气体传感器和用于探测气体的方法转让专利
申请号 : CN201680091052.1
文献号 : CN109983328B
文献日 : 2022-03-18
发明人 : M·施赖福格尔
申请人 : 罗伯特·博世有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.气体传感器,具有:
能导电的背面电极(4);
正面电极(2),该正面电极具有相对彼此电分离的两个电极元件(2‑1、2‑2);
介电层(3),该介电层布置在所述背面电极(4)和所述正面电极(2)之间;和气体敏感层(1),该气体敏感层布置在所述介电层(3)的一侧上,在该侧上布置有所述正面电极(2);
分析处理装置(6),该分析处理装置与所述背面电极(4)和所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)电耦合,并且该分析处理装置设计成用于获知所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)之间的导电能力,并且该分析处理装置还设计成用于获知所述背面电极(4)和所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)之间的阻抗和/或电容。
2.根据权利要求1所述的气体传感器,其中,所述气体敏感层(1)包含酞菁、金属氧化物和/或碳酸盐。
3.根据权利要求1或2所述的气体传感器,其中,所述介电层(3)包含铁电体。
4.根据权利要求1或2所述的气体传感器,其中,所述气体敏感层(1)包括多孔结构和/或空穴。
5.根据权利要求1或2所述的气体传感器,其中,所述背面电极(4)布置在载体衬底(5)上。
6.根据权利要求1或2所述的气体传感器,其中,所述正面电极(2)包括叉指电极。
7.根据权利要求1所述的气体传感器,其中,所述分析处理装置(6)设计成,当获知所述背面电极(4)和所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)之间的阻抗和/或电容时使所述正面电极(2)的所述电极元件(2‑1、2‑2)相互电连接。
8.根据权利要求1或2所述的气体传感器,该气体传感器具有存储器,该存储器设计成用于存储预先确定的气体和导电能力以及阻抗和/或电容之间的关联,其中,所述分析处理装置(6)设计成用于在使用气体和导电能力以及阻抗和/或电容之间的所存储的关联的情况下确定气体。
9.用于借助根据权利要求1至8之一所述的气体传感器来探测气体的方法,所述方法具有以下步骤:
获知(S1)所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)之间的导电能力;
获知(S2)所述背面电极(4)和所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)之间的阻抗和/或电容;并且
基于所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)之间的所获知的导电能力以及所述背面电极(4)和所述正面电极(2)的所述两个电极元件(2‑1、2‑2)之间的所获知的阻抗和/或电容与预先确定的值的比较来辨识(S3)气体。
说明书 :
气体传感器和用于探测气体的方法
技术领域
背景技术
知在两个电极之间的气体敏感材料的传导性变化。此外,也已知探测输出功的变化的传感
器。
量。
会改变。在此,这种气体敏感材料的信号形成过程的详细理解在大多数情况下还不存在。
发明内容
敏感层布置在介电层的一侧上,在该侧上也布置有正面电极。
的阻抗和/或电容的步骤。此外,所述方法包括用于基于正面电极的两个电极元件之间的所
获知的导电能力以及背面电极和正面电极的两个电极元件之间的所获知的阻抗或所获知
的电容与预先确定的值的比较来辨识气体的步骤。
的明确探测。
此确定输出功的变化。
建立特别有效的传感器结构,该传感器结构相比于多个单个气体传感器而言需要较小的结
构空间。
氧化镍(NiO)、氧化铜(CuO)、氧化锶(SrO)、氧化铟(In2O3)、氧化钨(WO3)、氧化钛(TiO2)、氧
化钒(V2O3)、氧化铁(Fe2O3)、氧化锗(GeO2)、氧化铌(Nb2O3)、氧化钼(MoO3)、氧化钽(Ta2O5)、
氧化镧(La2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化钕(Nd2O3)或者上述材料的混合物以及由导电电极和例
如碳酸盐、如碳酸钡构成的复合材料。
于非极化状态的相对介电常数。在此,介电层的厚度优选小于或等于10μm。介电层尤其可以
小于或等于1μm、500nm或200nm。
电极元件之间的导电能力。此外,分析处理装置设计成用于获知背面电极和正面电极的两
个电极元件之间的阻抗和/或电容。
两个电极元件可以共同用作为一个电极,而在确定电容或阻抗时背面电极形成另一个电
极。
计成在使用气体和导电能力以及阻抗或电容之间的所存储的关联的情况下确定气体。以该
方式,可以由所获知的导电能力和电容或阻抗特别简单地推断出要探测的气体。
到的组合。在此,本领域技术人员尤其也将单个方面作为改善或补充添加到本发明的相应
的基本形式中。
附图说明
具体实施方式
上以上升的顺序布置下列元件:首先在载体衬底5上布置有背面电极4。在背面电极4上布置
有介电层3并且在介电层3上布置有正面电极2。正面电极2通过气体敏感层1覆盖。此外,气
体敏感层1也可以伸入到正面电极2的中间空间中直至介电层3。在另外的实施方案中,气体
敏感层3也可以仅布置在正面电极2的单个或所有元件之间。此外可能的是,为了在正面电
极2的元件之间的填充而针对气体敏感层3使用不同的材料,所述材料的物理和/或化学特
性对不同的气体发生反应。
面电极4例如可以包含铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铑(Rh)、铼(Re)、钌(Ru)、铟(In)、钛(Ti)、氮
化钛(TiN)、一氮化钽(TaN)或这些成分中的一种或多种组成的合金。此外,背面电极4例如
也可以由半导体材料、如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)、氮化
镓(GaN)或其他半导体构成。
和二氧化硅(SiO2),或者是氮化物、如氮化硅(Si3N4)或类似物。在此,该介电层3的厚度例如
为最大10μm、尤其最大200nm。此外,介电层3也可以包含铁电体、如Bi3.15Sm0.85Ti3O12(BST)、
锆钛酸铅(PZT,Pb(ZrxTi1‑x)O3)、钽酸锶铋(SBT,SrBi2Ta2O9)或类似物。在这里,介电层3的厚
度可以位于约500nm或1μm的范围内。
式构造。这种叉指电极具有两个梳形的、彼此嵌合的导电结构。
钡组成的复合材料。
2‑2相对彼此电分离。在此,在正面电极2的两个电极元件2‑1和2‑2之间的中间空间中以及
在正面电极2上方布置有气体敏感层1的材料。
处理装置6在两个电极元件2‑1和2‑2之间施加电压并且测量在此出现的电流。因此,由所测
量的电流和所施加的电压之间的关系可以计算出导电能力。如果气体敏感层1的材料是以
下材料,即该材料的导电能力与一种或多种预先确定的气态物质的浓度有关,那么可以由
导电能力的计算推断出相应的浓度或者至少推断出相应物质的存在。
电极4、介电层3和正面电极2所形成的结构的电容或阻抗。为此例如可以通过背面电极4和
短路的电极元件2‑1和2‑2之间的分析处理装置6施加交流电压。然后可以通过出现的交流
电流的测量推断出相应的电容或阻抗。
响气体敏感层1,而且要探测的气体还通过它与气体敏感层1的相互作用也产生对介电层3
的影响。为此,气体敏感层1例如可以具有多孔结构或空穴。这种空穴例如可以由此形成,使
得实现气体敏感层1的材料在电极元件2‑1或2‑2上的优选局部的沉积。这尤其可以通过以
下方式实现:尤其当气体敏感层1的材料是有机材料时,该材料优选在电极2‑1和2‑2上生
长。因此,在自由的衬底区域上方形成空腔,通过该空腔要探测的气体可以与位于正面电极
2下面的介电层3发生相互作用。该效应例如可以通过介电层3借助以下材料的附加涂层实
现,气体敏感层在该材料上特别差地粘附或生长。在气体敏感层1在衬底上的生长之后必要
时又可以除去该附加材料。
装置可以将气体传感器加热到期望的、预先确定的温度。以该方式可以在探测气体期间建
立有针对性地控制的边界条件。尤其也可能通过加热气体传感器消除凝聚在气体传感器上
的湿气。
优选地,导电能力的确定和电容或阻抗的获知直接相继地进行。替代地,也能够同时测量导
电能力和电容或阻抗。在此,当正面电极2的电极元件2‑1和2‑2之间的电势差小于正面电极
2和气体敏感层1之间的电势差时,尤其可以考虑同时的测量。然后可以基于这两个测量、即
基于所获知的导电能力并且附加地基于所获知的电容或阻抗进行气体的定性和/或定量的
探测。对此,分析处理装置6例如可以将所获知的导电能力和所获知的电容或阻抗与之前存
储在存储器中的值相比较并且由此探测预先确定的气体的存在或确定预先确定的气态物
质的浓度。
息时间。在此,在该休息时间中既不实施导电能力测量也不实施电容或阻抗的测量。此外,
必要时也可以在该休息时间期间解除或至少减少气体传感器的可能加热。以该方式能够实
现所需能量的节省。
实施阻抗或电容的测量。在此,只有当在测量期间借助测量原理得出显著变化时,然后才会
附加地应用相应的另外的测量方法来进一步支持或验证所获知的值。
力。此外,在步骤S2中获知背面电极4和正面电极2的两个电极元件2‑1和2‑2之间的阻抗或
电容。然后在步骤S3中辨识气体。在此,该气体的辨识例如基于正面电极2的两个电极元件
2‑1和2‑2之间的导电能力的所获知的值以及背面电极4和正面电极2的两个电极元件2‑1、
2‑2之间的获知的阻抗或电容与预先确定的值的比较来实现。
测量导电能力也不测量阻抗或电容。
能力的变化的测量以及基于两个电极之间的电容或阻抗的变化而产生的输出功的变化的
测量来实施气体的定性或定量的测量。