各向异性导电膜转让专利
申请号 : CN201780071463.9
文献号 : CN109964371B
文献日 : 2021-03-12
发明人 : 冢尾怜司
申请人 : 迪睿合株式会社
摘要 :
权利要求 :
1.一种连接构造体,其中具有第1端子图案的第1电子部件、和具有端子的大小及间距与第1端子图案不同的第2端子图案的第2电子部件,通过各向异性导电膜与具有跟第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件各向异性导电连接,各向异性导电膜具有与第1端子图案对应的第1区域和与第2端子图案对应的第2区域,该第1区域和该第2区域的导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同。
2.如权利要求1所述的连接构造体,其中,各向异性导电膜具有导电粒子规则排列、且导电粒子的个数密度小于35000个/mm 2的区域。
3.如权利要求1所述的连接构造体,其中,各向异性导电膜具有导电粒子规则排列、且导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域。
4.一种各向异性导电膜,具有绝缘性树脂层和配置在该绝缘性树脂层的导电粒子,其中,
该各向异性导电膜具有用于与第1电子部件的第1端子图案对应的第1区域和用于与第
2电子部件的第2端子图案对应的第2区域,该第1区域和该第2区域的导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同。
5.如权利要求4所述的各向异性导电膜,其中,在各向异性导电膜的短边方向或长边方向上,排列有导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域。
6.如权利要求4所述的各向异性导电膜,其中,具有绝缘性树脂层的厚度方向上的导电粒子的位置,在绝缘性树脂层的一个表面或其附近对齐的区域、和在一个表面或其附近及另一个表面或其附近的双方对齐的区域。
7.如权利要求6所述的各向异性导电膜,其中,具有在各向异性导电膜的俯视观察下两个导电粒子重合的导电粒子单元规则排列的区域、和单个导电粒子规则排列的区域。
8.如权利要求4所述的各向异性导电膜,其中,在绝缘性树脂层层叠有最低熔化粘度比该绝缘性树脂层低的第2绝缘性树脂层。
9.如权利要求4所述的各向异性导电膜,其中,导电粒子附近的绝缘性树脂层的表面,相对于邻接的导电粒子间的中央部的绝缘性树脂层的切平面具有倾斜或起伏。
10.如权利要求9所述的各向异性导电膜,其中,所述倾斜中,导电粒子附近的绝缘性树脂层的表面,相对于所述切平面有缺口,所述起伏中,导电粒子正上方的绝缘性树脂层的树脂量,比所述导电粒子正上方的绝缘性树脂层的表面在该切平面时少。
11.如权利要求4~10的任一项所述的各向异性导电膜,其中,导电粒子规则排列。
12.一种各向异性导电膜的制造方法,包括:第1压入工序,向绝缘性树脂层的一个表面附着导电粒子,将该导电粒子压入绝缘性树脂层;以及
第2压入工序,在俯视观察下,向成为在第1压入工序中压入了导电粒子的区域的一部分的区域、或包含在第1压入工序中压入了导电粒子的整个区域的区域、或与在第1压入工序中压入了导电粒子的区域局部重复的区域附着导电粒子,并向绝缘性树脂层压入该导电粒子,
其中,所述各向异性导电膜具有用于与第1电子部件的第1端子图案对应的第1区域和用于与第2电子部件的第2端子图案对应的第2区域,该第1区域和该第2区域至少导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同。
13.如权利要求12所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第1压入工序中向绝缘性树脂层压入的导电粒子、和在第2压入工序中向绝缘性树脂层压入的导电粒子的粒径及硬度相同。
14.如权利要求12所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第1压入工序中向绝缘性树脂层压入的导电粒子、和在第2压入工序中向绝缘性树脂层压入的导电粒子的粒径或硬度不同。
15.如权利要求12~14的任一项所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第1压入工序中向绝缘性树脂层压入的导电粒子的排列或个数密度、与在第2压入工序中向绝缘性树脂层压入的导电粒子的排列或个数密度不同。
16.如权利要求12或13所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第1压入工序中,利用转印模来使导电粒子附着到绝缘性树脂层,在第2压入工序中,利用该转印模来使导电粒子附着到绝缘性树脂层。
17.如权利要求12~14的任一项所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第2压入工序中,使导电粒子附着到绝缘性树脂层的所述一个表面或另一个表面。
18.如权利要求12~14的任一项所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第2压入工序后,分切压入了导电粒子的绝缘性树脂层。
19.如权利要求15所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第2压入工序后,分切压入了导电粒子的绝缘性树脂层。
20.如权利要求16所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第2压入工序后,分切压入了导电粒子的绝缘性树脂层。
21.如权利要求17所述的各向异性导电膜的制造方法,其中,在第2压入工序后,分切压入了导电粒子的绝缘性树脂层。
22.一种连接构造体的制造方法,将具有第1端子图案的第1电子部件、和具有端子的大小及间距与第1端子图案不同的第2端子图案的第2电子部件,通过各向异性导电膜与具有跟第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件各向异性导电连接,其中,
作为各向异性导电膜,具有用于与所述第1端子图案对应的第1区域和用于与所述第2端子图案对应的第2区域,该第1区域和该第2区域的导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同。
23.如权利要求22所述的连接构造体的制造方法,其中,将在第3电子部件上隔着各向异性导电膜而承载的第1电子部件和第2电子部件,用加压工具从该第1电子部件和第2电子部件的一侧压接。
24.如权利要求22所述的连接构造体的制造方法,其中,同时压接第1电子部件和第2电子部件。
说明书 :
各向异性导电膜
技术领域
背景技术
电子部件各自适合的各向异性导电膜。
发明内容
电粒子的分散状态。因此,各向异性导电膜中的导电粒子的个数密度,需要适合于两种电子
部件之中端子的大小或间距小的一方,会存在很多不参与连接的无用导电粒子。
合于各个电子部件,减少不参与连接的无用导电粒子。
控制导电粒子的间距、排列方向,因此与导电粒子随机配置的情况相比,能够减少向第3电
子部件适当地连接第1电子部件和第2电子部件双方所需要的导电粒子的个数密度,另外会
容易提高各向异性导电连接的连接构造体的成品率,进而,通过在一块各向异性导电膜中
设置导电粒子的个数密度、粒径、硬度等不同的多个区域,能够对第1电子部件及第2电子部
件各自进行更加适合的连接,且能够进一步减少无用导电粒子,从而想到了本发明。
具有跟第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件各向异性导电连
接,各向异性导电膜具有如下区域中至少一种:导电粒子规则排列的区域、以及导电粒子的
个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域。
入工序中压入了导电粒子的区域局部重复的区域附着导电粒子,并向绝缘性树脂层压入该
导电粒子,
膜与具有跟第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件各向异性导电
连接,其中,
向异性导电膜的情况相比,能够简化制造工序,并能以低成本制造。而且,该连接构造体通
过作为各向异性导电膜、使用导电粒子规则排列、或具有导电粒子的个数密度、粒径及硬度
的至少一种不同的多个区域的各向异性导电膜而被制造,因此尽管使用一块各向异性导电
膜而被制造,该各向异性导电膜也适合于第1电子部件及第2电子部件各自,且减少无用导
电粒子。
电子部件各自的端子图案对应。因而,如上述减少各向异性导电膜中的导电粒子的浪费。
附图说明
具体实施方式
案不同的第2端子图案的第2电子部件32,通过各向异性导电膜10A来与第3电子部件33各向
异性导电连接,该第3电子部件33具有与第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案。
在本实施例中,作为第1电子部件31,例如连接IC芯片、IC模块等的电子部件,作为第2电子
部件32连接FPC等的电子部件。另外,作为将它们进行连接的第3电子部件33,使用玻璃基
板、塑料基板、刚性基板、陶瓷基板等。此外,本发明中,第1电子部件、第2电子部件及第3电
子部件的种类无特别限定。作为第1电子部件及第2电子部件,也可以连接多个IC芯片、IC模
块等。
性导电膜10A向第3电子部件33连接第1电子部件31和第2电子部件32时,这些配置无特别限
定。例如如图2所示,也可以使第1电子部件31和第2电子部件32沿各向异性导电膜10A的长
边方向排列。另外,如图3所示既可以将多个第1电子部件31与第3电子部件33连接,也可以
将多个第2电子部件32与第3电子部件33连接。
1电子部件31和第2电子部件32后的第1连接构造体40A,也具有至少在既不与第1电子部件
31连接也不与第2电子部件32连接的部分规则排列有导电粒子的区域。
含有意除去形成这样的格子排列的一部分的导电粒子的排列。该导电粒子的除去方式,只
要在膜的长边方向有规则性就无特别限制。另外,作为全体导电粒子的粒子配置,也可以使
导电粒子1以既定间隔直线状排列的粒子列以既定间隔并列。通过使导电粒子为规则排列,
并控制导电粒子的间距或排列方向,容易使得将第1电子部件和第2电子部件双方连接于第
3电子部件所需要的导电粒子的个数密度最佳化。一直以来,在将第1电子部件和第2电子部
件双方连接于第3电子部件的各向异性导电膜中,导电粒子被随机配置,因此使各向异性导
电膜中的导电粒子的个数密度,与适合于第1电子部件的连接的个数密度和适合于第2电子
部件的连接的个数密度之中较高一方匹配,因此会有很多导电粒子被浪费使用,但是本发
明的第1连接构造体40A中,如上述通过各向异性导电膜中的导电粒子的规则排列,容易谋
求导电粒子的个数密度的最优化,因此能够减少导电粒子的浪费。
个/mm 2。
异性导电膜热压接于电子部件的按压夹具所需要的推力的指标。
缘性树脂层分散之前的导电粒子的粒径,能够通过一般的粒度分布测定装置来测定。另外,
向绝缘性树脂层分散之后的导电粒子的粒径也能利用粒度分布测定装置来求出。既可为图
像型,也可为激光型。作为图像型的测定装置,作为一个例子能够举出湿式流动式粒径・形
状分析装置FPIA-3000(MALVERN社)。测定导电粒子的平均粒径D的样本数(导电粒子数)优
选为1000个以上。各向异性导电膜中的导电粒子的平均粒径D,能够根据SEM等的电子显微
镜观察求出。在该情况下,优选使测定导电粒子的平均粒径D的样本数(导电粒子数)为200
个以上。
接触方式存在的个数比例为95%以上、优选为98%以上、更优选为99.5%以上。如后述那
样,若使用转印模而规则地配置导电粒子1,则能够容易控制导电粒子1彼此以互相非接触
方式存在的比例,因此是优选的。在俯视观察下导电粒子1重合的情况下,个别地计数各个
导电粒子。
膜厚方向的埋入量Lb对齐。由此,无论是在第1电子部件31的端子与第3电子部件33的端子
之间,还是在第2电子部件32的端子与第3电子部件33的端子之间,都容易使导电粒子的捕
获性稳定。此外,在各向异性导电膜10A中,导电粒子1既可以从绝缘性树脂层2露出,也可以
完全埋入。
层2的情况下与导电粒子1的距离较近的表面),邻接的导电粒子间的中央部的切平面2p与
导电粒子1的最深部的距离。
粒子的比较高粘度的树脂露出导电粒子的比例变高,因此更加容易进行低压安装。若为
60%以上,则容易通过绝缘性树脂层2将导电粒子1维持在既定粒子分散状态或者既定排
列。另外,通过设为105%以下,能够减少在各向异性导电连接时以使端子间的导电粒子无
用流动的方式作用的绝缘性树脂层的树脂量。此外,导电粒子1也可以贯通绝缘性树脂层2,
该情况下的埋入率(Lb/D)成为100%。
30%以上且105%以下是指各向异性导电膜所包含的全部导电粒子数的80%以上、优选为
90%以上、更优选为96%以上的埋入率达30%以上且105%以下。这样使全部导电粒子的埋
入率(Lb/D)一致,从而使按压的加重均匀施加到导电粒子,因此端子中的导电粒子的捕获
状态变得良好,从而提高导通的稳定性。
方法等而适当决定。例如,只要能形成后述的凹部2b(图8)、2c(图9),按照各向异性导电膜
的制造方法也能设为1000Pa・s左右。另一方面,作为各向异性导电膜的制造方法,以既定配
置使导电粒子保持在绝缘性树脂层的表面,进行将该导电粒子压入绝缘性树脂层的方法
时,从能够膜形成绝缘性树脂层的方面来说优选使绝缘性树脂层的最低熔化粘度为
1100Pa・s以上。
树脂层2压入的导电粒子1的正上方形成凹部2c的方面来说,优选为1500Pa・s以上,更优选
为2000Pa・s以上,进一步优选为3000~15000Pa・s,进一步再优选为3000~10000Pa・s。作为
一个例子,该最低熔化粘度能够利用旋转式流变仪(TA instruments公司制),在测定压力
5g下保持一定,并使用直径8mm的测定板而求出,更具体而言,在温度范围30~200℃中,能
够通过设为升温速度10℃/分钟、测定频率10Hz、相对于所述测定板的负荷变动5g来求出。
时应该在端子间被夹持的导电粒子因树脂流动而会流动。
树脂层2露出的方式将导电粒子1压入绝缘性树脂层2时,绝缘性树脂层2塑性变形而在导电
粒子1周围的绝缘性树脂层2形成凹部2b(图8)这样的高粘度的粘性体,或者成为在以使导
电粒子1不会从绝缘性树脂层2露出而埋入绝缘性树脂层2的方式压入导电粒子1时,在导电
粒子1正上方的绝缘性树脂层2的表面形成凹部2c(图9)这样的高粘度的粘性体。因此,绝缘
性树脂层2的60℃中的粘度,下限优选为3000Pa・s以上、更优选为4000Pa・s以上、进一步优
选为4500Pa・s以上,上限优选为20000Pa・s以下、更优选为15000Pa・s以下、进一步优选为
10000Pa・s以下。该测定以与最低熔化粘度同样的测定方法进行,能够提取温度60℃的值而
求出。
步优选为4500Pa・s以上,上限优选为20000Pa・s以下、更优选为15000Pa・s以下、进一步优选
为10000Pa・s以下。另外,使得这样的粘度优选在40~80℃、更优选在50~60℃得到。
缘性树脂接受的阻力减小。因此,在各向异性导电连接时导电粒子会容易被端子夹持而提
高导通性能,另外提高捕获性。
力容易集中到导电粒子1。因此,在各向异性导电连接时导电粒子会容易被端子夹持而提高
捕获性,并提高导通性能。
不互相接触,在膜厚方向,导电粒子1也互相不重叠地规则分散,构成导电粒子1的膜厚方向
的位置对齐的单层的导电粒子层。
膜中,也可以在埋入到绝缘性树脂层2的导电粒子1正上方的绝缘性树脂层的表面形成起伏
2c(图16、图18)。
周围的绝缘性树脂层的表面相对于切平面有缺口。另一方面,“起伏”是指在导电粒子正上
方的绝缘性树脂层的表面有高低起伏,通过存在如高低起伏那样有高低差的部分而树脂减
少的状态。换言之,导电粒子正上方的绝缘性树脂层的树脂量,会比导电粒子正上方的绝缘
性树脂层的表面处于切平面时变少。这些可对比相当于导电粒子的正上方的部位和导电粒
子间的平坦的表面部分(图16、图18的2f)来进行识别。此外,也有起伏的起始点作为倾斜以
存在的情况。
的导电粒子1的扁平化,从绝缘性树脂接受的阻力减小,因此在端子中容易夹持导电粒子而
提高导通性能,另外提高捕获性。该倾斜优选沿着导电粒子的外形。这是因为除了更加容易
体现连接中的效果以外,会容易识别导电粒子,因此会容易进行各向异性导电膜的制造中
的检查等。另外,该倾斜及起伏有时因为向绝缘性树脂层热压等,其一部分消失,但是本发
明包含此情形。在该情况下,导电粒子有时在绝缘性树脂层的表面露出1点。此外,各向异性
导电膜所连接的电子部件是多样的,在配合这些而进行调整之上,希望设计的自由度高,以
满足各种要件,因此,无论使倾斜或起伏减少还是局部消失也能利用。
压力会容易施加到导电粒子。另外,因为有起伏,比树脂平坦沉积的情况更加减少导电粒子
正上方的树脂量,因此连接时的导电粒子正上方的树脂容易产生排除,端子和导电粒子容
易接触,因此提高端子中的导电粒子的捕获性,并提高导通可靠性。
绝缘性树脂层2内,但是优选使从邻接的导电粒子间的中央部的切平面2p起的导电粒子的
最深部的距离(以下,称为埋入量)Lb、与导电粒子的平均粒径D之比(Lb/D)(埋入率)为30%
以上且105%以下。
2容易使导电粒子1维持为既定粒子分散状态或者既定排列。另外,通过设为105%以下,能
够减少在各向异性导电连接时以使端子间的导电粒子无用流动的方式作用的绝缘性树脂
层的树脂量。
为30%以上且105%以下,是指各向异性导电膜所包含的全部导电粒子数的80%以上、优选
为90%以上、更优选为96%以上的埋入率为30%以上且105%以下。这样使全部导电粒子的
埋入率(Lb/D)一致,从而使按压的加重均匀地施加到导电粒子,因此端子中的导电粒子的
捕获状态变得良好,且提高导通的稳定性。
为了进一步提高精度,计测200个以上的导电粒子而求出。
器((株)KEYENCE制等)。
方式以埋入率30%以上且小于60%进行埋入的方案。该各向异性导电膜10A具有绝缘性树
脂层2的表面之中的、与从该绝缘性树脂层2露出的导电粒子1相接的部分及其附近,相对于
邻接的导电粒子间的中央部的绝缘性树脂层的表面2a的切平面2p成为大体沿着导电粒子
的外形的棱线的倾斜2b。
15000Pa・s进行导电粒子1的压入而形成。
的方式以埋入率60%以上且小于100%进行埋入的方案。该各向异性导电膜10A具有绝缘性
树脂层2的表面之中的、与从该绝缘性树脂层2露出的导电粒子1相接的部分及其附近,相对
于邻接的导电粒子间的中央部的绝缘性树脂层的表面2a的切平面2p成为大体沿着导电粒
子的外形的棱线的倾斜2b。
为4000Pa・s以上、进一步优选为4500Pa・s以上,上限优选为20000Pa・s以下、更优选为
15000Pa・s以下、进一步优选为10000Pa・s以下。另外,使得这样的粘度优选在40~80℃、更
优选在50~60℃得到。此外,倾斜2b或起伏2c的一部分可以由于热压绝缘性树脂层等而消
失,倾斜2b也可以变为起伏2c,另外,也可以使埋入在具有起伏2c的绝缘性树脂层的导电粒
子,在绝缘性树脂层2露出其顶部的1点。
电膜10A同样的成为大体沿着导电粒子的外形的棱线的倾斜2b,且从绝缘性树脂层2露出的
导电粒子1的露出直径Lc小于导电粒子的平均粒径D的导电膜;如图15A所示的各向异性导
电膜10C那样,导电粒子1的露出部分的周围的倾斜2b在导电粒子1附近表现急剧,而导电粒
子1的露出直径Lc和导电粒子的平均粒径D大致相等的导电膜;如图16所示的各向异性导电
膜10D那样,在绝缘性树脂层2的表面有较浅的起伏2c,而导电粒子1从绝缘性树脂层2露出
其顶部1a的1点的导电膜。
的表面2a对齐成共面,则如图13所示与导电粒子1从绝缘性树脂层2突出的情况相比,各向
异性导电连接时在各个导电粒子的周边膜厚度方向的树脂量会难以成为不均匀,具有能够
减小树脂流动带来的导电粒子的移动的效果。此外,即便埋入率严格上不是100%,若使埋
入绝缘性树脂层2的导电粒子1的顶部和绝缘性树脂层2的表面对齐到共面的程度,则也能
得到该效果。换言之,在埋入率(Lb/D)大体80~105%、特别是90~100%的情况下,可以称
为埋入绝缘性树脂层2的导电粒子1的顶部和绝缘性树脂层2的表面共面,能够减小树脂流
动带来的导电粒子的移动。
点也是从绝缘性树脂层2露出导电粒子1,因此能够期待端子中的导电粒子1的捕获性良好,
也难以引起导电粒子稍微的移动的效果。因而,该方案特别是在微小间距或凸点间空间较
窄的情况下有效。
层2的粘度等而制造。
于切平面2p具有倾斜2b或在导电粒子1正上方的绝缘性树脂层2的表面相对于切平面2p具
有起伏2c(图18)的导电膜。
10F(图18),能够通过改变在制造这些之际压入导电粒子1时的绝缘性树脂层2的粘度等而
制造。
异性导电膜10F使用于各向异性导电连接,则导电粒子1不直接按压端子,而会经由绝缘性
树脂层2进行按压,但是在按压方向上存在的树脂量会比图20的状态(即,导电粒子1超过埋
入率100%而埋入,导电粒子1不会从绝缘性树脂层2露出,且绝缘性树脂层2的表面为平坦
的状态)少,因此按压力容易施加到导电粒子,且阻碍各向异性导电连接时端子间的导电粒
子1会因树脂流动而无用移动。
果的方面考虑,倾斜2b的最大深度Le与导电粒子1的平均粒径D之比(Le/D)优选为小于
50%,更优选为小于30%,进一步优选为20~25%,而倾斜2b或起伏2c的最大直径Ld与导电
粒子1的平均粒径D之比(Ld/D),优选为100%以上,更优选为100~150%,起伏2c的最大深
度Lf与导电粒子1的粒径D之比(Lf/D)大于0,且优选为小于10%,更优选为5%以下。
的1点露出,也可以使导电粒子1完全埋入绝缘性树脂层2内,使得直径Lc成为零。
说,优选使埋入率(Lb/D)为60%以上。
度变多。另外,因为导电粒子1不会直接与端子接触而按压端子,而是经由绝缘性树脂而按
压端子,由此导电粒子也容易因树脂流动而流动。
属显微镜也能进行倾斜2b、起伏2c的观察。另外,倾斜2b、起伏2c的大小也能通过图像观察
时的焦点调整等来确认。如上述在通过热压来减少倾斜或起伏之后,也是同样的。因为有时
会残留痕迹。
引发剂。
有光聚合性化合物。优选的是,与热聚合性化合物区分开地含有光聚合性化合物。例如,作
为热聚合引发剂使用热阳离子类聚合引发剂,作为热聚合性化合物使用环氧化合物,作为
光聚合引发剂使用光自由基聚合引发剂,作为光聚合性化合物使用丙烯酸酯化合物。
用于粘接电子部件彼此的树脂的光固化而区分所使用的波长。
乃至固定,有希望抑制短路和提高捕获性。另外,通过该光固化,也可以适当调整各向异性
导电膜的制造工序中的绝缘性树脂层的粘度。特别是,该光固化优选在绝缘性树脂层2的层
厚La与导电粒子1的平均粒径D之比(La/D)小于0.6的情况下进行。这是因为绝缘性树脂层2
的层厚相对于导电粒子的平均粒径较薄的情况下,也由绝缘性树脂层2更加可靠地进行导
电粒子的配置的保持乃至固定,并且进行绝缘性树脂层2的粘度调整,在利用各向异性导电
膜的电子部件彼此的连接中抑制成品率的下降。
施加的推力会增加。
热阳离子聚合性环氧类组合物等。也可以取代包含热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性
环氧类组合物,而使用包含热阴离子聚合引发剂的热阴离子聚合性环氧类组合物。另外,特
别是如果没有带来阻碍,也可以并用多种聚合性化合物。作为并用例子,可举出阳离子聚合
性化合物和自由基聚合性化合物的并用等。
酯类单体。
化合物之外也可以并用氧杂环丁烷化合物。
能够优选使用对于温度显示良好的潜在性的芳香族硫鎓盐。
质量份。
酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂等,能够并用这些的2种以上。这些之中,从制膜性、加
工性、连接可靠性的观点来说,能够优选使用苯氧基树脂。重量平均分子量优选为10000以
上。另外,作为硅烷偶联剂,能够举出环氧类硅烷偶联剂、丙烯类硅烷偶联剂等。这些硅烷偶
联剂主要为烷氧基硅烷衍生物。
小的导电粒子,另外,对于环氧化合物等的热聚合性化合物(光聚合性化合物)100质量份,
配合量优选为5~50质量份。
子高度而发生变动,因此无特别限定,但是作为一个例子,在平均粒径D小于10μm的情况下,
优选使绝缘性树脂层2的层厚La与导电粒子1的平均粒径D之比(La/D)为0.3以上且10以下、
更优选为3以下、进一步优选为1以下。从维持绝缘性树脂层2中的导电粒子1的配置的方面
来说,更优选使比(La/D)为0.4以上。另外,从抑制各向异性导电连接时的过度的树脂流动
及实现低压安装的方面来说,更优选为1以下。进而,从使导电粒子1容易从绝缘性树脂层2
露出,且更容易进行低压安装的方面来说,优选使该比(La/D)为小于1、更优选为小于0.6、
进一步优选为0.5以下。此外,在设比(La/D)为3以下的情况下,有时优选设置最低熔化粘度
比绝缘性树脂层2低的第2绝缘性树脂层4。
因树脂流动而流动。因此导电粒子容易位置偏移,使端子中的导电粒子的捕获性下降。另
外,为了将导电粒子按到端子,按压夹具所需要的推力也增大,会妨碍低压安装。相反,如果
绝缘性树脂层2的层厚La过小而该比过度变小,则难以通过绝缘性树脂层2将导电粒子1维
持在既定配置。
时由电子部件的凸点等的端子而形成的空间,从而能够提高对置的电子部件彼此的粘接
性。即,为了使利用各向异性导电膜的电子部件的低压安装成为可能,且抑制各向异性导电
连接时的绝缘性树脂层2的树脂流动而提高导电粒子1的粒子捕获性,最好提高绝缘性树脂
层2的粘度,并且在不引起导电粒子1位置偏移的范围内减薄绝缘性树脂层2的厚度,但是,
如果绝缘性树脂层2的厚度过度变薄,则招致粘接对置的电子部件彼此的树脂量的不足,因
此担心会降低粘接性。相对于此,通过设置各向异性导电连接时粘度比绝缘性树脂层2低的
第2绝缘性树脂层4,还能够提高电子部件彼此的粘接性,且因为第2绝缘性树脂层4的流动
性较高而能够使得难以阻碍端子的导电粒子的夹持或压入。
绝缘性树脂层2粘贴到承载于工作台的电子部件)。通过这样构成,能够避免导电粒子的无
用移动,并能提高捕获性。
接性。另外,越有该差距,导电粒子分散层3中存在的绝缘性树脂层2的移动量就越相对变
少,端子间的导电粒子1会难以因树脂流动而流动,从而提高端子中的导电粒子1的捕获性,
因此是优选的。在实际使用上,绝缘性树脂层2与第2绝缘性树脂层4的最低熔化粘度比,优
选为2以上,更优选为5以上,进一步优选为8以上。另一方面,如果该比过大则在将长条的各
向异性导电膜做成卷装体的情况下,会担心树脂的挤出或阻塞,所以在实际使用上优选为
15以下。第2绝缘性树脂层4的优选最低熔化粘度,更具体而言满足上述比,且为3000Pa・s以
下,更优选为2000Pa・s以下,特别是优选为100~2000Pa・s。
4000Pa・s。
2的层厚La的关系,如前述将La/D设为0.3以上且10以下。
入率为0.95以下的情况下,优选这样层叠第2绝缘性树脂层4,在0.9以下的情况下更加优选
这样处理。
填充由电子部件的电极或凸点形成的空间而设置。
导电膜的最低熔化粘度无特别限制,但是可为200~4000Pa・s。
脂层2的粘度、压入速度、温度等进行调整。
开口形成方法,对于硅、各种陶瓷、玻璃、不锈钢等的金属等的无机材料、或各种树脂等的有
机材料的转印模材料,形成开口的模具。此外,转印模能够采取板状、滚筒状等的形状。
选为25m以上。另一方面,若使各向异性导电膜过度长,则将无法使用于利用各向异性导电
膜进行电子部件的制造时所使用的以前的连接装置,且操作性也差。因此,各向异性导电膜
将长度制造为优选5000m以下、更优选为1000m以下、进一步优选为500m以下。各向异性导电
膜的这样的长条体,从操作性优异的方面来说,优选做成为在卷芯卷绕的卷装体。
粒子1埋入表面的一侧临时粘贴而临时压接,在临时压接的各向异性导电膜的在表面没有
埋入导电粒子1的一侧合上IC芯片等的第1电子部件31,进行热压接,并且合上FPC等的第2
电子部件32,进行热压接而制造。在该情况下,既可以从第1电子部件31和第2电子部件32的
一侧以加压工具同时压接第1电子部件31和第2电子部件32,也可以用加压工具分开压接它
们。
也可为并用光和热的压接方法来取代热压接。这样处理,就能将导电粒子的无用移动抑制
在最小限度。另外,也可以将没有埋入导电粒子的一侧临时粘贴在第3电子部件33而使用。
也可以向第1电子部件及第2电子部件临时粘贴各向异性导电膜,而不是向第3电子部件临
时粘贴各向异性导电膜。
接,在临时压接后的各向异性导电膜的第2绝缘性树脂层4侧对准IC芯片等的第1电子部件
31或FPC等的第2电子部件32而承载,并热压接。也可以将各向异性导电膜10A的第2绝缘性
树脂层4侧临时粘贴在第1电子部件31或第2电子部件32。另外,也可以将导电粒子分散层3
侧临时粘贴在第1电子部件31或第2电子部件32而加以使用。
2连接构造体40B中,具有第1端子图案的第1电子部件31、和具有端子的大小及间距与第1端
子图案不同的第2端子图案的第2电子部件32,也通过各向异性导电膜10B而与具有跟第1端
子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件33各向异性导电连接,但是该第
2连接构造体40B中,作为在第2连接构造体40B的制造中所使用的各向异性导电膜10B,与第
1连接构造体40A不同的是使用具有导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多
个区域10p、10q的各向异性导电膜这一点。由此,可对第1电子部件31及第2电子部件32各自
进行比第1连接构造体40A更加适合的连接,并能进一步减少无用导电粒子。
所示那样区域10p和区域10q隔着不存在导电粒子的区域10r而配置。图5B、图5C是图5A所示
的第2连接构造体40B的各向异性导电膜部分的示意截面图的例子。如图6A所示,区域10p和
区域10q也可以隔着导电粒子的个数密度比这些高的区域10s而配置。图6B是图6A所示的第
2连接构造体40B的各向异性导电膜部分的示意截面图的例子。另外,导电粒子的个数密度、
粒径及硬度的至少一种不同的多个区域,既可以如上述图4A等所示那样沿膜的短边方向排
列,也可以沿长边方向排列。在该情况下,各向异性导电膜优选具有:绝缘性树脂层的厚度
方向上的导电粒子的位置在绝缘性树脂层的一个表面或其附近对齐的区域、和在一个表面
或其附近以及在另一个表面或其附近的双方对齐的区域。
区域10p中使导电粒子的个数密度为7000个/mm 2以上且35000个/mm 2以下,或者使导电粒
子的粒径为2μm以上且9μm以下,或者,作为导电粒子的硬度,使20%压缩弹性率(20%K值)
为4000N/mm 2以上且28000N/mm 2以下,优选为4000N/mm 2以上且20000N/mm 2以下。另一方
面,在将第2电子部件32和第3电子部件33进行FOG连接的情况下,在各向异性导电膜10B的
区域10q中使导电粒子的个数密度为50个/mm 2以上且10000个/mm 2以下,或者使导电粒子
的粒径为2μm以上且30μm以下,或者,作为导电粒子的硬度,使20%压缩弹性率(20%K值)为
2000N/mm 2以上且18000N/mm 2以下。
重复的方式进行设计而利用。例如,如果将第1电子部件31和第3电子部件33进行COG连接的
区域的导电粒子的个数密度为8000个/mm 2,则将第2电子部件32和第3电子部件33进行FOG
连接的区域的导电粒子的个数密度小于8000个/mm 2,优选的是为了容易识别而设定20%
2
以上差距,设为6000个/mm 以下即可。关于其他参数也是同样的。
用通过下式算出的K值:
果利用相同导电粒子,能够避免设计上的混合(无意间混入其它种类的导电粒子),因此从
质量管理上是优选的。因而,存在于至少一个面侧的导电粒子,优选粒径相同,更优选粒径
和硬度相同。
10p和区域10q,也可以如图4C、图4D、图4E所示,使绝缘性树脂层2的表背两面的导电粒子1
合在一起而形成导电粒子的个数密度不同的区域10p和区域10q。在该情况下,也可以如图
4D所示,俯视观察下绝缘性树脂层2的表面和背面的导电粒子1重合而形成导电粒子单元
1u,且使该导电粒子单元规则排列。
制造中所使用的各向异性导电膜10A同样。
性树脂层2的一个面保持形成区域10p的导电粒子1,用平板或滚筒向绝缘性树脂层2压入该
导电粒子1(第1压入工序),接着,在先前压入了导电粒子的绝缘性树脂层2的一个面或其相
反面,保持形成区域10p、或区域10p及区域10q的导电粒子1,用平板或滚筒向绝缘性树脂层
压入该导电粒子(第2压入工序)。在该情况下,既可以使在第2压入工序中压入的导电粒子
1,在俯视观察下,成为在第1压入工序中压入导电粒子1的区域的一部分(图4C、图4D),也可
以包括在第1压入工序中压入导电粒子1的整个区域(图4E),还可以与在第1压入工序中压
入导电粒子1的区域局部重复(图6B)。根据导电粒子1的粒子配置,也可以将在第1压入工序
中为了向绝缘性树脂层2附着导电粒子1而使用的转印模,在第2压入工序中也为了向绝缘
性树脂层2附着导电粒子1而使用(图5C)。由此,能减少各向异性导电膜的制造成本而是优
选的。在该情况下,能够使导电粒子1附着到绝缘性树脂层2的一个表面或另一个表面。
的排列和在第2压入工序中压入的导电粒子的排列不同,也可以使在第1压入工序中压入的
导电粒子的个数密度和在第2压入工序中压入的导电粒子的个数密度不同。
性导电膜10B中,先使绝缘性树脂层2的表背两面附近的导电粒子的个数密度分别以不同的
个数密度均匀地形成,并在虚线的位置对其进行分切而为带状的各向异性导电膜,其上形
成区域10p和区域10q。由此,能够简便地形成个数密度不同的区域10p和区域10q。
径及硬度在膜的一个面和相反面不同。此时,更优选在膜的一个面和相反面的任意一个面
上,导电粒子的粒子间距离不同。
3000Pa・s以上,该绝缘性树脂层的最低熔化粘度和第2绝缘性树脂层的最低熔化粘度之比
为2以上。
同样地,将第2绝缘性树脂层按照表2所示的厚度形成在PET膜上。
表2中FOG侧和COG侧导电粒子的面密度不同,在一个模具形成面密度不同的两个区域。使公
知的透明性树脂的颗粒以熔化的状态流入该模具中,经冷却固化,从而形成凹部为六方格
子排列图案的树脂模。
树脂层,在60℃、0.5MPa下进行按压而粘贴。而且,从模剥离绝缘性树脂层,将绝缘性树脂层
上的导电粒子在(按压条件:60~70℃,0.5MPa)下压入该绝缘性树脂层内,形成了导电粒子
分散层(实施例1~7)。
价用IC与玻璃基板之间,按照180℃、60MPa、5秒钟的条件进行加热加压而各向异性导电连
接,接着,对该玻璃基板,使用相同的各向异性导电膜的其他区域,对评价用FPC按照工具宽
度1.5mm、200℃、5MPa、5秒种的条件进行加热加压而连接,从而得到了通过一块各向异性导
电膜使评价用IC和评价用FPC各向异性导电连接到玻璃基板的评价用连接物。
评价。实际使用上B评价以上为优选。
数的比例作为短路率。
计测所得到的评价用连接物的短路数,由计测的短路数和评价用连接物的间隙数求出短路
率。
短路率全都能实际使用的结果。另外,可知实施例1、2、3中,FOG侧连接部和COG侧连接部上
导电粒子的面密度、粒径、硬度不同,而FOG侧或COG侧连接部的导通可靠性比实施例4、5、6、
7得到提高。相对于此,比较例1、2由于FOG侧连接部和COG侧连接部上导电粒子的面密度、粒
径、硬度不变,且导电粒子随机分散,所以在导电粒子的个数密度高的比较例1中FOG侧连接
部的导通电阻和导通可靠性差,而在导电粒子的个数密度低的比较例2中COG侧连接部的导
通电阻和导通可靠性差。
10r、10s 各向异性导电膜的区域 ;31 第1电子部件 ;32 第2电子部件 ;33 第3电子部件
;40A 第1连接构造体 ;40B 第2连接构造体 ;D 导电粒子的平均粒径 ;La 绝缘性树脂层
的层厚 ;Lb 邻接的导电粒子间的中央部的切平面与导电粒子最深部的距离 ;Lc 倾斜或
起伏中的导电粒子的露出(正上方)部分的直径 ;Ld 导电粒子的周围或正上方的绝缘性树
脂层的倾斜或起伏的最大直径 ;Le 导电粒子的周围的绝缘性树脂层中的倾斜的最大深度
;Lf 导电粒子的正上方的绝缘性树脂层中的起伏的最大深度。