基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的制备方法转让专利

申请号 : CN201910311811.6

文献号 : CN110092867B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 孙越李思雨杨艺菲冯雪薇王伟

申请人 : 辽宁师范大学

摘要 :

本发明公开一种基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的制备方法,按照如下步骤进行:制备氧化锌纳米花,再制备氧化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参比电极,铂丝为对电极,得到氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌/纳米金复合修饰电极,然后再制备修饰了聚合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,除去聚合物中的模板分子,超纯水冲洗后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物。

权利要求 :

1.一种基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的制备方法,其特征在于按照如下步骤进行:

a. 将0.5mmoL~8mmoL乙酸锌脱水物于剧烈磁力搅拌下溶于30 mL水中,逐滴加入1mL~30mL乙醇胺,搅拌15 min后转移至不锈钢高压反应釜中,150℃条件下反应8h~16h,冷却,收集产物并用超纯水和乙醇分别洗涤5次,放入干燥箱中于80℃下干燥2 h得到氧化锌纳米花;将2 mg氧化锌纳米花与2 mL超纯水混合得到氧化锌纳米花悬浊液,滴涂到处理过的裸金电极上,得到氧化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参比电极,铂丝为对电极,将三电极系统置于含有1% HAuCl4的溶液中,并在-

0.9 V的恒定电势下电沉积200 s,得到氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;

b. 将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极,然后将含0.02~0.4 moL/L N-异丙基丙烯酰胺、0.02~0.4 moL/L甲基丙烯酸、0.02~0.4 moL/L N,N-亚甲基双丙烯酰胺以及0.5~8 mg/mL模板分子的混合溶液放入电解池内,室温下,将含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极插入到电解池内的混合溶液中,同时插入纳米铂电极作为工作电极、铂丝为对电极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极系统,在-0.5~0.2 V电位下,施加恒定电位3 h,之后将修饰了聚合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,用超纯水清洗,在含有10 g/L十二烷基硫酸钠的0.1 mol/L乙酸钠溶液中通过电场辅助除去聚合物中的模板分子,超纯水冲洗后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物;所述模板分子为血红蛋白、肌红蛋白或超氧化物歧化酶。

说明书 :

基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的制备

方法

技术领域

[0001] 本发明公开一种温敏型印迹聚合物,尤其是一种操作简单、成本低廉、具有温度响应性且灵敏度高的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的制备方法。

背景技术

[0002] 纳米材料作为一种最具潜力的新型材料,在短时间内飞速发展。纳米材料的结构单元尺寸介于1 100 nm之间,与普通材料相比具有许多优良特性,例如比表面积大、导电性
~
增加、物理性质发生改变等。氧化锌作为一种n型半导体,已被广泛应用于各种器件应用。由
于其独特的晶体性,可以很容易地合成各种形态,包括纳米棒、纳米片、多孔空心球等。由纳
米棒组成的纳米花具有大的孔隙率和更大的比表面积,同时三维结构为电子转移提供了方
便快捷的通道。金属纳米粒子也是生物传感装置中的常用材料,具有高比表面积、高效催化
能力和能够促进电子转移等特性,常见的纳米金属材料有金粒子、铂粒子、镍粒子等。其中
金纳米粒子因其具有良好的生物相容性,不会破坏生物酶和蛋白质的活性,常常用于蛋白
质浓度的测定。
[0003] 温敏型印迹聚合物以温度敏感型单体作为主单体,用来响应外界环境的刺激,外加适量的辅助功能单体用于与模板分子作用。温敏单体的引入,使印迹聚合物对目标分子
的亲和力可随温度变化而变化,温敏型印迹聚合物还可以增强传质速度,提高吸附容量,在
实际应用中可满足药物控制释放载体、酶模拟、固相萃取、传感器等领域对材料亲和力可调
的要求。
[0004] 由于纳米粒子、温敏型分子印迹聚合物的优点,将其结合制备特定功能性印迹聚合物近年来受到较大关注。虽然目前已有基于血红蛋白、肌红蛋白、超氧化物歧化酶的分子
印迹聚合物,但迄今为止,还没有基于氧化锌纳米花/纳米金复合制备的温敏型分子印迹聚
合物的相关报道。

发明内容

[0005] 本发明是为了解决现有技术所存在的问题,提供一种操作简单、成本低廉、具有温度响应性且灵敏度高的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的制备方法。
[0006] 本发明的技术解决方案是:一种基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的制备方法,其特征在于按照如下步骤进行:
[0007] a. 将0.5mmoL~8mmoL乙酸锌脱水物于剧烈磁力搅拌下溶于30 mL水中,逐滴加入1mL~30mL乙醇胺,搅拌15 min后转移至不锈钢高压反应釜中,150℃条件下反应8h~16h,
冷却,收集产物并用超纯水和乙醇分别洗涤5次,放入干燥箱中于80℃下干燥2 h得到氧化
锌纳米花;将2 mg氧化锌纳米花与2 mL超纯水混合得到氧化锌纳米花悬浊液,滴涂到处理
过的裸金电极上,得到氧化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,
饱和甘汞电极为参比电极,铂丝为对电极,将三电极系统置于含有1% HAuCl4的溶液中,并
在-0.9 V的恒定电势下电沉积200 s,得到氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;
[0008] b. 将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极,然后将含0.02~0.4 moL/L 
N-异丙基丙烯酰胺、0.02~0.4 moL/L甲基丙烯酸、0.02~0.4 moL/L N,N-亚甲基双丙烯酰
胺以及0.5~8 mg/mL模板分子的混合溶液放入电解池内,室温下,将含溴化合物修饰的氧
化锌纳米花/纳米金复合修饰电极插入到电解池内的混合溶液中,同时插入纳米铂电极作
为工作电极、铂丝为对电极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极系统,在-0.5~0.2 V电位
下,施加恒定电位3 h,之后将修饰了聚合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,用
超纯水清洗,在含有10 g/L十二烷基硫酸钠(SDS)的0.1 mol/L乙酸钠溶液中通过电场辅助
除去聚合物中的模板分子,超纯水冲洗后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的
温敏型印迹聚合物。
[0009] 所述模板分子为血红蛋白、肌红蛋白或超氧化物歧化酶。
[0010] 本发明制备工艺简单,成本低廉,在增加电极表面积的同时,促进材料的电子传递能力,具有温度响应性,可灵敏识别血红蛋白、肌红蛋白、超氧化物歧化酶,使其检测下限低
至3.0 × 10-14 mg L-1 (S/N=3)。

附图说明

[0011] 图1是本发明实施例1的电极制备过程中,不同修饰电极在含有5mM [FeCN)6]3-/4-+0.1 M KCl(PH 7.0 PBS)溶液中的循环伏安图。
[0012] 图2是本发明实施例1的氧化锌纳米花(A)和氧化锌纳米花/纳米金复合(B)的扫描电镜图。
[0013] 图3是本发明实施例1的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极和裸金电极的峰电流与扫描速率关系曲线图。
[0014] 图4是本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物
[0015] 的温度响应结果图。
[0016] 图5是本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物
[0017] 的选择性效果图。
[0018] 图6是本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物对血红蛋白的差分脉冲伏安曲线(A)和工作曲线(B)。

具体实施方式

[0019] 实施例1:
[0020] a. 将2 mmoL乙酸锌脱水物于剧烈磁力搅拌下溶于30mL水中,逐滴加入7 mL乙醇胺,搅拌15 min后转移到不锈钢高压反应釜中,150℃条件下反应12 h,冷却,收集产物并用
超纯水和乙醇分别洗涤5次,放入干燥箱中于80℃下干燥2 h得到氧化锌纳米花;将2 mg氧
化锌纳米花与2 mL超纯水混合得到氧化锌纳米花悬浊液,滴涂到处理过的裸金电极上,得
到氧化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参
比电极,铂丝为对电极,将三电极系统置于含有1% HAuCl4的溶液中,并在-0.9 V的恒定电
势下电沉积200 s,制备氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;
[0021] b. 将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极,然后将含0.1 moL/L N-异丙
基丙烯酰胺、0.1 moL/L甲基丙烯酸、0.1 moL/L N,N-亚甲基双丙烯酰胺以及2mg/mL血红蛋
白的混合溶液放入电解池内,室温下,将含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰
电极插入到电解池内的混合溶液中,同时插入纳米铂电极作为工作电极、铂丝为对电极、饱
和甘汞电极为参比电极的三电极系统,在-0.5V电位下,施加恒定电位3h,之后将修饰了聚
合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,用超纯水清洗,在含有10 g/L十二烷基硫
酸钠(SDS)的0.1 mol/L乙酸钠溶液中通过电场辅助除去聚合物中的模板分子,超纯水冲洗
后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物。
[0022] 图1是本发明实施例1的电极制备过程中,不同修饰电极在含有5 mM [FeCN)6]3-/4-+0.1 M KCl(PH 7.0 PBS)溶液中的循环伏安图。
[0023] 图1中曲线1为裸金电极在溶液中的CV曲线,该曲线在0.2 V附近出现[Fe(CN)6]3-/4-探针离子的准可逆特征峰。曲线2是氧化锌纳米花/纳米金复合修饰金电极的CV曲线,
峰电流高于曲线1,说明在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰下,电极的导电性急剧增加。曲线
3为未除去血红蛋白的聚合物修饰电极的CV曲线,峰电流明显低于曲线2,其原因是聚合物
膜作为惰性电子和传质阻挡层,再次阻碍了探针离子向电极表面扩散,导致峰电流降低。曲
线4为除去模板分子(血红蛋白)后的CV曲线,峰电流明显高于曲线3,其原因是当除去模板
分子后,电极表面出现印迹空穴,使探针离子更容易扩散到电极表面,导致峰电流增大。
[0024] 图2是本发明实施例1的氧化锌纳米花(A)和氧化锌纳米花/纳米金复合(B)的扫描电镜图。
[0025] 图2中可观察到氧化锌纳米花的形貌(A),电沉积纳米金后(B),可见金纳米粒子均匀附着在氧化锌纳米花上,说明成功制备氧化锌纳米花/纳米金修饰电极。
[0026] 图3是本发明实例例1的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极和裸金电极的峰电流与扫描速率关系曲线图。
[0027] 图3中由Randles-Sevcik方程( ,n为转移电子数,A为电极的面积,D为扩散系数,C为活性物质的浓度,V为扫描速率,将曲线还原峰电流与扫描
速率的平方根进行作图。如图3所示,可观察到还原峰电流与扫描速率的平方根成正比,表
明该修饰电极表面的反应是由扩散控制的,氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极的斜率约
是裸金电极斜率的2.5倍,表明金电极表面在修饰了氧化锌纳米花/纳米金复合后大大提高
了电极的实际表面积。
[0028] 图4是本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物的温度响应结果。
[0029] 图4表明,随着温度的升高,响应信号(ΔI)逐渐降低,说明在较低温度下,有更多的血红蛋白进入空穴导致电流降低,响应信号变大。这是由于当温度低于聚(N-异丙基丙烯
酰胺)(PNIPAM)的临界溶解温度(33℃)时,PNIPAM的亲水性增加,发生膨胀,从而更易接近
血红蛋白,使血红蛋白进入印迹空穴,导致响应信号变大。由此可见,20℃是检测血红蛋白
的最优条件。
[0030] 图5是本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物
[0031] 的选择性效果图。
[0032] 实验中选择人血清白蛋白(HSA)(MW 69 kDa)、牛血清白蛋白(BSA)(MW 66 kDa)、肌红蛋白(Mb)(MW 17 kDa)、溶菌酶(Lyz)(MW 14.4 kDa)作为干扰物研究本发明实施例1基
于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物对牛血红蛋白(BHb)的选择性。采用差分
脉冲伏安法(DPV)利用本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合
物和非印迹电极(制备方法与实施例1相同,只是制备时不加血红蛋白)测定相同浓度(10-2 
mg·L-1)的不同种蛋白质的响应信号的差异,结果如图5所示。从图5可以看出,本发明实施
例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物比非印迹聚合物具有更大的响
应信号,其中于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物检测BHb的响应信号最大,
分别是HAS、BSA、Mb和LYZ的11.80,8.95,6.47,5.99倍,表明本发明实施例1的于氧化锌纳米
花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物对BHb具有最好的选择性。
[0033] 图6是本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物对血红蛋白的差分脉冲伏安曲线(A)和工作曲线(B)。
[0034] 图6中(A)中曲线1 14分别对应血红蛋白的浓度为0, 10-13, 10-12, 10-11, 10-10, ~
10-9, 10-8, 10-7, 10-6, 10-5, 10-4, 10-3, 10-2, 10-1 mg/L。由图6中可以看出,随着血红
蛋白浓度的增加,DPV峰电流逐渐降低,这可能由于识别了印迹聚合物后,血红蛋白占据印
迹空穴,阻断探针离子扩散到达电极表面,从而导致峰电流下降。根据DPV峰电流差值(响应
信号,ΔI)与血红蛋白浓度对数进行作图,得到本发明实施例1的基于氧化锌纳米花/纳米
金复合的温敏型印迹聚合物检测血红蛋白的工作曲线(B)。从图6中可以看出本发明实施例
1的基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物对血红蛋白浓度的线性响应范围
为1.0×10-13 mg/L 1.0×10-1 mg/L,线性回归方程为ΔI(μA)=2.111 log C(mg/L)+
~
45.994,相关系数为0.996。
[0035] 实施例2:
[0036] a. 将1mmoL乙酸锌脱水物于剧烈磁力搅拌下溶于30mL水中,逐滴加入3 mL乙醇胺,搅拌15min后转移到不锈钢高压反应釜中,150℃条件下反应10 h,冷却,收集产物并用
超纯水和乙醇分别洗涤5次,放入干燥箱中于80℃下干燥2 h得到氧化锌纳米花;将2 mg氧
化锌纳米花与2 mL超纯水混合得到氧化锌纳米花悬浊液,滴涂到处理过的裸金电极上,得
到氧化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参
比电极,铂丝为对电极,将三电极系统置于含有1% HAuCl4的溶液中,并在-0.9 V的恒定电
势下电沉积200 s,制备氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;
[0037] b. 将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极,然后将含0.04 moL/L N-异丙
基丙烯酰胺、0.04 moL/L甲基丙烯酸、0.04 moL/L N,N-亚甲基双丙烯酰胺以及2mg/mL肌红
蛋白的混合溶液放入电解池内,室温下,将含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修
饰电极插入到电解池内的混合溶液中,同时插入纳米铂电极作为工作电极、铂丝为对电极、
饱和甘汞电极为参比电极的三电极系统,在0.2V电位下,施加恒定电位3h,之后将修饰了聚
合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,用超纯水清洗,在含有10 g/L十二烷基硫
酸钠(SDS)的0.1 mol/L乙酸钠溶液中通过电场辅助除去聚合物中的模板分子,超纯水冲洗
后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物。
[0038] 实施例3:
[0039] a. 将4mmoL乙酸锌脱水物于剧烈磁力搅拌下溶于30mL水中,逐滴加入15 mL乙醇胺,搅拌15min后转移到不锈钢高压反应釜中,150℃条件下反应14 h,冷却,收集产物并用
超纯水和乙醇分别洗涤5次,放入干燥箱中于80℃下干燥2 h得到氧化锌纳米花;将2mg氧化
锌纳米花与2 mL超纯水混合得到氧化锌纳米花悬浊液,滴涂到处理过的裸金电极上,得到
氧化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参比
电极,铂丝为对电极,将三电极系统置于含有1%HAuCl4的溶液中,并在-0.9 V的恒定电势下
电沉积200 s,制备氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;
[0040] b. 将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极,然后将含0.2 moL/L N-异丙
基丙烯酰胺、0.2 moL/L甲基丙烯酸、0.2 moL/L N,N-亚甲基双丙烯酰胺以及2mg/mL超氧化
物歧化酶的混合溶液放入电解池内,室温下,将含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复
合修饰电极插入到电解池内的混合溶液中,同时插入纳米铂电极作为工作电极、铂丝为对
电极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极系统,在0.1V电位下,施加恒定电位3h,之后将修
饰了聚合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,用超纯水清洗,在含有10 g/L十二
烷基硫酸钠(SDS)的0.1 mol/L乙酸钠溶液中通过电场辅助除去聚合物中的模板分子,超纯
水冲洗后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物。
[0041] 实施例4:
[0042] a. 将0.5mmoL乙酸锌脱水物于剧烈磁力搅拌下溶于30mL水中,逐滴加入1 mL乙醇胺,搅拌15min后转移到不锈钢高压反应釜中,150℃条件下反应8 h,冷却,收集产物并用超
纯水和乙醇分别洗涤5次,放入干燥箱中于80℃下干燥2h得到氧化锌纳米花;将2mg氧化锌
纳米花与2 mL超纯水混合得到氧化锌纳米花悬浊液,滴涂到处理过的裸金电极上,得到氧
化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参比电
极,铂丝为对电极,将三电极系统置于含有1%HAuCl4的溶液中,并在-0.9 V的恒定电势下电
沉积200 s,制备氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;
[0043] b. 将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极,然后将含0.02 moL/L N-异丙
基丙烯酰胺、0.02 moL/L甲基丙烯酸、0.02 moL/L N,N-亚甲基双丙烯酰胺以及0.5mg/mL血
红蛋白的混合溶液放入电解池内,室温下,将含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合
修饰电极插入到电解池内的混合溶液中,同时插入纳米铂电极作为工作电极、铂丝为对电
极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极系统,在-0.5V电位下,施加恒定电位3h,之后将修饰
了聚合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,用超纯水清洗,在含有10 g/L十二烷
基硫酸钠(SDS)的0.1 mol/L乙酸钠溶液中通过电场辅助除去聚合物中的模板分子,超纯水
冲洗后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物。
[0044] 实施例5:
[0045] a. 将8mmoL乙酸锌脱水物于剧烈磁力搅拌下溶于30mL水中,逐滴加入30 mL乙醇胺,搅拌15min后转移到不锈钢高压反应釜中,150℃条件下反应16 h,冷却,收集产物并用
超纯水和乙醇分别洗涤5次,放入干燥箱中于80℃下干燥2h得到氧化锌纳米花;将2mg氧化
锌纳米花与2 mL超纯水混合得到氧化锌纳米花悬浊液,滴涂到处理过的裸金电极上,得到
氧化锌纳米花修饰电极;然后以氧化锌纳米花修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参比
电极,铂丝为对电极,将三电极系统置于含有1%HAuCl4的溶液中,并在-0.9 V的恒定电势下
电沉积200 s,制备氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极;
[0046] b. 将巯基封端的含溴化合物自组装在氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极表面,形成含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极,然后将含0.4 moL/L N-异丙
基丙烯酰胺、0.4 moL/L甲基丙烯酸、0.4 moL/L N,N-亚甲基双丙烯酰胺以及8mg/mL血红蛋
白的混合溶液放入电解池内,室温下,将含溴化合物修饰的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰
电极插入到电解池内的混合溶液中,同时插入纳米铂电极作为工作电极、铂丝为对电极、饱
和甘汞电极为参比电极的三电极系统,在-0.5V电位下,施加恒定电位3h,之后将修饰了聚
合物的氧化锌纳米花/纳米金复合修饰电极取出,用超纯水清洗,在含有10 g/L十二烷基硫
酸钠(SDS)的0.1 mol/L乙酸钠溶液中通过电场辅助除去聚合物中的模板分子,超纯水冲洗
后自然晾干,得到基于氧化锌纳米花/纳米金复合的温敏型印迹聚合物。