一种接近检测的方法、装置、存储介质及电子设备转让专利

申请号 : CN201810219477.7

文献号 : CN110275213A

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发明人 : 张海平刘磊杨乐

申请人 : 广东欧珀移动通信有限公司

摘要 :

本申请公开了一种接近检测的方法、装置、存储介质及电子设备。该方法应用于电子设备,该电子设备包括显示屏和红外光接近传感器,该显示屏允许红外光通过,该红外光接近传感器被该显示屏覆盖。该方法包括:当该红外光接近传感器工作时,将该显示屏的工作时序设置为目标时序,该目标时序包括目标时间段,在该目标时间段内控制该显示屏不发光;控制该红外光接近传感器在该目标时间段内发射红外光探测信号;根据该红外光探测信号进行接近检测。本申请有利于全面屏电子设备的接近检测的实现。

权利要求 :

1.一种接近检测的方法,应用于电子设备,其特征在于,所述电子设备包括显示屏和红外光接近传感器,所述显示屏允许红外光通过,所述红外光接近传感器被所述显示屏覆盖,所述方法包括:当所述红外光接近传感器工作时,将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,所述目标时序包括目标时间段,在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光;

控制所述红外光接近传感器在所述目标时间段内发射红外光探测信号;

根据所述红外光探测信号进行接近检测。

2.根据权利要求1所述的接近检测的方法,其特征在于,所述在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光,包括:在所述目标时间段内,控制所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差小于目标阈值,以使所述显示屏不发光,所述目标阈值为允许所述像素电路中的发光元器件发光的所述供电正压和所述供电负压间的电势差。

3.根据权利要求2所述的接近检测的方法,其特征在于,所述控制所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差小于目标阈值,包括:将所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压的数值均设置为零。

4.根据权利要求1所述的接近检测的方法,其特征在于,所述方法还包括:当所述红外光接近传感器不工作时,将所述显示屏的工作时序由所述目标时序切换到基础时序,所述基础时序包括第一扫描时间段和第一空白时间段;

所述第一扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;

所述第一空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。

5.根据权利要求4所述的接近检测的方法,其特征在于,所述目标时序还包括第二扫描时间段和第二空白时间段;

所述第二扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;

所述第二空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段;

所述将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,包括:将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,并控制所述目标时序的周期与所述基础时序的周期相等。

6.根据权利要求5所述的接近检测的方法,其特征在于,在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,所述方法还包括:若检测到所述第二扫描时间段的时间长度小于所述第一扫描时间段,则在所述第二扫描时间段内,增加所述显示屏的发光强度。

7.根据权利要求6所述的接近检测的方法,其特征在于,所述在所述第二扫描时间段内增加所述显示屏的发光强度,包括:在所述第二扫描时间段内,通过GAMMA校正的方式,增加所述显示屏的发光强度。

8.根据权利要求6所述的接近检测的方法,其特征在于,所述在所述第二扫描时间段内增加所述显示屏的发光强度,包括:在所述第二扫描时间段内,增大所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差,以增加所述显示屏的发光强度。

9.根据权利要求4所述的接近检测的方法,其特征在于,所述目标时序还包括第二扫描时间段和第二空白时间段;

所述第二扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;

所述第二空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段;

所述将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,包括:将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,并控制所述第二扫描时间段的时间长度与所述第一扫描时间段的时间长度相等。

10.根据权利要求5或9所述的接近检测的方法,其特征在于,所述目标时间段位于所述第二扫描时间段与所述第二空白时间段之间。

11.根据权利要求1所述的接近检测的方法,其特征在于,所述红外光接近传感器包括红外光发射器件,所述红外光发射器件的工作时序包括发射红外光时间段和不发射红外光时间段,所述发射红外光时间段为用于发射所述红外光探测信号的时间段;

在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,所述方法还包括:控制所述红外光发射器件的工作周期与所述目标时序的周期相同。

12.根据权利要求11所述的接近检测的方法,其特征在于,所述红外光接近传感器还包括红外光接收器件,所述红外光接收器件的工作时序包括接收红外光时间段和不接收红外光时间段,所述接收红外光时间段为用于接收所述红外光探测信号经外界障碍物反射后的信号的时间段;

在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,所述方法还包括:控制所述接收红外光时间段覆盖所述发射红外光时间段。

13.一种接近检测的装置,应用于电子设备,其特征在于,所述电子设备包括显示屏和红外光接近传感器,所述显示屏允许红外光通过,所述红外光接近传感器被所述显示屏覆盖,所述装置包括:设置模块,用于当所述红外光接近传感器工作时,将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,所述目标时序包括目标时间段,在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光;

控制模块,用于控制所述红外光接近传感器在所述目标时间段内发射红外光探测信号;

检测模块,用于根据所述红外光探测信号进行接近检测。

14.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,当所述计算机程序在计算机上执行时,使得所述计算机执行如权利要求1至12中任一项所述的方法。

15.一种电子设备,包括存储器,处理器,其特征在于,所述处理器通过调用所述存储器中存储的计算机程序,用于执行如权利要求1至12中任一项所述的方法。

说明书 :

一种接近检测的方法、装置、存储介质及电子设备

技术领域

[0001] 本申请属于光电技术领域,尤其涉及一种接近检测的方法、装置、存储介质及电子设备。

背景技术

[0002] 智能手机、平板电脑等电子设备上一般都安装有接近传感器,如红外光接近传感器。电子设备通过红外光接近传感器进行接近检测。红外光接近传感器包括发射端和接收端。发射端可以向外界发射红外光探测信号。该红外光探测信号遇到外界障碍物后发生反射,反射后的红外光会被接收端接收到。被接收到的红外光可以被转换为电流,电流大小和障碍物距电子设备的距离存在对应关系。电子设备可以根据该电流大小判断障碍物接近或远离电子设备。
[0003] 然而,相关技术中,不容易在全面屏电子设备上实现接近检测。

发明内容

[0004] 本申请实施例提供一种接近检测的方法、装置、存储介质及电子设备,有利于全面屏电子设备实现接近检测。
[0005] 本申请实施例提供一种接近检测的方法,应用于电子设备,所述电子设备包括显示屏和红外光接近传感器,所述显示屏允许红外光通过,所述红外光接近传感器被所述显示屏覆盖,所述方法包括:
[0006] 当所述红外光接近传感器工作时,将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,所述目标时序包括目标时间段,在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光;
[0007] 控制所述红外光接近传感器在所述目标时间段内发射红外光探测信号;
[0008] 根据所述红外光探测信号进行接近检测。
[0009] 本申请实施例提供一种接近检测的装置,应用于电子设备,所述电子设备包括显示屏和红外光接近传感器,所述显示屏允许红外光通过,所述红外光接近传感器被所述显示屏覆盖,所述装置包括:
[0010] 设置模块,用于当所述红外光接近传感器工作时,将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,所述目标时序包括目标时间段,在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光;
[0011] 控制模块,用于控制所述红外光接近传感器在所述目标时间段内发射红外光探测信号;
[0012] 检测模块,用于根据所述红外光探测信号进行接近检测。
[0013] 本申请实施例提供一种存储介质,其上存储有计算机程序,当所述计算机程序在计算机上执行时,使得所述计算机执行本申请实施例提供的接近检测的方法中的步骤。
[0014] 本申请实施例还提供一种电子设备,包括存储器,处理器,所述处理器通过调用所述存储器中存储的计算机程序,用于执行本申请实施例提供的接近检测的方法中的步骤。
[0015] 本申请实施例中,红外光接近传感器被显示屏覆盖,红外光接近传感器不占用盖板上的空间。因此,本申请实施例有利于电子设备全面屏的实现。并且,本申请实施例中,在目标时间段内显示屏不发光,即显示屏像素电路中的发光器件(如金属氧化物半导体场效应晶体管)不发光,而红外光接近传感器在该目标时间段内向外发射红外光。这样的话,虽然光敏感的发光器件受红外光照射导致发光器件漏电流增大,但由于电子设备在此时控制该发光器件不发光,因此显示屏上也就不存在受红外光照射区域的亮度大于不受红外光照射区域的亮度的问题。因此,本申请实施例有利于全面屏电子设备的接近检测的实现。

附图说明

[0016] 下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其有益效果显而易见。
[0017] 图1是相关技术中电子设备设置红外光接近传感器的结构示意图。
[0018] 图2是图1中电子设备的剖面示意图。
[0019] 图3是本申请实施例提供的AMOLED显示屏的像素区的结构示意图。
[0020] 图4是本申请实施例提供的在电子设备中设置红外光接近传感器的结构示意图。
[0021] 图5是图4中电子设备的剖面示意图。
[0022] 图6是本申请实施例提供红外光接近传感器的工作示意图。
[0023] 图7是本申请实施例提供的接近检测的方法的流程示意图。
[0024] 图8是本申请实施例提供的AMOLED显示屏的像素电路图。
[0025] 图9是相关技术中AMOLED显示屏的工作时序、红外光发射器件的工作时序以及红外光接收器件的工作时序示意图。
[0026] 图10是本申请实施例提供的接近检测的方法的另一流程示意图。
[0027] 图11是本申请实施例提供的AMOLED显示屏的另一像素电路图。
[0028] 图12至图14是本申请实施例提供的接近检测的方法的场景示意图。
[0029] 图15是本申请实施例提供的接近检测的装置的结构示意图。
[0030] 图16是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
[0031] 图17是本申请实施例提供的电子设备的另一结构示意图。

具体实施方式

[0032] 请参照图式,其中相同的组件符号代表相同的组件,本发明的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本发明具体实施例,其不应被视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
[0033] 请参阅图1和图2,相关技术中,电子设备的盖板10与显示屏20贴合,红外光接近传感器30被盖板10覆盖。在盖板10上对应于红外光接近传感器30的位置上不涂覆油墨。当红外光接近传感器30工作时,其红外光发射器件向外发射红外光探测信号(波长在770纳米以上),该红外光探测信号穿过盖板10上未涂覆油墨的透明位置。当该红外光探测信号遇到障碍物(如用户皮肤等)后会发生反射。发生反射后的红外光信号穿过盖板10上未涂覆油墨的透明位置,被红外光接收器件接收,并转换为电流(光电效应)。该电流的大小与电子设备距障碍物的距离存在对应关系。电子设备可以根据该电流大小判断障碍物接近电子设备或远离电子设备。
[0034] 比如,在用户使用电子设备进行通话的场景下,红外光接近传感器处于工作状态。电子设备将红外光接收器件接收到的红外光转换为电流大小,对应一个数值。然后,电子设备可以将该数值和预设阈值进行比较。若该数值小于预设阈值,则电子设备可以确定障碍物(如用户脸部皮肤)远离电子设备(距离电子设备较远),此时电子设备可以亮屏。若该数值大于或等于预设阈值,则电子设备可以确定障碍物接近电子设备(距离电子设备较近),此时电子设备可以熄屏,防止显示屏上的误触发操作。
[0035] 然而,相关技术中,如图1和图2所示,红外光接近传感器30需要占据盖板10背面一定的空间,不利于全面屏的实现。
[0036] 请参阅图3至图5,本申请实施例提供一种电子设备,该电子设备包括显示屏40和红外光接近传感器50。该显示屏40允许红外光通过。例如,该显示屏40可以为AMOLED(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,主动矩阵有机发光二极管)或者AMQLED(主动量子点发光二极管)等等。
[0037] 请参阅图3,图3为AMOLED显示屏的像素区的结构示意图。AMOLED显示屏的像素区包括发光区41、透明区42以及不透明区43。发光区41包括红色发光像素、绿色发光像素和蓝色发光像素。透明区42的材质可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)或PVX(SiNx)等。不透明区43包括金属走线和薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。薄膜场效应晶体管可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其中,透明区42的材料(如ITO或PVX)允许红外光通过,因此可以由AMOLED显示屏覆盖红外光接近传感器。
[0038] 请参阅图4和图5,本申请实施例提供的电子设备中,红外光接近传感器50位于显示屏40的背面,红外光接近传感器50被显示屏40覆盖,显示屏40与盖板60贴合。
[0039] 请参阅图6,红外光接近传感器50包括红外光发射器件51和红外光接收器件52。红外光发射器件51向外界发出红外光探测信号,该红外光探测信号依次穿过显示屏40及盖板60。该红外光探测信号遇到障碍物70后发生反射,反射后的红外光依次穿过盖板60及显示屏40,然后被红外光接收器件52接收到,并转换为电流(光电效应)。该电流的大小与电子设备距障碍物70的距离存在对应关系。电子设备可以根据该电流大小判断障碍物接近电子设备或远离电子设备。
[0040] 可以理解的是,本申请实施例提供的电子设备可以将红外光接近传感器设置于显示屏背面,由该显示屏覆盖该红外光接近传感器,红外光接近传感器不占用盖板上的空间。因此,本申请实施例提供的电子设备有利于电子设备全面屏的实现。
[0041] 请参阅图7,图7是本申请实施例提供的接近检测的方法的流程示意图。该接近检测方法可以应用于电子设备。该电子设备可以包括显示屏和红外光接近传感器。该显示屏可以允许红外光通过,该红外光接近传感器被该显示屏覆盖。该接近检测的方法的流程可以包括:
[0042] 在步骤S101中,当该红外光接近传感器工作时,将该显示屏的工作时序设置为目标时序,该目标时序包括目标时间段,在该目标时间段内控制该显示屏不发光。
[0043] 在红外光接近传感器被显示屏覆盖的情况下,如果该显示屏和该红外光接近传感器同时工作,那么由于该显示屏的像素电路中的薄膜场效应晶体管(TFT)受红外光影响,导致红外光发射器件的设置位置对应的显示屏区域变亮。
[0044] 以AMOLED显示屏为例,请参阅图8,其为AMOLED显示屏的像素电路示意图。其中,Q1和Q2可以为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),C1为电容,D1为有机发光二极管,ELVDD为像素电路的供电正压,ELVSS为像素电路的供电负压。ELVDD连接Q2的源极,ELVSS连接D1的阴极。
[0045] 当Q1开启时,电容C1被充电。然后,Q1关断,C1两端电压保持。当Q2的栅极、源极出现电压差时,ELVDD、Q2、D1、ELVSS通路会产生相对应的电流,此时有机发光二极管D1就会发光。利用Q2源漏电流与栅源电压的对应关系,实现不同的C1充电电压控制流经Q2电流大小,并控制有机发光二极管D1发出不同强度的光。
[0046] 请参阅图9,图9为相关技术中AMOLED显示屏的工作时序、红外光发射器件的工作时序以及红外光接收器件的工作时序示意图。一个周期内,AMOLED显示屏工作时序包括t8时间段和t9时间段。其中,t8时间段为用于显示屏扫描刷新的时间段,t9时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。相关技术中,一个周期内,红外光发射器件的工作时序包括发射红外光时间段t10和不发射红外光时间段。相关技术中,红外光接收器件的工作时序包括接收红外光时间段t11和不接收红外光时间段。由图9可知,相关技术中采用图9所示的显示屏工作时序和红外接近传感器工作时序,那么由于t10时间段与t8和t9时间段存在重叠关系,导致红外光发射器件发射的红外光会照射到显示屏。
[0047] 当红外光会照射到显示屏时,由于Q1和Q2为金属氧化物半导体场效应晶体管,而金属氧化物半导体场效应晶体管为光敏感器件,红外光可以使Q1和Q2产生漏电流,从而使有机发光二极管D1的亮度变大,进而导致AMOLED显示屏工作时其被红外光照射区域的亮度大于不受红外光照射区域的亮度。比如,AMOLED显示屏上的A位置与红外光接近传感器相对应,那么当该AMOLED显示屏和该红外光接近传感器同时工作时,AMOLED显示屏上A位置处的亮度比AMOLED显示屏上其它位置更亮。
[0048] 在本申请实施例的步骤S101中,当红外光接近传感器工作时,电子设备可以将该显示屏的工作时序设置为目标时序。该目标时序包括目标时间段,在该目标时间段内,电子设备可以控制该显示屏不发光。
[0049] 在步骤S102中,控制该红外光接近传感器在该目标时间段内发射红外光探测信号。
[0050] 比如,在将该显示屏的工作时序设置为目标时序后,电子设备可以控制红外光接近传感器在上述目标时间段内向外发射红外光探测信号。
[0051] 在步骤S103中,根据该红外光探测信号进行接近检测。
[0052] 比如,在电子设备的红外光接近传感器向外发射红外光探测信号后,电子设备可以根据该红外光探测信号进行接近检测。
[0053] 需要说明的是,本申请实施例中,在目标时序的目标时间段内,显示屏不发光,即显示屏像素电路中的发光器件(如金属氧化物半导体场效应晶体管)不发光,而红外光接近传感器就在该目标时间段内向外发射红外光。这样的话,虽然光敏感的发光器件受红外光照射导致发光器件漏电流增大,但由于电子设备在此时控制该发光器件不发光,因此显示屏上也就不存在受红外光照射区域的亮度大于不受红外光照射区域的亮度的问题。因此,本申请实施例提供的接近检测的方法有利于全面屏电子设备的接近检测的实现。
[0054] 请参阅图10,图10为本申请实施例提供的接近检测的方法的另一流程示意图。该接近检测方法可以应用于电子设备。该电子设备可以包括显示屏和红外光接近传感器。该显示屏可以允许红外光通过,例如该显示屏为AMOLED显示屏,该红外光接近传感器可以被该显示屏覆盖。该接近检测的方法的流程可以包括:
[0055] 在步骤S201中,电子设备检测红外光接近传感器是否工作。
[0056] 比如,电子设备可以先检测其红外光接近传感器是否工作。
[0057] 若检测到该红外光接近传感器未工作,则进入步骤S202。
[0058] 若检测到该红外光接近传感器工作,则进入步骤S203。
[0059] 在步骤S202中,当该红外光接近传感器不工作时,电子设备将该显示屏的工作时序设置为基础时序,该基础时序包括第一扫描时间段和第一空白时间段,该第一扫描时间段为用于该显示屏进行扫描刷新的时间段,该第一空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0060] 比如,电子设备检测到其红外光传感器未工作,那么电子设备可以将其AMOLED显示屏的工作时序设置为基础时序。该基础时序包括第一扫描时间段和第一空白时间段(Blanking Time)。该第一扫描时间段为用于该AMOLED显示屏进行扫描刷新的时间段。该第一空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0061] 在步骤S203中,当该红外光接近传感器工作时,电子设备将该显示屏的工作时序设置为目标时序,该目标时序包括第二扫描时间段、目标时间段和第二空白时间段,在该目标时间段内,电子设备将该显示屏的像素电路的供电正压和供电负压的数值均设置为零以使该显示屏不发光。
[0062] 比如,电子设备检测到其红外光接近传感器进入工作状态,那么电子设备可以将其AMOLED显示屏的工作时序设置为目标时序。
[0063] 该目标时序包括第二扫描时间段、目标时间段和第二空白时间段。其中,该第二扫描时间段为用于该AMOLED显示屏进行扫描刷新的时间段。该第二空白时间段(Blanking Time)为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。在该目标时间段内,电子设备可以将该AMOLED显示屏的像素电路的供电正压和供电负压的数值均设置为零,以使该AMOLED显示屏不发光。
[0064] 请参阅图11,当AMOLED显示屏的像素电路中供电正压和供电负压均为0时(GND),有机发光二极管D1不发光。
[0065] 在第二扫描时间段内,该AMOLED显示屏发光。在第二空白时间段,该AMOLED显示屏可以发光,也可以不发光。
[0066] 在一种实施方式中,该目标时间段位于该第二扫描时间段与该第二空白时间段之间。
[0067] 在步骤S204中,电子设备控制该红外光接近传感器在该目标时间段内发射红外光探测信号。
[0068] 在步骤S205中,电子设备根据该红外光探测信号进行接近检测。
[0069] 比如,步骤S204和S205可以包括:
[0070] 在将该AMOLED显示屏的工作时序设置为目标时序后,电子设备可以控制红外光接近传感器在上述目标时间段内发射红外光探测信号。然后,电子设备可以根据该红外光探测信号进行接近检测。
[0071] 请参阅图12至图14,图12至图14为本申请实施例提供的接近检测的方法的场景示意图。
[0072] 比如,用户正在使用电子设备浏览新闻,此时电子设备界面可以如图12所示。在用户使用电子设备浏览新闻,即红外光接近传感器未工作时,电子设备上的AMOLED显示屏的工作时序可以采用基础时序。该基础时序包括第一扫描时间段和第一空白时间段(Blanking Time)。该第一扫描时间段为用于该AMOLED显示屏进行扫描刷新的时间段。该第一空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。该基础时序的时序示意图可以如图14所示。该基础时序具有周期,该第一扫描时间段和该第一空白时间段构成该基础时序的一个周期。
[0073] 之后一段时间,电子设备接收到来电,此时电子设备界面可以如图13所示。用户接通了该来电。在这种情况下,电子设备可以控制其红外光接近传感器进入工作状态。此时,电子设备可以将其AMOLED显示屏的工作时序由上述基础时序切换到目标时序。
[0074] 该目标时序可以包括第二扫描时间段、目标时间段和第二空白时间段。该目标时序具有周期,该第二扫描时间段、目标时间段和该第二空白时间段构成该目标时序的一个周期。其中,该第二扫描时间段为用于该AMOLED显示屏进行扫描刷新的时间段。该第二空白时间段(Blanking Time)为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0075] 在一种实施方式中,在该第二扫描时间段内,该AMOLED显示屏的像素电路的供电正压的数值可以为一设定值,例如为数值C。在该第二扫描时间段内,该AMOLED显示屏的像素电路的供电负压的数值也可以为一设定值,例如为数值D。在第二扫描时间段内,该供电正压和该供电负压间的电势差大于目标阈值。该目标阈值为能使像素电路中的有机发光二极管发光的供电正压和该供电负压间的电势差。
[0076] 而在该目标时间段内,电子设备可以将该AMOLED显示屏的像素电路的供电正压和供电负压的数值均设置为零,以使该AMOLED显示屏不发光。
[0077] 当然,在其它实施方式中,在该目标时间段内,该AMOLED显示屏的像素电路的供电正压和供电负压的数值可以不必均设置为零,电子设备只需控制该AMOLED显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差小于目标阈值即可,以使该AMOLED显示屏在该目标时间段内不发光。其中,该目标阈值为允许该像素电路中的发光元器件发光的供电正压和供电负压间的电势差。即,当供电正压和供电负压间的电势差达到该目标阈值时,该像素电路中的发光元器件就可以发光。当供电正压和供电负压间的电势差小于该目标阈值时,该像素电路中的发光元器件就不会发光。
[0078] 其中,电子设备可以控制该目标时序的周期与该基础时序的周期相等。即,第二扫描时间段、目标时间段和第二空白时间段的时间长度之和,等于第一扫描时间段和第一空白时间段的时间长度之和。
[0079] 在一种实施方式中,第二空白时间段可以与第一空白时间段相等,那么在第二扫描时间段、目标时间段和第二空白时间段的时间长度之和等于第一扫描时间段和第一空白时间段的时间长度之和的情况下,第二扫描时间段的时间长度小于第一扫描时间段的时间长度。在这种情况下,电子设备可以在该第二扫描时间段内增加该AMOLED显示屏的发光强度。即,在将该AMOLED显示屏的工作时序由基础时序切换到目标时序之后,若检测到第二扫描时间段的时间长度小于第一扫描时间段的时间长度,那么电子设备可以在该第二扫描时间段内增加该AMOLED显示屏的发光强度。
[0080] 需要说明的是,在目标时序中,第二扫描时间段内AMOLED显示屏发光,目标时间段内和第二空白时间段内AMOLED显示屏可以不发光。和基础时序相比,如果帧频不变或第二空白时间段与第一空白时间段相等,那么在该目标时序中AMOLED显示屏的发光时间变短(每帧显示时间缩短)。此时,因为人眼感受亮度具有时域卷积积分效果,因此对于人眼而言会感觉到亮度降低了。在这种情况下,电子设备可以通过增加第二扫描时间段内AMOLED显示屏的发光强度,来保证人眼感受到的亮度相同。
[0081] 在一些实施方式中,在第二扫描时间段内,电子设备可以通过GAMMA校正的方式,来增加该AMOLED显示屏的发光强度。或者,电子设备可以通过增大该AMOLED显示屏的像素电路的供电正压(ELVDD)和供电负压(ELVSS)间的电势差的方式,来增加该AMOLED显示屏的发光强度。
[0082] 当然,在其他实施方式中,在由基础时序切换到目标时序后,电子设备也可以控制该目标时序中的第二扫描时间段的时间长度与该基础时序中的第一扫描时间段的时间长度相等。这样的话,电子设备就可以不必在该第二扫描时间段内增加该AMOLED显示屏的发光强度。
[0083] 红外光接近传感器包括红外光发射器件和红外光接收器件。
[0084] 该红外光发射器件的工作时序包括:发射红外光时间段和不发射红外光时间段。其中,该发射红外光时间段为用于向外界发射红外光探测信号的时间段。在本申请实施例中,该发射红外光时间段可以与目标时间段在时间上重叠(即红外光发射器件在该目标时间段内发射红外光探测信号)。该红外光发射器件的工作时序具有周期,该发射红外光时间段和不发射红外光时间段构成红外光发射器件的工作时序的一个周期。
[0085] 该红外光接收器件的工作时序包括:接收红外光时间段和不接收红外光时间段。该接收红外光时间段为用于接收红外光探测信号经外界障碍物反射后的信号的时间段。
[0086] 在切换到目标时序后,电子设备可以控制该红外光发射器件的工作周期与该目标时序的周期相同,并控制该接收红外光时间段覆盖该发射红外光时间段。
[0087] 请参阅图14,t1为基础时序中的第一扫描时间段,t2为基础时序中的第一空白时间段。t3为目标时序中的第二扫描时间段,t4为目标时序中的目标时间段,t5为目标时序中的第二空白时间段。t6为发射红外光时间段。t7为接收红外光时间段。
[0088] 在本申请实施例中,可以使t1+t2=t3+t4+t5,其中t2可以等于t5。发射红外光时间段t6与目标时序中的目标时间段t4同步。即,电子设备的红外光发射器件在目标时间段内向外发射红外光探测信号。并且,接收红外光时间段t7覆盖发射红外光时间段t6,即t7的时间长度大于或等于t6的时间长度。
[0089] 当红外光发射器件在目标时间段内向外发射红外光探测信号后,电子设备可以根据红外光接收器件接收到的红外光探测信号在遇到障碍物后反射的信号,来进行接近检测。
[0090] 请参阅图15,图15为本申请实施例提供的接近检测的装置的结构示意图。该接近检测的装置,可以应用于电子设备。该电子设备包括显示屏和红外光接近传感器,该显示屏允许红外光通过,该红外光接近传感器被该显示屏覆盖。接近检测的装置300可以包括:设置模块301,控制模302,以及检测模块303。
[0091] 设置模块301,用于当所述红外光接近传感器工作时,将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,所述目标时序包括目标时间段,在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光。
[0092] 控制模块302,用于控制所述红外光接近传感器在所述目标时间段内发射红外光探测信号。
[0093] 检测模块303,用于根据所述红外光探测信号进行接近检测。
[0094] 在一些实施方式中,设置模块301可以用于:在所述目标时间段内,控制所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差小于目标阈值,以使所述显示屏不发光,所述目标阈值为允许所述像素电路中的发光元器件发光的所述供电正压和所述供电负压间的电势差。
[0095] 在一些实施方式中,设置模块301可以用于:将所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压的数值均设置为零。
[0096] 在一些实施方式中,设置模块301还可以用于:当所述红外光接近传感器不工作时,将所述显示屏的工作时序由所述目标时序切换到基础时序,所述基础时序包括第一扫描时间段和第一空白时间段;所述第一扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;所述第一空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0097] 在一些实施方式中,所述目标时序还包括第二扫描时间段和第二空白时间段;所述第二扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;所述第二空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0098] 所述设置模块301可以用于:将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,并控制所述目标时序的周期与所述基础时序的周期相等。
[0099] 在一些实施方式中,所述设置模块301可以用于:在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,若检测到所述第二扫描时间段的时间长度小于所述第一扫描时间段,则在所述第二扫描时间段内,增加所述显示屏的发光强度。
[0100] 在一些实施方式中,所述设置模块301可以用于:在所述第二扫描时间段内,通过GAMMA校正的方式,增加所述显示屏的发光强度。
[0101] 在一些实施方式中,所述设置模块301还可以用于:在所述第二扫描时间段内,增大所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差,以增加所述显示屏的发光强度。
[0102] 在一些实施方式中,所述目标时序还包括第二扫描时间段和第二空白时间段;所述第二扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;所述第二空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0103] 所述设置模块301可以用于:将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,并控制所述第二扫描时间段的时间长度与所述第一扫描时间段的时间长度相等。
[0104] 在一些实施方式中,所述目标时间段位于所述第二扫描时间段与所述第二空白时间段之间。
[0105] 在一些实施方式中,所述红外光接近传感器包括红外光发射器件,所述红外光发射器件的工作时序包括发射红外光时间段和不发射红外光时间段,所述发射红外光时间段为用于发射所述红外光探测信号的时间段。
[0106] 所述设置模块301还可以用于:在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,控制所述红外光发射器件的工作周期与所述目标时序的周期相同。
[0107] 在一些实施方式中,所述红外光接近传感器还包括红外光接收器件,所述红外光接收器件的工作时序包括接收红外光时间段和不接收红外光时间段,所述接收红外光时间段为用于接收所述红外光探测信号经外界障碍物反射后的信号的时间段。
[0108] 所述设置模块301还可以用于:在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,控制所述接收红外光时间段覆盖所述发射红外光时间段。
[0109] 本申请实施例提供一种计算机可读的存储介质,其上存储有计算机程序,当所述计算机程序在计算机上执行时,使得所述计算机执行如本实施例提供的接近检测的方法中的步骤。
[0110] 本申请实施例还提供一种电子设备,包括存储器,处理器,所述处理器通过调用所述存储器中存储的计算机程序,用于执行本实施例提供的接近检测的方法中的步骤。
[0111] 例如,上述电子设备可以是诸如平板电脑或者智能手机等。请参阅图16,图16为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
[0112] 该电子设备400可以包括红外光接近传感器401、存储器402、处理器403、显示屏404等部件。本领域技术人员可以理解,图16中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
[0113] 存储器402可用于存储应用程序和数据。存储器402存储的应用程序中包含有可执行代码。应用程序可以组成各种功能模块。处理器403通过运行存储在存储器402的应用程序,从而执行各种功能应用以及数据处理。
[0114] 处理器403是电子设备的控制中心,利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部分,通过运行或执行存储在存储器402内的应用程序,以及调用存储在存储器402内的数据,执行电子设备的各种功能和处理数据,从而对电子设备进行整体监控。
[0115] 在电子设备400中,显示屏404允许红外光通过,红外光接近传感器401被显示屏404覆盖。
[0116] 在本实施例中,电子设备中的处理器403会按照如下的指令,将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行代码加载到存储器402中,并由处理器403来运行存储在存储器402中的应用程序,从而实现步骤:
[0117] 当所述红外光接近传感器工作时,将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,所述目标时序包括目标时间段,在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光;
[0118] 控制所述红外光接近传感器在所述目标时间段内发射红外光探测信号;
[0119] 根据所述红外光探测信号进行接近检测。
[0120] 请参阅图17,电子设备500可以包括红外光接近传感器501、存储器502、处理器503、输入单元504、输出单元505、显示屏506等部件。
[0121] 存储器502可用于存储应用程序和数据。存储器502存储的应用程序中包含有可执行代码。应用程序可以组成各种功能模块。处理器503通过运行存储在存储器502的应用程序,从而执行各种功能应用以及数据处理。
[0122] 处理器503是电子设备的控制中心,利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部分,通过运行或执行存储在存储器502内的应用程序,以及调用存储在存储器502内的数据,执行电子设备的各种功能和处理数据,从而对电子设备进行整体监控。
[0123] 输入单元504可用于接收输入的数字、字符信息或用户特征信息(比如指纹),以及产生与用户设置以及功能控制有关的键盘、鼠标、操作杆、光学或者轨迹球信号输入。
[0124] 输出单元505可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及电子设备的各种图形用户接口,这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。输出单元可包括显示面板。
[0125] 在电子设备500中,显示屏506允许红外光通过,红外光接近传感器501被显示屏506覆盖。
[0126] 在本实施例中,电子设备中的处理器503会按照如下的指令,将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行代码加载到存储器502中,并由处理器503来运行存储在存储器502中的应用程序,从而实现步骤:
[0127] 当所述红外光接近传感器工作时,将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,所述目标时序包括目标时间段,在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光;控制所述红外光接近传感器在所述目标时间段内发射红外光探测信号;根据所述红外光探测信号进行接近检测。
[0128] 在一种实施方式中,处理器503执行所述在所述目标时间段内控制所述显示屏不发光的步骤时,可以执行:在所述目标时间段内,控制所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差小于目标阈值,以使所述显示屏不发光,所述目标阈值为允许所述像素电路中的发光元器件发光的所述供电正压和所述供电负压间的电势差。
[0129] 在一种实施方式中,处理器503执行所述控制所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差小于目标阈值的步骤时,可以执行:将所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压的数值均设置为零。
[0130] 在一种实施方式中,处理器503还可以执行:当所述红外光接近传感器不工作时,将所述显示屏的工作时序由所述目标时序切换到基础时序,所述基础时序包括第一扫描时间段和第一空白时间段;所述第一扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;所述第一空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0131] 在一种实施方式中,所述目标时序还包括第二扫描时间段和第二空白时间段;所述第二扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;所述第二空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0132] 那么,处理器503执行所述将所述显示屏的工作时序设置为目标时序的步骤时,可以执行:将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,并控制所述目标时序的周期与所述基础时序的周期相等。
[0133] 在一种实施方式中,在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,处理器503还可以执行:若检测到所述第二扫描时间段的时间长度小于所述第一扫描时间段,则在所述第二扫描时间段内,增加所述显示屏的发光强度。
[0134] 在一种实施方式中,处理器503执行所述在所述第二扫描时间段内增加所述显示屏的发光强度的步骤时,可以执行:在所述第二扫描时间段内,通过GAMMA校正的方式,增加所述显示屏的发光强度。
[0135] 在一种实施方式中,处理器503执行所述在所述第二扫描时间段内增加所述显示屏的发光强度的步骤时,可以执行:在所述第二扫描时间段内,增大所述显示屏的像素电路的供电正压和供电负压间的电势差,以增加所述显示屏的发光强度。
[0136] 在一种实施方式中,所述目标时序还包括第二扫描时间段和第二空白时间段;所述第二扫描时间段为用于所述显示屏进行扫描刷新的时间段;所述第二空白时间段为用于驱动芯片处理下一帧数据并准备显示的时间段。
[0137] 那么,处理器503执行所述将所述显示屏的工作时序设置为目标时序的步骤时,可以执行:将所述显示屏的工作时序设置为目标时序,并控制所述第二扫描时间段的时间长度与所述第一扫描时间段的时间长度相等。
[0138] 在一种实施方式中,所述目标时间段位于所述第二扫描时间段与所述第二空白时间段之间。
[0139] 在一种实施方式中,所述红外光接近传感器包括红外光发射器件,所述红外光发射器件的工作时序包括发射红外光时间段和不发射红外光时间段,所述发射红外光时间段为用于发射所述红外光探测信号的时间段。
[0140] 那么,在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,处理器503还可以执行:控制所述红外光发射器件的工作周期与所述目标时序的周期相同。
[0141] 在一种实施方式中,所述红外光接近传感器还包括红外光接收器件,所述红外光接收器件的工作时序包括接收红外光时间段和不接收红外光时间段,所述接收红外光时间段为用于接收所述红外光探测信号经外界障碍物反射后的信号的时间段。
[0142] 那么,在将所述显示屏的工作时序设置为目标时序之后,处理器503还可以执行:控制所述接收红外光时间段覆盖所述发射红外光时间段。
[0143] 在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对接近检测的方法的详细描述,此处不再赘述。
[0144] 本申请实施例提供的所述接近检测的装置与上文实施例中的接近检测的方法属于同一构思,在所述接近检测的装置上可以运行所述接近检测的方法实施例中提供的任一方法,其具体实现过程详见所述接近检测的方法实施例,此处不再赘述。
[0145] 需要说明的是,对本申请实施例所述接近检测的方法而言,本领域普通技术人员可以理解实现本申请实施例所述接近检测的方法的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来控制相关的硬件来完成,所述计算机程序可存储于一计算机可读取存储介质中,如存储在存储器中,并被至少一个处理器执行,在执行过程中可包括如所述接近检测的方法的实施例的流程。其中,所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储器(ROM,Read Only Memory)、随机存取记忆体(RAM,Random Access Memory)等。
[0146] 对本申请实施例的所述接近检测的装置而言,其各功能模块可以集成在一个处理芯片中,也可以是各个模块单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,也可以存储在一个计算机可读取存储介质中,所述存储介质譬如为只读存储器,磁盘或光盘等。
[0147] 以上对本申请实施例所提供的一种接近检测的方法、装置、存储介质以及电子设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。