显示面板及显示面板的制备方法

摘要

本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，显示面板包括发光层、像素定义层、封装层以及盖板，像素定义层与发光层间隔设置，封装层设置在发光层和像素定义层上，盖板设置在封装层上；还包括辅助电极层，辅助电极层设置在封装层与盖板之间，且辅助电极层设置在显示面板的非开口区域内。辅助电极层在非像素区内形成了加强金属层，从而减小了显示器件内的阴极阻抗，解决了显示面板的压降问题。

权利要求

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

发光层；

像素定义层，所述像素定义层与所述发光层间隔设置；

封装层，所述封装层设置在所述发光层和所述像素定义层上；

盖板，所述盖板设置在所述封装层上；以及

辅助电极层，所述辅助电极层设置在所述封装层与所述盖板之间，且所述辅助电极层设置在所述显示面板的非开口区域内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层的材料为纳米银。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层的厚度为50纳米～

1000纳米，所述辅助电极层的宽度为3微米～20微米。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述盖板为玻璃盖板或彩色滤光片。

5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100：在基板上制备薄膜晶体管的栅极层、源极层、漏极层，以及有源层和有机发光二极管的阳极层；

S101：在步骤S100的基础上制备有机发光二极管器件层及像素定义层，并制备所述有机发光二极管的阴极层；

S102：制备辅助电极层，并将所述辅助电极层转印到所述有机发光二极管的非像素区域内，所述辅助电极层设置在所述显示面板的非开口区域内；

S103：转印完成后，封装所述显示面板。

6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S101中，所述制备工艺为精密再生掩模板技术。

7.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S103中，所述封装工艺为薄膜封装、固化胶封装、干燥剂封装以及盖板封装工艺中的一种或组合方式进行封装。

8.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述有机发光二极管器件层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电荷生成层。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述有机发光二极管器件层采用喷墨打印工艺和蒸镀工艺进行制备。

10.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S101中，所述阴极层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、镁或银。

说明书

显示面板及显示面板的制备方法

技术领域

[0001] 本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。

背景技术

[0002] 有机电致发光显示器件(Organic Light-Emitting Device，OLED)相对于液晶显示装置具有自发光、反应快、轻薄等优点，已成为显示领域的新兴技术。

[0003] 有机电致发光显示器件按照发光方式分为底发射和顶发射，底发射型显示器件中由于设计开口率的问题而无法满足市场高分辨率产品发展的需求，因此，顶发射OLED器件的使用范围更广。顶发射OLED具有高的分辨率、透明阴极以及光学效果等优点。现有的顶发射器件生产工艺流程中，采用整面镀膜的方法，这样更容易实现大尺寸的OLED屏，但是，在现有的顶发射器件产品中，阴极层制备完成后，其阻抗变得较大，不能满足使用要求，使得显示面板在显示时压降不理想，造成面板显示不均匀等问题。

[0004] 综上所述，现有的顶发射OLED显示面板在阴极层制备制程中，无法实现其阴极层在具有较高透过率的同时还具有较小的阻抗，使得显示面板在显示时显示不均匀。针对上述问题，需要提出进一步的完善和解决方案。

发明内容

[0005] 本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有的顶发射OLED面板中，无法满足在阴极层具有较高透过率的同时还具有较小的阻抗，显示面板显示不均匀等问题。

[0006] 为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：

[0007] 根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板，包括：

[0008] 发光层；

[0009] 像素定义层，所述像素定义层与所述发光层间隔设置；

[0010] 封装层，所述封装层设置在所述发光层和所述像素定义层上；

[0011] 盖板，所述盖板设置在所述封装层上；

[0012] 其中，还包括辅助电极层，所述辅助电极层设置在所述封装层与所述盖板之间，且所述辅助电极层设置在所述显示面板的非开口区域内。

[0013] 根据本揭示一实施例，所述辅助电极层的材料为纳米银。

[0014] 根据本揭示一实施例，所述盖板为玻璃盖板或彩色滤光片。

[0015] 根据本揭示一实施例，所述辅助电极层的厚度为50纳米～1000纳米，所述辅助电极层的宽度为3微米～20微米。

[0016] 根据本揭示的第二方面，还提供了一种显示面板的制备方法，包括以下步骤，[0017] S100：在基板上制备薄膜晶体管的栅极层、源极层、漏极层，以及有源层和有机发光二极管的阳极层；

[0018] S101：在步骤S100的基础上制备有机发光二极管器件层及像素定义层，并制备所述有机发光二极管的阴极层；

[0019] S102：制备精密的辅助电极层，并将所述辅助电极层转印到所述有机发光二极管的非像素区域内；

[0020] S103：转印完成后，封装所述显示面板。

[0021] 根据本揭示一实施例，所述步骤S101中，所述制备工艺为精密再生掩模板技术。

[0022] 根据本揭示一实施例，所述步骤S103中，所述封装工艺为薄膜封装、固化胶封装、干燥剂封装以及盖板封装工艺中的一种或组合方式进行封装。

[0023] 根据本揭示一实施例，在所述步骤S101中，所述有机发光二极管器件层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电荷生成层。

[0024] 根据本揭示一实施例，所述有机发光二极管器件层采用喷墨打印工艺和蒸镀工艺进行制备。

[0025] 根据本揭示一实施例，所述步骤S101中，所述阴极层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、镁或银。

[0026] 综上所述，本揭示实施例的有益效果为：

[0027] 本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，通过在顶发射式OLED器件中，在整面阴极的基础上采用转印技术设置辅助阴极层，所述辅助阴极层设置在显示面板的非像素发光区域内，这样，有效的降低了阴极的阻抗，并解决了显示面板的压降问题，提高显示面板的显示效果。

附图说明

[0028] 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0029] 图1为本揭示实施例的显示面板各层结构示意图；

[0030] 图2为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程图；

[0031] 图3为本揭示实施例提供的辅助电极层结构示意图。

具体实施方式

[0032] 下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。

[0033] 在本揭示的实施例中，如图1所示，图1为本揭示实施例的显示面板各层结构示意图。所述显示面板包括基板100、设置在基板100上的缓冲层101、设置在缓冲层101上的无机绝缘层102、设置在无机绝缘层102上的钝化层103以及设置在钝化层103上的平坦层104。在上述各层中，在缓冲层101内还设置有薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)第一栅极114，在无机绝缘层102内，还包括有源层115、设置在有源层115上的栅极绝缘层113，以及设置在栅极绝缘层113上的第二栅极层112。在钝化层103内还设置有薄膜晶体管的源/漏极
111。其中，上述薄膜晶体管的源/漏极111与所述有源层115相连接。

[0034] 上述膜层中，主要为薄膜晶体管的各电极，在制备上述各膜层时，可采用溅射成膜的工艺，或者有机成膜的技术，并经过曝光、显影以及刻蚀等工艺制备而来。

[0035] 同时，在所述平坦层104膜层上还包括：OLED阳极层105、OLED器件层106、无机层107以及有机层108。OLED阳极层105设置在OLED器件层106上，所述OLED阳极层105与OLED器件层106均设置在像素定义层内，无机层107密封所述OLED阳极层105、OLED器件层106以及像素定义层。有机层108设置在所述无机层107上，无机层107与有机层108一同组成了显示面板的封装层，以保护封装层内的OLED器件。

[0036] 同时，在有机层108上还设置一辅助电极层109，在所述辅助电极层109上设置盖板110。其中，所述辅助电极层109只设置在OLED器件的非发光区域上，即设置在显示面板的非开口区域内，这样，不会阻挡住OLED器件层106内发出的光线，从而不影响显示面板的显示效果。并且，所述辅助电极层109会形成一层加强金属层，这层金属层会降低OLED器件中阴极的阻抗，进而解决显示面板压降的问题，保证显示面板显示的均匀性。

[0037] 具体的，辅助电极层109的制作材料可为纳米银，并且盖板110可为玻璃盖板或者彩色滤光片盖板，根据显示面板的具体使用需求进行选择。

[0038] 同时，本揭示实施例还提供一种显示面板的制备方法。如图2所示，图2为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程图。工艺流程包括如下步骤：

[0039] S100：在基板上制备薄膜晶体管的栅极层、源极层、漏极层，以及有源层和有机发光二极管的阳极层。

[0040] 具体的，在制备本揭示实施例提供的显示面板时，先在基板上采用逐层一次构图的工艺形成TFT的第一栅极层、有源层、绝缘层、第二栅极层、源/漏极以及OLED的阳极层，具体膜层结构结合图1中显示面板的各膜层示意图所示。在上述各膜层的制程过程中，可以通过溅射成膜技术、有机化学成膜技术进行成膜，并且经过曝光、显影以及刻蚀等光刻工艺处理。

[0041] S101：在步骤S100的基础上制备有机发光二极管器件层及像素定义层，并制备所述有机发光二极管的阴极层。

[0042] 当步骤S100中的各膜层设置完成后，继续制备有机发光二极管的器件层，制备有机发光二极管器件层时可采用逐层精密再生掩模板技术工艺进行制备，同时，还可以采用喷墨打印和蒸镀方式相结合的技术工艺进行制备。所述器件层主要为发光层，具体包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电荷生成层等膜层。

[0043] 当器件层制备完成后，在所述器件层上制备阴极层。阴极层的制备也可采用精密再生掩模板技术，其中阴极的材料可为氧化铟锡、氧化铟锌、镁或银中的一种。

[0044] S102：制备精密的辅助电极层，并将所述辅助电极层转印到所述有机发光二极管的非像素区域内。

[0045] 在步骤S101的基础上制备精密的电路图层，即辅助电极层。在制备时，采用高精度对位转印技术将辅助电极层制作于OLED器件层上。

[0046] 具体的，如图3所示，图3为本揭示实施例提供的辅助电极层结构示意图。显示面板300中包括像素单元302以及辅助电极层301。辅助电极层301设置在显示面板的非发光区内，即非开口区，这样，辅助电极层301不会影响像素区内的显示效果。根据OLED内像素单元的大小制备合适的掩膜图案，然后采用高精度对位转印技术，在掩膜图案上设置辅助电极层301，再转印到OLED器件层上。所述辅助电极层301的厚度为50纳米～1000纳米，优选的为
250纳米，所述辅助电极层301的宽度为3微米～20微米，优选的为3微米。

[0047] S103：转印完成后，封装所述显示面板。

[0048] 当将辅助电极层转印完成后，将盖板盖上进一步封装，所述盖板为玻璃盖板或彩色滤光片，根据显示面板的显示需求进行具体选择。选择封装工艺时，可采用薄膜封装、固化胶封装、干燥剂封装或盖板封装工艺进行封装，可选择上述封装工艺中的一种或组合的方式进行封装，以保证封装的效果。

[0049] 最后，获得本揭示实施例中的显示面板。

[0050] 以上对本揭示实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细介绍，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。