无线充电接收端的同步整流电路转让专利

申请号 : CN201711145186.X

文献号 : CN109802582B

文献日 :

基本信息:

PDF:

法律信息:

相似专利:

发明人 : 王曌

申请人 : 无锡华润矽科微电子有限公司

摘要 :

本发明涉及一种无线充电接收端的同步整流电路,用于实现无线充电接收器的整流功能,其中同步整流电路连接于该无线充电接收器的谐振电路与负载之间,包括MOS管整流电路和同步整流控制电路,同步整流控制电路通过控制输入至MOS管整流电路中各个MOS管的驱动电压,实现对该MOS管整流电路中各个MOS管的工作时序的控制,使该同步整流电路具有与预设效果相符合的整流效果,采用本发明的无线充电接收端的同步整流电路,整流效率比现有技术中的二极管整流电路的整流效率高,可明显改善二极管整流损耗导致的发热问题,简单方便,且无需引入额外的软件控制,可以作为独立的模块取代二极管整流模块。

权利要求 :

1.一种无线充电接收端的同步整流电路,用于实现无线充电接收器的整流功能,其特征在于,所述的同步整流电路连接于该无线充电接收器的谐振电路与负载之间,包括MOS管整流电路和同步整流控制电路,所述的同步整流控制电路通过控制输入至MOS管整流电路中各个MOS管的驱动电压,实现对该MOS管整流电路中各个MOS管的工作时序的控制;

所述的同步整流控制电路通过依次设置的比较电路、MOS管驱动电路以及电平转换电路来实现对该MOS管整流电路中各个MOS管的工作时序的控制,且,所述的比较电路用于对其输入端接收到的信号进行比较处理,其输出端连接边沿处理电路;

所述的MOS管驱动电路用于根据其输入端接收到的信号向所述的MOS管整流电路输出驱动电压,其输出端连接所述的MOS管整流电路中的MOS管,或通过所述的电平转换电路连接到所述的MOS管整流电路中的MOS管;

所述的电平转换电路用于抬高其输入端接收到的信号的电平;

所述的比较电路至少具有两组输入触发信号,所述的两组输入触发信号为所述的谐振电路两端的互为反相的两组线圈振荡交流信号,所述的比较电路对两组输入触发信号进行比较,获取比较结果;

所述的同步整流控制电路还包括连接于比较电路与MOS管驱动电路之间的边沿处理电路,所述的边沿处理电路包括四个边沿处理单元,分别与一比较器的输出端连接,且所述的各边沿处理单元包括两个二极管和一个电阻,其中第一二极管正极通过第一电阻连接所述的比较电路的输出端,第一二极管的负极连接MOS管驱动电路的输入端,第二二极管的正极连接第一二极管的负极,第二二极管的负极通过第一电阻连接至所述的第一二极管的正极;

且第一、二组边沿处理单元的输出端连接到一起以对信号进行合并,

第三、四组边沿处理单元的输出端连接到一起以对信号进行合并。

2.根据权利要求1所述的无线充电接收端的同步整流电路,其特征在于,所述的MOS管整流电路为全桥MOS管整流电路,且所述的全桥MOS管整流电路包括四个MOS管,分别为高端的第一MOS管、第三MOS管和低端的第二MOS管、第四MOS管,所述的MOS管均为PMOS管,或所述的MOS管均为NMOS管。

3.根据权利要求1所述的无线充电接收端的同步整流电路,其特征在于,所述的MOS管整流电路为全桥MOS管整流电路,且所述的全桥MOS管整流电路包括四个MOS管,分别为高端的第一PMOS管、第三PMOS管和低端的第二NMOS管、第四NMOS管,且所述的第一PMOS管的源极与第三PMOS管的源极相连接,并作为该全桥MOS管整流电路的第一输出端,连接到负载,第二NMOS管的源极与第四NMOS管的源极相连接,并与地相连作为该全桥MOS管整流电路的第二输出端,第一PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极,并作为该全桥MOS管整流电路的第一输入端,第三PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极,并作为该全桥MOS管整流电路的第二输入端,第一输入端和第二输入端连接于谐振电路的两端,四个MOS管的栅极连接同步整流控制电路输出的驱动电压。

4.根据权利要求1所述的无线充电接收端的同步整流电路,其特征在于,所述的无线充电接收端的负载的负载电压也作为第三输入信号输入所述的同步整流控制电路,且所述的比较电路中包括四个比较器,用于实现两个输入触发信号、一个第三输入信号与两个参考电压的比较,其中:通过第一比较器对第一输入触发信号与第一参考电压进行比较,且第一输入触发信号连接第一比较器的负输入端,第一参考电压连接第一比较器的正输入端;

通过第二比较器对第二输入触发信号和第三输入信号进行比较,且第三输入信号连接第二比较器的负输入端,第二输入触发信号连接第二比较器的正输入端;

通过第三比较器对第二输入触发信号和第二参考电压进行比较,且第二输入触发信号连接第三比较器的负输入端,第二参考电压连接第三比较器的正输入端;

通过第四比较器对第一输入触发信号和第三输入信号进行比较,且第三输入信号连接第四比较器的负输入端,第一输入触发信号连接第四比较器的正输入端。

5.根据权利要求1所述的无线充电接收端的同步整流电路,其特征在于,所述的同步整流控制电路还包括连接于边沿处理电路与MOS管驱动电路之间的滤波电路,所述的滤波电路包括两组滤波电路单元,所述的各滤波电路单元包括连接在边沿处理电路输出端和地之间的第三电容以及连接在边沿处理电路输出端和MOS管驱动电路输入端之间的第三电阻。

6.根据权利要求5所述的无线充电接收端的同步整流电路,其特征在于,所述的MOS管驱动电路包括驱动芯片,所述的驱动芯片包括两个输入端和四个输出端,且该驱动芯片的第一输入端连接第一组滤波电路单元的输出端,第二输入端连接第二组滤波电路单元的输出端,通过两个输入端获取的信号对其输出端输出的信号进行控制,且该驱动芯片的四个输出端分别按序号对应连接各MOS管的栅极,其中第一、三输出端为反相输出端,其输出的信号为经过反相处理的信号。

7.根据权利要求6所述的无线充电接收端的同步整流电路,其特征在于,所述的驱动芯片的工作电源由负载电压通过电压转换电路转换产生。

8.根据权利要求6所述的无线充电接收端的同步整流电路,其特征在于,所述的电平转换电路包括两组电平转换电路单元,其中驱动芯片的第一输出端连接第一组电平转换电路单元,驱动芯片的第三输出端连接第二组电平转换电路单元,所述的各电平转换电路单元包括第五电容和第五电阻,其中第五电容连接于MOS管与MOS管驱动电路的输出端之间,第五电阻一端连接于第五电容与MOS管之间,另一端连接负载电压。

说明书 :

无线充电接收端的同步整流电路

技术领域

[0001] 本发明涉及无线充电领域,尤其涉及无线充电的接收器的整流控制领域,具体是指一种无线充电接收端的同步整流电路。

背景技术

[0002] 无线充电是利用平面线圈间的电磁感应等方式,在充电器和设备间进行能量传输的技术。常见的基于全桥二极管整流的无线充电系统中,充电器称为发送端,稳压源为发送端提供直流电能,逆变模块将直流电转换为交流电,在发送线圈Lp及其串联谐振电容Cp的串联回路上产生振荡电信号,通过发送线圈发送交变磁场;接收端的接收线圈Ls吸收该交变磁场能量,在同样串联了谐振电容Cs的串联回路上产生振荡电信号,由四个二极管组成的整流模块将该交流电转换为直流电,送给负载RLoad。
[0003] 整流二极管的导通压降为0.7V,因此全桥二极管结构的整流模块的损耗会因为通过二极管的电流增加而成倍增长,这在大功率的无线充电系统中会产生更大的损耗,会造成严重发热,产生安全隐患。

发明内容

[0004] 本发明的目的是克服上述现有技术的缺点,提供了一种能够适应于全桥MOS管整流电路的时序控制的无线充电接收端的同步整流电路。
[0005] 为了实现上述的目的,本发明的无线充电接收端的同步整流电路具体如下:
[0006] 该无线充电接收端的同步整流电路,用于实现无线充电接收器的整流功能,其主要特点是,所述的同步整流电路连接于该无线充电接收器的谐振电路与负载之间,包括MOS管整流电路和同步整流控制电路,所述的同步整流控制电路通过控制输入至MOS管整流电路中各个MOS管的驱动电压,实现对该MOS管整流电路中各个MOS管的工作时序的控制。
[0007] 较佳地,所述的MOS管整流电路为全桥MOS管整流电路,且所述的全桥MOS管整流电路包括四个MOS管,分别为高端的第一MOS管、第三MOS管和低端的第二MOS管、第四MOS管,所述的MOS管均为PMOS管,或所述的MOS管均为NMOS管。
[0008] 较佳地,所述的MOS管整流电路为全桥MOS管整流电路,且所述的全桥MOS管整流电路包括四个MOS管,分别为高端的第一PMOS管、第三PMOS管和低端的第二NMOS管、第四NMOS管,且所述的第一PMOS管的源极与第三PMOS管的源极相连接,并作为该全桥MOS管整流电路的第一输出端,连接到负载,第二NMOS管的源极与第四NMOS管的源极相连接,并与地相连作为该全桥MOS管整流电路的第二输出端,第一PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极,并作为该全桥MOS管整流电路的第一输入端,第三PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极,并作为该全桥MOS管整流电路的第二输入端,第一输入端和第二输入端连接于谐振电路的两端,第一输出端和第二输出端连接到负载电路的两端,四个MOS管的栅极连接同步整流控制电路输出的驱动电压。
[0009] 更佳地,所述的同步整流控制电路通过依次设置的比较电路、MOS管驱动电路以及电平转换电路来实现对该MOS管整流电路中各个MOS管的工作时序的控制,且,[0010] 所述的比较电路用于对其输入端接收到的信号进行比较处理,其输出端连接所述的边沿处理电路;
[0011] 所述的MOS管驱动电路用于根据其输入端接收到的信号向所述的MOS管整流电路输出驱动电压,其输出端连接所述的MOS管整流电路中的MOS管,或通过所述的电平转换电路连接到所述的MOS管整流电路中的MOS管;
[0012] 所述的电平转换电路用于抬高其输入端接收到的信号的电平。
[0013] 更佳地,所述的比较电路至少具有两组输入触发信号,所述的两组输入触发信号为所述的谐振电路两端的互为反相的两组线圈振荡交流信号,所述的比较电路对两组输入触发信号进行比较,获取比较结果。
[0014] 更佳地,所述的无线充电接收端的负载的负载电压也作为第三输入信号输入所述的同步整流控制电路,且所述的比较电路中包括四个比较器,用于实现两个输入触发信号、一个第三输入信号与两个参考电压的比较,其中:
[0015] 通过第一比较器对第一输入触发信号与第一参考电压进行比较,且第一输入触发信号连接第一比较器的负输入端,第一参考电压连接第一比较器的正输入端;
[0016] 通过第二比较器对第二输入触发信号和第三输入信号进行比较,且第三输入信号连接第二比较器的负输入端,第二输入触发信号连接第二比较器的正输入端;
[0017] 通过第三比较器对第二输入触发信号和第二参考电压进行比较,且第二输入触发信号连接第三比较器的负输入端,第二参考电压连接第三比较器的正输入端;
[0018] 通过第四比较器对第一输入触发信号和第三输入信号进行比较,且第三输入信号连接第四比较器的负输入端,第一输入触发信号连接第四比较器的正输入端。
[0019] 更佳地,所述的同步整流控制电路还包括连接于比较电路与MOS管驱动电路之间的边沿处理电路,所述的边沿处理电路包括四个边沿处理单元,分别与一比较器的输出端连接,且所述的各边沿处理单元包括两个二极管和一个电阻,其中第一二极管正极通过第一电阻连接所述的比较电路的输出端,第一二极管的负极连接MOS管驱动电路的输入端,第二二极管的正极连接第一二极管的负极,第二二极管的负极通过第一电阻连接至所述的第一二极管的正极;
[0020] 且第一、二组边沿处理单元的输出端连接到一起以对信号进行合并,[0021] 第三、四组边沿处理单元的输出端连接到一起以对信号进行合并。
[0022] 更佳地,所述的同步整流控制电路还包括连接于边沿处理电路与MOS管驱动电路之间的滤波电路,所述的滤波电路包括两组滤波电路单元,所述的各滤波电路单元包括连接在边沿处理电路输出端和地之间的第三电容以及连接在边沿处理电路输出端和MOS管驱动电路输入端之间的第三电阻。
[0023] 更佳地,所述的MOS管驱动电路包括驱动芯片,所述的驱动芯片包括两个输入端和四个输出端,且该驱动芯片的第一输入端连接第一组滤波电路单元的输出端,第二输入端连接第二组滤波电路单元的输出端,通过两个输入端获取的信号对其输出端输出的信号进行控制,且该驱动芯片的四个输出端分别按序号对应连接各MOS管的栅极,其中第一、三输出端为反相输出端,其输出的信号为经过反相处理的信号。
[0024] 更佳地,所述的驱动芯片的工作电源由负载电压通过电压转换电路转换产生。
[0025] 更佳地,所述的电平转换电路包括两组电平转换电路单元,其中驱动芯片的第一输出端连接第一组电平转换电路单元,驱动芯片的第三输出端连接第二组电平转换电路单元,所述的各电平转换电路单元包括第五电容和第五电阻,其中第五电容连接于MOS管与MOS管驱动电路的输出端之间,第五电阻一端连接于第五电容与MOS管之间,另一端连接负载电压。
[0026] 采用本发明的无线充电接收端的同步整流电路,在大功率无线充电系统中采用全桥MOS管整流电路,整流效率比现有技术中的二极管整流电路的整流效率高,可明显改善二极管整流损耗导致的发热问题,简单方便,且由同步整流控制电路对全桥MOS管整流电路进行控制的过程无需引入额外的软件控制,可以作为独立的模块取代二极管整流模块。

附图说明

[0027] 图1为具备本发明的同步整流电路的无线充电系统。
[0028] 图2为本发明的全桥同步整流控制电路
[0029] 图3为本发明的比较电路的输入信号和输出信号的波形示意图。
[0030] 图4为本发明的边沿处理电路的输入信号和输出信号的波形示意图。
[0031] 图5为本发明的MOS管驱动电路中驱动芯片的工作电源与负载电压的关系示意图。
[0032] 附图标记
[0033] 101 比较电路
[0034] 102 边沿处理电路
[0035] 103 滤波电路
[0036] 104 MOS管驱动电路
[0037] 105 电平转换电路

具体实施方式

[0038] 为了能够更清楚地理解本实用技术内容,特举以下实施例详细说明。
[0039] 该无线充电接收端的同步整流电路,用于实现无线充电接收器的整流功能,且所述的同步整流电路连接于该无线充电接收器的谐振电路与负载之间,包括MOS管整流电路和同步整流控制电路,两者相互连接,且所述的同步整流控制电路通过控制输入至MOS管整流电路中各个MOS管的驱动电压,实现对该MOS管整流电路中各个MOS管的工作时序的控制。
[0040] 在一种较佳的实施方式中,所述的MOS管整流电路为全桥MOS管整流电路,且所述的全桥MOS管整流电路包括四个MOS管,分别为高端的第一MOS管、第三MOS管和低端的第二MOS管、第四MOS管,所述的MOS管均为PMOS管,或所述的MOS管均为NMOS管。
[0041] 在一种较佳的实施方式中,所述的MOS管整流电路为全桥MOS管整流电路,且所述的全桥MOS管整流电路包括四个MOS管,分别为高端的第一PMOS管、第三PMOS管和低端的第二NMOS管、第四NMOS管,且所述的第一PMOS管的源极与第三PMOS管的源极相连接,并作为该全桥MOS管整流电路的第一输出端,连接到负载,第二NMOS管的源极与第四NMOS管的源极相连接,并与地相连作为该全桥MOS管整流电路的第二输出端,第一PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极,并作为该全桥MOS管整流电路的第一输入端,第三PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极,并作为该全桥MOS管整流电路的第二输入端,第一输入端和第二输入端连接于谐振电路的两端,四个MOS管的栅极连接同步整流控制电路输出的驱动电压。
[0042] 在一种更佳的实施方式中,所述的同步整流控制电路通过依次设置的比较电路、MOS管驱动电路以及电平转换电路来实现对该全桥MOS管整流电路中各个MOS管的工作时序的控制,且,
[0043] 所述的比较电路用于对其输入端接收到的信号进行比较处理,其输出端连接所述的边沿处理电路;
[0044] 所述的MOS管驱动电路用于根据其输入端接收到的信号向所述的全桥MOS管整流电路输出驱动电压,其输出端连接所述的全桥MOS管整流电路中的MOS管,或通过所述的电平转换电路连接到所述的全桥MOS管整流电路中的MOS管;
[0045] 所述的电平转换电路用于抬高其输入端接收到的信号的电平。
[0046] 在一种更佳的实施方式中,所述的比较电路至少具有两组输入触发信号,所述的两组输入触发信号为所述的谐振电路两端的互为反相的两组线圈振荡交流信号,所述的比较电路对两组输入触发信号进行比较,获取比较结果。
[0047] 在一种更佳的实施方式中,所述的无线充电接收端的负载的负载电压也作为第三输入信号输入所述的同步整流控制电路,且所述的比较电路中包括四个比较器,用于实现两个输入触发信号、一个第三输入信号与两个参考电压的比较,其中:
[0048] 通过第一比较器对第一输入触发信号与第一参考电压进行比较,且第一输入触发信号连接第一比较器的负输入端,第一参考电压连接第一比较器的正输入端;
[0049] 通过第二比较器对第二输入触发信号和第三输入信号进行比较,且第三输入信号连接第二比较器的负输入端,第二输入触发信号连接第二比较器的正输入端;
[0050] 通过第三比较器对第二输入触发信号和第二参考电压进行比较,且第二输入触发信号连接第三比较器的负输入端,第二参考电压连接第三比较器的正输入端;
[0051] 通过第四比较器对第一输入触发信号和第三输入信号进行比较,且第三输入信号连接第四比较器的负输入端,第一输入触发信号连接第四比较器的正输入端。
[0052] 在一种更佳的实施方式中,所述的同步整流控制电路还包括连接于比较电路与MOS管驱动电路之间的边沿处理电路,所述的边沿处理电路包括四个边沿处理单元,分别与一比较器的输出端连接,且所述的各边沿处理单元包括两个二极管和一个电阻,其中第一二极管正极通过第一电阻连接所述的比较电路的输出端,第一二极管的负极连接MOS管驱动电路的输入端,第二二极管的正极连接第一二极管的负极,第二二极管的负极通过第一电阻连接至所述的第一二极管的正极;
[0053] 且第一、二组边沿处理单元的输出端连接到一起以对信号进行合并,[0054] 第三、四组边沿处理单元的输出端连接到一起以对信号进行合并。
[0055] 在一种更佳的实施方式中,所述的同步整流控制电路还包括连接于边沿处理电路与MOS管驱动电路之间的滤波电路,所述的滤波电路包括两组滤波电路单元,所述的各滤波电路单元包括连接在边沿处理电路输出端和地之间的第三电容以及连接在边沿处理电路输出端和MOS管驱动电路输入端之间的第三电阻。
[0056] 在一种更佳的实施方式中,所述的MOS管驱动电路包括驱动芯片,所述的驱动芯片包括两个输入端和四个输出端,且该驱动芯片的第一输入端连接第一组滤波电路单元的输出端,第二输入端连接第二组滤波电路单元的输出端,通过两个输入端获取的信号对其输出端输出的信号进行控制,且该驱动芯片的四个输出端分别按序号对应连接各MOS管的栅极,其中第一、三输出端为反相输出端,其输出的信号为经过反相处理的信号。
[0057] 第一、三输出端为反相输出端仅适用于当全桥MOS管整流电路中的高端MOS管为P管、低端MOS管为N管时的情景,当全桥MOS管整流电路中的高端MOS管和低端MOS管均为P管或均为N管时,所述的驱动芯片的第一、三输出端应当不为反相输出端,输出的信号并非经过反相后的信号。
[0058] 在一种更佳的实施方式中,所述的驱动芯片的工作电源由负载电压通过电压转换电路转换产生。
[0059] 在一种更佳的实施方式中,所述的电平转换电路包括两组电平转换电路单元,其中驱动芯片的第一输出端连接第一组电平转换电路单元,驱动芯片的第三输出端连接第二组电平转换电路单元,所述的各电平转换电路单元包括第五电容和第五电阻,其中第五电容连接于MOS管与MOS管驱动电路的输出端之间,第五电阻一端连接于第五电容与MOS管之间,另一端连接负载电压。
[0060] 请参阅图1,在一种具体实施例中,使用MOS管Q1~Q4取代现有技术中的二极管D1~D4,由同步整流控制电路来控制MOS管Q1~Q4的工作时序。接收器中谐振电路的接收线圈Ls及其串联谐振电容Cs两端信号分别为线圈振荡交流信号1和线圈振荡交流信号2,为一对反相的方波信号,在本发明具体实施例中,线圈振荡交流信号1和线圈振荡交流信号2被引入用作同步整流控制电路的第一输入触发信号AC1和第二输入触发信号AC2。
[0061] 线圈振荡交流信号1连接在Q1管的漏极和Q2管的漏极之间,线圈振荡交流信号2连接在Q3管的漏极和Q4管的漏极之间,且Q1管、Q3管在高端,Q2管、Q4管在低端。当全桥同步整流工作时,Q1管、Q4管同时导通,Q2管、Q3管关闭,此时第一输入触发信号AC1通过Q1管接到第三输入信号RECT(即负载端的电压),第二输入触发信号AC2通过Q4管接到GND;反之,当Q2管、Q3管同时导通,Q1管、Q4管关闭,则第一输入触发信号AC2通过Q3管接到RECT,第二输入触发信号AC1通过Q2管接到GND;依次循环达到整流的效果。第一输入触发信号AC1和第二输入触发信号AC2的高电平与RECT的电压差为Q1管和Q3管上的导通压降。且由于MOS管导通时,其压降远小于整流二极管的0.7V,所以损耗非常小。
[0062] 请参阅图2,在一种具体实施例中,同步整流控制电路包括:
[0063] 比较电路101是由CP1~CP4四个比较器对AC1、AC2和RECT信号进行比较处理的电路组合;
[0064] 边沿处理电路102是对比较电路101每路比较器输出的信号进行边沿处理的电路,并对每两组边沿处理电路单元的输出信号进行合并;
[0065] 滤波电路103是对边沿处理电路102的输出信号进行滤波的电路;
[0066] MOS管驱动电路104根据103输出的两路信号驱动产生四路MOS管的驱动电压;
[0067] 电平转换电路是对高端MOS管Q1、Q3的驱动电压进行电平转换的电路。
[0068] 在比较电路101中:
[0069] 第一输入触发信号AC1信号经分压电路(由R11和R22构成)分压后与参考电压VREF1经过比较器CP1产生AC1_N信号,AC1_N信号与第一输入触发信号AC1信号-反相;
[0070] 第二输入触发信号AC2信号经分压电路(由R21和R22构成)分压后与参考电压VREF2经过比较器CP3产生AC2_N信号,AC2_N信号与第二输入触发信号AC2-反相;
[0071] 第三输入信号RECT信号经分压电路(由R01和R02构成)分压后与第一输入触发信号AC1分压后的另一路经比较器CP4产生AC1_P信号,AC1_P信号与第一输入触发信号AC1同相;
[0072] 第三输入信号RECT信号另一路经分压电路(由R01和R02构成)分压后与第二输入触发信号AC2分压后的另一路经比较器CP2产生AC2_P信号,AC2_P信号与第二输入触发信号AC2同相。
[0073] 在一种具体实施例中,所述的比较器的输入端与输出端之间包含一个反馈回路,通过输出的信号对连接在比较器正端的输入信号进行反馈调整。
[0074] 请参阅图3,经比较电路比较后获取的PWM波的占空比由两参考电压VREF1、VREF2和第三输入信号RECT分压比例来决定。同时,由于不同比较器间的差异,第一输入触发信号AC1和第二输入触发信号AC2的分压电阻R11、R12、R21、R22也根据配合的比较器来调整。其中参考电压VREF1和VREF2由硬件配置决定,也可以由无线充电系统的接收器的主控芯片MCU调整设置。
[0075] 本发明的无线充电接收端的同步整流电路能够实现三种层次的要求,分别是“同步”,“导通死区”和“充电效率”。如果只考虑同步,理想上则只需要用第一输出触发信号AC1和第二输出触发信号AC2作为触发信号即可,此时,第三输入信号RECT是不被需要的。
[0076] 且由于各电路不可避免的存在延时现象,则很可能出现全桥MOS管整流电路中的MOS管出现导通死区的情况,所以需要引入两个参考电压作为比较对象,以适当减少各自导通的时间,进而避免导通死区的出现。进一步地,把第三输入信号RECT(即负载电压)引入作为比较对象,可以提高整体充电效率,作为一个反馈,当负载的电量随着充电发生变化时,同步整流控制电路输出的驱动信号也相应发生变化。
[0077] 请参阅图4,经过边沿处理电路102之后输入滤波电路中的电压波形INA由AC1_N和AC2_P中正占空比较小的一路波形(图中为AC1_N)决定。INA的上升沿可以通过调整R1和D1来调整,下降沿通过D2来调整。另一路INB由AC2_N和AC1_P中正占空比较小的一路波形(图中为AC2_N)决定。为了保证波形的对称,四组边沿处理电路102中的电阻和二极管配置一样。通过滤波电路103中的RC电路可以进一步调整INA和INB的波形形状。这种结构保证了通过和电路之后的INA和INB是由AC1和AC2同时产生,而非其中单独一路产生,并且是一对安全的不会出现死区(即有正电压交叠区域)的反相波形,需要进行边沿处理的原因是,直接使用方波信号会有辐射问题。
[0078] MOS管驱动电路104为二进四出的MOS管驱动电路,由驱动芯片实现,所述的驱动芯片为二进四出的驱动芯片,四路输出分别是OUTA、OUTB和进行了反相的OUTA_N、OUTB_N。该驱动芯片输出信号的电平为该MOS管驱动电路的供电电压VGATE,该MOS管驱动电路输出信号的波形形状上叠加了该MOS管驱动电路自身的信号延迟时间和输入该MOS管驱动电路的信号的上升下降沿时间的影响。
[0079] 由于MOS管的导通内阻跟栅极电压有关,因此MOS管的栅极电压VGATE的电压大小会影响Q1~Q4的导通损耗,所以MOS管驱动电路104的输出电压需要确保MOS管完全导通,且由于在无线充电过程中,没有另外的电源来供应产生VGATE,因此VGATE由第三输入信号RECT确定,此处可参阅图5,驱动芯片通过电压转换电路将第三输入信号RECT转换为VGATE。
[0080] 电平转换电路105的RC电路作用是将OUTA_N、OUTB_N的电平由0~VGATE抬高到VRECT上,控制Q3管、Q1管的开关。通过调整R5、C5可以调整OUTA_N、OUTB_N的上升沿时间。
[0081] 对于同步整流的四个MOS管Q1管~Q4管,若Q1管、Q2管同时导通,则电源RECT和GND短路,在Q1管、Q2管可能同时导通的这段开关时间内,为导通死区。同样的,Q3管、Q4管也存在不能同时导通的问题,需要避免出现导通死区,同时,开关时间越长,MOS管的开关损耗越大。通过101~105电路的调整可以优化接收端同步整流电路中的MOS管整流电路中的MOS管所需要的最优开关时间,保证MOS管的损耗最小,从而减少发热。
[0082] 采用本发明的无线充电接收端的同步整流电路,在大功率无线充电系统中采用全桥MOS管整流电路,整流效率比现有技术中的二极管整流电路的整流效率高,可明显改善二极管整流损耗导致的发热问题,简单方便,且由同步整流控制电路对全桥MOS管整流电路进行控制的过程无需引入额外的软件控制,可以作为独立的模块取代二极管整流模块。
[0083] 在此说明书中,本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是,很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用精神和范围。因此,说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。