阵列基板及液晶显示面板

摘要

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板。所述阵列基板包括阵列排布的多个像素结构，每一像素结构均包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的PFA保护层、设于所述PFA保护层上的像素电极以及设于所述像素电极上的配向层；所述像素电极为连续不间断的整面电极，且所述像素电极上形成有向不同方向延伸的多道沟槽，通过设置整面覆盖的像素电极减少PFA保护层与配向层的接触，能够有效降低产品离子浓度，改善显示效果。

权利要求

1.一种阵列基板，其特征在于，包括阵列排布的多个像素结构(100)，每一像素结构(100)均包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的阵列基板侧有机绝缘膜保护层(3)、设于所述阵列基板侧有机绝缘膜保护层(3)上的像素电极(4)以及设于所述像素电极(4)上的配向层(5)；

所述像素电极(4)为连续不间断的整面电极，且所述像素电极(4)上形成有向不同方向延伸的多道沟槽(40)；

所述像素电极(4)包括十字形的主干(41)以及与所述主干(41)相连并分别向四周延伸的多个条状分支(42)，所述多个条状分支(42)相互间隔且与所述主干(41)形成一夹角，所述沟槽(40)位于相邻的条状分支(42)之间；所述像素电极(4)在条状分支(42)和主干(41)所在位置的厚度为第一厚度，在沟槽(40)所在的位置为小于第一厚度的第二厚度。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT层(2)包括设于所述衬底基板(1)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及衬底基板(1)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极(21)上的栅极绝缘层(22)上的有源层(23)以及设于所述栅极绝缘层(22)上的分别与所述有源层(23)的两端接触的源极(24)和漏极(25)。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板侧有机绝缘膜保护层(3)上还形成有第一过孔(31)，所述第一过孔(31)贯穿所述阵列基板侧有机绝缘膜保护层(3)暴露出所述漏极(25)的一部分，所述像素电极(4)通过所述第一过孔(31)与所述漏极(25)电性连接。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT层(2)还包括与所述栅极(21)同层设置且与所述栅极(21)间隔的公共电极(26)以及与所述漏极(25)同层设置且与所述漏极(25)间隔的电容电极(27)，所述电容电极(27)与所述公共电极(26)相对。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板侧有机绝缘膜保护层(3)上还形成有第二过孔(32)，所述第二过孔(32)贯穿所述阵列基板侧有机绝缘膜保护层(3)暴露出所述电容电极(27)的一部分，所述像素电极(4)通过所述第二过孔(32)与所述电容电极(27)电性连接。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述TFT层(2)与阵列基板侧有机绝缘膜保护层(3)之间的色阻层(7)。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极(4)的材料为ITO，所述配向层(5)的材料为PI。

8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，通过一道灰阶光罩或半色调光罩同时形成各个像素结构(100)中的像素电极(4)及各个像素电极(4)上的沟槽(40)。

9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。

说明书

阵列基板及液晶显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

[0003] 现有的液晶显示面板包括多个呈阵列式排布的子像素，每个子像素电性连接一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，该TFT的栅极(Gate)连接至水平方向的栅极扫描线，漏极(Drain)连接至竖直方向的数据线，源极(Source)则连接至像素电极。在栅极扫描线上施加足够的电压，会使得电性连接至该条栅极扫描线上的所有TFT打开，从而数据线上的信号电压能够写入像素，控制液晶的透光度，实现显示效果。

[0004] 为了液晶显示面板获得更好的广视角特性，改善色偏问题，通常会采取多畴技术(Multi-domain)，即将一个子像素划分成多个区域，并使每个区域中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均，一致。实现多畴的典型方法是将一侧的像素电极处理成“米字型”图案，像素电极图案，其产生的倾斜电场可以诱导不同区域中的液晶分子倒向不同的方向。

[0005] 随着显示技术的发展，阵列基板侧有机绝缘膜(Polymer Film on array，PFA)被越来越多应用在液晶显示面板上。采用PFA既能很好的改善寄生电容，提高穿透率，还能平坦化基板地形，改善拼接不良(mura)，并且PFA透气性能佳，还能有效改善气泡(bubble)问题。但是PFA是有机材料，在具有以上优点的同时，还会带来其他的弊端，其中离子浓度(ion density)高就是最重要的一个弊端，离子浓度是指的是显示面板单位面积内的离子的多少，离子浓度越高越容易导致产品残像(Image Sticking，IS)，为了改善产品IS问题，必须很好的控制产品的离子浓度，而在现有技术中，像素电极上各个畴内的分支电极之间通常会形成间隙(Slit)，在与间隙对应的位置，PFA会直接与配向层接触，导致离子浓度无法得到有效控制，影响产品质量。

发明内容

[0006] 本发明的目的在于提供一种阵列基板，能够有效降低产品离子浓度，改善显示效果。

[0007] 本发明的目的还在于提供一种液晶显示面板，能够有效降低产品离子浓度，改善显示效果。

[0008] 为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素结构，每一像素结构均包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的PFA保护层、设于所述PFA保护层上的像素电极以及设于所述像素电极上的配向层；

[0009] 所述像素电极为连续不间断的整面电极，且所述像素电极上形成有向不同方向延伸的多道沟槽。

[0010] 所述TFT层包括设于所述衬底基板上的栅极、设于所述栅极及衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极上的栅极绝缘层上的有源层以及设于所述栅极绝缘层上的分别与所述有源层的两端接触的源极和漏极。

[0011] 所述PFA保护层上还形成有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述PFA保护层暴露出所述漏极的一部分，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极电性连接。

[0012] 所述TFT层还包括与所述栅极同层设置且与所述栅极间隔的公共电极以及与所述漏极同层设置且与所述漏极间隔的电容电极，所述电容电极与所述公共电极相对。

[0013] 所述PFA保护层上还形成有第二过孔，所述第一过孔贯穿所述PFA保护层暴露出所述电容电极的一部分，所述像素电极通过所述第二过孔与所述电容电极电性连接。

[0014] 所述像素电极包括十字形的主干以及与所述主干相连并分别向四周延伸的多个条状分支，所述多个条状分支相互间隔且与所述主干形成一夹角，所述沟槽位于相邻的条状分支之间。

[0015] 所述阵列基板还包括设于所述TFT层与PFA保护层之间的色阻层。

[0016] 所述像素电极的材料为ITO，所述配向层的材料为PI。

[0017] 通过一道灰阶光罩或半色调光罩同时形成各个像素结构中的像素电极及各个像素电极上的沟槽。

[0018] 本发明还提供一种液晶显示面板，包括上述的阵列基板。

[0019] 本发明的有益效果：本发明提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素结构，每一像素结构均包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的PFA保护层、设于所述PFA保护层上的像素电极以及设于所述像素电极上的配向层；所述像素电极为连续不间断的整面电极，且所述像素电极上形成有向不同方向延伸的多道沟槽，通过设置整面覆盖的像素电极减少PFA保护层与配向层的接触，能够有效降低产品离子浓度，改善显示效果。本发明还提供一种液晶显示面板，能够有效降低产品离子浓度，改善显示效果。

附图说明

[0020] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

[0021] 附图中，

[0022] 图1为本发明的阵列基板的第一实施例的示意图；

[0023] 图2为本发明的阵列基板的像素电极的示意图；

[0024] 图3为本发明的阵列基板的第二实施例的示意图。

具体实施方式

[0025] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

[0026] 请参阅图1，本发明提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素结构100，每一像素结构100均包括：衬底基板1、设于所述衬底基板1上的TFT层2、设于所述TFT层2上的PFA保护层3、设于所述PFA保护层3上的像素电极4以及设于所述像素电极4上的配向层5；

[0027] 结合图2，所述像素电极4为连续不间断的整面电极，且所述像素电极4上形成有向不同方向延伸的多道沟槽40。

[0028] 具体地，如图2所示，所述像素电极4为米字形电极，具有四个畴，详细结构包括十字形的主干41以及与所述主干41相连并分别向四周延伸的多个条状分支42，所述主干41划分出田字形分布的四个畴，每一个畴内均设有多条相互间隔且平行的条状分支42，每一条状分支42均与所述主干41形成一夹角，不同畴内的条状分支42的延伸方向不同，所述沟槽40位于相邻的条状分支42之间。

[0029] 所述像素电极4为连续不间断的整面电极，其中所述像素电极4在条状分支42和主干41所在位置的厚度为第一厚度，在沟槽40所在的位置为小于第一厚度的第二厚度，也即所述沟槽40是通过减薄所述像素电极4的厚度形成的。

[0030] 优选地，所述条状分支42与所述主干41之间的夹角为30°～60°，更优选地，所述夹角为45°。

[0031] 具体地，如图1所示，所述TFT层2包括设于所述衬底基板1上的栅极21、设于所述栅极21及衬底基板1上的栅极绝缘层22、设于所述栅极21上的栅极绝缘层22上的有源层23以及设于所述栅极绝缘层22上的分别与所述有源层23的两端接触的源极24和漏极25。

[0032] 具体地，如图1所示，所述有源层23包括非掺杂层231以及设于所述非掺杂层231与源极24之间以及非掺杂层231与漏极25之间的掺杂层232。

[0033] 进一步地，所述PFA保护层3上还形成有第一过孔31，所述第一过孔31贯穿所述PFA保护层3暴露出所述漏极25的一部分，所述像素电极4通过所述第一过孔31与所述漏极25电性连接。

[0034] 具体地，所述TFT层2还包括与所述栅极21同层设置且与所述栅极21间隔的公共电极(A-com)26以及与所述漏极25同层设置且与所述漏极25间隔的电容电极27，所述电容电极27与所述公共电极26相对。

[0035] 进一步地，所述PFA保护层3上还形成有第二过孔32，所述第一过孔3贯穿所述PFA保护层3暴露出所述电容电极27的一部分，所述像素电极4通过所述第二过孔32与所述电容电极27电性连接。

[0036] 具体地，所述栅极21、有源层23、源极24和漏极25共同形成一驱动TFT，所述公共电极26、电容电极27及像素电极4相对的部分共同形成一存储电容。

[0037] 具体地，如图3所示，根据需要本发明的阵列基板还可以为阵列彩膜集成(Color-filter on Array，COA)型阵列基板，此时，所述阵列基板还包括设于所述TFT层2与PFA保护层3之间的色阻层7。

[0038] 具体地，所述像素电极4的材料为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，所述配向层5的材料为聚酰亚胺(Polyimide，PI)。

[0039] 进一步地，本发明的阵列基板的典型制作过程可以为：首先采用4Mask(光罩)或5Mask工艺形成各个像素结构100的TFT层2，随后在TFT层2上涂布PFA保护层3，并通过曝光及显影在PFA保护层3上形成第一过孔31和第二过孔32，接着在所述PFA保护层3上溅射形成透明金属薄膜(例如ITO薄膜)，并在透明金属薄膜涂布光阻，并通过一道灰阶光罩(Gray Tone Mask)或半色调光罩(HalfTone Mask)同时形成各个像素结构100中的像素电极4及各个像素电极4上的沟槽40。

[0040] 具体地，所述PFA保护层3的材料为有机光阻材料，该有机光阻材料可以为正型光阻，也可以为负型光阻。

[0041] 需要说明的是，经过实验观察比较本发明的阵列基板与现有技术的阵列基板的离子浓度，其中本发明的阵列基板的离子浓度为76；现有的阵列基板包括三种结构，第一种结构为未采用PFA保护层的结构，即将本发明中PFA保护层替换为传统的钝化(Passivation，PV)层，且像素电极采用传统的非整面的Slit结构，该结构的阵列基板的离子浓度为18；第二种结构为采用PFA保护层的结构，但未采用整面像素电极结构，即将本发明中整面的像素电极替换为传统的非整面的Slit结构，该结构的阵列基板的离子浓度为540；第三种结构是在第二种结构的基础上，在PFA保护层与像素电极之间增加一个传统的钝化层，该结构的阵列基板的离子浓度为12。

[0042] 比较上述各结构的离子浓度，可以发现通过本发明的改进能够有效降低产品的离子浓度，并且充分发挥PFA保护层的优势，且无需增加额外的膜层，并且不影响产品的视角。

[0043] 此外，本发明还提供一种液晶显示面板，包括上述的阵列基板。

[0044] 综上所述，本发明提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素结构，每一像素结构均包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的PFA保护层、设于所述PFA保护层上的像素电极以及设于所述像素电极上的配向层；所述像素电极为连续不间断的整面电极，且所述像素电极上形成有向不同方向延伸的多道沟槽，通过设置整面覆盖的像素电极减少PFA保护层与配向层的接触，能够有效降低产品离子浓度，改善显示效果。本发明还提供一种液晶显示面板，能够有效降低产品离子浓度，改善显示效果。

[0045] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。