D的TFT10在具有顶栅结构的这一点上与先前的实施方式(例如图3的TFT基板101A)不同。在TFT基板101D的TFT10中，栅极电极3G经由栅极绝缘层4配置在半导体层5上。

[0397] 源极金属层7包含TFT10的源极电极7S及漏极电极7D、源极总线SL、辅助电容电极7C、以及与漏极电极7D电连接的连接部7a1。在该例子中，连接部7a1从辅助电容电极7C延伸设置。

[0398] 栅极绝缘层4具有到达连接部7a1的开口部4a1。

[0399] 栅极金属层3包含TFT10的栅极电极3G、栅极总线GL、辅助电容相对电极3C、CS总线CL、贴片电极15、以及凸部3h。

[0400] 从电介质基板1的法线方向观察时，第一绝缘层11具有：与形成于栅极绝缘层4的开口部4a1重叠的开口部11a1；和到达从贴片电极15延伸设置的连接部3a2的开口部11a2。形成于栅极绝缘层4的开口部4a1和形成于第一绝缘层11的开口部11a1构成接触孔CH_a1。
有时将形成于第一绝缘层11的开口部11a2称为接触孔CH_a2。

[0401] 上部导电层19包含贴片漏极连接部19a。贴片漏极连接部19a在第一绝缘层11上，形成在接触孔CH_a1内和接触孔CH_a2内，并在接触孔CH_a1内与连接部7a1连接，在接触孔CH_a2内与连接部3a2连接。这里，贴片漏极连接部19a在形成于栅极绝缘层4的开口部4a1内与连接部7a1接触，在形成于第一绝缘层11的开口部11a2内与连接部3a2接触。

[0402] TFT基板101D的贴片电极15包含于栅极金属层3(即，由与栅极电极3G相同的导电膜形成)。由此，削减了TFT基板101D的制造成本。例如，降低了TFT基板101D的制造工序数量(例如光掩膜数量)。

[0403] 如图29的(a)和图31的(d)所示，从电介质基板1的法线方向观察时，TFT基板101D的平坦化层21f在天线单元区域U中还具有柱状间隔物PS和重叠开口部21Ds。柱状间隔物PS的高度相当于柱状间隔物PS所规定的液晶层LC的厚度dp(参照图31的(d))。

[0404] 从电介质基板1和51的法线方向观察时，TFT基板101D在多个天线单元区域U的每一个中，具有柱状间隔物PS和重叠凸部3h。这里，凸部3h包含于栅极金属层3。即，凸部3h由与贴片电极15相同的层形成。

[0405] ＜TFT基板101D的结构(非发送接收区域R2)＞

[0406] 参照图29～图31，对TFT基板101D的非发送接收区域R2的结构进行说明。

[0407] 图29的(b)和(c)是TFT基板101D的非发送接收区域R2的示意性俯视图，图30的(b)～(e)及图31的(a)～(c)是TFT基板101D的非发送接收区域R2的示意性截面图。

[0408] 图29的(b)示出设置于非发送接收区域R2的栅极端子部GT、CS端子部CT、传输端子部PT、源极-栅极连接部SG、第一源极-CS连接部SC1、以及第二源极-CS连接部SC2，图29的(c)示出了设置于非发送接收区域R2的源极端子部ST。

[0409] 图30的(b)表示沿着图29的(b)中的B-B’线的源极-栅极连接部SG的截面，图30的(c)表示沿着图29的(b)中的C-C’线的栅极端子部GT的截面，图30的(d)表示沿着图29的(c)中的D-D’线的源极端子部ST的截面，图30的(e)表示沿着图29的(b)中的E-E’线的第二传输端子部PT2的截面，图31的(a)表示沿着图23的(b)中的F-F’线的第一传输端子部PT1的截面，图31的(b)表示沿着图29的(b)中的G-G’线的源极-栅极连接部SG的截面，图31的(c)表示沿着图29的(b)中的I-I’线的源极-栅极连接部SG的截面。

[0410] ·源极-栅极连接部SG

[0411] 如图29的(b)所示，TFT基板101D在非发送接收区域R2具有源极-栅极连接部SG。源极-栅极连接部SG通常设置于每个栅极总线GL。源极-栅极连接部SG与将各栅极总线GL形成在源极金属层7内的连接配线(有时称为“栅极下部连接配线”。)电连接。通过设置源极-栅极连接部SG，由此能够由源极金属层7形成栅极端子部GT的下部连接部。具有由源极金属层7形成的下部连接部的栅极端子部GT的可靠性优异。详细内容后文叙述。

[0412] 如图29的(b)、图30的(b)、图31的(b)以及图31的(c)所示，源极-栅极连接部SG经由栅极上部连接部19sg(有时也简称为“上部连接部19sg”。)将栅极总线GL与栅极下部连接配线7sgG(有时也简称为“下部连接配线7sgG”。)电连接。

[0413] 具体而言，源极-栅极连接部SG具有栅极下部连接配线7sgG、形成于栅极绝缘层4的开口部4sgA、与栅极总线GL连接的栅极总线连接部3sgG、形成于第一绝缘层11的开口部11sgA以开口部11sgB、以及栅极上部连接部19sg。以覆盖源极-栅极连接部SG上的方式形成有平坦化层21f。

[0414] 栅极下部连接配线7sgG包含于源极金属层7，并与源极总线SL电分离。

[0415] 形成于栅极绝缘层4的开口部4sgA到达栅极下部连接配线7sgG。

[0416] 栅极总线连接部3sgG包含于栅极金属层3，并与栅极总线GL连接。在该例子中，栅极总线连接部3sgG从栅极总线GL延伸设置，并与栅极总线GL一体地形成。栅极总线连接部3sgG的宽度可以比栅极总线GL的宽度大。

[0417] 从介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11sgA与形成于电栅极绝缘层4的开口部4sgA重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4sgA和形成于第一绝缘层11的开口部11sgA构成接触孔CH_sgA。

[0418] 形成于第一绝缘层11的开口部11sgB到达栅极总线连接部3sgG。有时将形成于第一绝缘层11的开口部11sgB也称为接触孔CH_sgB。

[0419] 栅极上部连接部19sg包含于导电层19。栅极上部连接部19sg形成在第一绝缘层11上、接触孔CH_sgA内以及接触孔CH_sgB内，并在接触孔CH_sgA内与栅极下部连接配线7sgG连接，在接触孔CH_sgB内与栅极总线连接部3sgG连接。即，栅极上部连接部19sg在形成于栅极绝缘层4的开口部4sgA内与栅极下部连接配线7sgG接触，在形成于第一绝缘层11的开口部11sgB内与栅极总线连接部3sgG接触。

[0420] 在图示的例子中，接触孔CH_sgB形成在远离接触孔CH_sgA的位置。本实施方式并不限于此，接触孔CH_sgA与接触孔CH_sgB也可以连续(即，也可以形成为单个的接触孔)。接触孔CH_sgA和接触孔CH_sgB可以通过相同的工序形成为单个接触孔。具体而言，也可以将到达栅极下部连接配线7sgG和栅极总线连接部3sgG的单个的接触孔形成于栅极绝缘层4和第一绝缘层11，在该接触孔内和第一绝缘层11上形成栅极上部连接部19sg。

[0421] 在图示的例子中，源极-栅极连接部SG设置于密封区域Rs的内侧(液晶层侧)。本实施方式并不限于此，源极-栅极连接部SG也可以设置于密封区域Rs的外侧(没有液晶层的一侧)。

[0422] ·栅极端子部GT

[0423] 如图29的(b)所示，TFT基板101D在非发送接收区域R2具有栅极端子部GT。栅极端子部GT通常与各栅极总线GL对应设置。这里，与各栅极总线GL对应地，设置有栅极端子部GT和源极-栅极连接部SG。

[0424] 如图29的(b)和图30的(c)所示，栅极端子部GT具有：栅极端子用下部连接部7g(有时也简称为“下部连接部7”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4g；形成于第一绝缘层11的开口部11g；以及栅极端子用上部连接部19g(有时也简称为“上部连接部19g”。)。

[0425] 下部连接部7g包含于源极金属层7。下部连接部7g与形成于源极-栅极连接部SG的栅极下部连接配线7sgG连接。在该例子中，下部连接部7g从栅极下部连接配线7sgG延伸设置，并与栅极下部连接配线7sgG一体地形成。

[0426] 形成于栅极绝缘层4的开口部4g到达下部连接部7g。

[0427] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11g与形成于栅极绝缘层4的开口部4g重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4g和形成于第一绝缘层11的开口部11g构成接触孔CH_g。

[0428] 上部连接部19g包含于上部导电层19。上部连接部19g形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_g内，并在接触孔CH_g内与下部连接部7g连接。即，上部连接部19g在形成于栅极绝缘层4的开口部4g内与下部连接部7g接触。

[0429] 从电介质基板1的法线方向观察时，上部连接部19g的全部也可以与下部连接部7g重叠。

[0430] 栅极端子部GT不包含栅极金属层3所包含的导电部。

[0431] 栅极端子部GT具有源极金属层7所包含的下部连接部7g，因此具有优异的可靠性。在端子部、尤其在设置于比密封区域Rs靠外侧(与液晶层相反一侧)的端子部，有时由于大气中的水分(能够包含杂质。)而引起腐蚀。大气中的水分从到达下部连接部的接触孔侵入，并到达下部连接部，从而能够在下部连接部产生腐蚀。从抑制发生腐蚀的观点来看，优选到达下部连接部的接触孔较深。即，优选形成有构成接触孔的开口部的绝缘层的厚度较大。

[0432] 在TFT基板101D的栅极端子部GT中，由于下部连接部7g包含于源极金属层7，因此到达下部连接部7g的接触孔CH_g具有形成于栅极绝缘层4的开口部4g和形成于第一绝缘层11的开口部11g。接触孔CH_g的深度为栅极绝缘层4的厚度与第一绝缘层11的厚度之和。相对于此，例如在下部连接部包含于栅极金属层3的情况下，到达下部连接部的接触孔仅具有形成于第一绝缘层11的开口部，其深度为第一绝缘层11的厚度，且小于接触孔CH_g的深度。
这里，接触孔的深度和绝缘层的厚度分别是指电介质基板1的法线方向上的深度和厚度。对于其他接触孔和绝缘层，只要没有特别地说明，也是同样的。这样，下部连接部7g包含于源极金属层7，因此例如与下部连接部包含于栅极金属层3的情况相比，TFT基板101D的栅极端子部GT具有优异的可靠性。

[0433] 若端子部的上部连接部的厚度较大(即上部导电层19的厚度较大)，则抑制了在下部连接部产生腐蚀。为了有效地抑制在下部连接部产生腐蚀，如上述那样，导电层19可以具有包含第一导电层和第二导电层的层叠结构，其中，第一导电层包含该层叠结构透明导电层(例如ITO层)，第二导电层形成在第一导电层之下，并由从由Ti层、MoNbNi层、MoNb层、MoW层、W层以及Ta层构成的组中选择出的一种层或者两种以上的层的叠层形成。为了更加有效地抑制在下部连接部产生腐蚀，也可以将第二导电层的厚度例如设为超过100nm。

[0434] ·源极端子部ST

[0435] 如图29的(c)所示，TFT基板101D在非发送接收区域R2具有源极端子部ST。如图29的(c)和图30的(d)所示，源极端子部ST能够具有与栅极端子部GT同样的结构。源极端子部ST通常设置于每个源极总线。

[0436] 源极端子部ST具有：源极端子用下部连接部7s(有时也简称为“下部连接部7s”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4s、形成于第一绝缘层11的开口部11s、以及源极端子用上部连接部19s(有时也简称为“上部连接部19s”。)。

[0437] 下部连接部7s包含于源极金属层7，并与源极总线SL连接。在该例子中，下部连接部7s从源极总线SL延伸设置，并与源极总线SL一体地形成。

[0438] 形成于栅极绝缘层4的开口部4s到达下部连接部7s。

[0439] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11s与形成于栅极绝缘层4的开口部4s重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4s和形成于第一绝缘层11的开口部11s构成接触孔CH_s。

[0440] 上部连接部19s包含于上部导电层19。上部连接部19s形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_s内，并在接触孔CH_s内与下部连接部7s连接。即，上部连接部19s在形成于栅极绝缘层4的开口部4s内与下部连接部7s接触。

[0441] 从电介质基板1的法线方向观察时，上部连接部19s的全部也可以与下部连接部7s重叠。

[0442] 源极端子部ST不包含栅极金属层3所包含的导电部。

[0443] 源极端子部ST具有源极金属层7所包含的下部连接部7s，因此与栅极端子部GT同样地，具有优异的可靠性。如上述那样，为了通过源极金属层7形成栅极端子部GT的下部连接部，对各栅极端子部GT，设置有将栅极金属层3与源极金属层7连接的源极-栅极连接部SG。相对于此，对于源极端子部ST，不需要设置这种连接部。

[0444] 第一传输端子部PT1

[0445] 如图29的(b)所示，TFT基板101D在非发送接收区域R2具有第一传输端子部PT1。第一传输端子部PT1在这里设置于密封区域Rs内(即，第一传输端子部PT1以包围液晶层的方式设置于密封部)。

[0446] 如图29的(b)和图31的(a)所示，第一传输端子部PT1具有：第一传输端子用下部连接部3p1(有时也简称为“下部连接部3p1”。)、形成于第一绝缘层11的开口部11p1、以及第一传输端子用上部连接部19p1(有时也简称为“上部连接部19p1”。)。

[0447] 下部连接部3p1包含于栅极金属层3，并与CS总线CL电连接。下部连接部3p1在该例子中与CS总线一体地形成。下部连接部3p1与栅极总线GL电分离。

[0448] 形成于第一绝缘层11的开口部11p1到达下部连接部3p1。有时将形成于第一绝缘层11的开口部11p1称为接触孔CH_p1。

[0449] 上部连接部19p1包含于上部导电层19。上部连接部19p1形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_p1内，并在接触孔CH_p1内与下部连接部3p1连接。即，上部连接部19p1在形成于第一绝缘层11的开口部11p1内与下部连接部3p1接触。上部连接部19p1例如通过包含导电性粒子的密封材料而与缝隙基板侧的传输端子用连接部连接。

[0450] 下部连接部3p1中的、通过开口部11p1露出的部分由上部连接部19p1覆盖。

[0451] 在该例子中，下部连接部3p1配置在相互邻接的两个栅极总线GL之间。以夹着栅极总线GL的方式配置的两个下部连接部3p1也可以经由导电连接部(未图示)电气连接。导电连接部可以由源极金属层7形成。

[0452] 此外，这里，下部连接部3p1通过一个接触孔CH_p1而与上部连接部19p1连接，但相对于一个下部连接部3p1，也可以设置多个接触孔。

[0453] ·CS端子部CT、第一源极-CS连接部SC1

[0454] 如图29的(b)所示，TFT基板101D在非发送接收区域R2具有CS端子部CT和第一源极-CS连接部SC1。CS端子部CT例如与各CS总线CL对应设置。第一源极-CS连接部SC1在这里与CS端子部CT对应设置。例如、与各CS总线CL对应地，设置有CS端子部CT和第一源极-CS连接部SC1。通过设置第一源极-CS连接部SC1，由此能够由源极金属层7形成CS端子部CT的下部连接部。具有由源极金属层7形成的下部连接部的CS端子部CT的可靠性优异。

[0455] 虽然省略的CS端子部CT的截面结构的图示，但如图29的(b)所示，这里，具有与栅极端子部GT同样的结构。

[0456] CS端子部CT具有：CS端子用下部连接部7c(有时也简称为“下部连接部7c”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4c、形成于第一绝缘层11的开口部11c、以及CS端子用上部连接部19c(有时也简称为“上部连接部19c”。)。

[0457] 下部连接部7c包含于源极金属层7，并与CS总线CL电气连接。下部连接部7c与形成于第一源极-CS连接部SC1的CS下部连接配线7sc1连接。在该例子中，下部连接部7c从CS下部连接配线7sc1延伸设置，并与CS下部连接配线7sc1一体地形成。

[0458] 形成于栅极绝缘层4的开口部4c到达下部连接部7c。

[0459] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11c与形成于栅极绝缘层4的开口部4c重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4c和形成于第一绝缘层11的开口部11c构成接触孔CH_c。

[0460] 上部连接部19c包含于上部导电层19。上部连接部19c形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_c内，并在接触孔CH_c内与下部连接部7c连接。即，上部连接部19c在形成于栅极绝缘层4的开口部4c内与下部连接部7c接触。

[0461] 从电介质基板1的法线方向观察时，上部连接部19c的全部也可以与下部连接部7c重叠。

[0462] CS端子部CT不包含栅极金属层3所包含的导电部。

[0463] CS端子部CT具有源极金属层7所包含的下部连接部7c，因此与栅极端子部GT同样地，具有优异的可靠性。

[0464] 第一源极-CS连接部SC1在该例子中具有与沿着图29的(b)中的G-G’线的源极-栅极连接部SG的截面(参照图31(b))相同的结构。省略第一源极-CS连接部SC1的截面结构的图示。

[0465] 第一源极-CS连接部SC1具有：CS下部连接配线7sc1(有时也简称为“下部连接配线7sc1”。)、形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1、形成于第一绝缘层11的开口部11sc1、以及CS上部连接部19sc1。

[0466] CS下部连接配线7sc1包含于源极金属层7，并与源极总线SL电分离。

[0467] 形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1到达CS下部连接配线7sc1。

[0468] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11sc1与形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1充叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1与形成于第一绝缘层11的开口部11sc1构成接触孔CH_sc1。

[0469] CS上部连接部19sc1包含于导电层19。CS上部连接部19sc1形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_sc1内，并在接触孔CH_sc1内与CS下部连接配线7sc1连接。即，CS上部连接部19sc1在形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1内与CS下部连接配线7sc1接触。

[0470] 在该例子中，CS上部连接部19sc1从形成于第一传输端子部PT1的第一传输端子用上部连接部19p1延伸设置，并与上部连接部19p1一体地形成。在第一传输端子部PT1中，上部连接部19p1和与CS总线CL一体地形成的下部连接部3p1连接。这样，CS端子部CT的下部连接部7c与CS总线电连接。

[0471] CS上部连接部19sc1由与各端子部的上部连接部相同的导电膜形成。由此，能够使用五张光掩膜制作TFT基板101D。通过设置第一源极-CS连接部SC1，由此能够由源极金属层7形成CS端子部CT的下部连接部。由此，TFT基板101D的CS端子部CT具有优异的可靠性。

[0472] 在图示的例子中，TFT基板101D与各CS总线对应地具有CS端子部CT，但如上述那样，本实施方式并不限于此。本实施方式的TFT基板也可以与多个CS总线对应地具有一个CS端子部CT。

[0473] ·第二传输端子部PT2、第二源极-CS连接部SC2

[0474] 如图29的(b)所示，非TFT基板101D在发送接收区域R2具有第二传输端子部PT2和第二源极-CS连接部SC2。第二传输端子部PT2设置于密封区域Rs的外侧(与发送接收区域R1相反一侧)。即，第二传输端子部PT2以包围液晶层的方式设置于密封部的外侧。第二源极-CS连接部SC2在这里与第二传输端子部PT2对应设置。

[0475] 如图30的(e)所示，第二传输端子部PT2具有如图30的(c)所示的栅极端子部GT同样的截面结构。即，如图30的(e)所示，第二传输端子部PT2具有：第二传输端子用下部连接部7p2(有时也简称为“下部连接部7p2”。)；形成于栅极绝缘层4的开口部4p2；形成于第一绝缘层11的开口部11p2；以及第二传输端子用上部连接部19p2(有时也简称为“上部连接部19p2”。)。

[0476] 下部连接部7p2包含于源极金属层7，并与CS总线CL电连接。下部连接部7p2与源极总线SL电分离。在该例子中，下部连接部7p2从形成于第二源极-CS连接部SC2的CS下部连接配线7sc2(有时也简称为“下部连接配线7sc2”。)延伸设置，并与CS下部连接配线7sc2一体地形成。

[0477] 形成于栅极绝缘层4的开口部4p2到达下部连接部7p2。

[0478] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11p2与形成于栅极绝缘层4的开口部4p2重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4p2和形成于第一绝缘层11的开口部11p2构成接触孔CH_p2。

[0479] 上部连接部19p2包含于上部导电层19。上部连接部19p2形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_p2内，并在接触孔CH_p2内与下部连接部7p2连接。即，上部连接部19p2在形成于栅极绝缘层4的开口部4p2内与下部连接部7p2接触。

[0480] 在该例子中，第二传输端子部PT2不具有栅极金属层3所包含的导电部。

[0481] 第二传输端子部PT2具有源极金属层7所包含的下部连接部7p2，与栅极端子部GT同样地，具有优异的可靠性。

[0482] 在第二传输端子部PT2中，上部连接部19p2也可以通过例如包含导电性粒子的密封材料而与缝隙基板侧的传输端子用连接部连接。

[0483] 第二源极-CS连接部SC2在该例子中与第一源极-CS连接部SC1同样地，具有与沿着图29的(b)中的G-G’线的源极-栅极连接部SG的截面(参照图31的(b))同样的结构。省略第二源极-CS连接部SC2的截面结构的图示。

[0484] 第二源极-CS连接部SC2具有：CS下部连接配线7sc2；形成于栅极绝缘层4的开口部4sc2；形成于第一绝缘层11的开口部11sc2；以及CS上部连接部19sc2。

[0485] CS下部连接配线7sc2包含于源极金属层7，并与源极总线SL电分离。

[0486] 形成于栅极绝缘层4的开口部4sc2到达CS下部连接配线7sc2。

[0487] 从电介质基板1的法线方向观察时，形成于第一绝缘层11的开口部11sc2与形成于栅极绝缘层4的开口部4sc2重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4sc2和形成于第一绝缘层11的开口部11sc2构成接触孔CH_sc2。

[0488] CS上部连接部19sc2包含于上部导电层19。CS上部连接部19sc2形成在第一绝缘层11上和接触孔CH_sc2内，并在接触孔CH_sc2内与CS下部连接配线7sc2连接。即，CS上部连接部19sc2在形成于栅极绝缘层4的开口部4sc2内与CS下部连接配线7sc2接触。

[0489] 在该例子中、CS上部连接部19sc2从形成于第一传输端子部PT1的第一传输端子用上部连接部19p1延伸设置，并与上部连接部19p1一体地形成。在第一传输端子部PT1中，上部连接部19p1和与CS总线CL一体形成的下部连接部3p1连接。这样，第二传输端子部PT2的下部连接部7p2与CS总线电连接。

[0490] CS上部连接部19sc2由与各端子部的上部连接部相同的导电膜形成。由此，能够使用五张光掩膜制造TFT基板101D。通过设置第二源极-CS连接部SC2，由此能够由源极金属层7形成第二传输端子部PT2的下部连接部。由此，TFT基板101D的第二传输端子部PT2具有优异的可靠性。

[0491] 在图示的例子中，TFT基板101D与各CS总线对应地具有第一源极-CS连接部SC1和第二源极-CS连接部SC2，但本实施方式并不限于此。本实施方式的TFT基板也可以不与各CS总线对应地具有一个源极-CS连接部。并且，如上述那样，源极-CS连接部并非必须与各CS总线对应设置，本实施方式的TFT基板也可以与多个CS总线对应地具有一个源极-CS连接部。并且，在图示的例子中，第一源极-CS连接部SC1和第二源极-CS连接部SC2形成于密封区域Rs的外侧(没有液晶层的一侧)。本实施方式并不限于此，源极-CS连接部也可以设置于密封区域Rs的内侧(液晶层侧)。

[0492] ＜TFT基板101D的制造方法＞

[0493] 参照图32～图35，对TFT基板101D的制造方法进行说明。

[0494] 图32的(a)～(e)、图33的(a)～(c)、图34的(a)～(c)、以及图35的(a)、(b)是用于说明TFT基板101D的制造方法的示意性截面图。上述图分别示出与图30的(a)、图30的(b)、图30的(c)、图31的(a)、及图31的(d)对应的截面(TFT基板101D的A-A’截面、B-B’截面、C-C’截面、F-F’截面、以及H-H’截面)。此外，关于与图30的(d)、图30的(e)、及图31(b)对应的截面(TFT基板101D的D-D’截面、E-E’截面、及G-G’截面)，虽然省略图示，但利用与图31的(a)对应的截面(TFT基板101D的F-F’截面)相同的方法形成。关于与先前的实施方式相同的事项(例如各层的材料、厚度、形成方法等)，有时省略说明。

[0495] 首先，如图32的(a)所示，在电介质基板1上依次形成基底绝缘层20、本征非晶硅膜5’以及n+型非晶硅膜6’。这里，例如形成厚度为200nm的氮化硅(SixNy)膜作为基底绝缘层
20。进一步，例如形成厚度为120nm的本征非晶硅膜5’和例如厚度为30nm的n+型非晶硅膜
6’。

[0496] 接着，对本征非晶硅膜5’和n+型非晶硅膜6’进行图案化，由此如图32的(b)所示，得到岛状的半导体层5和接触层6。此外，用于半导体层5的半导体膜并不限于非晶硅膜。

[0497] 接着，如图32的(c)所示，在基底绝缘层20上和接触层6上形成源极用导电膜7’。这里，形成依次层叠MoN(厚度：例如为50nm)、Al(厚度：例如为150nm)以及MoN(厚度：例如为100nm)而成的层叠膜(MoN/Al/MoN)作为源极用导电膜7’。或者，也可以形成依次层叠Ti(厚度：例如为50nm)、Al(厚度：例如为200nm)以及Ti(厚度：例如为50nm)而成的层叠膜(Ti/Al/Ti)作为源极用导电膜7’。

[0498] 接着，通过对源极用导电膜7’进行图案化，由此如图32的(d)所示，得到源极金属层7。具体而言，在天线单元形成区域中，形成源极电极7S和漏极电极7D、连接到漏极电极7D的辅助电容电极7C、以及连接到源极电极7S的源极总线SL，在各端子部形成区域形成下部连接部7g、7s、7c及7p2，在源极-栅极连接部形成区域形成下部连接配线7sgG，在源极-CS连接部形成区域形成下部连接配线7sc1及7sc2。此时，接触层6也被蚀刻，形成彼此分离的源极接触层6S与漏极接触层6D。

[0499] 在形成依次层叠MoN、Al及MoN而成的层叠膜(MoN/Al/MoN)作为源极用导电膜7’的情况下，源极用导电膜7’的图案化例如通过湿蚀刻而进行。作为蚀刻液，例如使用包含磷酸、硝酸及醋酸的水溶液来同时对MoN膜和Al膜进行图案化。也可以在通过湿蚀刻对MoN膜和Al膜进行图案化之后，通过干蚀刻对接触层(n+型非晶硅层)6进行图案化。

[0500] 在形成依次层叠Ti、Al及Ti而成的层叠膜(Ti/Al/Ti)作为源极用导电膜7’的情况下，源极用导电膜7’的图案化例如通过干蚀刻而进行。例如通过干蚀刻，一并对Ti膜、Al膜及接触层(n+型非晶硅层)6进行图案化。

[0501] 接着，如图32的(e)所示，以覆盖源极金属层7和基底绝缘层20的方式形成栅极绝缘膜4’。在该例子中，栅极绝缘膜4’以与半导体层5的沟道区域接触的方式配置。例如形成厚度为350nm的氮化硅(SixNy)膜作为栅极绝缘膜4’。

[0502] 接着，如图33的(a)所示，在栅极绝缘膜4’上形成栅极用导电膜3’。这里，形成依次层叠Ti膜(厚度：例如为20nm)和Cu膜(厚度：例如为500nm)而成的层叠膜(Cu/Ti)作为栅极用导电膜3’。

[0503] 接着，对栅极用导电膜3’进行图案化，由此如图33的(b)所示，得到栅极金属层3。具体而言，在天线单元形成区域形成：包含经由栅极绝缘膜4’而与半导体层5相对的部分的栅极电极3G；连接到栅极电极3G的栅极总线GL；包含经由栅极绝缘膜4’而与辅助电容电极
7C相对的部分的辅助电容相对电极3C；连接到辅助电容相对电极3C的CS总线CL；贴片电极
15；以及凸部3h，在第一传输端子部形成区域形成下部连接部3p1，在源极-栅极连接部形成区域形成栅极总线连接部3sgG。这里，栅极用导电膜3’的图案化通过湿蚀刻而进行。这样，得到TFT10。

[0504] 这里，在源极-栅极连接部形成区域中，栅极下部连接配线7sgG的至少一部分以不与栅极总线连接部3sgG重叠的方式形成。在天线单元形成区域中，漏极电极7D和从漏极电极7D延伸设置的部分中的至少一部分以不与栅极金属层3重叠的方式形成。并且，各端子部形成区域(除第一传输端子部形成区域以外)、第一源极-CS连接部形成区域以及第二源极-CS连接部形成区域不具有栅极金属层3所包含的导电部。

[0505] 接着，如图33的(c)所示，以覆盖TFT10和栅极金属层3的方式形成第一绝缘膜11’。这里，例如形成厚度为100nm的氮化硅(SixNy)膜作为第一绝缘膜11’。

[0506] 接下来，利用公知的光刻工艺，进行第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’的蚀刻，由此如图34的(a)所示，得到第一绝缘层11和栅极绝缘层4。具体而言，在天线单元形成区域形成到达从漏极电极7D延伸设置的连接部7a1的接触孔CH_a1、和到达从贴片电极15延伸设置的连接部3a2的接触孔CH_a2(开口部11a2)，在栅极端子部形成区域形成到达下部连接部7g的接触孔CH_g，在源极端子部形成区域形成到达下部连接部7s的接触孔CH_s，在CS端子部形成区域形成到达下部连接部7c的接触孔CH_c，在第一传输端子部形成区域形成到达下部连接部3p1的接触孔CH_p1，在第二传输端子部形成区域形成到达下部连接部7p2的接触孔CH_p2，在源极-栅极连接部形成区域形成到达下部连接配线7sgG的接触孔CH_sgA、和到达栅极总线连接部3sgG的接触孔CH_sgB(开口部11sgB)，在第一源极-CS连接部形成区域形成到达下部连接配线7sc1的接触孔CH_sc1，在第二源极-CS连接部形成区域形成到达下部连接配线7sc1的接触孔CH_sc2。

[0507] 在该蚀刻工序中，将栅极金属层3设为蚀刻停止层进行第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’的蚀刻。

[0508] 例如若以天线单元形成区域为例，则在接触孔CH_a1形成区域中，第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’被蚀刻，并且在接触孔CH_a2形成区域中，连接部3a2作为蚀刻停止层发挥功能，由此仅第一绝缘膜11’被蚀刻。接触孔CH_a1具有：开口部4a1，其形成于栅极绝缘层4，并到达连接部7a1；和开口部11a1，其形成于第一绝缘层11，并与开口部4a1重叠。这里，漏极电极7D和从漏极电极7D延伸设置的部分中的至少一部分以不与栅极金属层3重叠的方式形成，因此形成到达漏极电极7D或者到达从漏极电极7D延伸设置的部分的接触孔CH_a1。在接触孔CH_a1的侧面，开口部4a1的侧面与开口部11a1的侧面能够进行整合。

[0509] 第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’例如使用同一蚀刻剂一并被蚀刻。这里，通过使用了氟系气体的干蚀刻对第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’进行蚀刻。第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’也可以使用不同的蚀刻剂而被蚀刻。

[0510] 像这样，在接触孔中的、具有形成于第一绝缘层11的开口部和具有栅极绝缘层4的开口部的接触孔中，能够将形成于第一绝缘层11的开口部的侧面与形成于栅极绝缘层4的开口部的侧面进行整合。

[0511] 在源极-栅极连接部形成区域，在接触孔CH_sgA形成区域中，第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，并且在接触孔CH_sgB形成区域，栅极总线连接部3sgG作为蚀刻停止层发挥功能，由此仅第一绝缘膜11’被蚀刻。由此，得到接触孔CH_sgA和接触孔CH_sgB。接触孔CH_sgA具有：开口部4sgA，其形成于栅极绝缘层4，并到达栅极下部连接配线7sgG；和开口部11sgA，其形成于第一绝缘层11，并与开口部4sgA重叠。这里，栅极下部连接配线7sgG的至少一部分以不与栅极总线连接部3sgG重叠的方式形成，因此形成到达栅极下部连接配线7sgG的接触孔CH_sgA。也可以在接触孔CH_sgA的侧面，将开口部4sgA的侧面与开口部11sgA的侧面进行整合。

[0512] 在各端子部形成区域(除第一传输端子部形成区域以外)中，没有形成栅极金属层3所包含的导电部，因此第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻。

[0513] 在栅极端子部形成区域中，没有形成栅极金属层3所包含的导电部，因此第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，由此形成接触孔CH_g。接触孔CH_g具有：开口部4g，其形成于栅极绝缘层4，并到达下部连接部7g；和开口部11g，其形成于第一绝缘层11，并与开口部4g重叠。也可以在接触孔CH_g的侧面，将开口部4g的侧面与开口部11g的侧面进行整合。

[0514] 在源极端子部形成区域中，没有形成栅极金属层3所包含的导电部，因此第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，由此形成接触孔CH_s。接触孔CH_s具有：开口部4s，其形成于栅极绝缘层4，并到达下部连接部7s；和开口部11s，其形成于第一绝缘层11，并与开口部4s重叠。也可以在接触孔CH_s的侧面，将开口部4s的侧面与开口部11s的侧面进行整合。

[0515] 在CS端子部形成区域中，没有形成栅极金属层3所包含的导电部，因此第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，由此形成接触孔CH_c。接触孔CH_c具有：开口部4c，其形成于栅极绝缘层4，并到达下部连接部7c；和开口部11c，其形成于第一绝缘层11，并与开口部
4c重叠。也可以在接触孔CH_c的侧面，将开口部4c的侧面与开口部11c的侧面进行整合。

[0516] 在第二传输端子部形成区域中，没有形成栅极金属层3所包含的导电部，因此第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，由此形成接触孔CH_p2。接触孔CH_p2具有：开口部4p2，其形成于栅极绝缘层4，并到达下部连接部7p2；和开口部11p2，其形成于第一绝缘层
11，并与开口部4p2重叠。也可以在接触孔CH_p2的侧面，将开口部4p2的侧面与开口部11p2的侧面进行整合。

[0517] 在第一传输端子部形成区域中，栅极金属层3所包含的下部连接部3p1作为蚀刻停止层发挥功能，由此仅第一绝缘膜11’被蚀刻。由此，在第一绝缘层11形成到达下部连接部3p1的开口部11p1(接触孔CH_p1)。

[0518] 在第一源极-CS连接部形成区域中，没有形成栅极金属层3所包含的导电部，因此第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，由此形成接触孔CH_sc1。接触孔CH_sc1具有：开口部4sc1，其形成于栅极绝缘层4，并到达下部连接配线7sc1；和开口部11sc1，其形成于第一绝缘层11，并与开口部4sc1重叠。也可以在接触孔CH_sc1的侧面，对开口部4sc1的侧面与开口部11sc1的侧面进行整合。

[0519] 在第二源极-CS连接部形成区域中，没有形成栅极金属层3所包含的导电部，因此第一绝缘膜11’和栅极绝缘膜4’一并被蚀刻，由此形成接触孔CH_sc2。接触孔CH_sc2具有：开口部4sc2，其形成于栅极绝缘层4，并到达下部连接配线7sc2；和开口部11sc2，其形成于第一绝缘层11，并与开口部4sc2重叠。也可以在接触孔CH_sc2的侧面，对开口部4sc2的侧面与开口部11sc2的侧面进行整合。

[0520] 接下来，如图34的(b)所示，在第一绝缘层11上、接触孔CH_a1内、接触孔CH_a2内、接触孔CH_g内、接触孔CH_s内、接触孔CH_c内、接触孔CH_p1内、接触孔CH_p2内、接触孔CH_sgA内、接触孔CH_sgB内、接触孔CH_sc1内、以及接触孔CH_sc2内，例如利用溅射法形成上部导电膜19’。上部导电膜19’例如包含透明导电膜。这里，例如使用厚度为70nm的ITO膜作为上部导电膜19’。或者，也可以使用依次层叠Ti(厚度：例如为50nm)和ITO(厚度：例如为70nm)而成的层叠膜(ITO/Ti)作为上部导电膜19’。接着，对上部导电膜19’进行图案化，由此如图34的(c)所示，得到上部导电层19。

[0521] 具体而言，在天线单元区域U中形成贴片漏极连接部19a，该贴片漏极连接部19a在接触孔CH_a1内与连接部7a1接触，并在接触孔CH_a2内与连接部3a2接触，在栅极端子部GT形成上部连接部19g，该上部连接部19g在接触孔CH_g内与下部连接部7g接触，在源极端子部ST形成上部连接部19s，该上部连接部19s在接触孔CH_s内与下部连接部7s接触，在CS端子部CT形成上部连接部19c，该上部连接部19c在接触孔CH_c内与下部连接部7c接触，在第一传输端子部PT1形成上部连接部19p1，该上部连接部19p1在接触孔CH_p1内与下部连接部3p1接触，在第二传输端子部PT2形成上部连接部19p2，该上部连接部19p2在接触孔CH_p2内与下部连接部7p2接触，在源极-栅极连接部SG形成上部连接部19sg，该上部连接部19sg在接触孔CH_sgA内与下部连接配线7sgG接触，并在接触孔CH_sgB内与栅极总线连接部3sgG接触，在第一源极-CS连接部SC1形成上部连接部19sc1，该上部连接部19sc1在接触孔CH_sc1内与下部连接配线7sc1接触，在第二源极-CS连接部SC2形成上部连接部19sc2，该上部连接部19sc2在接触孔CH_sc2内与下部连接配线7sc2接触。在各端子部，优选上部连接部以覆盖下部连接部中的、通过接触孔而露出的部分的方式形成。在源极-栅极连接部SG，优选上部连接部19sg以覆盖下部连接配线7sgG中、通过接触孔CH_sgA露出的部分，覆盖栅极总线连接部3sgG中的、通过接触孔CH_sgB露出的部分的方式形成。在第一源极-CS连接部SC1和第二源极-CS连接部SC2，优选上部连接部以覆盖下部连接配线中的、通过接触孔而露出的部分的方式形成。

[0522] 接着，如图35的(a)所示，在电介质基板1的几乎整个面形成平坦化膜21f’。这里，例如形成厚度df(参照图35的(a))为1000nm的丙烯酸树脂膜作为平坦化膜21f’。这里，以平坦化膜21f’的上表面高于贴片电极15的上表面的方式形成平坦化膜21f’。平坦化膜21f’以覆盖第一绝缘层11和上部导电层19的方式形成。

[0523] 接着，如图35的(b)所示，进行平坦化膜21f’的图案化，由此形成平坦化层21f。这里，在各端子部形成区域(源极端子部形成区域、栅极端子部形成区域、CS端子部形成区域、第一传输端子部形成区域、以及第二传输端子部形成区域)没有形成平坦化层21f。并且，在天线单元形成区域中形成与贴片电极15重叠的开口部21D、和与凸部3h重叠的开口部21Ds。通过形成开口部21D，从而形成不与贴片电极15的至少一部分重叠的平坦化层21。

[0524] 以上，得到天线单元区域U、栅极端子部GT、源极端子部ST、CS端子部CT、第一传输端子部PT1、第二传输端子部PT2、源极-栅极连接部SG、第以源极-CS连接部SC1、以及第二源极-CS连接部SC2。

[0525] 这样来制造TFT基板101D。

[0526] (天线单元的排列、栅极总线、及源极总线的连接的例子)在本发明的实施方式的扫描天线中，天线单元例如呈同心圆状排列。

[0527] 例如，在排列成m个同心圆的情况下，栅极总线例如相对于各圆各设置一条，设置合计m条栅极总线。若将发送接收区域R1的外径例如设为800mm，则m例如为200。若将最内侧的栅极总线设为第一个，则在第一个栅极总线连接有n个(例如为30个)天线单元，在第m个栅极总线连接有nx个(例如为620个)天线单元。

[0528] 在这种排列中，连接到各栅极总线的天线单元的数量不同。并且，在连接到构成最外侧的圆的nx个天线单元的nx条源极总线中、也连接到构成最内侧的圆的天线单元的n条源极总线连接有m个天线单元，但连接到其他源极总线的天线单元的数量小于m。

[0529] 这样，扫描天线中的天线单元的排列与LCD面板中的像素(点)的排列不同，连接的天线单元的数量根据栅极总线和/或源极总线而不同。因此，若将全部的天线单元的电容(液晶电容+辅助电容)设为相同，则根据栅极总线和/或源极总线，而使连接的电负载不同。于是，存在向天线单元的电压写入产生偏差这一问题。

[0530] 因此，为了防止该情况，例如，优选对辅助电容的电容值进行调整，或者对连接到栅极总线和/或源极总线的天线单元的数量进行调整，由此使连接到各栅极总线和各源极总线的电负载大致相同。

[0531] 本发明的实施方式的扫描天线根据需要例如收纳于塑料制的框体。优选对框体使用不影响微波的收发的介电常数εM小的材料。并且，也可以在与框体的发送接收区域R1对应的部分设置贯通孔。进一步，也可以设置遮光结构，以使液晶材料不被曝光。遮光结构例如设置成从TFT基板101A的电介质基板1和/或缝隙基板201的电介质基板51的侧面在电介质基板1和/或51内传播，并对入射到液晶层的光进行遮光。介电各向异性ΔεM大的液晶材料易光劣化，优选不仅紫外线，即使在可见光中短波长的蓝光也进行遮光。遮光结构例如使用黑色的胶带等遮光性带而能够容易地形成在需要的地方。

[0532] 本发明的实施方式例如用于搭载于移动体(例如船舶、飞机、汽车)的卫星通信、卫星广播用的扫描天线及其制造。

[0533] 附图标记说明

[0534] 1  电介质基板

[0535] 3  栅极金属层

[0536] 3C  辅助电容相对电极

[0537] 3G  栅极电极

[0538] 3a2  连接部

[0539] 3c、3g、3p1、3s  下部连接部

[0540] 3h  凸部

[0541] 3sg  源极下部连接配线

[0542] 3sgG  栅极总线连接部

[0543] 4  栅极绝缘层

[0544] 4a1、4c、4g、4p1、4p2、4s  开口部

[0545] 4sc1、4sc2、4sg1、4sgA  开口部

[0546] 5  半导体层

[0547] 6D  漏极接触层

[0548] 6S  源极接触层

[0549] 7  源极金属层

[0550] 7C  辅助电容电极

[0551] 7D  漏极电极

[0552] 7S  源极电极

[0553] 7a1  连接部

[0554] 7c、7g、7p2、7s  下部连接部

[0555] 7sc1、7sc2  下部连接配线

[0556] 7sg  源极总线连接部

[0557] 7sgG  栅极下部连接配线

[0558] 11  第一绝缘层

[0559] 11a、11a1、11a2、11c、11g、11p1、11p2  开口部

[0560] 11s、11sc1、11sc2、11sg1、11sg2  开口部

[0561] 11sgA、11sgB  开口部

[0562] 13  下部导电层

[0563] 13p1  第一导电部

[0564] 13sg  源极总线上部连接部

[0565] 15  贴片电极

[0566] 15a  连接部

[0567] 15h  凸部

[0568] 15l  贴片金属层

[0569] 15p1  第二导电部

[0570] 15p2  下部连接部

[0571] 17  第二绝缘层

[0572] 17c、17g  开口部

[0573] 17p1、17p2、17s  开口部

[0574] 19  上部导电层

[0575] 19a  贴片漏极连接部

[0576] 19c、19g、19p1、19p2、19s  上部连接部

[0577] 19sc1、19sc2、19sg  上部连接部

[0578] 20  基底绝缘层

[0579] 21、21f  平坦化层

[0580] 21Aa、21B、21Ba、21Bs、21C、21D、21Ds  开口部

[0581] 51  电介质基板

[0582] 52  第三绝缘层

[0583] 54  介电层(空气层)

[0584] 55  缝隙电极

[0585] 55L  下层

[0586] 55M  主层

[0587] 55U  上层

[0588] 57  缝隙

[0589] 58  第四绝缘层

[0590] 60  上部连接部

[0591] 65  反射导电板

[0592] 70  供电装置

[0593] 71  导电性珠

[0594] 72  供电销

[0595] 73  密封部

[0596] 100A、100B、100Ba  液晶面板

[0597] 100C、100Ca、100D  液晶面板

[0598] 101A、101Aa、101B、101Ba  TFT基板

[0599] 101C、101Ca、101D  TFT基板

[0600] 201、201a  缝隙基板

[0601] 301  波导路径

[0602] 1000A、1000Aa、1000B、1000Ba  扫描天线

[0603] 1000C、1000Ca、1000D  扫描天线

[0604] CH_a、CH_a1、CH_a2、CH_c、CH_g  接触孔

[0605] CH_p1、CH_p2、CH_s、CH_sc1、CH_sc2  接触孔

[0606] CH_sg1、CH_sg2  接触孔

[0607] CH_sgA、CH_sgB  接触孔

[0608] CL  CS总线

[0609] CT  CS端子部

[0610] GD  栅极驱动器

[0611] GL  栅极总线

[0612] GT  栅极端子部

[0613] IT  端子部

[0614] LC  液晶层

[0615] PS  柱状间隔物

[0616] PT  传输端子部

[0617] PT1  第一传输端子部

[0618] PT2  第二传输端子部

[0619] R1  发送接收区域

[0620] R2  非发送接收区域

[0621] R2a  第一非发送接收区域

[0622] R2b  第二非发送接收区域

[0623] Rs  密封区域

[0624] SC1、SC2  源极-CS连接部

[0625] SD  源极驱动器

[0626] SG  源极-栅极连接部

[0627] SL  源极总线

[0628] ST  源极端子部

[0629] U  天线单元、天线单元区域