高开口面积临界角透射光栅的制备方法

摘要

本发明公开了一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，包括以下步骤：S1、制备掩模板；S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上得到基准光栅；S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，曝光显影后得到支撑结构；S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光；S5、然后经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。本发明的制备方法，通过扫描干涉场曝光方法，可实现高精度的双面曝光，为双面刻蚀制备相位双面匹配精度高的掩模图形，从而减小了展宽面积。

权利要求

1.一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制备掩模板；

S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在部分区域的氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上，再经干法刻蚀氮化硅层、湿法刻蚀单晶硅后，即得基准光栅；

S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到支撑结构；

S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光，每面曝光具体为：将硅基底单晶硅基底固定在扫描干涉场曝光系统工作台上，使扫描干涉场曝光系统的两束曝光光束入射至基准光栅上，调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线方向平行，保持曝光光束入射基准光栅状态不变，将扫描干涉场曝光系统中的相位锁定切换为动态相位锁定模式，然后对旋涂光刻胶的区域进行曝光；

S5、然后对S4中曝光后的单晶硅基底显影后，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅；

S1中制备掩模板具体包括；在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形，任意相邻两个矩形图形之间的夹角为0.05°。

2.如权利要求1所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅所用刻蚀液为质量分数40～50％的KOH溶液，刻蚀温度为20～25℃。

3.如权利要求1所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，S3、S5中刻蚀液中还加入表面活性剂，所述表面活性剂为IPA、TMDD以及SDSS中的至少一种；其中，IPA的添加量为KOH溶液质量的3～6％，TMDD的添加量为KOH溶液质量的0.05～0.1％，SDSS的添加量为KOH溶液质量的0.05～0.1％。

4.如权利要求1所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅时进行超声震荡，超声的频率为80～120kHz、功率为250～350W。

5.如权利要求1所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，S1中使用质量分数为25～35％的硫酸溶液刻蚀铬，刻蚀温度为18～22℃。

6.如权利要求1所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，S5中使用质量分数为49％的HF溶液与40％的NH4F溶液的混合溶液去除氮化硅层，HF溶液与NH4F溶液的质量比为1:7。

7.如权利要求1所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，S2、S3、S5中均使用质量分数为1～3‰的NaOH溶液显影40～50s。

8.如权利要求1所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，S4中通过莫尔条纹法使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线方向平行。

说明书

高开口面积临界角透射光栅的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及光栅制备技术领域。更具体地说，本发明涉及一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法。

背景技术

[0002] 自支撑透射类光栅的主要制作工艺为Bosch深反应离子刻蚀和<110>硅片的各向异性湿法腐蚀。Bosch工艺对保护掩模要求高、制作工艺复杂、侧壁粗糙度差等原因已被<
110>单晶硅各向异性湿法刻蚀工艺所替代。但因各向异性湿法刻蚀获得的临界角透射光栅
线条和自支撑结构均依赖于单晶硅晶向，自支撑结构随着刻蚀深度的增大而向底部展宽而
占据大部分面积，导致光栅有效面积减小，目前仅占光栅口径的30％左右。以临界角透射为核心元器件的X射线透射空间望远镜需大的光栅总有效面积(IXO总有效面积＞1000cm2)来
提高整体的信噪比和灵敏度，这就需要更多数量的光栅，造成望远镜系统整体体积、重量的大幅增加，加大制造难度及发射成本。因此，减小自支撑结构的尺寸，增大光栅有效面积，对于临界角透射光栅的应用具有重大意义。

发明内容

[0003] 本发明的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。

[0004] 本发明还有一个目的是提供一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，先通过制备掩模板，将掩模板上的掩模图形单晶硅基底上，制得基准光栅，然后经紫外曝光、显影后制得支撑结构，经扫描干涉场曝光系统双面曝光，且在曝光过程中调整工作台使两束曝
光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线平行实现高精度的双面曝光，经干法刻蚀氮化硅
层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅，通过该工艺制得的透射光栅的展宽面积缩小为传统工艺的50％。

[0005] 为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，包括以下步骤：

[0006] S1、制备掩模板；

[0007] S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在部分区域的氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上，再经干法刻蚀氮化硅层、湿法刻蚀单晶硅后，即得基准光栅；

[0008] S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面沉积氮化硅层，然后双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到支撑结构；

[0009] S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光，每面曝光具体为：将硅基底单晶硅基底固定在扫描干涉场曝光系统工作台上，使扫描干涉场曝光系统的
两束曝光光束入射至基准光栅上，调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅
栅线方向平行，保持曝光光束入射基准光栅状态不变，将扫描干涉场曝光系统中的相位锁
定切换为动态相位锁定模式，然后对旋涂光刻胶的区域进行曝光；

[0010] S5、然后S4中曝光后的单晶硅基底显影后，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。

[0011] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S1中制备掩模板具体包括；在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形，任意相邻两个矩形图形之间的夹角为
0.05°。

[0012] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅所用刻蚀液为质量分数40～50％的KOH溶液，刻蚀温度为20～25℃。

[0013] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中刻蚀液中还加入表面活性剂，所述表面活性剂为IPA、TMDD以及SDSS中的至少一种；其中，IPA的添加量为KOH溶液质量的3～6％，TMDD的添加量为KOH溶液质量的0.05～0.1％，SDSS的添加量为KOH溶液质量的0.05～0.1％。

[0014] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅时进行超声震荡，超声的频率为80～120kHz、功率为250～350W。

[0015] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3中使用质量分数为25～35％的硫酸溶液刻蚀铬，刻蚀温度为18～22℃。

[0016] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S5中使用质量分数为49％的HF溶液与40％的NH4F溶液的混合溶液去除氮化硅层，HF溶液与NH3F溶液的质量比为
1:7。

[0017] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S2、S3、S5中均使用质量分数为1～3‰的NaOH溶液显影40～50s。

[0018] 优选的是，所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S4中通过莫尔条纹法使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线平行。

[0019] 本发明至少包括以下有益效果：

[0020] 1、本发明的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，先通过制备掩模板，将掩模板上的掩模图形单晶硅基底上，制得基准光栅，然后经紫外曝光、显影后制得支撑结构，经扫描干涉场曝光系统双面曝光，且在曝光过程中调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条
纹与基准光栅栅线平行实现高精度的双面曝光，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅，通过该工艺制得的透射光栅的展宽面积缩小为传统工艺
的50％。

[0021] 本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。

附图说明

[0022] 图1为本发明的高开口面积临界角透射光栅的掩模板的结构示意图；

[0023] 图2为本发明的扫描干涉场曝光系结构示意图；

[0024] 图3为本发明的两束曝光光束入射至基准光栅上发生衍射的示意图；

[0025] 图4为本发明的高开口面积临界角透射光栅制备方法工艺流程图；

[0026] 图5为本发明方法制备得到的光栅的结构示意图。

具体实施方式

[0027] 下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。

[0028] 需要说明的是，在本发明的描述中，术语“横向”、“纵向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限
制。

[0029] 实施例1

[0030] 如图1～5所示，一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，包括以下步骤：

[0031] S1、制备掩模板；

[0032] S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在部分区域的氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上，再经干法刻蚀氮化硅层、湿法刻蚀单晶硅后，即得基准光栅；

[0033] S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到支撑结构；

[0034] S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光，每面曝光具体为：将硅基底单晶硅基底固定在扫描干涉场曝光系统工作台上，使扫描干涉场曝光系统的
两束曝光光束入射至基准光栅上，调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅
栅线平行，保持曝光光束入射基准光栅状态不变，将扫描干涉场曝光系统中的相位锁定切
换为动态相位锁定模式，然后对旋涂光刻胶的区域进行曝光；

[0035] S5、然后S4中曝光后的单晶硅基底显影后，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。

[0036] 本发明的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，包括以下步骤：S1、制备掩模板：在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形11，任意相邻两个矩形图形11之间的夹角
为0.05°，矩形图形11之间呈扇形分布，矩形图形11的长度为25mm，宽度为15μm，最外侧的两个的矩形图形11之间的夹角为4°，图1为掩模板的结构示意图；S2、将单晶硅基底清洗干净后，通过化学气相沉积法在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在部分区域的氮化硅层表
面旋涂光刻胶，然后将涂有光刻胶的单晶硅基底置于光刻台上，将S1中的掩膜板对准单晶
硅基底，经紫外曝光显影后即可将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上，紫外曝光的条件
为：曝光强度为4lux，曝光时间为25s，显影条件为：使用质量分数为3‰NaOH显影液显影
45s。然后以相同的方法完成对单晶硅基底的另一面曝光、显影，再经干法刻蚀氮化硅层、湿法刻蚀单晶硅后，即得基准光栅；干法刻蚀氮化硅时，使用的刻蚀气体为：三氟甲烷+氧气，刻蚀功率为600W，刻蚀时间为120s，刻蚀深度为40nm。S3、然后将S2中的单晶硅基底的另一部分区域，即远离基准光栅的区域双面蒸镀厚度为200nm的铬。再双面旋涂光刻胶，两面分别经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到支撑结构；S4、然后将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光，每面曝光具体为：将硅基底单晶硅基底旋涂光刻胶的一面朝上，将硅基底单晶硅基底旋涂光刻胶的一面朝上，并固定在扫描干涉场曝光系统工作台上，扫描干涉场曝光系统结构如图2所示，其中，21为光栅分光器，22为可变衰减器，23为分光镜，24为偏光镜，25为反射镜，26为列参考镜，27为相位位移测量干涉仪，28为相位干涉镜，
29为工作台，31为空间过滤器，32为束光剥离器，33为相位位移执行器，34为控制器，35为阶段错误，36为相位错误信号，并使扫描干涉场曝光系统的两束曝光光束入射至基准光栅上
发生衍射，图3显示了衍射的示意图，图中c为两束曝光光束，d为两束曝光光束衍射后的光束，根据光栅方程可知，一侧曝光光束的反射光与另一侧曝光光束的-1级衍射光重合，调整单晶硅基底角度使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线方向平行，以实现单晶硅
基底的晶向对准，该基准光栅栅线方向指的是基准光栅上的矩形图形中横向刻蚀宽度最小
的矩形图形所在方向，该方向与基准光栅单晶硅晶向平行。具体调整方法为：通过工作台调整单晶硅基底的角度，直至工作台沿扫描方向运动时能量探测器接收到的两侧光束第-1级
衍射光相干形成的干涉光斑的强度不变，即采用莫尔条纹法即可实现两束曝光光束形成的
干涉条纹与基准光栅栅线平行；并读取此时基准光栅的相位，保持曝光光束入射基准光栅
状态不变，将扫描干涉场曝光系统中的相位锁定切换为动态相位锁定模式，然后对旋涂光
刻胶的区域进行曝光；曝光时，UV激光发射的光束经光栅分光器分成两束光，最终两束光在光刻胶表面发生干涉，形成明暗相间的干涉条纹实现曝光，即完成一面的曝光；另一面的曝光条件与已完成的一面的曝光条件一致，即也要保证两束曝光光束形成的干涉条纹与基准
光栅栅线平行，保持曝光光束入射基准光栅状态不变，然后对基准光栅的另一面旋涂光刻
胶的区域进行曝光，保证基准光栅的另一面的曝光条件与已完成的一面的曝光条件一致的
方法为：读取已完成的一面的曝光过程中工作台的位移信息s和一侧曝光光束的反射光与
另一侧曝光光束的-1级衍射光相干的光强信息I，在对基准光栅的另一面进行曝光时，采用相同的方法调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线平行，然后移动工
作台，当工作台运行至干涉仪读数为第一面记录的位移信息s时，调整动态相位锁定系统中的参考相位，使探测器中的光强读数为前面记录的光强信息I一致，进行曝光，这样即完成对基准光栅的另一面的曝光，且两面的曝光条纹相匹配。S5、然后S4中曝光后的单晶硅基底显影后，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅，具体工艺流程如图4所示，其中1为单晶硅基底，11为氮化硅层，12为铬，13为旋涂光刻胶。

[0037] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S1中制备掩模板具体包括；在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形，任意相邻两个矩形图形之间的夹角为0.05°。

[0038] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅所用刻蚀液为质量分数40％的KOH溶液，刻蚀温度为25℃。

[0039] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中刻蚀液中还加入表面活性剂，所述表面活性剂为IPA，IPA的添加量为KOH溶液质量的5％。加入的表面活性剂可降低氢气泡与硅片之间的表面张力。

[0040] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅时进行超声震荡，超声的频率为80kHz、功率为250W。

[0041] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3中使用质量分数为25％的硫酸溶液刻蚀铬，刻蚀温度为18℃。

[0042] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S5中使用质量分数为49％的HF溶液与40％的NH3F溶液的混合溶液去除氮化硅层，HF溶液与NH3F溶液的质量比为1:7。

[0043] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S2、S3、S5中均使用质量分数为3‰的NaOH溶液显影45s。

[0044] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S4中通过莫尔条纹法使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线平行。

[0045] 图5中b为本发明制备的透射光栅结构示意图，a为传统工艺制备的光栅的结构示意图。经过本发明的工艺制备的透射光栅，其展宽面积缩小为传统工艺的50％。

[0046] 实施例2

[0047] 如图1～5所示，一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，包括以下步骤：

[0048] S1、制备掩模板：在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形，任意相邻两个矩形图形之间的夹角为0.05°；

[0049] S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在部分区域的氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上，再经干法刻蚀氮化硅层、湿法刻蚀单晶硅后，即得基准光栅；

[0050] S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到支撑结构；

[0051] S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光，每面曝光具体为：将硅基底单晶硅基底固定在扫描干涉场曝光系统工作台上，使扫描干涉场曝光系统的
两束曝光光束入射至基准光栅上，调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅
栅线平行，保持曝光光束入射基准光栅状态不变，将扫描干涉场曝光系统中的相位锁定切
换为动态相位锁定模式，然后对旋涂光刻胶的区域进行曝光；

[0052] S5、然后S4中曝光后的单晶硅基底显影后，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。

[0053] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S1中制备掩模板具体包括；在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形，任意相邻两个矩形图形之间的夹角为0.05°。

[0054] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅所用刻蚀液为质量分数45％的KOH溶液，刻蚀温度为20℃。

[0055] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中刻蚀液中还加入表面活性剂，所述表面活性剂为TMDD，所述表面活性剂的添加量为KOH溶液质量的0.1％。加入的表面活性剂可降低氢气泡与硅片之间的表面张力。

[0056] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅时进行超声震荡，超声的频率为100kHz、功率为300W。

[0057] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3中使用质量分数为为30％的硫酸溶液刻蚀铬，刻蚀温度为20℃。

[0058] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S5中使用质量分数为49％的HF溶液与40％的NH3F溶液的混合溶液去除氮化硅层，HF溶液与NH3F溶液的质量比为1:7。

[0059] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S2、S3、S5中均使用质量分数为1‰的NaOH溶液显影40s。

[0060] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S4中通过莫尔条纹法使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线平行。

[0061] 实施例3

[0062] 如图1～5所示，一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，包括以下步骤：

[0063] S1、制备掩模板：在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形，任意相邻两个矩形图形之间的夹角为0.05°；

[0064] S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在部分区域的氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上，再经干法刻蚀氮化硅层、湿法刻蚀单晶硅后，即得基准光栅；

[0065] S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到支撑结构；

[0066] S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光，每面曝光具体为：将硅基底单晶硅基底固定在扫描干涉场曝光系统工作台上，使扫描干涉场曝光系统的
两束曝光光束入射至基准光栅上，调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅
栅线平行，保持曝光光束入射基准光栅状态不变，将扫描干涉场曝光系统中的相位锁定切
换为动态相位锁定模式，然后对旋涂光刻胶的区域进行曝光；

[0067] S5、然后S4中曝光后的单晶硅基底显影后，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。

[0068] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S1中制备掩模板具体包括；在玻璃基板上制作多个均匀分布的矩形图形，任意相邻两个矩形图形之间的夹角为0.05°。

[0069] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅所用刻蚀液为质量分数55％的KOH溶液，刻蚀温度为22℃。

[0070] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中刻蚀液中还加入表面活性剂，所述表面活性剂为SDSS，所述表面活性剂的添加量为KOH溶液质量的0.1％。加入的表面活性剂可降低氢气泡与硅片之间的表面张力。

[0071] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3、S5中湿法刻蚀单晶硅时进行超声震荡，超声的频率为120kHz、功率为350W。

[0072] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S3中使用质量分数为35％的硫酸溶液刻蚀铬，刻蚀温度为22℃。

[0073] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S5中使用质量分数为49％的HF溶液与40％的NH3F溶液的混合溶液去除氮化硅层，HF溶液与NH3F溶液的质量比为1:7。

[0074] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S2、S3、S5中均使用质量分数为1‰的NaOH溶液显影40s。

[0075] 所述的高开口面积临界角透射光栅的制备方法，S4中通过莫尔条纹法使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线平行。

[0076] 尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限
于特定的细节和这里示出与描述的图例。