制造显示面板的方法和包括该显示面板的显示设备转让专利

申请号 : CN201910187451.3

文献号 : CN110277512A

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基本信息:

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 丁有光姜泰旭成宇镛

申请人 : 三星显示有限公司

摘要 :

提供了制造显示面板的方法和包括该显示面板的显示设备。所述制造显示面板的方法包括以下步骤:提供绝缘基底,绝缘基底包括孔区域、围绕孔区域的显示区域以及与显示区域相邻的外围区域;在显示区域中形成半导体图案;形成绝缘层;在绝缘层中形成使半导体图案的部分暴露的接触孔;以及通过对绝缘层的与孔区域叠置的部分以及绝缘基底的与孔区域叠置的部分进行蚀刻形成模块孔。

权利要求 :

1.一种制造显示面板的方法,所述方法包括以下步骤:提供绝缘基底,所述绝缘基底包括孔区域、围绕所述孔区域的显示区域以及与所述显示区域相邻的外围区域;

在所述显示区域中形成半导体图案;

在所述半导体图案上形成与所述孔区域和所述显示区域叠置的绝缘层;

在所述绝缘层中形成使所述半导体图案的部分暴露的接触孔;

在所述接触孔中形成通过所述接触孔连接到所述半导体图案的电极;以及通过对所述绝缘层的与所述孔区域叠置的部分以及所述绝缘基底的与所述孔区域叠置的部分进行蚀刻来形成模块孔。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述模块孔的步骤包括:通过去除所述绝缘层的与所述孔区域叠置的所述部分形成第一孔;

通过去除所述绝缘基底的与所述第一孔叠置的部分形成第二孔;以及在所述第二孔中形成底切。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一孔与所述接触孔同时形成。

4.根据权利要求2所述的方法,其中,形成所述电极的步骤包括:形成填充所述接触孔和所述第一孔的导电层;

在所述导电层上形成光致抗蚀剂图案;

对所述导电层进行蚀刻以形成所述电极;以及

去除所述光致抗蚀剂图案,

其中,在对所述导电层进行蚀刻的同时执行形成所述第二孔。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,同时执行形成所述底切和去除所述光致抗蚀剂图案。

6.根据权利要求4所述的方法,其中,通过氧等离子体去除所述光致抗蚀剂图案。

7.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括在所述孔区域中形成阻挡凹槽的步骤,其中,所述阻挡凹槽与所述模块孔间隔开并围绕所述模块孔的至少一部分,其中,所述阻挡凹槽包括通过穿透所述绝缘层而形成的孔部分以及通过去除所述绝缘基底的一部分而形成的凹陷部分,并且其中,所述凹陷部分的深度小于所述绝缘基底的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括以下步骤:在形成所述电极之后形成有机层,

其中,所述有机层的端部是所述模块孔的边界。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,通过蒸发工艺形成所述有机层。

10.根据权利要求8所述的方法,所述方法还包括以下步骤:在形成所述有机层之后,在所述显示区域中形成无机膜,其中,所述无机膜从所述显示区域延伸到所述孔区域中并覆盖所述模块孔的内表面。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,通过沉积工艺形成所述无机膜。

12.一种显示设备,所述显示设备包括:

显示面板,包括前表面和与所述前表面背对的后表面,所述前表面包括孔区域、围绕所述孔区域的显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域;以及电子模块,与所述显示面板叠置,

其中,所述显示面板包括:绝缘基底,包括基体层和阻挡层;有机发光器件,设置在所述显示区域的所述绝缘基底上,并包括发射层和有机层;封装构件,覆盖所述有机发光器件,并包括无机膜和有机膜;以及模块孔,与所述外围区域间隔开,并形成在穿透所述绝缘基底和所述有机层的所述孔区域中,其中,所述电子模块与所述模块孔叠置,

其中,所述基体层和所述阻挡层包括位于所述模块孔处的端部,并且当在剖视图中观看时,所述基体层的所述端部和所述阻挡层的所述端部与所述绝缘基底的厚度方向平行。

13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述基体层的所述端部和所述阻挡层的所述端部被所述无机膜覆盖。

14.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述基体层的所述端部和所述阻挡层的所述端部在所述厚度方向上彼此不对齐。

15.根据权利要求14所述的显示设备,其中,所述有机层的端部与所述阻挡层的所述端部对齐,并且其中,所述无机膜覆盖所述有机层的所述端部。

16.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述电子模块通过所述模块孔接收提供到所述显示面板的所述前表面的外部输入。

17.根据权利要求16所述的显示设备,其中,所述电子模块容纳在所述模块孔中。

18.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述显示面板还包括:阻挡凹槽,形成在所述孔区域中,其中,所述阻挡凹槽与所述模块孔间隔开并围绕所述模块孔,其中,所述阻挡凹槽的深度小于所述模块孔的深度。

19.根据权利要求18所述的显示设备,其中,所述阻挡凹槽包括:孔部分,穿透所述阻挡层;以及凹陷部分,形成在所述基体层中。

20.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述基体层包括有机材料,并且所述阻挡层包括无机材料。

21.一种制造显示面板的方法,所述方法包括以下步骤:提供绝缘基底,所述绝缘基底包括孔区域、围绕所述孔区域的显示区域以及与所述显示区域相邻的外围区域;

在所述显示区域中形成半导体图案;

在所述半导体图案上形成与所述孔区域和所述显示区域叠置的绝缘层;以及通过对所述绝缘层的与所述孔区域叠置的部分以及所述绝缘基底的与所述孔区域叠置的部分进行蚀刻形成模块孔,其中,形成所述模块孔的步骤包括:通过去除所述绝缘层的与所述孔区域叠置的所述部分形成第一孔;通过去除所述绝缘基底的与所述第一孔叠置的部分形成第二孔;以及在所述第二孔中形成底切。

22.根据权利要求21所述的方法,所述方法还包括以下步骤:在所述绝缘层中形成使所述半导体图案的部分暴露的接触孔;以及在所述接触孔中形成通过所述接触孔连接到所述半导体图案的电极,其中,形成所述电极的步骤包括:形成填充所述接触孔和所述第一孔的导电层;在所述导电层上形成光致抗蚀剂图案;对所述导电层进行蚀刻以形成所述电极;以及去除所述光致抗蚀剂图案,其中,所述第一孔与所述接触孔同时形成,

在对所述导电层进行蚀刻的同时形成所述第二孔,并且同时执行形成所述底切和去除所述光致抗蚀剂图案。

说明书 :

制造显示面板的方法和包括该显示面板的显示设备

[0001] 本专利申请要求于2018年3月13日在韩国知识产权局提交的第 10-2018-0028923号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

[0002] 本公开的实施例涉及一种制造显示面板的方法和一种包括该显示面板的显示设备,更具体地,涉及一种制造具有改善的可靠性的显示面板的方法和包括该显示面板的显示设备。

背景技术

[0003] 显示面板被电信号激活从而显示图像。在显示面板之中,有机发光显示面板具有低功耗、高亮度和高响应速度特性。
[0004] 有机发光显示面板包括有机发光器件。然而,有机发光器件会容易被湿气或氧损坏。因此,应该阻挡外部湿气或氧,以改善有机发光显示面板的寿命和可靠性。

发明内容

[0005] 本公开的实施例可以提供一种包括显示面板的显示设备和一种具有简化工艺的制造显示面板的方法,所述显示面板能够防止干扰电子模块。
[0006] 在发明构思的实施例中,制造显示面板的方法包括以下步骤:提供绝缘基底,绝缘基底包括孔区域、围绕孔区域的显示区域以及与显示区域相邻的外围区域;在显示区域中形成半导体图案;在半导体图案上形成与孔区域和显示区域叠置的绝缘层;在绝缘层中形成使半导体图案的部分暴露的接触孔;在接触孔中形成通过接触孔连接到半导体图案的电极;以及通过对绝缘层的与孔区域叠置的部分以及绝缘基底的与孔区域叠置的部分进行蚀刻形成模块孔。
[0007] 在实施例中,形成模块孔的步骤可以包括:通过去除绝缘层的与孔区域叠置的部分形成第一孔;通过去除绝缘基底的与第一孔叠置的部分形成第二孔;以及在第二孔中形成底切,其中,第一孔可以与接触孔同时形成。
[0008] 在实施例中,形成电极的步骤可以包括:形成填充接触孔和第一孔的导电层;在导电层上形成光致抗蚀剂图案;对导电层进行蚀刻以形成电极;以及去除光致抗蚀剂图案。可以在对导电层进行蚀刻的同时执行形成第二孔,并且可以同时执行形成底切和去除光致抗蚀剂图案。
[0009] 在实施例中,可以通过氧等离子体去除光致抗蚀剂图案。
[0010] 在实施例中,所述方法还可以包括在孔区域中形成阻挡凹槽的步骤,其中,阻挡凹槽与模块孔间隔开并围绕模块孔的至少一部分,其中,阻挡凹槽的深度可以小于绝缘基底的厚度。
[0011] 在实施例中,所述方法还可以包括在形成电极之后形成有机层的步骤。有机层的端部可以限定模块孔的边界。
[0012] 在实施例中,可以通过蒸发工艺形成有机层。
[0013] 在实施例中,所述方法还可以包括在形成有机层之后在显示区域中形成无机膜的步骤。无机膜可以从显示区域延伸到孔区域中以覆盖模块孔的内表面。
[0014] 在实施例中,可以通过沉积工艺形成无机膜。
[0015] 在发明构思的实施例中,显示设备包括:显示面板,包括前表面和与前表面背对的后表面,前表面包括孔区域、围绕孔区域的显示区域和与显示区域相邻的外围区域;以及电子模块,与显示面板叠置。显示面板包括:绝缘基底,包括基体层和阻挡层;有机发光器件,设置在显示区域的绝缘基底上,并包括发射层和有机层;封装构件,覆盖有机发光器件,并包括无机膜和有机膜;以及模块孔,与外围区域间隔开,并形成在穿透绝缘基底和有机层的孔区域中。电子模块与模块孔叠置。基体层和阻挡层可以包括位于模块孔处的端部,并且当在剖视图中观看时,基体层的端部和阻挡层的端部可以与绝缘基底的厚度方向平行。
[0016] 在实施例中,基体层的端部和阻挡层的端部可以被无机膜覆盖。
[0017] 在实施例中,基体层的端部和阻挡层的端部可以在厚度方向上彼此不对齐。
[0018] 在实施例中,有机层的端部可以与阻挡层的端部对齐,并且无机膜可以覆盖有机层的端部。
[0019] 在实施例中,电子模块通过模块孔接收提供到显示面板的前表面的外部输入。
[0020] 在实施例中,电子模块可以容纳在模块孔中。
[0021] 在实施例中,显示面板还可以包括形成在孔区域中的阻挡凹槽。阻挡凹槽可以与模块孔间隔开并可以围绕模块孔,并且阻挡凹槽的深度可以小于模块孔的深度。
[0022] 在实施例中,阻挡凹槽可以包括穿透阻挡层的孔部分以及形成在基体层中的凹陷部分。
[0023] 在实施例中,基体层包括有机材料,并且阻挡层包括无机材料。
[0024] 在发明构思的实施例中,制造显示面板的方法包括以下步骤:提供绝缘基底,绝缘基底包括孔区域、围绕孔区域的显示区域以及与显示区域相邻的外围区域;在显示区域中形成半导体图案;在半导体图案上形成与孔区域和显示区域叠置的绝缘层;以及通过对绝缘层的与孔区域叠置的部分以及绝缘基底的与孔区域叠置的部分进行蚀刻形成模块孔。形成模块孔的步骤包括:通过去除绝缘层的与孔区域叠置的部分形成第一孔;通过去除绝缘基底的与第一孔叠置的部分形成第二孔;以及在第二孔中形成底切。
[0025] 所述方法还可以包括以下步骤:在绝缘层中形成使半导体图案的部分暴露的接触孔;以及在接触孔中形成通过接触孔连接到半导体图案的电极。形成电极的步骤可以包括:形成填充接触孔和第一孔的导电层;在导电层上形成光致抗蚀剂图案;对导电层进行蚀刻以形成电极;以及去除光致抗蚀剂图案。第一孔与接触孔同时形成,在对导电层进行蚀刻的同时形成第二孔,并且同时执行形成底切和去除光致抗蚀剂图案。

附图说明

[0026] 图1是根据发明构思的实施例的显示设备的透视图。
[0027] 图2是图1的显示设备的分解透视图。
[0028] 图3是图1的显示设备的框图。
[0029] 图4A是沿图2的线I-I'截取的剖视图。
[0030] 图4B是图4A的一部分的放大剖视图。
[0031] 图5是根据发明构思的实施例的显示设备的分解透视图。
[0032] 图6A是沿图5的线II-II'截取的剖视图。
[0033] 图6B是图6A的一部分的放大剖视图。
[0034] 图7是根据发明构思的实施例的显示面板的一部分的剖视图。
[0035] 图8A至图8C是根据发明构思的一些实施例的孔区域的平面图。
[0036] 图9A至图9M是根据发明构思的实施例的制造显示面板的方法的剖视图。

具体实施方式

[0037] 现在,将在下文中参照附图更充分地描述发明构思的实施例,在附图中示出了各种实施例。然而,发明构思可以以许多不同的形式来实施,并且不应该被解释为限于这里所阐述的示例性实施例。同样的附图标记可以始终表示同样的元件。将理解的是,当诸如层、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者可以存在中间元件。
[0038] 图1是根据发明构思的实施例的显示设备的透视图。图2是图1的显示设备的分解透视图。图3是图1的显示设备的框图。在下文中,将参照图1 至图3来描述根据发明构思的实施例的显示设备。
[0039] 显示设备ED被电信号激活。显示设备ED可以实现为各种实施例。例如,显示设备ED可以实现为平板电脑、笔记本电脑、个人计算机、智能电视或智能电话。在本实施例中,智能电话被示出为显示设备ED的示例。
[0040] 如图1中所示,根据实施例,显示设备ED在其前表面处提供显示表面。可以在显示表面上显示图像IM。显示表面与由第一方向DR1和第二方向DR2 限定的平面平行。显示表面包括显示区域BA和与显示区域BA相邻的边框区域BZA。
[0041] 根据实施例,显示设备ED通过显示表面的显示区域BA显示图像IM。在图1中,互联网搜索框被示出为图像IM的示例。显示区域BA具有与第一方向DR1和第二方向DR2平行的矩形形状。然而,发明构思的实施例不限于此。可以对显示区域BA的形状进行各种修改。
[0042] 根据实施例,边框区域BZA与显示区域BA相邻。当在平面图中观看时,边框区域BZA围绕显示区域BA。然而,发明构思的实施例不限于此。在其它实施例中,边框区域BZA仅与显示区域BA的一侧相邻,或者省略边框区域BZA。显示设备ED包括各种实施例,而不局限于特定实施例。
[0043] 根据实施例,显示表面的法线方向与厚度方向对应,下文中被称为显示设备ED的第三方向DR3。在本实施例中,每个显示设备ED的前表面或顶表面以及后表面或底表面被其中显示由图像IM的方向(诸如,第三方向) 限定。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此相对。
[0044] 然而,由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以改变为其它方向。
[0045] 如图1至图3中所示,根据实施例,显示设备ED包括显示面板100、窗构件200、电子模块300和壳构件400。更详细地,如图3中所示,显示设备ED包括显示模块DD、第一电子模块EM1、第二电子模块EM2和电源模块PM。在图2中省略了图3中示出的一些组件。
[0046] 根据实施例,显示模块DD包括显示面板100和触摸感测单元TSU。显示面板100显示图像IM。在实施例中,显示面板100也可以感测外部用户输入。在这种情况下,显示面板100还包括触摸传感器,并且可以省略触摸感测单元TSU。
[0047] 根据实施例,触摸感测单元TSU感测外部提供的用户输入。用户的输入包括各种外部输入中的至少一个,诸如用户的身体的一部分(诸如手指)、光、热或压力。在图2中省略了触摸感测单元TSU。
[0048] 另一方面,在本实施例中,显示面板100包括孔区域PA、显示区域DA 和外围区域NDA。通过显示区域DA显示图像IM。显示区域DA通过窗构件200的透射区域TA而外部可见。产生图像IM的多个像素设置在显示区域 DA中。这将在下面进行更详细地描述。
[0049] 根据实施例,外围区域NDA与显示区域DA相邻。当在平面图中观看时,外围区域NDA围绕显示区域DA。对显示区域DA进行驱动的驱动电路或驱动线设置在外围区域NDA中。
[0050] 在实施例中,可以使显示面板100的外围区域NDA的一部分弯曲。因此,外围区域NDA的一部分面对显示设备ED的前表面,外围区域NDA的另一部分面对显示设备ED的后表面。可选地,可以在根据发明构思的实施例的显示面板100中省略外围区域NDA。
[0051] 根据实施例,当在平面图中观看时,孔区域PA被显示区域DA围绕。当在剖视图中观看时,孔区域PA与外围区域NDA间隔开,且显示区域DA 置于孔区域PA与外围区域NDA之间。模块孔MH设置在孔区域PA中。因此,模块孔MH形成在显示图像IM的显示区域DA中。
[0052] 根据实施例,模块孔MH穿透显示面板100。模块孔MH具有圆柱形状并且在第三方向DR3上具有高度。当在平面图中观看时,模块孔MH与电子模块300叠置。电子模块300插入模块孔MH中以接收外部输入或者可以通过模块孔MH接收外部输入。
[0053] 根据发明构思的实施例,由于显示面板100包括模块孔MH,所以在外围区域NDA中不提供用于电子模块300的单独空间。因此,可以减小外围区域NDA的面积或尺寸以实现具有窄边框的显示设备ED。此外,当电子模块 300被容纳在模块孔MH中时,可以实现薄的显示设备ED。
[0054] 根据实施例,窗构件200提供显示设备ED的前表面。窗构件200设置在显示面板100的前表面上以保护显示面板100。例如,窗构件200可以包括玻璃基底、蓝宝石基底或塑料膜。窗构件200可以具有单层或多层结构。例如,窗构件200具有包括通过粘合剂彼此结合的多个塑料膜的堆叠结构,或者具有包括通过粘合剂彼此结合的玻璃基底和塑料膜的堆叠结构。
[0055] 根据实施例,窗构件200包括透射区域TA和边框区域BZA。透射区域 TA与显示面板100的显示区域DA和显示设备ED的显示区域BA对应。例如,透射区域TA与显示区域DA的全部或者至少一部分叠置。在显示面板 100的显示区域DA中显示的图像IM通过透射区域TA而可见。
[0056] 根据实施例,边框区域BZA限定透射区域TA的形状。在平面图中,边框区域BZA与透射区域TA相邻并围绕透射区域TA。边框区域BZA具有预定的颜色。边框区域BZA覆盖显示面板100的外围区域NDA,以防止外围区域NDA外部可见。然而,发明构思的实施例不限于此。在发明构思的另一实施例中,可以从窗构件200中省略边框区域BZA。
[0057] 根据实施例,电源模块PM供应显示设备ED的整体操作所需的电力。电源模块PM包括电池模块。
[0058] 根据实施例,壳构件400结合到窗构件200。壳构件400提供显示设备ED的后表面。壳构件400可以结合到窗构件200以围绕内部空间,并且显示面板100、电子模块300和图3的各种组件可以被容纳在该内部空间中。壳构件400由刚性材料形成。例如,壳构件400包括由玻璃、塑料或金属形成的多个框架或板。壳构件400可以可靠地保护显示设备ED的位于内部空间中的组件免受外部冲击。
[0059] 根据实施例,电子模块300包括操作显示设备ED的各种功能模块中的至少一者。电子模块300包括第一电子模块EM1或第二电子模块EM2的组件中的至少一个。
[0060] 根据实施例,第一电子模块EM1直接安装在电连接到显示模块DD的主板上。可选地,第一电子模块EM1安装在附加板上,以通过连接器电连接到主板。
[0061] 根据实施例,第一电子模块EM1包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IM、声音输入模块AIM、存储器MM和外部接口EF。在实施例中,一些组件或模块未安装在主板上,而是通过柔性电路板电连接到主板。
[0062] 根据实施例,控制模块CM控制显示设备ED的全部操作。控制模块CM 包括微处理器。例如,控制模块CM可以激活显示模块DD或使显示模块停用。控制模块CM基于从显示模块DD接收的触摸信号来控制其它模块(诸如,图像输入模块IM、声音输入模块AIM等)。
[0063] 根据实施例,无线通信模块TM利用蓝牙或Wi-Fi向其它终端发送无线信号或从其它终端接收无线信号。无线通信模块TM利用通用通信线路发送或接收语音信号。无线通信模块TM包括能够调制待发送的信号并发送调制信号的发送器TM1以及能解调接收的信号的接收器TM2。
[0064] 根据实施例,图像输入模块IM处理图像信号,以将图像信号转换为可用于显示模块DD中的图像数据。声音输入模块AIM在记录模式或语音识别模式下通过麦克风接收外部声音信号,并将接收的声音信号转换为电子声音数据。
[0065] 根据实施例,外部接口EF连接到外部充电器、有线或无线数据端口或卡插槽(诸如,用于存储卡或SIM/UIM卡的插槽),并与外部充电器、有线或无线数据端口或卡插槽(诸如,用于存储卡或SIM/UIM卡的插槽)连接。
[0066] 根据实施例,第二电子模块EM2包括声音输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。第二电子模块EM2的组件可以直接安装在主板上或者安装在附加板上,以通过连接器电连接到显示模块DD或第一电子模块EM1。
[0067] 根据实施例,声音输出模块AOM将从无线通信模块TM接收的声音数据或储存在存储器MM中的声音数据进行转换,并输出转换后的声音数据。
[0068] 根据实施例,发光模块LM产生光并输出所产生的光。发光模块LM可以输出红外光。发光模块LM包括发光二极管(LED)器件。光接收模块LRM 感测红外光。当感测预定或更高频率或强度的红外光时,光接收模块LRM被激活。光接收模块LRM包括CMOS传感器。在输出发光模块LM中产生的红外光之后,红外光可以被外部物体(诸如,手指或用户的脸)反射,并且反射后的红外光入射到光接收模块LRM中。相机模块CMM可以获取图像。
[0069] 在实施例中,图2中示出的电子模块300是第二电子模块EM2中的组件中的一个。在这种情况下,第一电子模块EM1和第二电子模块EM2中的其它组件设置在其它位置。然而,发明构思的实施例不限于此。在其它实施例中,电子模块300可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2中的一个或更多个其它组件。
[0070] 图4A是沿图2的线I-I'截取的剖视图。图4B是图4A的一部分的放大剖视图。为了易于和便于描述的目的,图4B是模块孔MH的放大视图。在下文中,将参照图4A和图4B详细描述发明构思的实施例。
[0071] 如图4A中所示,根据实施例,显示面板100包括绝缘基底10、薄膜器件层20和显示器件层30。绝缘基底10、薄膜器件层20和显示器件层30沿第三方向DR3堆叠。
[0072] 在实施例中,绝缘基底10包括第一基体层11、第一阻挡层12、第二基体层13、第二阻挡层14和缓冲层15。
[0073] 在实施例中,第一基体层11是绝缘基底10的下层。第一基体层11的后表面是绝缘基底10的后表面。
[0074] 在实施例中,第一基体层11是包括有机材料的绝缘层。第一基体层11 包括柔性塑料。例如,第一基体层11可以包括聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)或聚醚砜(PES)。
[0075] 在实施例中,第一阻挡层12包括无机材料。第一阻挡层12是绝缘基底 10的上层。第一阻挡层12的前表面是绝缘基底10的前表面。
[0076] 在实施例中,第一阻挡层12是包括无机材料的绝缘层。例如,第一阻挡层12可以包括氧化硅、氮化硅或非晶硅。
[0077] 在实施例中,第二基体层13和第二阻挡层14设置在第一基体层11与第一阻挡层12之间。第二基体层13包括与第一基体层11的材料相同的材料。第二阻挡层14包括与第一阻挡层12的材料相同的材料。
[0078] 在实施例中,第一基体层11和第二基体层13以及第二阻挡层14和第一阻挡层12交替堆叠。第一阻挡层12和第二阻挡层14分别设置在第二基体层 13和第一基体层11上。换言之,第二阻挡层14设置在第一基体层11与第二基体层13之间。第一阻挡层12和第二阻挡层14阻挡外部湿气或氧扩散通过第一基体层11和第二基体层13。
[0079] 在实施例中,缓冲层15设置在第一阻挡层12上。缓冲层15覆盖第一阻挡层12的顶表面或前表面。缓冲层15包括无机材料。缓冲层15的表面能高于第一阻挡层12的顶表面的表面能。缓冲层15与薄膜器件层20(诸如,下面将描述的半导体图案SL或第一绝缘层21)的粘合强度大于缓冲层15与第一阻挡层12的粘合强度。因此,薄膜器件层20可以稳定地形成在绝缘基底 10上。然而,发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中,从显示面板100 中省略了缓冲层15、第二阻挡层14和第二基体层13。
[0080] 在实施例中,薄膜器件层20设置在绝缘基底10上。薄膜器件层20包括多个绝缘层和薄膜晶体管TR。每个绝缘层包括无机材料或有机材料。绝缘层包括第一绝缘层21、第二绝缘层22和第三绝缘层23。
[0081] 在实施例中,薄膜晶体管TR包括半导体图案SL、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。薄膜晶体管TR通过控制电极CE来控制半导体图案 SL中的电荷移动,以通过输出电极OE输出从输入电极IE接收的电信号。
[0082] 在实施例中,第一绝缘层21设置在半导体图案SL与控制电极CE之间。在本实施例中,控制电极CE设置在半导体图案SL上。然而,发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中,薄膜晶体管TR包括设置在控制电极CE上的半导体图案SL。
[0083] 在实施例中,第二绝缘层22设置在控制电极CE与输入电极IE和输出电极OE之间。换言之,输入电极IE和输出电极OE设置在第二绝缘层22 上。输入电极IE和输出电极OE二者都穿过第一绝缘层21和第二绝缘层22,以分别连接到半导体图案SL的部分。然而,发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中,输入电极IE和输出电极OE直接连接到半导体图案SL。
[0084] 在实施例中,第三绝缘层23设置在第二绝缘层22上。第三绝缘层23 覆盖薄膜晶体管TR。第三绝缘层23使薄膜晶体管TR与显示器件层30电绝缘。
[0085] 在实施例中,显示器件层30包括有机发光器件OD和多个绝缘层。显示器件层30的绝缘层包括第四绝缘层31和封装构件TE。
[0086] 在实施例中,第四绝缘层31设置在第三绝缘层23上。多个开口形成在第四绝缘层31中。有机发光器件OD设置在每个开口中。
[0087] 在实施例中,有机发光器件OD包括第一电极E1、第二电极E2、发射层EL和电荷控制层OL。第一电极E1设置在薄膜器件层20上。第一电极 E1穿透第三绝缘层23以电连接到薄膜晶体管TR。设置多个第一电极E1。每个第一电极E1的至少一部分通过对应的开口暴露。
[0088] 在实施例中,第二电极E2设置在第一电极E1上。第二电极E2具有与多个第一电极E1和第四绝缘层31叠置的单一体。当设置多个有机发光器件OD时,有机发光器件OD的第二电极E2被供应有相同的电压。因此,可以省略用于形成第二电极E2的额外的图案化工艺。然而,发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中,设置多个第二电极E2,并且第二电极E2分别对应于开口。
[0089] 在实施例中,发射层EL设置在第一电极E1与第二电极E2之间。设置多个发射层EL,并且所述多个发射层EL分别设置在所述多个开口中。有机发光器件OD通过第一电极E1与第二电极E2之间的电位差而激活发射层EL 以产生光。
[0090] 在实施例中,电荷控制层OL设置在第一电极E1与第二电极E2之间。电荷控制层OL与发射层EL相邻设置。在本实施例中,电荷控制层OL设置在发射层EL与第二电极E2之间。然而,发明构思的实施例不限于此。在其它实施例中,电荷控制层OL设置在发射层EL与第一电极E1之间,或者电荷控制层OL包括在第三方向DR3上堆叠的多个层,并且发射层EL置于所述多个层之间。
[0091] 在实施例中,电荷控制层OL具有与绝缘基底10的整个顶表面叠置的单一体,而无需额外的图案化工艺。电荷控制层OL可以设置在开口中,并且也可以设置在第四绝缘层31的顶表面上。
[0092] 在本实施例中,薄膜晶体管TR和有机发光器件OD构成像素PX。由薄膜晶体管TR接收的电信号被传输到有机发光器件OD,并且有机发光器件 OD发射与电信号对应的光。然而,发明构思的实施例不限于此。在其它实施例中,像素PX包括两个或更多个薄膜晶体管TR或者两个或更多个有机发光器件OD,或者还可以包括电容器。
[0093] 在实施例中,封装构件TE设置在有机发光器件OD上。封装构件TE包括无机膜或有机膜。在本实施例中,封装构件TE包括第一无机膜32、有机膜33和第二无机膜34。
[0094] 在实施例中,第一无机膜32和第二无机膜34中的每个包括无机材料。例如,第一无机膜32和第二无机膜34中的每个包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆和氧化锌中的至少一种。第一无机膜32和第二无机膜34可以包括彼此相同的材料或彼此不同的材料。
[0095] 在实施例中,有机膜33设置在第一无机膜32与第二无机膜34之间。有机膜33包括有机材料。例如,有机膜33包括环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)和聚丙烯酸酯中的至少一种。
[0096] 在实施例中,第一无机膜32和第二无机膜34中的每个具有设置在显示面板100的基本整个表面上的单一体的形状。第一无机膜32和第二无机膜 34中的每个与有机膜33部分地叠置。因此,第一无机膜32和第二无机膜34 在一个区域中在有机膜33置于其之间的情况下在第三方向DR3上彼此间隔开,并且在另一个区域中彼此直接接触。
[0097] 此外,在实施例中,显示面板100还包括坝部DMP。坝部DMP沿显示区域DA的边缘延伸。坝部DMP围绕显示区域DA或者设置在显示区域DA 的一侧(诸如,显示区域DA的与垫(pad,也可以被称为“焊盘”)或驱动电路相邻的一侧)处。
[0098] 在实施例中,坝部DMP包括第一坝DM1和第二坝DM2。第一坝DM1 包括与第三绝缘层23的材料相同的材料。第一坝DM1与第三绝缘层23同时形成,并且与第三绝缘层23设置在同一层上。
[0099] 在实施例中,第二坝DM2堆叠在第一坝DM1上。第二坝DM2包括与第四绝缘层31的材料相同的材料。第二坝DM2与第四绝缘层31同时形成,并且与第四绝缘层31设置在同一层上。然而,发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中,坝部DMP具有单层结构。
[0100] 在实施例中,坝部DMP界定了液态有机材料在形成有机膜33的工艺中会流入的区域。有机膜33通过其中将液态有机材料施用到第一无机膜32上的喷墨方法形成。坝部DMP形成了液态有机材料会流入的区域的边界,并防止了液态有机材料溢出由坝部DMP界定的区域。
[0101] 此外,根据发明构思的实施例的显示面板100还包括辅助电极图案ELV。辅助电极图案ELV设置在外围区域NDA中,并电连接到从显示区域DA延伸的第二电极E2。辅助电极图案ELV将从外部源接收的稳定电源电压传输到第二电极E2。
[0102] 在本实施例中,辅助电极图案ELV设置在第二绝缘层22与第一无机膜 32之间。辅助电极图案ELV与输入电极IE和输出电极OE设置在同一层上。然而,发明构思的实施例不限于此。辅助电极图案ELV可以设置在其它不同位置中的一个位置处。
[0103] 在下文中,根据实施例,将参照图4A和图4B来详细描述其中形成有模块孔MH的孔区域PA。模块孔MH沿第三方向DR3穿透显示面板100。孔区域PA基本由模块孔MH的形成来限定。换言之,由于模块孔MH形成在显示区域DA的一部分中,所以孔区域PA在平面图中是由显示区域DA围绕的区域。模块孔MH穿透绝缘基底10和显示区域DA的一些层。
[0104] 详细地,根据实施例,模块孔MH穿透绝缘基底10。模块孔MH的内表面10-EG_H与多个层的端部对应。所述多个层包括绝缘基底10的层、薄膜器件层20的层中的一个层或一些层以及显示器件层30的层中的一个层或一些层。
[0105] 根据实施例,第一基体层11的端部11-E、第一阻挡层12的端部12-E、第二基体层13的端部13-E、第二阻挡层14的端部14-E和缓冲层15的端部 15-E分别被限定在绝缘基底10的第一基体层11、第一阻挡层12、第二基体层13、第二阻挡层14和缓冲层15处。
[0106] 在本实施例中,底切形成在模块孔MH的内表面10-EG_H处。底切形成在绝缘基底10中。因此,第一基体层11的端部11-E、第一阻挡层12的端部 12-E、第二基体层13的端部13-E和第二阻挡层14的端部14-E可以在第三方向DR3上彼此不对齐。
[0107] 更详细地,根据实施例,第一基体层11的端部11-E和第二基体层13的端部13-E从第一阻挡层12的端部12-E和第二阻挡层14的端部14-E横向凹进并且与第一阻挡层12和第二阻挡层14叠置,从而形成底切。
[0108] 根据实施例,底切形成在第一基体层11与第二阻挡层14之间以及第二基体层13与第一阻挡层12之间。这是由于由无机材料形成的第一阻挡层12 和第二阻挡层14与由有机材料形成的第一基体层11和第二基体层13之间的蚀刻特性的差异而引起的。将在下面对此进行更详细地描述。
[0109] 此外,在本实施例中,当在剖视图中观看时,第一基体层11的端部11-E 和第二基体层13的端部13-E基本上是直的并且在第三方向DR3上彼此平行。因此,由第一基体层11的端部11-E界定的孔和由第二基体层13的端部13-E 界定的孔具有大致圆柱形形状,并且底切与延伸到模块孔MH中的第一阻挡层12和第二阻挡层14形成大致直角。这是由于下面将详细描述的蚀刻工艺而引起的。
[0110] 根据实施例,模块孔MH也穿透薄膜器件层20的至少一个层和显示器件层30的至少一个层。端部限定在被模块孔MH穿透的层处。在本实施例中,模块孔MH穿透薄膜器件层20的第一绝缘层21以及显示器件层30的电荷控制层OL和第二电极E2。因此,第一绝缘层21的端部21-E、电荷控制层OL 的端部OL-E和第二电极E2的端部E2-E分别被限定在第一绝缘层21、电荷控制层OL和第二电极E2处。
[0111] 根据实施例,第一绝缘层21的端部21-E、电荷控制层OL的端部OL-E 和第二电极E2的端部E2-E在第三方向DR3上基本彼此对齐。第一绝缘层 21的端部21-E、电荷控制层OL的端部OL-E和第二电极E2的端部E2-E与缓冲层15的端部15-E基本对齐。
[0112] 根据实施例,由第一绝缘层21的端部21-E、电荷控制层OL的端部OL-E、第二电极E2的端部E2-E和缓冲层15的端部15-E限定的孔具有第一直径R1。另一方面,由第一基体层11的端部11-E限定的孔和由第二基体层13的端部 13-E限定的孔具有第二直径R2。第二直径R2大于第一直径R1。因此,第一基体层11的端部11-E和第二基体层13的端部13-E从其它层被底切,并且在模块孔MH的内表面10-EG_H处形成至少一个底切。
[0113] 根据实施例,第一无机膜32和第二无机膜34延伸到其中设置有模块孔 MH的孔区域PA中。第一无机膜32和第二无机膜34延伸到与模块孔MH相邻的区域中,并且沿模块孔MH的内表面10-EG_H延伸。因此,模块孔MH 的内表面10-EG_H被第一无机膜32和第二无机膜34覆盖。
[0114] 根据实施例,第一无机膜32和第二无机膜34覆盖第一基体层11的端部 11-E、第一阻挡层12的端部12-E、第二基体层13的端部13-E、第二阻挡层 14的端部14-E、缓冲层15的端部15-E、第一绝缘层21的端部21-E、电荷控制层OL的端部OL-E和第二电极E2的端部E2-E。第一无机膜32和第二无机膜34覆盖底切的端部和对齐的端部二者。
[0115] 根据实施例,被模块孔MH切割并暴露的端部与通过其可能渗透外部氧或湿气的路径对应。然而,根据发明构思的实施例,第一无机膜32和第二无机膜34覆盖被模块孔MH切割并暴露的端部,因此可以阻挡外部湿气或氧。
[0116] 图5是根据发明构思的实施例的显示设备的分解透视图。图6A是沿图5 的线II-II'截取的剖视图。图6B是图6A的一部分的放大剖视图。除了孔区域 PA之外,图5的显示设备的其它组件可以与图2的显示设备的组件对应。在下文中,将参照图5、图6A和图6B来描述本实施例。在本实施例中,为了易于和便于描述的目的,与参照图1至图4B描述的组件相同的组件可以由相同的附图标记或标号标示,并且将省略对其的重复描述。
[0117] 如图5中所示,根据实施例,在显示面板100-1的孔区域PA中还设置有阻挡凹槽BR。阻挡凹槽BR与模块孔MH相邻。阻挡凹槽BR与模块孔MH 横向间隔开。
[0118] 根据实施例,阻挡凹槽BR形成在绝缘基底10中,并且包括具有底切形状的内表面。阻挡凹槽BR在第三方向DR3上从绝缘基底10的前表面向下凹陷。阻挡凹陷BR穿透绝缘基底
10的前表面,但不穿过绝缘基底10的后表面。
[0119] 根据实施例,阻挡凹槽BR包括第一阻挡凹槽BR1和第二阻挡凹槽BR2。然而,这种情况是示例性且非限制性的。在其它实施例中,阻挡凹槽BR具有单个凹槽。然而,发明构思的实施例不限于阻挡凹槽BR的数量。
[0120] 根据实施例,通过去除绝缘基底10的一部分来形成阻挡凹槽BR。详细地,通过去除第一基体层11、第一阻挡层12、第二基体层13和第二阻挡层 14的部分来形成阻挡凹槽BR。在本实施例中,被去除以形成第一阻挡凹槽 BR1的一个或一些层可以与被去除以形成第二阻挡凹槽BR2的层不同。
[0121] 根据实施例,第一阻挡凹槽BR1比第二阻挡凹槽BR2更靠近模块孔MH。换言之,第一阻挡凹槽BR1设置在模块孔MH与第二阻挡凹槽BR2之间。第一阻挡凹槽BR1和第二阻挡凹槽BR2围绕模块孔MH形成同心圆。通过去除第一基体层11、第一阻挡层12、第二基体层13、第二阻挡层14、缓冲层15和第一绝缘层21的部分来形成第一阻挡凹槽BR1。第一阻挡凹槽BR1 是穿透第一阻挡层12、第二基体层13、第二阻挡层14、缓冲层15和第一绝缘层21的孔以及位于第一基体层11中的凹陷部分。
[0122] 根据实施例,第二阻挡凹槽BR2比第一阻挡凹槽BR1更靠近显示区域 DA。通过去除第一阻挡层12、第二基体层13、缓冲层15和第一绝缘层21 的部分来形成第二阻挡凹槽BR2。第二阻挡凹槽BR2是穿透第一阻挡层12、缓冲层15和第一绝缘层21的孔以及位于第二基体层13中的凹陷部分。第二阻挡凹槽BR2不到达第二阻挡层14和第一基体层11。
[0123] 根据发明构思的实施例,第一阻挡凹槽BR1的深度与第二阻挡凹槽BR2 的深度不同。第二阻挡凹槽BR2的深度小于第一阻挡凹槽BR1的深度。然而,发明构思的实施例不限于此。在其它实施例中,第一阻挡凹槽BR1和第二阻挡凹槽BR2具有相同的形状和相同的深度,或者第二阻挡凹槽BR2的深度大于第一阻挡凹槽BR1的深度。可以对根据发明构思的实施例的阻挡凹槽BR 的形状进行各种修改。
[0124] 根据实施例,电荷控制层OL延伸到与模块孔MH相邻的区域以及与阻挡凹槽BR相邻的区域中。电荷控制层OL不与阻挡凹槽BR叠置。因此,电荷控制层OL具有与阻挡凹槽BR相邻的切割端部。
[0125] 根据实施例,第二电极E2延伸到与模块孔MH相邻的区域以及与阻挡凹槽BR相邻的区域中。第二电极E2不与阻挡凹槽BR叠置。因此,第二电极E2具有与阻挡凹槽BR相邻的切割端部。
[0126] 根据实施例,第一无机膜32和第二无机膜34延伸到其中形成有阻挡凹槽BR的区域中。第一无机膜32和第二无机膜34设置在与阻挡凹槽BR相邻的区域中,并且沿阻挡凹槽BR的内表面10-EG_B1和10-EG_B2延伸。因此,阻挡凹槽BR的内表面10-EG_B1和10-EG_B2被第一无机膜32和第二无机膜34覆盖。
[0127] 根据发明构思的实施例,电荷控制层OL具有与阻挡凹槽BR相邻的切割端部,并且不与阻挡凹槽BR叠置。电荷控制层OL的与阻挡凹槽BR相邻的切割端部被第一无机膜32和第二无机膜34覆盖。
[0128] 根据发明构思的实施例,第二电极E2具有与阻挡凹槽BR相邻的切割端部,并且不与阻挡凹槽BR叠置。第二电极E2的与阻挡凹槽BR相邻的切割端部被第一无机膜32和第二无机膜34覆盖。
[0129] 根据发明构思的实施例,由于阻挡凹槽BR与模块孔MH相邻,所以可以阻挡湿气或氧从模块孔MH渗透。其端部被模块孔MH暴露的电荷控制层 OL和第二电极E2通过阻挡凹槽BR与显示区域DA的电荷控制层OL和第二电极E2分离。阻挡凹槽BR使电荷控制层OL和第二电极E2的设置在模块孔MH与阻挡凹槽BR之间的部分与电荷控制层OL和第二电极E2的设置在阻挡凹槽BR的外部的其它部分分离。因此,即使模块孔MH中存在外部湿气或氧,外部湿气或氧也不会扩散通过阻挡凹槽BR。结果,能够防止对设置在阻挡凹槽BR外部的薄膜器件层20或显示器件层30造成损坏。
[0130] 此外,根据发明构思的实施例,第一无机膜32和第二无机膜34覆盖模块孔MH与阻挡凹槽BR之间的部分、阻挡凹槽BR的内部以及阻挡凹槽BR 外部的部分。换言之,与阻挡凹槽BR相邻并被切割的电荷控制层OL、第二电极E2、第一绝缘层21和缓冲层15被第一无机膜32和第二无机膜34覆盖。因此,可以进一步阻挡外部湿气或氧。
[0131] 图7是根据发明构思的实施例的显示面板的一部分的剖视图。为了易于和便于描述的目的,图7示出了图4A的一个区域。在下文中,将参照图7 描述根据发明构思的实施例的显示面板100-2。在本实施例中,为了易于和便于描述的目的,与参照图1至图6B描述的组件相同的组件可以由相同的附图标记或标号标示,并且将省略对其的重复描述。
[0132] 如图7中所示,根据实施例,模块孔MH-1穿透第二绝缘层22。模块孔 MH-1的内表面10-EG_H1包括绝缘基底10的端部11-E、12-E、13-E、14-E 和15-E、第一绝缘层21的端部21-E、第二绝缘层22的端部22-E、电荷控制层OL的端部OL-E以及第二电极E2的端部E2-E。换言之,与图4A中示出的显示面板100不同,第二绝缘层22延伸到孔区域PA,并被模块孔MH-1 切割。
[0133] 根据实施例,第一无机膜32和第二无机膜34覆盖第二绝缘层22的暴露的端部22-E。与图4A中示出的模块孔MH相比,模块孔MH-1的深度增加了第二绝缘层22的厚度。
[0134] 根据发明构思的实施例,模块孔MH-1穿透各个层。模块孔MH-1穿透绝缘基底10以包括底切内表面并穿透设置在电荷控制层OL下方的各个层。根据发明构思的实施例,由于模块孔MH-1穿透设置在电荷控制层OL下方的第二绝缘层22,所以位于第二绝缘层22上的电荷控制层OL和位于电荷控制层OL上的第二电极E2被模块孔MH-1切割。因此,第一无机膜32和第二无机膜34覆盖电荷控制层OL的切割端部OL-E和第二电极E2的切割端部E2-E,以防止电荷控制层OL和第二电极E2与外部接触。
[0135] 图8A至图8C是根据发明构思的一些实施例的孔区域的平面图。在图 8A至图8C中,为了易于和便于描述的目的,与孔区域PA1、PA2和PA3对应的一些组件被图案填充。在下文中,将参照图8A至图8C来描述发明构思的一些实施例。
[0136] 如图8A中所示,根据实施例,孔区域PA1包括模块孔MH-S1以及一个或更多个阻挡凹槽BR1-S1和BR2-S1。当在平面图中观看时,模块孔MH-S1 具有多边形形状。在本实施例中,模块孔MH-S1具有四边形形状。在这种情况下,模块孔MH-S1具有中空的多边形柱形状。
[0137] 根据实施例,阻挡凹槽BR1-S1和BR2-S1沿模块孔MH-S1的边缘形成。阻挡凹槽BR1-S1和BR2-S1具有与模块孔MH-S1的形状对应的形状。因此,当在平面图中观看时,阻挡凹槽BR1-S1和BR2-S1具有围绕模块孔MH-S1 的同心四边形环形状。
[0138] 可选地,根据实施例,如图8B中所示,孔区域PA2包括模块孔MH-S2 以及一个或更多个阻挡凹槽BR1-S2和BR2-S2,阻挡凹槽BR1-S2和BR2-S2 的形状与模块孔MH-S2的形状不同。当在平面图中观看时,模块孔MH-S2 具有圆形形状。阻挡凹槽BR1-S2和BR2-S2的形状与模块孔MH-S2的形状不同。在本实施例中,阻挡凹槽BR1-S2和BR2-S2具有四边形环形状。根据发明构思的一些实施例,阻挡凹槽BR1-S2和BR2-S2具有关于模块孔MH-S2 同心的各种形状中的一种。换言之,根据发明构思的实施例,阻挡凹槽BR1-S2 和BR2-S2的形状不局限于与模块孔MH-S2的形状相对应。
[0139] 如图8C中所示,根据实施例,孔区域PA3包括模块孔MH-S3以及一个或更多个阻挡凹槽BR1-S3和BR2-S3,阻挡凹槽BR1-S3和BR2-S3的形状与模块孔MH-S3的形状不同。在本实施例中,阻挡凹槽BR1-S3和BR2-S3具有同心的八边形环形状。随着阻挡凹槽BR1-S3和BR2-S3的形状变得与模块孔MH-S3的形状越类似,模块孔MH-S3与阻挡凹槽BR1-S3和BR2-S3之间的空间的面积减少。因此,可以减小显示区域DA中的孔区域PA3占据的面积,以减小孔区域PA3对显示区域DA的影响。
[0140] 图9A至图9M是示出根据发明构思的实施例的制造显示面板的方法的剖视图。图9A至图9M示出了制造图7中示出的显示面板100-2的方法。在下文中,将参照图9A至图9M描述根据发明构思的实施例的制造方法。
[0141] 参照图9A,根据实施例,在载体基底CS上形成绝缘基底10,在绝缘基底10上形成半导体图案SL。形成多个半导体图案SL。详细地,在绝缘基底 10的缓冲层15上形成半导体材料,然后,对半导体材料执行图案化工艺以形成半导体图案SL。
[0142] 参照图9B,根据实施例,在绝缘基底10上顺序地形成第一绝缘层21和控制电极CE。通过使用绝缘材料覆盖半导体图案SL来形成第一绝缘层21。通过沉积无机材料来形成第一绝缘层21。在绝缘基底10的整个顶表面上形成第一绝缘层21。
[0143] 根据实施例,在第一绝缘层21上形成导电材料,然后,对导电材料执行图案化工艺以形成控制电极CE。形成多个控制电极CE,并且控制电极CE 分别与半导体图案SL叠置。
[0144] 参照图9C,根据实施例,在绝缘基底10上形成第二绝缘层22。通过在绝缘基底10的整个顶表面上沉积绝缘材料来形成第二绝缘层22。第二绝缘层22覆盖控制电极CE,并形成在第一绝缘层21的整个顶表面上。第二绝缘层22由无机材料形成,并且可以具有单层结构或包括多个堆叠层的多层结构。
[0145] 参照图9D,根据实施例,提供第一蚀刻气体ET1以在第一绝缘层21和第二绝缘层22中形成多个接触孔CH和第一开口OP1。在本实施例中,通过第一蚀刻气体ET1同时形成第一开口OP1和接触孔CH。
[0146] 根据实施例,在显示区域DA中形成接触孔CH。接触孔CH与半导体图案SL叠置,以使半导体图案SL的部分暴露。在孔区域PA中形成第一开口 OP1。第一开口OP1穿透第一绝缘层21和第二绝缘层22以使缓冲层15暴露。此外,由于第一蚀刻气体ET1和缓冲层15的材料,缓冲层15的一部分被第一蚀刻气体ET1去除,因此缓冲层15在孔区域PA中相对薄。
[0147] 参照图9E,根据实施例,在绝缘基底10上顺序地形成导电层CLL和光致抗蚀剂图案PR。通过在第二绝缘层22上沉积导电材料来形成导电层CLL。因此,导电层CLL覆盖第二绝缘层22的顶表面、接触孔CH的内表面和第一开口OP1的内表面。
[0148] 根据实施例,在导电层CLL上形成光致抗蚀剂图案PR。使用光致抗蚀剂材料涂覆导电层CLL的顶表面,然后通过光刻工艺对光致抗蚀剂材料进行图案化以形成光致抗蚀剂图案PR。在显示区域DA中形成光致抗蚀剂图案 PR,并且对应于每个接触孔CH形成光致抗蚀剂图案PR。
[0149] 此外,在本实施例中,在外围区域NDA中也形成光致抗蚀剂图案PR。外围区域NDA中的光致抗蚀剂图案PR用作用于对下面将描述的辅助电极图案ELV进行图案化的掩模。
[0150] 参照图9F,根据实施例,在形成光致抗蚀剂图案PR之后,提供第二蚀刻气体ET2以由导电层CLL形成输入电极IE和输出电极OE。第二蚀刻气体 ET2与导电层CLL的被光致抗蚀剂图案PR暴露的部分反应,以从绝缘基底 10去除导电层CLL的暴露部分。因此,保留了导电层CLL的在光致抗蚀剂图案PR下方填充接触孔CH的部分,并且通过去除导电层CLL的暴露部分使第二绝缘层22暴露。同时,导电层CLL的填充接触孔CH的剩余部分与输入电极IE和输出电极OE对应。第二蚀刻气体ET2还去除导电层CLL的覆盖第一开口OP1的内表面的部分,以使第一开口OP1的内表面暴露。此外,在外围区域NDA中,在光致抗蚀剂图案PR下方形成辅助电极图案ELV。
[0151] 参照图9G,根据实施例,提供额外的蚀刻气体ET2-1以在孔区域PA中形成第二开口OP2。通过去除绝缘基底10的与第一开口OP1叠置的部分形成第二开口OP2。详细地,通过去除第一基体层11的与孔区域PA叠置的部分、第一阻挡层12的与孔区域PA叠置的部分、第二基体层13的与孔区域 PA叠置的部分、第二阻挡层14的与孔区域PA叠置的部分和缓冲层15的与孔区域PA叠置的部分形成第二开口OP2。通过第二开口OP2使载体基底CS 的一部分暴露。
[0152] 根据实施例,第一开口OP1和第二开口OP2在第三方向DR3上彼此连接,以形成第一孔H1。第一孔H1穿透绝缘基底10以及多个绝缘层(第一绝缘层21和第二绝缘层22)。由第一基体层11的端部11-E1、第一阻挡层12 的端部12-E1、第二基体层13的端部13-E1、第二阻挡层14的端部14-E1、缓冲层15的端部15-E1、第一绝缘层21的端部21-E1和第二绝缘层22的端部22-E1界定第一孔H1。使用额外的蚀刻气体ET2-1的蚀刻工艺是各向异性蚀刻工艺。因此,第一基体层11的端部11-E1、第一阻挡层12的端部12-E1、第二基体层13的端部13-E1、第二阻挡层14的端部14-E1、缓冲层15的端部15-E1、第一绝缘层21的端部21-E1和第二绝缘层22的端部22-E1在第三方向DR3上彼此对齐。
[0153] 在本实施例中,具有第一开口OP1的第一绝缘层21和第二绝缘层22用作用于形成第二开口OP2的掩模。因此,额外的蚀刻气体ET2-1包括与第一绝缘层21或第二绝缘层22具有低反应性并且与绝缘基底10具有高反应性的材料。
[0154] 根据实施例,额外的蚀刻气体ET2-1包括与第二蚀刻气体ET2的材料相同的材料。当第二蚀刻气体ET2与绝缘基底10具有高反应性并且与第二绝缘层22或第一绝缘层21具有低反应性时,通过较长时间地提供第二蚀刻气体ET2来形成第一孔H1。因此,容易形成第一孔H1而无需额外的工艺。
[0155] 可选地,根据实施例,额外的蚀刻气体ET2-1包括与第二蚀刻气体ET2 的材料不同的材料。在这种情况下,额外的蚀刻气体ET2-1包括与绝缘基底 10的反应性高于第二蚀刻气体ET2与绝缘基底10的反应性的材料。因此,即使第二蚀刻气体ET2与绝缘基底10具有低反应性,通过将第二蚀刻气体 ET2改变为额外的蚀刻气体ET2-1,也容易形成第一孔H1。
[0156] 参照图9H,根据实施例,提供灰化气体AS以去除光致抗蚀剂图案PR。灰化气体AS包括氧等离子体。灰化气体AS与光致抗蚀剂图案PR反应,以减小光致抗蚀剂图案PR与导电图案(即,辅助电极图案ELV、输入电极IE 和输出电极OE)之间的结合强度,并去除光致抗蚀剂图案PR。
[0157] 然而,根据实施例,灰化气体AS也与被第一孔H1暴露的第一基体层 11和第二基体层13反应。灰化气体AS部分地去除了第一基体层11和第二基体层13。第一基体层11和第二基体层13包括与光致抗蚀剂图案PR的有机材料类似的有机材料。因此,第一基体层11和第二基体层13与灰化气体 AS具有高反应性。
[0158] 另一方面,根据实施例,灰化气体AS不与由无机材料形成的第一阻挡层12和第二阻挡层14反应。因此,第一基体层11具有从第二阻挡层14底切的形状,第二基体层13具有从第一阻挡层12底切的形状。
[0159] 根据实施例,在提供灰化气体AS之后,第一基体层11的端部11-E和第二基体层13的端部13-E不再与第一阻挡层12的端部12-E和第二阻挡层 14的端部14-E对齐。因此,形成其内表面具有一个或更多个底切形状的第二孔H2。由第一基体层11的端部11-E1、第一阻挡层12的端部12-E1、第二基体层13的端部13-E1、第二阻挡层14的端部14-E1、缓冲层15的端部15-E1、第一绝缘层21的端部21-E1和第二绝缘层22的端部22-E1界定第二孔H2。
[0160] 参照图9I,根据实施例,在绝缘基底10上顺序地形成第三绝缘层23、第一电极E1、第四绝缘层31和发射层EL。在第二绝缘层22上形成第三绝缘层23,以覆盖包括电极(即,控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE) 以及半导体图案SL的薄膜晶体管TR。对第三绝缘层23进行图案化以与辅助电极图案ELV和孔区域PA间隔开。然而,发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中,第三绝缘层23延伸到孔区域PA中,并且包括界定第二孔H2 的端部。
[0161] 根据实施例,在第三绝缘层23上形成第一电极E1。详细地,形成导电材料,然后对导电材料进行图案化以形成第一电极E1。第一电极E1穿透第三绝缘层23以连接到输出电极OE。设置多个第一电极E1,并且第一电极 E1与薄膜晶体管TR对应。
[0162] 根据实施例,在第三绝缘层23上形成第四绝缘层31,并且第四绝缘层 31覆盖第一电极E1。详细地,沉积绝缘材料,然后进行图案化以形成第四绝缘层31。在第四绝缘层31中形成多个开口。开口使第一电极E1暴露。
[0163] 根据实施例,在第四绝缘层31的每个开口中形成发射层EL。使用诸如喷墨工艺的印刷工艺或沉积工艺来形成发射层EL。
[0164] 此外,根据实施例,在形成第三绝缘层23和第四绝缘层31的同时形成坝部DMP。例如,当形成第三绝缘层23时形成坝部DMP的第一坝DM1,当在第四绝缘层31中形成开口时形成坝部DMP的第二坝DM2。因此,可以形成坝部DMP而不需要额外的工艺。
[0165] 参照图9J,根据实施例,在第四绝缘层31上形成电荷控制层OL。电荷控制层OL遍及整个显示区域DA并且位于外围区域NDA的至少一部分中。
[0166] 根据实施例,通过开口掩模沉积有机材料来形成电荷控制层OL。通过其中沿第三方向DR3设置有机材料的蒸发工艺形成电荷控制层OL。因此,电荷控制层OL不形成在第二孔H2的内表面上,而是形成在第二绝缘层22 的顶表面、第三绝缘层23的顶表面和第四绝缘层31的顶表面上。
[0167] 参照图9K,根据实施例,在电荷控制层OL上形成第二电极E2。形成第二电极E2使有机发光器件OD和像素PX的形成完成。
[0168] 根据实施例,通过开口掩模遍及整个显示区域DA形成第二电极E2。此外,也在外围区域NDA的至少一部分中形成第二电极E2。在本实施例中,第二电极E2延伸到外围区域NDA中以连接到辅助电极图案ELV。第二电极 E2也在第三方向DR3上沉积,因此不在第二孔H2的内表面上形成。
[0169] 参照图9L,根据实施例,在第二电极E2上形成封装构件TE。封装构件 TE基本覆盖其上形成有第二电极E2的区域,因此封装构件TE可以封装有机发光器件OD。
[0170] 根据实施例,通过化学气相沉积(CVD)工艺在绝缘基底10的整个表面上形成封装构件TE的第一无机膜32。同时,各向同性地沉积第一无机膜 32以覆盖第二孔H2的内表面。在界定第二孔H2的端部和底切部分上形成第一无机膜32。
[0171] 根据实施例,通过喷墨工艺形成封装构件TE的有机膜33。将粘性液态有机材料提供到显示区域DA的与孔区域PA间隔开的区域,并且粘性液态有机材料流到第一无机膜32的至少一部分上并涂覆第一无机膜32的至少一部分。
[0172] 根据实施例,通过沉积工艺形成封装构件TE的第二无机膜34。因此,在有机膜33的整个部分以及第一无机膜32上形成第二无机膜34。第二无机膜34与第一无机膜32类似地形成。因此,第二无机膜34覆盖孔区域PA中的底切部分的内表面。被第一无机膜32和第二无机膜34覆盖的第二孔H2 是模块孔MH。
[0173] 参照图9M,根据实施例,去除载体基底CS以制造显示面板。因此,将在孔区域PA中暴露的、保留在载体基底CS上的第一无机膜32和第二无机膜34去除,以在孔区域PA中形成模块孔MH。
[0174] 根据发明构思的实施例,通过多个蚀刻工艺以及灰化工艺形成模块孔 MH。因此,可以形成模块孔MH而不需要额外的工艺。结果,简化了制造工艺并降低了工艺成本。此外,由于利用蚀刻速率的差异来形成模块孔MH,所以可以容易地形成模块孔MH的精细特征。
[0175] 此外,根据实施例,可以通过与形成模块孔MH的方法类似的方法形成图5的阻挡凹槽BR。然而,发明构思不限于特定实施例。
[0176] 根据发明构思的实施例,提供了一种不干扰电子模块的显示面板。因此,即使显示设备包括电子模块,也可以提供具有宽显示区域的显示设备而不需要增加的边框区域。此外,可以保护组件免受外部湿气或氧的损害。因此,可以改善制造工艺以及显示设备本身的可靠性。
[0177] 此外,根据发明构思的实施例,可以容易地形成具有减少的缺陷的模块孔而不需要额外的工艺。因此,可以简化制造工艺并且可以降低工艺成本。
[0178] 虽然已经参照示例性实施例描述了发明构思的实施例,但是对于本领域技术人员而言将明显的是,在不脱离发明构思的示例性实施例的精神和范围的情况下,可以进行各种改变和修改。因此,应理解的是,示例性实施例不是限制性的,而是说明性的。因此,发明构思的实施例的范围将由权利要求及其等同物的最宽泛的可允许的解释来确定,并且将不受前面的描述的限定或限制。