显示面板及显示装置转让专利
申请号 : CN201910449129.3
文献号 : CN110188744B
文献日 : 2020-06-16
发明人 : 秦旭 , 宋艳芹 , 李威龙 , 张露
申请人 : 昆山国显光电有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种显示面板,其特征在于,包括指纹识别区;所述指纹识别区包括衬底层和像素电路;
所述像素电路包括设置在所述衬底层之上的驱动薄膜晶体管DTFT单元、源极走线、漏极走线以及电容单元;
所述DTFT单元的源区连接所述源极走线,所述DTFT单元的漏区连接所述漏极走线,所述DTFT单元的沟道区与所述漏极走线之间为透光区域;
其中,所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影,位于所述源极走线在所述衬底层的投影和所述漏极走线在所述衬底层的投影之间,且所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影与所述源极走线在所述衬底层的投影的距离,小于所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影与所述漏极走线的投影的距离;所述电容单元在所述衬底层的投影,覆盖所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电容单元在所述衬底层的投影,还覆盖所述DTFT单元的沟道区与所述源极走线在所述衬底层的投影间隙。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述电容单元包括绝缘交叠的上极板和下极板;
所述下极板在所述衬底层的投影覆盖所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影;
所述上极板在所述衬底层的投影覆盖所述下极板在所述衬底层的投影,且覆盖所述DTFT单元的沟道区与所述源极走线在所述衬底层的投影间隙。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述上极板在所述衬底层的投影还与所述源极走线在所述衬底层的投影交叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述指纹识别区还包括:发光器件;
所述发光器件设置在所述像素电路背向所述衬底层的一侧,并与所述像素电路连接;
所述发光器件在所述衬底层的投影,覆盖所述电容单元在所述衬底层的投影。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述指纹识别区还包括:在行方向延伸的行信号线;每个所述发光器件的所述像素电路都与2条行信号线连接;
其中,所述发光器件对应的所述2条行信号线在所述衬底层的投影,都与所述发光器件在所述衬底层的投影交叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件包括依次层叠的阳极、发光层、阴极;
所述阳极设置在所述像素电路背向所述衬底层的一侧;所述阳极在所述衬底层的投影,覆盖所述发光层和所述阴极在所述衬底层的投影。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电容单元在所述衬底层的投影,与所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影形状一致。
9.根据权利要求5至7任一所述的显示面板,其特征在于,还包括:在列方向延伸的数据线;
每个所述发光器件的所述像素电路都与1条数据线连接;所述数据线在所述衬底层的投影,与所述发光器件在所述衬底层的投影交叠。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:指纹图像检测单元和如权利要求1至9任一所述的显示面板;
所述衬底层为透明介质层,所述指纹图像检测单元设置在所述衬底层背向所述像素电路的一侧。
说明书 :
显示面板及显示装置
技术领域
背景技术
别操作时,只需要将手指触摸显示屏的指纹识别区,显示装置就能检测到用户的指纹信息。
在用户手指上,并经用户手指反射后透过显示面板的像素层照射到指纹识别单元,指纹识
别单元根据接收到的光线的强弱分布判断用户手指指纹的谷和脊,以实现指纹识别。
纹的整体成像质量不高。
发明内容
元、源极走线、漏极走线以及电容单元;所述DTFT单元的源区连接所述源极走线,所述DTFT
单元的漏区连接所述漏极走线,所述DTFT单元的沟道区与所述漏极走线之间为透光区域;
其中,所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影,位于所述源极走线在所述衬底层的投
影和所述漏极走线在所述衬底层的投影之间,且所述DTFT单元的沟道区的投影与所述源极
走线的投影的距离,小于所述DTFT单元的沟道区的投影与所述漏极走线的投影的距离;所
述电容单元在所述衬底层的投影,覆盖所述DTFT单元的沟道区在所述衬底层的投影。
影覆盖所述下极板在所述衬底层的投影,且覆盖所述DTFT单元的沟道区与所述源极走线在
所述衬底层的投影间隙。
述电容单元在所述衬底层的投影。
衬底层的投影,都与所述发光器件在所述衬底层的投影交叠。
阴极在所述衬底层的投影。
叠。
述指纹图像检测单元设置在所述衬底层背向所述像素电路的一侧。
线以及电容单元;DTFT单元的源区连接源极走线,DTFT单元的漏区连接漏极走线,DTFT单元
的沟道区与漏极走线之间为透光区域;其中,DTFT单元的沟道区在衬底层的投影,靠近源极
走线在衬底层的投影,减小了DTFT单元的沟道区与源极走线之间的缝隙宽度,增大DTFT单
元的沟道区与漏极走线之间的距离,从而增大了单个透光区域的透光面积;而且,电容单元
在衬底层的投影,覆盖DTFT单元的沟道区在衬底层的投影,从而减少了DTFT单元的沟道区
与源极走线之间缝隙的衍射,提高了屏下指纹成像质量。
附图说明
像素限定层;
具体实施方式
仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术
人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两
个、三个等,除非另有明确具体的限定。
而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它单元。
本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的位置或原件必须具有特定的方位、以特定的
构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
使两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可
以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特
征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在
第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。
能的组件。下面这几个具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在
某些实施例不再赘述。
目前的屏下指纹识别方案通常是把显示区的至少局部复用为指纹识别区。参见图1,是现有
技术中的一种显示面板的指纹识别区像素电路的截面示意图。显示面板通常包括如图1所
示的衬底层101、低温多晶硅PSI层102、第一绝缘层103、第一金属层104、电容绝缘层105、第
二金属层106、第二绝缘层107、第三金属层108、保护层109、阳极110、像素限定层111以及设
置在阳极110之上与阳极110共同形成发光器件的像素层(图中未示出)。其中,PSI层102与
第一绝缘层103和第一金属层104形成驱动薄膜晶体管DTFT,还与第一金属层104绝缘交叠
形成开关TFT。第一金属层104还与电容绝缘层105、第二金属层106形成像素电路的存储电
容,电容绝缘层105通常为氮化硅层。第二金属层106之上层叠设置第二绝缘层107,第二绝
缘层107通常包括层叠的氮化硅层和氧化硅层,其中的氮化硅层设置在第二金属层106背离
衬底层101的一侧。第一金属层104图案化形成DTFT的栅极、扫描线、发光控制信号线。第二
金属层106可以图案化形成像素电路的参考信号线以及存储电容的上极板。上极板与第一
金属层104形成的栅极绝缘交叠形成所述存储电容,其中,第一金属层104形成的栅极是存
储电容的下极板。第三金属层图案化形成数据线,第三金属层图案化形成数据线、电源线,
同时在像素电路的结构中起到不同电路单元间的桥接作用。在图1所示的结构中,指纹图像
检测单元(图中未示出)通常可以设置在透明的衬底层101之下,即衬底层101背离PSI层102
的一侧。本发明下述各实施例中显示面板中各结构之间的连接关系都与图1所示的结构类
似,但通过对各结构之间的相对位置的设计,实现显示面板的屏下指纹成像质量的提高。可
以理解地,在图1所示现有技术中没有电连接关系的结构,在本发明下述各实施例中也没有
电连接关系,下述实施例中的“覆盖”、“交叠”仅指两结构之间的相对位置关系,而不用于限
定连接关系。
到达指纹图像检测单元。指纹图像检测单元根据接收到的光线感应成像,得到用户指纹的
图像信号。其中,反射光线穿过像素电路进入显示面板到达指纹图像检测单元的过程中,反
射光线被发光器件和像素电路中不透光结构遮挡,而且随着目前显示面板PPI的不断提升,
显示区中像素电路的密度不断增加,不透光结构对反射光的遮挡较多,最后照射到指纹图
像检测单元的反射光较少,导致了屏下指纹的整体成像质量不高。
减少衍射造成的干扰,提高了屏下指纹的整体成像质量。
样填充图案的结构为同层图案化得到的结构(例如斜线填充的结构都是第一金属层图案化
后得到的)。在显示面板的指纹识别区中,设置有衬底层和像素电路的层结构,而衬底层通
常为透明的氧化硅层和氮化硅层,对用户指纹反射光有遮挡作用主要是不透明的像素电路
结构,下面各实施例附图中主要是对不透明结构进行示意,又为了简化示意图,在附图中都
未对列方向延伸的数据线进行示意。指纹识别区中主要包括衬底层和像素电路,图2所示的
显示面板是指纹识别区的像素电路中不透明结构的示意。
形部分的U形区域为DTFT单元21的沟道区,与其左侧源极走线22连接的是DTFT单元21的源
区,与其右侧漏极走线23连接的是DTFT单元21的漏区。
23的距离一致,导致DTFT单元21的沟道区两侧都可能存在透光区域A。为了提高整体成像质
量,本实施例中将DTFT单元21的沟道区朝源极走线22右移,以使得DTFT单元21的沟道区与
源极走线22的距离,大于DTFT单元21的沟道区与漏极走线23的距离,从而增大了DTFT单元
21的沟道区与漏极走线23之间透光区域A的面积。本实施例通过提高单个透光区域A的透光
面积,提高整体成像质量。
22的投影的距离,小于DTFT单元21的沟道区的投影与漏极走线23的投影的距离。可以理解
为,DTFT单元21的沟道区的投影与漏极走线23的投影的距离,是所述透光区域A在行方向的
宽度。在此基础上,本实施例中的电容单元24(图2中用虚线方框示意)还覆盖DTFT单元21的
沟道区,电容单元24在衬底层的投影,覆盖DTFT单元21的沟道区在衬底层的投影。通过提高
异层不透光结构之间的交叠面积,以提高显示面板的透光率。
电容单元;DTFT单元的源区连接源极走线,DTFT单元的漏区连接漏极走线,DTFT单元的沟道
区与漏极走线之间为透光区域A;其中,DTFT单元的沟道区在衬底层的投影,靠近源极走线
在衬底层的投影,减小了DTFT单元的沟道区与源极走线之间的缝隙宽度,增大DTFT单元的
沟道区与漏极走线之间的距离,从而增大了单个透光区域A的透光面积;而且,电容单元在
衬底层的投影,覆盖DTFT单元的沟道区在衬底层的投影,从而减少了DTFT单元的沟道区与
源极走线之间缝隙的衍射,提高了屏下指纹成像质量。
在衬底层的投影间隙。具体地,间隙宽度是由制作工艺极限来决定的,假设该间隙宽度最小
能达到2mm。例如现有的DTFT单元的沟道区分别与源极走线和漏极走线之间都距离4mm,为
了增大透光区域A的行方向宽度,将DTFT单元的沟道区向源极走线偏移2mm后。偏移设置后
的透光区域A在行方向上的宽度达到6mm,能够实现较大的通光,而DTFT单元的沟道区与源
极走线的间隙宽度为2mm,将产生衍射对成像质量造成影响。
影,覆盖DTFT单元的沟道区与源极走线在衬底层的投影间隙,从而减少透光间隙造成的衍
射干扰,提高显示面板的整体成像质量。在一些具体的实现方式中,电容单元包括绝缘交叠
的上极板(参见图2所示虚线方框中填充三角形图像部分)和下极板(参见图2所示虚线方框
中填充斜线图案部分),可以是上极板在衬底层的投影覆盖下极板在衬底层的投影,且覆盖
DTFT单元的沟道区与源极走线在衬底层的投影间隙。而下极板在衬底层的投影可以是覆盖
DTFT单元的沟道区在衬底层的投影。例如,为了节约空间,下极板形成DTFT单元的共用栅
极,则下极板无法覆盖DTFT单元的沟道区与源极走线之间的间隙,而通过将上极板在行方
向延伸,就能覆盖DTFT单元的沟道区与源极走线之间的间隙,阻挡用户指纹的反射光在
DTFT单元的沟道区与源极走线之间的间隙发生衍射,提高显示面板的整体成像质量。
发明实施例提供的另一种显示面板的局部俯视图。在图3所示的实施例中,电容单元24在衬
底层的投影,与DTFT单元的沟道区在衬底层的投影形状一致。可以理解为,电容单元24与
DTFT单元的沟道区在衬底层的投影重合,或者,DTFT单元的沟道区在衬底层的投影在电容
单元在衬底层的投影之内。减小电容单元的面积后,还可以通过减薄电容单元的电容极板
厚度和/或改变电容单元两极板之间的绝缘介质来提升电容值,具体实现方式在此不做限
制。图3所示实施例通过将电容单元设置为与DTFT单元在衬底层投影形状一致的结构,在提
高异层不透光结构交叠面积的同时,减小整体遮光面积占比,进而提高了显示面板的透光
率。
层的投影交叠。可以理解为,电容单元24的上极板在行方向的边缘覆盖到至少部分源极走
线。或者如图4所示的,源极走线的一段在衬底层的投影,在上极板在衬底层的投影之内。本
实施例通过电容单元的上极板覆盖至少部分源极走线,不仅提高了不透光的源极走线与电
容单元之间的交叠面积,还能够在源极走线屏蔽寄生电容,进而稳定DTFT单元的栅-源电压
差,降低迟滞影响。
路背向衬底层的一侧(即设置在像素电容之上),并与像素电路连接。在图2至图4所示的任
一实施例中,发光器件可以结合像素电路中预留的透光区域A和非透光区域A进行布局设
计。例如参见图5,发光器件在衬底层的投影,覆盖电容单元在衬底层的投影。电容单元和发
光器件都是挡光面积较大的结构,因此通过将两者设计为共用同一非透光区域A,增加了大
块挡光图像的交叠量,可以提高显示面板的面积利用率,进而提高显示面板的透光率。
信号线262。但在一些实施例中,参见图5,行信号线还包括提供发光控制信号的发光控制信
号线263,即图5所示实施例中包括3条行信号线26。电容单元24通常是被设置在2条行信号
线26之间的区域,例如图5中的电容单元24设置在扫描信号线262和发光控制信号线263之
间。在本实施例中,每个发光器件25的像素电路都与2条行信号线26连接,发光器件25对应
的这2条行信号线26在衬底层的投影,都与发光器件25在衬底层的投影交叠。参见图5,发光
器件25的上边缘覆盖扫描信号线262,下边缘覆盖发光控制信号线263,由此确定了行信号
线26与发光器件25之间的相对位置。本实施例通过发光器件25与行扫描线之间投影的交
叠,减少了发光器件25与行扫描线之间的通光间隙,进一步减少了间隙衍射,提高了显示面
板的整体成像质量。
且面积最大的介质层在衬底层的投影。在现有技术中,阳极的大面积遮挡形成了发光器件
25在衬底层的投影。在一些实施例中,阳极在衬底层的投影,覆盖发光层和阴极在衬底层的
投影。不透光的介质层的阳极例如是不透明的氧化铟锡-银-氧化铟锡复合(ITO/Ag/ITO)
层。本实施例通过对阳极的位置设计,确定发光器件25在衬底层的投影位置。
施例中所述数据线在衬底层的投影,与发光器件25在衬底层的投影交叠。可以理解为,数据
线在衬底层的一段投影是在发光器件25在衬底层的投影之内。通过将数据线的遮光面与发
光器件25的遮光面交叠,提高了透光面积占比,提高了显示面板的透光率。
为透明介质层,指纹图像检测单元设置在衬底层背向像素电路的一侧。在进行指纹识别时,
发光器件25发出的光线照射到用户手指上,用户手指进行反射后的指纹反射光经由显示面
板中透光位置和透明的衬底层,照射到指纹图像检测单元上,其中,透光位置包括上述实施
例中的透光区域。指纹图像检测单元根据接收到的反射光成像中的光强分布,实现对指纹
的谷和脊的识别。本发明实施例中显示装置通过显示面板的上述各种可能的结构,减少了
反射光在间隙透光位置发生的衍射,提高了屏下指纹的成像质量,进而增大指纹识别的检
测精度。
控制台等具有显示功能的设备,本发明实施例对显示装置的形式并不限定。
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术
方案的范围。