用于光刻设备的支撑台和光刻设备

摘要

披露了一种用于光刻设备的支撑台、一种加载衬底的方法、一种光刻设备和一种用于使用光刻设备来制造器件的方法。在一种布置中，支撑台(100)被配置成用以支撑衬底(W)。所述支撑台包括基部表面(101)。所述基部表面当所述衬底由所述支撑台支撑时面对所述衬底的底部表面(103)。在所述基部表面上方提供一个或更多个气垫构件(102)。所述气垫构件中的每个包括凹部(108)。所述凹部被成形和配置成使得所述衬底降低至所述支撑台上的所述衬底由所述支撑台支撑的位置处会造成所述凹部内的压力的局部化积聚。所述压力的局部化积聚提供了在所述衬底的所述降低期间的局部化的气体缓冲效应。

权利要求

1.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置成用以支撑衬底，其中所述支撑台包括：

基部表面；

在所述基部表面上方突起的多个突节，所述多个突节中的每个具有相应的远端，所述多个突节被布置成使得当所述衬底由所述支撑台支撑时，所述衬底由所述多个突节的所述相应的远端支撑；和

在所述基部表面上方突起的多个突起部，所述多个突起部中的每个具有相应的远端，所述相应的远端被配置成使得当所述衬底由所述多个突节的所述相应的远端支撑时，所述突起部的所述相应的远端与所述衬底间隔开；

其中所述多个突起部中的至少一个突起部包括气垫构件，所述气垫构件包括形成于所述至少一个突起部中的气体供应通道，所述气体供应通道被配置成允许将气流通过所述支撑台和所述突起部而供应至所述突起部的所述相应远端中的开口，以便提供在所述衬底下方的气体缓冲效应。

2.根据权利要求1所述的支撑台，其中，当所述衬底由所述支撑台支撑时，介于所述衬底与所述多个突起部中的至少一个突起部的相应的远端之间的间隔小于所述多个突节中的一个或更多个的高度的10％。

3.根据权利要求2所述的支撑台，其中，所述间隔小于所述多个突节中的一个或更多个的高度的8％。

4.根据权利要求2所述的支撑台，其中，所述间隔小于所述多个突节中的一个或更多个的高度的6％。

5.根据权利要求2所述的支撑台，其中，所述间隔小于所述多个突节中的一个或更多个的高度的4％。

6.根据权利要求2所述的支撑台，其中，所述间隔小于所述多个突节中的一个或更多个的高度的2％。

7.根据权利要求2所述的支撑台，其中，所述间隔小于所述多个突节中的一个或更多个的高度的1％。

8.根据权利要求2所述的支撑台，其中，所述间隔小于所述多个突节中的一个或更多个的高度的0.1％。

9.根据权利要求1‑8中任一项所述的支撑台，其中，形成于所述多个突起部中的至少一个突起部中的所述气体供应通道的一部分由壁限定，所述壁在垂直于所述基部表面的方向上被观察时形成闭合回路。

10.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置成用以支撑衬底，其中所述支撑台包括：

基部表面；

在所述基部表面上方突起的多个突节，所述多个突节中的每个具有相应的远端，所述多个突节被布置成使得当所述衬底由所述支撑台支撑时，所述衬底由所述多个突节的所述相应的远端支撑；

其中，所述多个突节中的至少一个突节包括在所述基部表面上方的气垫构件，所述气垫构件包括凹部，所述凹部被成形且配置成使得所述衬底降低至所述支撑台上的所述衬底由所述支撑台支撑处的位置造成所述凹部内的压力的局部化积聚，所述压力的局部化积聚提供在所述衬底的降低期间的局部化气体缓冲效应。

11.根据权利要求10所述的支撑台，其中，所述凹部由壁限定，当所述衬底由所述支撑台支撑时，所述壁当在与所述衬底的底部表面垂直的方向上被观察时形成闭合回路。

12.根据权利要求10或11所述的支撑台，其中，所述凹部中的至少一个凹部包括：远端边缘，当所述衬底由所述支撑台支撑时所述远端边缘限定所述凹部的最接近所述衬底的开口；和

气体通道，所述气体通道被配置成向外朝向位于所述远端边缘下方的所述凹部的一部分敞开，所述气体通道被配置成当所述衬底正被降低至所述支撑台上时允许气流进入所述凹部中或离开所述凹部，由此提供对于由所述凹部提供的所述局部化气体缓冲效应的调整。

13.一种光刻设备，包括根据权利要求1‑12中任一项所述的支撑台。

说明书

用于光刻设备的支撑台和光刻设备

[0001] 本申请是申请日为2015年10月07日、申请号为201580057004.6、发明名称为“用于光刻设备的支撑台、加载衬底的方法、光刻设备和器件制造方法”的专利申请的分案申请。

[0002] 相关申请的交叉引用

[0003] 本申请主张2014年10月23日提交的欧洲申请14190079.5的权益，并且它们通过援引而全文合并到本发明中。

技术领域

[0004] 本发明涉及一种用于光刻设备的支撑台、一种加载衬底的方法、一种光刻设备和一种用于使用光刻设备来制造器件的方法。

背景技术

[0005] 光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为
掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将所述
图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)
上。所述图案的转移通常经由将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进
行。通常，单个衬底将包括被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包
括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每
一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)
扫描所述图案、同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一
个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上而将图案从图案形成转移至衬底。

[0006] 在浸没式光刻设备中，浸没流体被流体处置系统或设备处置。在实施例中，所述流体处置系统或设备可供应浸没流体并且因此包括流体供应系统或设备，或由流体供应系统
或设备组成。在实施例中，流体处置系统或设备可至少部分地限制浸没流体。在实施例中，
流体处置系统或设备可提供对于浸没流体而言的阻挡，且由此包括阻挡构件(诸如流体限
制结构)，或由阻挡构件(诸如流体限制结构)组成。在实施例中，流体处置系统或设备可产
生或使用气流，例如用来帮助控制所述浸没流体的流动和/或位置。气流可形成密封以限制
浸没流体，因此所述流体处置系统或设备可被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体
限制结构。在实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在所述情况下，所述流体处置系统或设
备可以是液体处置系统或设备。在下列描述中，对关于流体而限定的特征的提及可被理解
为包括关于液体而限定的特征。

[0007] 衬底可在光刻过程期间由支撑台支撑。可提供用于将衬底转移至支撑台和/或从支撑台转移衬底的衬底输送装置。真空夹持系统可用来将衬底夹持至支撑台。在一种布置
中，可将衬底从衬底输送装置转移至支撑销上。支撑销被配置成缓慢下降，直至衬底从支撑
销转移至支撑台上为止。衬底可从支撑销转移至例如从支撑台的基部表面突起的突节上。
支撑销有时被称作E销钉。当衬底正被降低至支撑销上时，可从所述衬底下方的区域泵吸抽
走气体。这种泵吸抽走气体可在衬底下方产生部分真空。非均一的压力轮廓可在衬底接近
支撑台时积聚。非均一的压力轮廓可造成内部应力被赋予至衬底。当使衬底与支撑台接触
时，产生部分密封并且衬底下方的压力快速下降。快速下降的压力引起衬底被快速且牢固
地夹持至支撑台。一旦被夹持，衬底的后续移动受约束。在夹持之前存在于衬底中的内部应
力可在夹持之后继续存在且造成衬底的后续变形。

[0008] 具有内部应力的衬底的夹持可导致重叠误差。据估计，内部应力通常可针对最初平坦的衬底贡献约1纳米的重叠误差。内部应力将倾向于对于最初不平坦的衬底贡献甚至
更多重叠误差。

[0009] 对于最初平坦的衬底，内部应力将倾向于造成在夹持之后所述衬底的变形。对于最初非平坦的衬底，内部应力将倾向于造成在夹持之后变形的增加。重叠误差将倾向于对
于最初非平坦的衬底而言较大，这是因为初始不平坦度和非均一压力两者的诱发应力将倾
向于累积地贡献于在夹持之后的较大总体变形。

[0010] 因此，例如，需要通过减少衬底在它们已被加载至支撑台上之后发生变形的程度来减轻前述问题中的一个或更多个，或一个或更多个其它问题。

发明内容

[0011] 根据一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置成用以支撑衬底，其中所述支撑台包括：基部表面，当所述衬底由所述支撑台支撑时所述基部表面面对所
述衬底的底部表面；和所述基部表面上方的一个或更多个气垫构件，所述气垫构件中的每
个包括凹部，所述凹部被成形和配置成使得所述衬底降低至所述支撑台上的所述衬底由所
述支撑台支撑处的位置会造成所述凹部内的压力的局部化积聚，压力的局部化积聚提供在
所述衬底的所述降低期间的局部化气体缓冲效应。

[0012] 根据一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置成用以支撑衬底，其中所述支撑台包括：基部表面；在所述基部表面上方突起的多个突节，所述多个突节
中的每个具有相应的远端，所述多个突节被布置成使得当所述衬底由所述支撑台支撑时，
所述衬底由所述多个突节的所述相应的远端支撑；在所述基部表面上方突起的多个突起
部，所述多个突起部中的每个具有相应的远端，所述相应的远端被配置成使得当所述衬底
由所述多个突节的所述相应的远端支撑时，所述突起部的所述相应的远端与所述衬底间隔
开；和一个或更多个气垫构件，每个气垫构件包括形成于所述多个突起部中的一个中的气
体供应通道，所述气体供应通道被配置成允许将气流通过所述支撑台及所述突起部供应至
所述突起部的所述远端中的开口。

[0013] 根据一方面，提供一种将衬底加载至光刻设备中的支撑台上的方法，其中所述支撑台被配置成用以支撑衬底，所述方法包括：提供所述支撑台，其中所述支撑台包括：基部
表面；在所述基部表面上方突起的多个突节，所述多个突节中的每个具有相应的远端，所述
多个突节被布置成使得当所述衬底由所述支撑台支撑时，所述衬底由所述多个突节的所述
相应的远端支撑；在所述基部表面上方突起的多个突起部，所述多个突起部中的每个具有
相应的远端，所述相应的远端被配置成使得当所述衬底由所述支撑台支撑时，所述远端与
所述衬底间隔开；和一个或更多个气垫构件，形成于所述多个突起部中的一个或更多个中，
每个气垫构件包括：开口和气体供应通道，所述开口被配置成在所述衬底正被降低至所述
支撑台上时面向所述衬底，所述气体供应通道通过所述支撑台而通向所述开口，其中：所述
方法还包括在所述衬底正被降低至所述支撑台上时将气流通过所述气体供应通道而提供
至一个所述开口或多个所述开口。

[0014] 根据一方面，提供一种器件制造方法，包括：使用光刻设备以将图案从图案形成装置转移至衬底，其中所述光刻设备包括：支撑台，所述支撑台被配置成用以支撑衬底，所述
支撑台包括：一个或更多个气垫构件，所述气垫构件中的每个包括凹部，所述凹部被成形和
配置成使得所述衬底降低至所述支撑台上的所述衬底由所述支撑台支撑处的位置造成所
述凹部内的压力的局部化积聚，所述压力的局部化积聚提供在所述衬底的所述降低期间的
局部化气体缓冲效应。

[0015] 根据一方面，提供一种器件制造方法，包括：使用光刻设备以将图案从图案形成装置转移至衬底，其中所述光刻设备包括：支撑台，所述支撑台被配置成用以支撑衬底，所述
支撑台包括：基部表面；在所述基部表面上方突起的多个突节，所述多个突节中的每个具有
相应的远端，所述多个突节被布置成使得当所述衬底由所述支撑台支撑时，所述衬底由所
述多个突节的所述相应的远端支撑；在所述基部表面上方突起的多个突起部，所述多个突
起部中的每个具有相应的远端，所述相应的远端被配置成使得当所述衬底由所述多个突节
的所述相应的远端支撑时，所述突起部的所述相应的远端与所述衬底间隔开；和一个或更
多个气垫构件，每个气垫构件包括形成于所述多个突起部中的一个中的气体供应通道，所
述气体供应通道被配置成允许将气流通过所述支撑台及所述突起部供应至所述突起部的
所述远端中的开口。

附图说明

[0016] 现在将仅作为举例、参考所附的示意图来描述本发明的实施例，附图中相应的附图标记表示相应的部件，并且其中：

[0017] 图1描绘根据本发明的实施例的光刻设备；

[0018] 图2描绘用于光刻设备中的液体供应系统；

[0019] 图3是描绘根据实施例的另外的液体供应系统的侧视截面图；

[0020] 图4是描绘包括多个气垫构件的支撑台100的示意性俯视图；

[0021] 图5是描绘在衬底朝向单一气垫构件正被降低时所述气垫构件的示意性侧视剖视图；

[0022] 图6是描绘在衬底朝向多个示例性气垫构件正被降低时所述气垫构件的示意性侧视剖视图；

[0023] 图7是描绘气垫构件的示意性俯视图；

[0024] 图8是描绘包括气体通道的气垫构件的示意性侧视剖视图；

[0025] 图9是描绘图8中所描绘的类型的气垫构件的示意性俯视图；

[0026] 图10是描绘包括可替代的气体通道的气垫构件的示意性俯视图；

[0027] 图11是描绘支撑台的一部分的示意性侧视剖视图，其包括支撑着衬底的多个突节和形成在比突节更低的突起部中的多个气垫构件；

[0028] 图12是描绘支撑台的一部分的示意性侧视剖视图，其包括多个突节，气垫构件形成在突节中；

[0029] 图13是描绘支撑台的一部分的示意性侧视剖视图，支撑台包括支撑着衬底的多个突节和多个气垫构件，气垫构件中形成有气体供应通道，气体供应通道允许将气流通过所
述支撑台而供应至比突节更低的突起部中；和

[0030] 图14描绘示出在衬底的加载期间气垫构件中的压力随着时间的模拟变化的曲线图。

具体实施方式

[0031] 图1示意地描绘根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其它合适辐射)；支撑
结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与被配置用于根据
特定参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。所述设备也包括衬底台(例
如，晶片台)WT或“衬底支撑件”，所述衬底台WT或“衬底支撑件”被构造用以保持衬底(例如
涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且与配置用于根据特定参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW
相连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成
装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

[0032] 照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

[0033] 所述支撑结构支撑所述图案形成装置，即承载所述图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空
环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电
的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据
需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例
如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术
语“图案形成装置”同义。

[0034] 这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，
被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果所述图
案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的
器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

[0035] 图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类
型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编
程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿
不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐
射束。

[0036] 这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，所述投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或
其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类
的其它因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影
系统”同义。

[0037] 这里如图所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。

[0038] 光刻设备可以是具有两个(“双平台”)或更多个衬底台或衬底支撑件(和/或两个或更多个掩模台或或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多平台”机器中，可以平行地使用额外
的台或支撑件，或者可以在一个或多个台或支撑件上执行预备步骤的同时，一个或多个其
它的台或支撑件被用于曝光。

[0039] 所述光刻设备也可以是这种类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到
光刻设备中的其它空间，例如介于掩模和投影系统之间的空间。浸没技术能够用于提高投
影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体
中，而是仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和所述衬底之间。

[0040] 参照图1，所述照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。所述源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当所述源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将所述源看成形成
光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的
帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻
设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需
要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

[0041] 所述照射器IL可以包括被配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般
分别称为σ‑外部和σ‑内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积
分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的
均匀性和强度分布。与源SO类似，照射器IL可以被看作或不被看作形成光刻设备的一部分。
例如，照射器IL可以是光刻设备的组成部分或可以是与光刻设备分开的实体。在后一种情
形中，光刻设备可以配置成允许照射器IL安装其上。可选地，照射器IL是可分离的并且可以
单独地设置(例如，由光刻设备制造商或其它供应商提供)。

[0042] 所述辐射束B入射到保持在支撑结构MT(例如，掩模台)上的所述图案形成装置MA(例如，掩模)上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过掩模之后，所述辐射
束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第
二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以
精确地移动所述支撑台100，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类
似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一
个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模。通常，
可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定
位)的帮助来实现掩模台的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长
行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT或“衬底支撑件”的移动。在步进机的情况下
(与扫描器相反)，掩模台可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准
标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专
用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似
地，在将多于一个的管芯设置在掩模上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之
间。

[0043] 用以将液体提供到投影系统PS的最终元件和衬底之间的布置可以被分成三大类。它们是浴器类型布置、所谓的局部浸没系统和全浸湿浸没系统。在浴器类型布置中，基本上
整个所述衬底和可选地所述衬底台WT的一部分被浸没于液体的浴中。

[0044] 已提出的布置被用来向液体供应系统提供液体限制结构，所述液体限制结构沿着介于投影系统的最终元件与所述衬底、衬底台、或衬底和衬底台二者之间的空间的边界的
至少一部分而延伸。这样的布置在图2中示出。图2中所图示且在下文所描述的所述布置可
被应用于上文所描述且在图1中所图示的光刻设备。

[0045] 图2示意性地描绘具有液体限制结构IH的局部化液体供应系统或流体处置系统，所述液体限制结构IH沿着介于投影系统PS的最终元件与衬底台WT或衬底W之间的空间11的
边界的至少一部分而延伸。(请注意，除非另有明确陈述，否则在下文中对衬底W的表面的提
及也另外或替代地是指对于衬底台WT的表面)。在实施例中，密封件被形成于液体限制结构
IH与衬底W的表面之间，且其可以是非接触式密封件，诸如气体密封件16(欧洲专利申请公
开第EP‑A‑1,420,298号中披露了具有气体密封件的这种系统)或液体密封件。

[0046] 液体限制结构IH至少部分地将液体包含在介于投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间11中。空间11是由定位于投影系统PS的最终元件下方且围绕投影系统PS的最终元
件的所述液体限制结构IH而至少部分地形成。液体通过开口13而被带入至位于投影系统PS
下方且在液体限制结构IH内的空间11内。液体可通过开口13而被移除。液体是通过开口13
而带入至空间11中、还是通过开口13从空间11而被移除，这可取决于衬底W及衬底台WT的移
动方向。

[0047] 液体可借助于气体密封件16而被包含于空间11中，气体密封件16在使用期间被形成于液体限制结构IH的底部与衬底W的表面之间。气体密封件16中的气体经由气体入口15
而在负压下被提供至介于液体限制结构IH与衬底W之间的间隙。经由与出口14相关联的通
道来抽取气体。气体入口15上的过压、出口14上的真空水平和所述间隙的几何形状被布置
成使得在内部存在有限制所述液体的高速气流。气体对在液体限制结构IH与衬底W之间的
液体的力将液体包含于空间11中。美国专利申请公开第US2004‑0207824号中披露了这种系
统，该美国专利申请公开的全文通过援引而被合并到本文中。在实施例中，液体限制结构IH
不具有气体密封件。

[0048] 在局部化区域液体供应系统中，在投影系统PS和液体供应系统下方移动所述衬底W。当例如衬底W的边缘待成像时、或当衬底台上(或测量台上)的传感器待成像或衬底台WT
待移动使得伪衬底(dummy substrate)或所谓的封闭板可被定位于液体供应系统下方以使
得例如衬底交换能够发生时，衬底W(或其它物体)的边缘将在空间11下方穿过。液体可泄漏
至介于衬底W与衬底台WT之间的间隙内。这种液体可在流体静压力或流体动压力或气刀或
其它气流产生装置的力下被推动进入。

[0049] 图3是描绘了根据实施例的另外的液体供应系统或流体处置系统的侧视截面图。图3中所图示的且在下文所描述的布置可被应用于上文所描述且图1中所图示的光刻设备。
所述液体供应系统具备液体限制结构IH，液体限制结构IH沿着介于投影系统PS的最终元件
与衬底台WT或衬底W之间的空间的边界的至少一部分而延伸。(请注意，除非另有明确陈述，
否则在下文中对衬底W的表面的提及也另外或可替代地是指对于衬底台WT的表面)。

[0050] 液体限制结构IH至少部分地将液体包含在介于投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间11中。空间11由定位于投影系统PS的最终元件下方且围绕投影系统PS的最终元件
的液体限制结构IH而至少部分地形成。在实施例中，液体限制结构IH包括主体构件53和多
孔构件83。多孔构件83是板状的且具有多个孔(即，开口或微孔)。在实施例中，多孔构件83
是网板，其中众多小孔84被形成为呈网眼的形式。美国专利申请公开第US2010/0045949A1
号中披露了这种系统，所述美国专利申请公开的全文通过援引而合并到本文中。

[0051] 主体构件53包括：供应端口72，其能够将液体供应至空间11；和回收端口73，其能够从空间11回收液体。供应端口72经由通路74而连接至液体供应设备75。液体供应设备75
能够将液体供应至供应端口72。从液体供应设备75馈送的液体通过对应通路74而供应至供
应端口72中的每个供应端口。供应端口72在光学路径附近安置于主体构件53的面对光学路
径的规定位置处。回收端口73能够从空间11回收液体。回收端口73经由通路79而连接至液
体回收设备80。液体回收设备80包括真空系统且能够通过经由回收端口73吸入液体来回收
液体。液体回收设备80通过通路79回收经由回收端口73而回收的液体LQ。多孔构件83安置
于回收端口73中。

[0052] 在实施例中，为了在一侧上在投影系统PS与液体限制结构IH之间、以及在另一侧上在投影系统PS与衬底W之间以液体形成空间11，液体被从供应端口72供应至空间11，且将
液体限制结构IH中的回收腔室81中的压力调整至负压以便经由多孔构件83的孔84(即，回
收端口73)来回收液体。使用供应端口72来执行液体供应操作、以及使用多孔构件83来执行
液体回收操作会在一侧上在投影系统PS与液体限制结构IH之间及在另一侧上在投影系统
PS与衬底W之间用液体形成空间11。

[0053] 如在说明书的引言部分中所描述，在真空夹持工艺期间在衬底W内产生的内部应力能够导致重叠误差。在诸如下文参看图4至图14所描述那些实施例中，通过在用于支撑所
述衬底W的支撑台100上提供一个或更多个气垫构件来减少重叠误差。上文参看图1所提及
的衬底台WT是这种支撑台100的实例。下文所描述的实施例中的任一实施例可在上文参看
图1至图3中的任一图所描述的类型的光刻设备中、以及在其它光刻设备中实施。可在浸没
光刻设备及非浸没光刻设备中实施所描述的实施例。在实施例中，气垫构件中的每个气垫
构件被配置成用以施加局部化气体缓冲效应。局部化气体缓冲效应包括将局部化的力向上
施加至衬底W的底侧上的局部化区，而同时将衬底W朝向气垫构件降低。在实施例中，局部化
力的大小将随着衬底W接近气垫构件而增加。局部化力导致衬底W的局部化减速。在衬底W并
不平坦的情况下，衬底W的下部区域将倾向于比衬底的较高区域更多地减速，这是因为衬底
W的下部区域将倾向于更接近所述气垫构件。结果是，衬底W的较高区域将倾向于在衬底W的
夹持之前至少部分地赶上所述衬底W的下部区域。因此，理想地，提供了多个气垫构件以便
允许在衬底W下方的不同位置处施加不同气体缓冲力。因此，可在夹持之前改善衬底W的平
坦度，由此改善重叠。

[0054] 替代地或补充地，由气垫构件施加的力可用以延迟衬底W至支撑台100上的夹持。延迟所述夹持可提供更多的时间以供衬底W内的内部应力在夹持之前松弛。这些内部应力
可例如由可在衬底W朝向支撑台100的降低期间已在衬底W下方积聚的非均一压力轮廓而造
成。在夹持之后由于内部应力的存在而导致的衬底W的变形可因此被减少，由此改善重叠。
替代地或另外，内部应力的改善型管理可允许在重叠误差不超过一可接受量的情况下增加
夹持力。因此，可改善夹持工艺的效率。

[0055] 下文参看图4至图13描述特定的非限制性实例。

[0056] 提供了用于光刻设备的支撑台100。支撑台100被配置成用以支撑衬底W。支撑台100包括基部表面101。基部表面101被配置成当衬底W由支撑台100支撑时面对衬底W的底部
表面103。在实施例中，基部表面101是实质上平面的。基部表面101可当衬底W由支撑台100
支撑时实质上平行于衬底W。

[0057] 在基部表面101上方提供一个或更多个气垫构件102。在图4所示的特定实例中，提供多个气垫构件102。在此特定实例中的气垫构件102的数目不受限制。气垫构件102可在基
部表面101上实质上均一地分布。在图4所示的特定实例中，单一气垫构件102位于中心位置
处，且两组气垫构件102位于更多的周边位置处。第一组气垫构件102是沿着位于与单一气
垫构件102相距第一半径的圆形路径而分布。在此特定实例中，第一组气垫构件102包括五
个气垫构件102。第二组气垫构件102是沿着位于与单一气垫构件102相距第二半径的圆形
路径而分布。第二半径大于第一半径。在此特定实例中，第二组气垫构件102包括十个气垫
构件102。因而，在此特定实例中提供了总共16个气垫构件102。在其它实施例中，可提供更
多或更少气垫构件102。另外或替代地，气垫构件102可以不同的方式分布。

[0058] 在实施例中，气垫构件102中的每个气垫构件包括凹部108。凹部108被成形和配置成使得衬底W降低至支撑台100上的衬底W由衬底台WT支撑的位置会造成凹部108内的压力
的局部化积聚。由于由下降衬底W所造成的凹部108内的气体的压缩而引起所述凹部108中
的压力的局部化积聚。压力的局部化积聚提供了在衬底W的降低期间的局部化气体缓冲效
应。气体缓冲效应包括局部化力的施加至衬底W的局部化区域。气体缓冲效应的大小及形状
将通常取决于各种因素，包括以下各个因素中的一个或多个因素：气垫构件102的几何形
状、凹部108的几何形状、衬底W的位置、衬底W的移动速度、衬底W下方的气体的名义压力，和
衬底W的先前移动的细节。一种重要因素将是(例如，在气垫构件102的远端与衬底W之间)多
少空间可以利用，以供气体当衬底W降低时从凹部108逸出。此空间越大，气体可从凹部108
逸出越快速，此情形将倾向于限制气体被压缩的程度。限制气体被压缩的程度将限制凹部
108中的压力上升。相反地，空间越小，则气体能够越不太快地从凹部108逸出，此情形将倾
向于导致气体的较大压缩和凹部108中的较大压力上升。

[0059] 图5中示意性地图示了实例气垫构件102的操作原理。在图5中，箭头104指示了衬底W朝向下方的气垫构件102降低。在此实施例中，气垫构件102包括凹部108，凹部108具有
由侧向壁111和基部112限定的内表面。侧向壁111可以是例如圆柱形，或可呈其它形状。凹
部108用以约束气流(例如，通过在一个或更多个侧向方向上限制流动)，而衬底W是以使凹
部108内的气体被压缩的方式下降。如上文所讨论，压缩可受到能够从凹部108逸出(由箭头
106所图示)的一些气体限制。气体能够逸出的速率将取决于介于凹部108的远端边缘110与
下降衬底W之间的间隙的大小。较小间隙将提供对于流106的较大流阻，这将减少能够逸出
的气体的量。随着下降衬底W变得较接近远端边缘110，则可用于流106的间隙变得较小并且
3
流阻变得较高。在这种类型的实施例中，预期的是，流阻将大约随着(1/间隙大小)而变化。
因此，凹部108内的压力将倾向于在衬底W的较低位置处是较高的。因此，气垫构件102提供
局部化气体缓冲效应，这当衬底W变得较接近支撑台100和气垫构件102时增加强度。

[0060] 在衬底W的加载期间，气垫构件102中的压力随着时间推移的变化将极大程度地取决于凹部108的形状和尺寸。作为非限制性实例，图14示出仿真/模拟的结果，其示出预期在
定位于根据重力而下降的衬底W下方的单一20mm直径气垫构件102中压力如何变化。此实例
中的气垫构件102是由中空圆柱壁形成，其在一端部处封闭且在另一端部处敞开。壁的厚度
为0.5mm。圆柱的高度与当衬底W与支撑台100接触时将支撑衬底W的突节的高度相比低3微
米。在图14中，衬底W从t＝0开始向下移动。衬底W在压力到达其最大值3000Pa时触及所述支
撑台100。与此对比，衬底W上的重力压力是18Pa。重力压力可在若衬底W被支撑于衬底中心
时造成衬底W的大约10微米的变形，或在若衬底W被支撑于典型支撑销(E销钉)上时造成衬
底W的大约3微米的变形。如可看出，对于大比例的降低时间，压力由于在衬底W下方的气体
不具有任何显著约束而保持大约恒定。当衬底W接近气体缓冲构件102时，压力开始下降，这
是因为与真空夹持工艺相关联的泵吸开始在降低压力时有效。然而，气体缓冲构件102中的
气体随后开始被压缩，且压力朝向为3000Pa的最大值快速上升。压缩接着在衬底W开始搁置
于支撑台100的突节上时停止。与真空夹持工艺相关联的泵吸随后接管起作用，且造成压力
快速地下降。当压力下降成低于大气压力时，衬底W变得被夹持至支撑台100。

[0061] 图6图示出图5所示的类型的多个气垫构件102A至102C作用于非平坦的下降衬底W(出于图示性目的，相对于实际上很可能遭遇的不平坦度，夸大并且简化了所显示的不平坦
度)的实施例。不平坦度可由各种因素造成。例如，作用于衬底W上的在所有底部表面103上
未被均一地支撑的重力可造成不平坦度。作用于由支撑销(E销钉)所支撑的衬底W上的重力
可造成不平坦度。在所示的图示性实例中，在图6中所描绘的时间瞬间，衬底W在中心区中由
于不平坦度而比在周边区中更低。结果，衬底W相比于接近气垫构件102B及102A的程度而
言，更接近中心气垫构件102C。因此，由气垫构件102C施加的气体缓冲效应比由气垫构件
102B施加的气体缓冲效应更强。由气垫构件102B提供的气体缓冲效应也比由气垫构件102A
提供的气体缓冲效应更强。因此，衬底W的中心区将倾向于被减速至与衬底W的较侧向的区
相比更大的减速程度。因此，衬底W的侧向区将倾向于赶上较中心的区，由此展平所述衬底W
且减少重叠误差。

[0062] 在实施例中，气垫构件102中的一个或更多个被形成于突起部109中。支撑台100可包括多个突起部109。在实施例中，突起部109中的每个包括单一气垫构件102(例如，突起部
109中的每个包括单一凹部108)。在其它实施例中，突起部109中的一个或更多个可各自包
括一个以上气垫构件102(例如，突起部109中的一个或更多个中的每个包括多个凹部108)。
将气垫构件102设置于突起部109中会使得有可能使限定所述凹部108的远端边缘110更接
近于衬底W。使远端边缘110较接近衬底W会增加对于从凹部108逸出的气体的流阻。增加用
于从凹部108逸出的气体的流阻将倾向于增加所述气体的压缩，且在凹部108内导致较高压
力。每个突起部109在支撑台100的基部表面101上方突起。突起部109可并非是在支撑台100
的基部表面101上方突起的唯一特征。每个突起部109具有远端。突起部109的远端是与基部
表面101上的所述突起部109突出处的部分的最远离的突起部的部分。在基部表面101实质
上水平的情况下，每个突起部109的远端将是所述突起部109的最高部分。在实施例中，突起
部109被配置成使得当衬底W由支撑台100支撑时，每个突起部109的远端与衬底W间隔开。因
此，当衬底W由支撑台100支撑时，突起部109的任何部分都不与衬底W接触。例如，图11中示
出此类型的实例实施例。在实施例中，突起部109中的一个或更多个中的每个可在所述突起
部109的远端中包括一个或更多个气垫构件102。在实施例中，气垫构件102的凹部108在突
起部109的远端处敞开。在存在着通往凹部108内的一个以上开口的情况下，最大开口可被
配置成面向衬底W。

[0063] 在实施例中，凹部108的内表面可被认为是由多个部分组成，且所述内表面的所述部分中的每个部分是与直接与气垫构件102相邻的基部表面101的一部分齐平、或在直接与
气垫构件102相邻的基部表面101的所述部分上方。在图5的实例中，凹部108的所有内表面
都在基部表面101上方。在其它实施例中，凹部108的基部可由基部表面101的一部分形成，
或与基部表面101的一部分齐平。在这样的实施例中，可通过用被形成为呈闭合回路形式的
壁来围封所述基部表面101的一部分而形成气垫构件102。例如，图6中示出此类型的气垫构
件102的实例。

[0064] 设置与突节116分离的突起部109也可帮助改善支撑台100与衬底W之间的热耦合，由此改善重叠。

[0065] 在实施例中，支撑台100还包括多个突节116。例如，图11中示出这种实施例的实例。多个突节116中的每个在支撑台100的基部表面101上方突出。多个突节116中的每个具
有相应远端117。多个突节116被布置成使得当衬底W由支撑台100支撑时，所述衬底W是由多
个突节116的相应远端117支撑。在实施例中，介于衬底W与突起部109中的至少一个的远端
之间的间隔118小于突节116中的一个或更多个的高度120的10％(当衬底W由支撑台100支
撑时)、视情况小于8％、视情况小于6％、视情况小于4％、视情况小于2％、视情况小于1％、
视情况小于0.1％。将突起部109的远端布置成接近于衬底W会确保从凹部108逸出的气体的
流阻是相对较高的，由此促进凹部108内的气体的压缩。

[0066] 在实施例中，可在形成于突起部109内的凹部108中的一个或更多个的内部设置突节116中的一个或更多个。在其它实施例中，可在形成于突起部109内的所有凹部108外部设
置所有突节116。

[0067] 在实施例中，支撑台100包括多个突节116，且气垫构件102中的至少一个被形成于所述突节116中的一个或更多个中。图12中示出这种实施例的实例。在这种实施例中，可存
在或可不存在低于突节116的突起部109。在设置低于突节116的突起部109的情况下，突起
部109可包括或也可不包括气垫构件102中的一个或更多个。

[0068] 在气垫构件102包括形成于突节116中的凹部108的实施例中，凹部108中的气体缓冲压力与形成在比突节116更低的突起部109中的凹部108中的压力相比，在衬底W接近突节
116时将倾向于上升至更高值。然而，突节116中的凹部108中的压力将通常比突起部109中
的凹部108中的压力而言作用于更小区域之上。这是因为通常将需要使突节116较小以便作
为突节116而有效地起作用(例如，用以提供与衬底W相接触的足够小总表面积，使得污染物
颗粒存在于突节与衬底W之间(由此造成不平坦度)的机率可接受地低)。

[0069] 在实施例中，凹部108由侧向壁111限定，侧向壁111当被垂直地观察时形成闭合回路(例如，当衬底W由支撑台100支撑时在垂直于衬底W平面的方向上)。图7中示意性地示出
这种布置的实例。闭合回路中的侧向壁111提供凹部108内的气体的有效约束，由此促进所
述气体的压缩。

[0070] 在实施例中，凹部108具有面对衬底W的单一开口。所述单一开口可被例如远端边缘110围绕。在这种实施例中，凹部108可被描述为盲凹部。在其它实施例中，可设置一个或
更多个额外开口115。在实施例中，设置气体通道114，其通向一个或更多个额外开口115。所
述一个或更多个额外开口115可向外朝向位于远端边缘110下方的凹部108的一部分敞开。
所述一个或更多个额外开口115和气体通道114可允许气体从凹部108更快速地逸出。允许
气体更快速地逸出可以用期望的方式改变所述气体缓冲效应。替代地或另外，允许气体更
快速地逸出可促进在衬底W由支撑台100支撑之后建立夹持力。

[0071] 图8及图9中示意性地图示了包括额外开口115和通向额外开口115的气体通道114的实施例的实例。可提供用于气流通道114的各种其它形状和配置。图10描绘了提供呈狭缝
的形式的气体通道114的一个特定实例的俯视图。所述狭缝从基部表面101延伸至气垫构件
102的远端边缘110，且因此防止了凹部108的侧向壁111形成闭合回路。在所示出的特定实
例中，狭缝被垂直地定向，但这并非是必须的。

[0072] 图13描绘了提供一种气体供应系统124的替代实施例。气体供应系统124被配置成用以驱动气流通过多个气垫构件102。气垫构件102被形成于支撑台100中的突起部109中。
在这种类型的实施例中，提供了具有基部表面101的支撑台100。提供多个突节116。突节116
在基部表面101上方突起。多个突节116中的每个具有相应的远端117。多个突节116被布置
成使得当衬底W由支撑台100支撑时，所述衬底W是由多个突节116的远端117支撑。所述多个
突起部109在基部表面101上方突起。多个突起部109中的每个具有相应的远端105。所述相
应的远端105被配置成使得当衬底W由多个突节116的相应远端117支撑时，突起部102的相
应远端105与衬底W间隔开。气体供应通道122形成于多个突起部109中的一个或更多个中。
在所示出的特定实施例中，气体供应通道122被形成于突起部109中的每个或任一个中，但
这并非是必需的。气体供应通道122中的每个被配置成允许将气流通过支撑台100和突起部
109而供应至所述突起部109的远端中的开口。因此，在这种类型的实施例中，能够将气体主
动供应至突起部109的远端105以便在衬底W下方提供气体缓冲效应。在实施例中，介于衬底
W与突起部109中的至少一个的远端105之间的间隔118小于一个或更多个突节116的高度
120的10％(当衬底W由支撑台100支撑时)、视情况小于8％、视情况小于6％、视情况小于
4％、视情况小于2％、视情况小于1％、视情况小于0.1％。将突起部109的远端105布置成接
近于衬底W会确保用于从凹部108逸出的气体的流阻是相对较高的，由此促进在气垫构件
102与衬底W之间维持高压力。

[0073] 在图13所示出的类型的实施例中，形成于突起部109中的至少一个中的气体供应通道122的一部分是由侧向壁限定，所述侧向壁当在垂直于基部表面101的方向上被观察时
形成闭合回路。

[0074] 在实施例中，提供一种将衬底W加载至支撑台100上的方法，其使用图13所示出类型的实施例的支撑台100。所述方法包括：提供这种支撑台100；和当衬底W正被降低至支撑
台100上时将气流通过气体供应通道122而提供至突起部109中的所述开口或多个所述开
口。

[0075] 在实施例中，提供一种器件制造方法，包括：将衬底W加载至根据实施例的支撑台100上；和使用包括所述支撑台100的光刻设备来将图案从图案形成装置MA转移至衬底W。

[0076] 虽然本发明具体参考光刻设备在制造IC中的应用，但是应该理解，这里所述的光刻设备可以具有其它应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显
示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将会认识到，在这样替换的应用情形
中，此处的任何使用的术语“晶片”或“管芯”可以分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目
标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地
将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、测量工具和/或检查工
具中。在可应用的情况下，可以将此处的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另
外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可
以表示已经包括多个已处理层的衬底。

[0077] 此处所用的术语“辐射”和“束”包括全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有等于或约365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5‑20nm
范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

[0078] 在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性式的、电磁式的和静电光学式的部件。

[0079] 虽然上文已描述本发明的特定实施例，但应了解，可以用与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上的描述是图示性的，而不是限制性的。因此，对本领域的技术
人员将明白，在不背离下面所阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的发明进
行修改。