显示用基板及其制备方法、显示面板

摘要

本发明实施例提供一种显示用基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可以降低第一电极与薄膜晶体管的漏极的接触电阻。显示用基板的制备方法包括：在第一衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极包括金属层；在所述薄膜晶体管上形成钝化层薄膜，利用干法刻蚀对所述钝化层薄膜进行刻蚀，在所述钝化层薄膜上形成露出所述漏极的第一过孔，以形成钝化层；所述干法刻蚀的气体包括氧气，所述金属层露出于所述第一过孔的表面被氧化形成氧化层；利用酸溶液去除所述氧化层；形成第一电极，所述第一电极穿过所述第一过孔与所述漏极电连接。

权利要求

1.一种显示用基板的制备方法，其特征在于，包括：

在第一衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极包括金属层；

在所述薄膜晶体管上形成钝化层薄膜，利用干法刻蚀对所述钝化层薄膜进行刻蚀，在所述钝化层薄膜上形成露出所述漏极的第一过孔，以形成钝化层；所述干法刻蚀的气体包括氧气，所述金属层露出于所述第一过孔的表面被氧化形成氧化层；

利用酸溶液去除所述氧化层；

形成第一电极，所述第一电极穿过所述第一过孔与所述漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述金属层包括：依次层叠设置在所述第一衬底上的第一钛层、铝层和第二钛层。

3.根据权利要求2所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述显示用基板的制备方法还包括：利用干法刻蚀对所述钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用所述干法刻蚀将所述第二钛层中露出于所述第一过孔的部分全部刻蚀掉。

4.根据权利要求2所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述显示用基板的制备方法还包括：利用酸溶液去除所述氧化层的同时，利用所述酸溶液将所述第二钛层中露出于所述第一过孔的部分全部去除掉。

5.根据权利要求4所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述显示用基板的制备方法还包括：利用干法刻蚀对所述钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用干法刻蚀对所述第二钛层中露出于所述第一过孔的部分进行减薄。

6.根据权利要求1-5任一项所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，在所述形成钝化层之后，在所述利用酸溶液去除所述氧化层之前，所述显示用基板的制备方法还包括：在所述钝化层上形成平坦层，所述平坦层包括第二过孔；所述第二过孔与所述第一过孔具有重叠区域，以露出所述漏极。

7.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述酸溶液为氢氟酸。

8.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，在所述形成第一电极之后，所述显示用基板的制备方法还包括：在所述第一电极上依次形成发光功能层和第二电极。

9.一种显示用基板，其特征在于，包括依次设置在第一衬底上的薄膜晶体管、钝化层以及第一电极；所述第一电极穿过所述钝化层上的第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；所述漏极包括金属层；

所述金属层远离所述第一衬底的表面，且与所述第一电极接触位置处不包括氧化层；

所述第一电极与所述金属层接触，所述金属层中与所述第一电极接触位置处的厚度小于其它位置处的厚度。

10.根据权利要求9所述的显示用基板，其特征在于，所述金属层包括依次层叠设置在所述第一衬底上的第一钛层、铝层和第二钛层。

11.根据权利要求10所述的显示用基板，其特征在于，所述第二钛层在所述第一过孔处镂空，所述第一电极与所述金属层中的所述铝层接触。

12.根据权利要求10所述的显示用基板，其特征在于，所述第一电极与所述第二钛层接触，所述第二钛层远离所述第一衬底的表面，且与所述第一电极接触位置处不包括二氧化钛，所述第二钛层中与所述第一电极接触位置处的厚度小于其它位置处的厚度。

13.根据权利要求9-12任一项所述的显示用基板，其特征在于，所述显示用基板还包括设置在所述钝化层和所述第一电极之间的平坦层；

所述平坦层包括第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔具有重叠区域。

14.根据权利要求9所述的显示用基板，其特征在于，所述显示用基板还包括：依次设置在所述第一电极上的发光功能层和第二电极。

15.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9-14任一项所述的显示用基板。

说明书

显示用基板及其制备方法、显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示用基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

[0002] 近年来，随着显示技术的快速发展，各种类型的显示装置逐渐进入市场。例如液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)、电致发光显示装置等。

[0003] 其中，电致发光显示装置包括有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置和量子点电致发光(Quantum Dot Light-Emitting Diode，简称QLED)显示装置。以电致发光显示装置为OLED显示装置为例，OLED显示装置包括PMOLED(Passive-matrix organic light emitting diode，被动式有机电致发光二极管)显示装置和AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，主动驱动式有机电致发光二极管，也称有源矩阵有机电致发光二极管)显示装置。由于AMOLED显示装置具有驱动电压低，反应速度快等优点，因而AMOLED显示装置成为目前OLED显示装置的发展趋势。

发明内容

[0004] 本发明的实施例提供一种显示用基板及其制备方法、显示面板，可以降低第一电极与薄膜晶体管的漏极的接触电阻。

[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

[0006] 第一方面，提供一种显示用基板的制备方法，包括：在第一衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极包括金属层；在所述薄膜晶体管上形成钝化层薄膜，利用干法刻蚀对所述钝化层薄膜进行刻蚀，在所述钝化层薄膜上形成露出所述漏极的第一过孔，以形成钝化层；所述干法刻蚀的气体包括氧气，所述金属层露出于所述第一过孔的表面被氧化形成氧化层；利用酸溶液去除所述氧化层；形成第一电极，所述第一电极穿过所述第一过孔与所述漏极电连接。

[0007] 在一些实施例中，所述金属层包括：依次层叠设置在所述第一衬底上的第一钛层、铝层和第二钛层。

[0008] 在一些实施例中，所述显示用基板的制备方法还包括：利用干法刻蚀对所述钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用所述干法刻蚀将所述第二钛层中露出于所述第一过孔的部分全部刻蚀掉。

[0009] 在一些实施例中，所述显示用基板的制备方法还包括：利用酸溶液去除所述氧化层的同时，利用所述酸溶液将所述第二钛层中露出于所述第一过孔的部分全部去除掉。

[0010] 在一些实施例中，所述显示用基板的制备方法还包括：利用干法刻蚀对所述钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用干法刻蚀对所述第二钛层中露出于所述第一过孔的部分进行减薄。

[0011] 在一些实施例中，在所述形成钝化层之后，在所述利用酸溶液去除所述氧化层之前，所述显示用基板的制备方法还包括：在所述钝化层上形成平坦层，所述平坦层包括第二过孔；所述第二过孔与所述第一过孔具有重叠区域，以露出所述漏极。

[0012] 在一些实施例中，所述酸溶液为氢氟酸。

[0013] 在一些实施例中，在所述形成第一电极之后，所述显示用基板的制备方法还包括：在所述第一电极上依次形成发光功能层和第二电极。

[0014] 第二方面，提供一种显示用基板，包括依次设置在第一衬底上的薄膜晶体管、钝化层以及第一电极；所述第一电极穿过所述钝化层上的第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；所述漏极包括金属层；所述金属层远离所述第一衬底的表面，且与所述第一电极接触位置处不包括氧化层；所述第一电极与所述金属层接触，所述金属层中与所述第一电极接触位置处的厚度小于其它位置处的厚度。

[0015] 在一些实施例中，所述金属层包括依次层叠设置在所述第一衬底上的第一钛层、铝层和第二钛层。

[0016] 在一些实施例中，所述第二钛层在所述第一过孔处镂空，所述第一电极与所述金属层中的所述铝层接触。

[0017] 在一些实施例中，所述第一电极与所述第二钛层接触，所述第二钛层远离所述第一衬底的表面，且与所述第一电极接触位置处不包括二氧化钛，所述第二钛层中与所述第一电极接触位置处的厚度小于其它位置处的厚度。

[0018] 在一些实施例中，所述显示用基板还包括设置在所述钝化层和所述第一电极之间的平坦层；所述平坦层包括第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔具有重叠区域。

[0019] 在一些实施例中，所述显示用基板还包括：依次设置在所述第一电极上的发光功能层和第二电极。

[0020] 第三方面，提供一种显示面板，包括上述的显示用基板。

[0021] 本发明实施例提供一种显示用基板及其制备方法、显示面板，显示用基板的制备方法包括在第一衬底上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极包括金属层，在薄膜晶体管上形成钝化层薄膜，在对钝化层薄膜进行干法刻蚀形成第一过孔时，干法刻蚀气体中的氧气会将金属层露出于第一过孔的表面氧化成氧化层，由于本发明实施例在形成第一电极之前，利用酸溶液去除了氧化层，这样一来，在形成第一电极时，第一电极就可以直接与金属层接触。相对于相关技术中第一电极与氧化层接触，由于本发明实施例中第一电极与金属层接触，金属层的电阻远小于氧化层的电阻，因而本发明实施例降低了第一电极与漏极的接触电阻。在显示用基板应用于显示面板中时，可以提高显示面板的画面品质。

附图说明

[0022] 为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0023] 图1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

[0024] 图2为本发明实施例提供的一种显示面板的区域划分示意图；

[0025] 图3为本发明实施例提供的一种电致发光显示面板的结构示意图一；

[0026] 图4为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图一；

[0027] 图5a为图3或图4中A处的放大示意图一；

[0028] 图5b为图3或图4中A处的放大示意图二；

[0029] 图6为相关技术提供的一种第一电极穿过钝化层上的过孔与漏极电连接的结构示意图；

[0030] 图7为本发明实施例提供的一种显示用基板的制备方法的流程示意图；

[0031] 图8为本发明实施例提供的一种在第一衬底上形成薄膜晶体管的结构示意图；

[0032] 图9为本发明实施例提供的一种在薄膜晶体管上形成钝化层的结构示意图；

[0033] 图10a为图9中B处的放大示意图一；

[0034] 图10b为图9中B处的放大示意图二；

[0035] 图11a为图10a去除氧化层后的结构示意图；

[0036] 图11b为图10b去除氧化层后的结构示意图；

[0037] 图12为图3或图4中A处的放大示意图三；

[0038] 图13a为图9中B处的放大示意图三；

[0039] 图13b为图9中B处的放大示意图四；

[0040] 图14为本发明实施例提供的一种去除氧化层的结构示意图；

[0041] 图15为图9中B处的放大示意图五；

[0042] 图16a为本发明实施例提供的一种电致发光显示面板的结构示意图二；

[0043] 图16b为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图二；

[0044] 图16c为图16a或图16b中C处的放大示意图；

[0045] 图17为本发明实施例提供的一种在钝化层上形成平坦层的结构示意图。

[0046] 附图标记：

[0047] 1-框架；2-盖板玻璃；3-显示面板；4-电路板；10-漏极；101-第二钛层；102-铝层；103-第一钛层；20-源极；30-有源层；40-栅极；50-栅绝缘层；60-氧化层；31-显示区；32-周边区；33-亚像素区；34-显示用基板；340-第一衬底；341-薄膜晶体管；342-第一电极；343-钝化层；344-平坦层；345-发光功能层；346-第二电极；347-像素界定层；35-封装层；36-对盒基板；360-第二衬底；361-彩色滤光层；362-黑矩阵图案；363-公共电极；37-液晶层。

具体实施方式

[0048] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0049] 本发明实施例提供一种显示装置，显示装置可以为液晶显示装置，也可以为电致发光显示装置。在显示装置为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置或量子点电致发光显示装置。

[0050] 如图1所示，显示装置的主要结构包括框架1、盖板玻璃2、显示面板3以及电路板4等其它电子配件。在显示装置为液晶显示装置的情况下，显示装置还可以包括背光组件。附图1中未示意出背光组件。

[0051] 其中，框架1的纵截面呈U型，显示面板3、电路板4以及其它电子配件均设置于框架1内，电路板4设置于显示面板3的下方，盖板玻璃2设置于显示面板3远离电路板4的一侧。在显示装置为液晶显示装置，液晶显示装置包括背光组件的情况下，背光组件设置在显示面板3和电路板4之间。

[0052] 如图2所示，显示面板3划分为显示区31和周边区32，图2以周边区32包围显示区31为例进行示意。显示区31设置有多个像素区(图中的虚线框示意出一个像素区)，每个像素区包括至少三个亚像素区33。图2以该三个亚像素区33分别为红色亚像素区(R)、绿色亚像素区(G)和蓝色亚像素区(B)为例进行示意。示例的，如图2所示，沿水平方向，红色亚像素区、绿色亚像素区和蓝色亚像素区周期性排布；沿竖直方向，红色亚像素区、绿色亚像素区、蓝色亚像素区分别呈列设置。周边区32用于布线。此外，栅极驱动电路可以设置在周边区32。

[0053] 在显示装置为电致发光显示装置的情况下，显示面板3为电致发光显示面板。电致发光显示面板可以为有机电致发光显示面板或量子点电致发光显示面板。如图3所示，电致发光显示面板包括显示用基板34和用于封装显示用基板34的封装层35。此处，封装层35可以为封装薄膜，也可以为封装基板。

[0054] 在显示装置为液晶显示装置的情况下，显示面板3为液晶显示面板。如图4所示，液晶显示面板包括相对设置的显示用基板34和对盒基板36、以及设置在显示用基板34和对盒基板36之间的液晶层37。在显示用基板34应用于液晶显示面板的情况下，显示用基板34可以称为阵列基板。

[0055] 本发明实施例提供一种显示用基板34，可以应用于上述的液晶显示面板中，也可以应用于上述的电致发光显示面板中。如图3和图4所示，显示用基板34在每个亚像素区33均包括依次设置在第一衬底340上的薄膜晶体管341和第一电极342。显示用基板34还包括设置在薄膜晶体管341和第一电极342之间的钝化层(Passivation，简称PVX)343。

[0056] 薄膜晶体管341包括漏极10、源极20、有源层30、栅极40以及栅绝缘层50。此处，对于薄膜晶体管341的类型不进行限定，可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管。对于薄膜晶体管341的结构不进行限定，示例的，如图3和图4所示，薄膜晶体管341包括依次设置在第一衬底340上的栅极40、栅绝缘层50、有源层30、源极20以及漏极10。

[0057] 本领域技术人员应该明白，薄膜晶体管341的漏极10、源极20以及显示用基板34上的一些信号线(例如数据线)是同层制作的。“同层制作”即指形成导电薄膜后，对导电薄膜进行一次构图工艺，从而可以同时形成薄膜晶体管341的漏极10、源极20以及信号线。由于信号线的侧边裸露在外，因而信号线的侧边常会被腐蚀。示例的，当信号线包括铝层时，铝很容易被腐蚀。为了避免该问题，在形成薄膜晶体管341的漏极10、源极20以及显示用基板34上的信号线之后，在薄膜晶体管341的漏极10、源极20以及显示用基板34上的信号线上增加一层钝化层343，钝化层343覆盖在信号线上可以起保护作用，防止信号线被腐蚀。

[0058] 如图3、图4、图5a和图5b所示，第一电极342穿过钝化层343上的第一过孔与薄膜晶体管341的漏极10电连接；漏极10包括金属层。金属层远离第一衬底340的表面，且与第一电极342接触位置处不包括氧化层；第一电极342与金属层接触，金属层中与第一电极342接触位置处的厚度小于其它位置处的厚度。

[0059] 对于第一电极342不进行限定，在一些实施例中，第一电极342呈透明或半透明，在此情况下，第一电极342的材料为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)等。在另一些实施例中，第一电极342呈不透明，在此情况下，第一电极342的材料为铝(Al)、银(Ag)或ITO/Ag/ITO叠层材料等。

[0060] 此处，对于金属层不进行限定，金属层可以如图5a所示为单层结构，也可以如图5b所示为多层叠层结构。在金属层为单层结构的情况下，金属层的材料例如可以为铝、银、铜(Cu)单质或合金等。在金属层为多层叠层结构的情况下，金属层例如可以为三层叠层结构。在一些实施例中，如图5b所示，金属层包括依次层叠设置在第一衬底340上的第一钛层103(Ti)、铝层102和第二钛层101。

[0061] 由于第一电极342要与薄膜晶体管341的漏极10电连接，而薄膜晶体管341和第一电极342之间设置有钝化层343，因而钝化层343上需要设置第一过孔，第一电极342穿过钝化层343上的第一过孔与薄膜晶体管341的漏极10电连接。考虑到钝化层343的材料为无机材料，例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及氮氧化硅(SiOxNy)等，因而需要利用干法刻蚀在钝化层343上形成第一过孔，而干法刻蚀的气体包括氧气(O2)，这样一来，利用干法刻蚀在钝化层343上形成第一过孔的过程中，氧气会与金属层发生反应，从而导致金属层露出于第一过孔的表面会被氧化形成氧化层。

[0062] 示例的，在金属层包括依次层叠设置在第一衬底340上的第一钛层103、铝层102和第二钛层101的情况下，利用干法刻蚀在钝化层343上形成第一过孔的过程中，第二钛层101露出于第一过孔的表面会被氧化形成二氧化钛(TiO2)。

[0063] 基于上述，由于本发明实施例提供的显示用基板34中，金属层远离第一衬底340的表面，且与第一电极342接触位置处不包括氧化层(即金属层露出于第一过孔的位置不包括氧化层)，第一电极342与金属层接触，因而在形成钝化层343之后，在形成第一电极342之前，需要去除金属层露出于第一过孔的表面被氧化形成的氧化层，这样一来，在形成第一电极342之后，可以确保金属层远离第一衬底340的表面，且与第一电极342接触位置处不包括氧化层，第一电极342直接与金属层接触。在此基础上，由于金属层露出于第一过孔的表面被氧化形成的氧化层被去除，因而金属层中与第一电极342接触位置处的厚度小于其它位置处的厚度。

[0064] 本领域技术人员应该明白，在显示用基板34应用于电致发光显示面板中的情况下，每个亚像素区33包括多个薄膜晶体管341，第一电极342穿过钝化层343上的第一过孔与多个薄膜晶体管341中的一个薄膜晶体管341的漏极10电连接。

[0065] 此外，在显示用基板34应用于液晶显示面板中的情况下，第一电极342可以称为像素电极。

[0066] 相关技术中，如图6所示，薄膜晶体管341的漏极10包括金属层(附图6以金属层包括依次层叠设置的第二钛层101、铝层102以及第一钛层103为例进行示意)，由于利用干法刻蚀在钝化层343上的第一过孔时，金属层露出于第一过孔的表面会被氧化形成氧化层60，相关技术中金属层露出于第一过孔的表面的氧化层60未被去除，金属层在各个位置处的厚度是相同的，因而第一电极342与漏极10电连接时，第一电极342会与氧化层60接触，而氧化层60的电阻较大，导电性很差，因而会导致第一电极342与漏极10的接触电阻过大，从而会影响显示面板3的显示画面品质，尤其会明显影响低灰阶画面。如图6所示，以金属层包括依次层叠设置在第一衬底340上的第一钛层103、铝层102和第二钛层101为例，由于第二钛层101露出于第一过孔的表面会被氧化形成二氧化钛，因而第一电极342与漏极10电连接时，第一电极342会与二氧化钛接触。二氧化钛的电阻较大，导电性很差，因此第一电极342与二氧化钛的接触电阻较大，若第一电极342中的ITO层与二氧化钛接触，则第一电极342与二氧化钛的接触电阻会达到500Ω以上。

[0067] 本发明实施例提供一种显示用基板34，显示用基板34包括依次设置在第一衬底340上的薄膜晶体管341、钝化层343以及第一电极342，第一电极342穿过钝化层343上的第一过孔与薄膜晶体管341的漏极10电连接，漏极10包括金属层。相对于相关技术中，第一电极342与金属层露出于第一过孔的表面被氧化形成的氧化层60接触，导致第一电极342与漏极10的接触电阻较大，由于本发明实施例中，金属层远离第一衬底340的表面，且与第一电极342接触位置处不包括氧化层，第一电极342直接与金属层接触，金属层的电阻远小于氧化层60的电阻，因而本发明实施例降低了第一电极342与薄膜晶体管341的漏极10的接触电阻。在显示用基板34应用于显示面板3中时，可以提高显示面板3的画面品质。

[0068] 本发明实施例还提供一种显示用基板34的制备方法，可以用于制备上述的显示用基板34。显示用基板34的制备方法，如图7所示，包括：

[0069] S100、如图8所示，在第一衬底340上形成薄膜晶体管341，薄膜晶体管341的漏极10包括金属层。

[0070] 上述实施例已经对薄膜晶体管341的类型和结构进行了详细的描述，此处不再赘述。

[0071] S101、如图9、图10a以及图10b所示，在薄膜晶体管341上形成钝化层薄膜，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀，在钝化层薄膜上形成露出漏极10的第一过孔，以形成钝化层343；干法刻蚀的气体包括氧气，如图10a以及图10b所示，金属层露出于第一过孔的表面被氧化形成氧化层60。

[0072] 此处，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀时，干法刻蚀的气体除了包括氧气(O2)外，还可以包括其它气体，例如四氟化碳(CF4)。

[0073] 应当理解到，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀形成第一过孔时，由于干法刻蚀的气体包括氧气，因而如图10a和图10b所示，金属层露出于第一过孔的表面会与氧气发生反应，进而被氧化形成氧化层60。

[0074] 附图10a以金属层为单层结构为例进行示意，附图10b以金属层为三层叠层结构为例进行示意。应当理解到，无论金属层是单层结构，还是多层叠层结构，金属层露出于第一过孔的表面都会被氧化形成氧化层60。

[0075] S102、如图11a以及图11b所示，利用酸溶液去除氧化层60。

[0076] 对于酸溶液不进行限定，可以根据氧化层60的类型选择相应的酸溶液，以选择的酸溶液能使氧化层60溶解为准。在一些实施例中，酸溶液为氢氟酸(HF)。应当理解到，酸溶液包括但不限于是氢氟酸。

[0077] 由于酸溶液可以和氧化层60发生反应，因而酸溶液可以去除氧化层60。此处，可以通过控制酸溶液的浓度以及酸溶液与氧化层60发生反应的时间，来控制氧化层60被处理的程度，即去除的氧化层60的厚度。为了确保将露出于第一过孔的氧化层60全部去除掉，因而可以增加酸溶液与氧化层60的反应时间，使酸溶液与氧化层60反应完后，继续与金属层反应，可以将部分金属层也去除掉。

[0078] S103、如图5a和图5b所示，形成第一电极342，第一电极342穿过第一过孔与漏极10电连接。

[0079] 应当理解到，第一电极342穿过第一过孔与漏极10电连接时，由于在S102中，氧化层60被去除，因而形成第一电极342后，第一电极342直接与金属层接触。

[0080] 此处，形成第一电极342包括：先利用溅射(Sputter)工艺形成一层导电薄膜，再利用构图工艺对导电薄膜进行构图，以形成第一电极342。构图工艺包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影以及刻蚀工艺。

[0081] 本发明实施例提供一种显示用基板34的制备方法，在第一衬底340上形成薄膜晶体管341，薄膜晶体管341的漏极10包括金属层，在薄膜晶体管341上形成钝化层薄膜，在对钝化层薄膜进行干法刻蚀形成第一过孔时，干法刻蚀气体中的氧气会将金属层露出于第一过孔的表面氧化成氧化层60，由于本发明实施例在形成第一电极342之前，利用酸溶液去除了氧化层60，这样一来，在形成第一电极342时，第一电极342就可以直接与金属层接触。相对于相关技术中第一电极342与氧化层60接触，由于本发明实施例中第一电极342与金属层接触，金属层的电阻远小于氧化层的电阻，因而本发明实施例降低了第一电极342与漏极10的接触电阻。在显示用基板34应用于显示面板3中时，可以提高显示面板3的画面品质。

[0082] 在金属层包括依次层叠设置在第一衬底340上的第一钛层103、铝层102和第二钛层101的情况下，在一些实施例中，如图5b所示，第一电极342与第二钛层101接触，第二钛层101远离第一衬底340的表面，且与第一电极342接触位置处不包括二氧化钛，第二钛层101中与第一电极342接触位置处的厚度小于其它位置处的厚度。

[0083] 在第一电极342中的ITO层与第二钛层103接触的情况下，第一电极342与第二钛层101的接触电阻为350Ω左右。

[0084] 本发明实施例，由于第二钛层101远离第一衬底340的表面，且与第一电极342接触位置处不包括二氧化钛，因而第一电极342直接与第二钛层101接触，相对于第一电极342与二氧化钛接触，第一电极342与第二钛层101直接接触可以降低第一电极342与漏极10的接触电阻。

[0085] 在金属层包括依次层叠设置在第一衬底340上的第一钛层103、铝层102和第二钛层101的情况下，在另一些实施例中，如图12所示，第二钛层101在第一过孔处镂空，第一电极342与金属层中的铝层102接触。

[0086] 由于铝的电阻小于钛的电阻，因而第一电极342与铝层102的接触电阻小于第一电极342与第二钛层101的接触电阻。在第一电极342中的ITO层与铝层102接触的情况下，第一电极342与铝层102的接触电阻在100Ω以下。

[0087] 本发明实施例，由于第二钛层101在第一过孔处镂空，第一电极342与金属层中的铝层102接触，因而可以进一步降低第一电极342与漏极10的接触电阻。

[0088] 在一些实施例中，为了确保显示用基板34中第二钛层101在第一过孔处镂空，第一电极342与金属层中的铝层102接触，基于上述显示用基板34的制备方法S100～S103，本发明实施例中显示用基板34的制备方法还包括：

[0089] 如图13a和图13a所示，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用干法刻蚀将第二钛层101中露出于第一过孔的部分全部刻蚀掉。

[0090] 此处，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀时，可以通过增加刻蚀时间，使其过刻到铝层102，即将第二钛层101中露出于第一过孔的部分全部刻蚀掉。

[0091] 需要说明的是，在显示用基板34的实际制备过程中，利用干法刻蚀对第二钛层101中露出于第一过孔的部分进行刻蚀时，由于干法刻蚀过程不容易控制，如图13b所示，因而有可能会将铝层102中的部分也刻蚀掉。

[0092] 应当理解到，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用干法刻蚀将第二钛层101中露出于第一过孔的部分全部刻蚀掉，在此情况下，由于金属层中的铝层102露出于第一过孔，因而如图13a和图13b所示，在干法刻蚀过程中，铝层102的表面会被氧化形成氧化铝(Al2O3)，因此S101中的氧化层60指的是氧化铝，S102中利用酸溶液去除氧化层60，即利用酸溶液去除氧化铝。

[0093] 本发明实施例中，由于利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用干法刻蚀将第二钛层101中露出于第一过孔的部分全部刻蚀掉，因而利用酸溶液去除氧化层60之后，形成第一电极342时，第一电极342会与金属层中的铝层102接触，有利于进一步减小第一电极342与漏极10的接触电阻。在此基础上，若利用酸溶液去除第二钛层101表面的二氧化钛时，由于第二钛层101的厚度很薄，一般为 因而不容易通过酸溶液的浓度和反应时间来控制二氧化钛被处理的程度，而本发明实施例中直接利用干法刻蚀将第二钛层101中露出于第一过孔的部分全部刻蚀掉，因而利用酸溶液去除的是铝层102表面被氧化的氧化铝，而铝层102的厚度较大，氧化铝被处理的程度容易控制，这样一来可以简化显示用基板34的制备过程。

[0094] 在另一些实施例中，为了确保显示用基板34中第二钛层101在第一过孔处镂空，第一电极342与金属层中的铝层102接触，基于上述显示用基板34的制备方法S100～S103，本发明实施例中显示用基板的制备方法还包括：

[0095] 如图14所示，利用酸溶液去除如图10b中所示的氧化层60的同时，利用酸溶液将第二钛层101中露出于第一过孔的部分全部去除掉。

[0096] 在金属层包括依次层叠设置在第一衬底340上的第一钛层103、铝层102和第二钛层101的情况下，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀时，第二钛层101露出于第一过孔的表面会被氧化形成二氧化钛。利用酸溶液去除氧化层，即利用酸溶液去除二氧化钛。

[0097] 本领域技术人员应该明白，酸溶液除了可以与二氧化钛发生反应，还可以与钛发生反应，因此可以利用酸溶液同时去除氧化层60和第二钛层101中露出于第一过孔的部分。

[0098] 此处，可以通过控制酸溶液的浓度和反应时间，来确保酸溶液与氧化层60和第二钛层101均反应，以将氧化层60和第二钛层101露出于第一过孔的部分全部去除掉。

[0099] 本发明实施例，由于利用酸溶液去除氧化层60的同时，利用酸溶液将第二钛层101中露出于第一过孔的部分全部去除掉，因而形成第一电极342时，第一电极342会与金属层中的铝层102接触。

[0100] 基于上述，为了去除氧化层60和第二钛层101中露出于第一过孔的部分，因而酸溶液既要与氧化层60发生反应，又要与第二钛层101中露出于第一过孔的部分发生反应，这样一来，酸溶液发生化学反应的时间增加，从而导致制备显示用基板34的效率降低。基于此，在一些实施例中，显示用基板34的制备方法还包括：

[0101] 如图15所示，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用干法刻蚀对第二钛层101中露出于第一过孔的部分进行减薄。

[0102] 此处，利用干法刻蚀对第二钛层101中露出于第一过孔的部分进行减薄，剩下的第二钛层101的厚度范围可以为 示例的，剩下的第二钛层101的厚度可以为或

[0103] 本发明实施例中，利用干法刻蚀对钝化层薄膜进行刻蚀的同时，利用干法刻蚀对第二钛层101中露出于第一过孔的部分进行减薄，由于第二钛层101露出于第一过孔的部分的厚度减小，因而利用酸溶液去除氧化层60和第二钛层101中露出于第一过孔的部分时，可以减小酸溶液的反应时间，从而提高了显示用基板34的制作效率。

[0104] 在一些实施例中，如图16a、图16b以及图16c所示，显示用基板34还包括设置在钝化层343和第一电极342之间的平坦层(Planarization，简称PLN)344；平坦层344包括第二过孔，第一过孔与第二过孔具有重叠区域。

[0105] 此处，平坦层344可以起到平坦化的作用，有利于确保形成在其上膜层的平坦性。

[0106] 本发明实施例中，第一过孔与第二过孔具有重叠区域，因而第一电极342穿过第一过孔和第二过孔与漏极10电连接。

[0107] 在此基础上，在一些实施例中，在S101之后，在S102之前，显示用基板的制备方法还包括：如图17所示，在钝化层343上形成平坦层344，平坦层344包括第二过孔；第二过孔与第一过孔具有重叠区域，以露出漏极10。

[0108] 上述“形成平坦层344”包括：在钝化层343上形成平坦层薄膜，对平坦层薄膜进行构图工艺以形成平坦层344。此处，构图工艺包括掩膜曝光以及显影工艺。

[0109] 基于上述，如图3和图16a所示，在显示用基板34应用于电致发光显示面板的情况下，显示用基板34在每个亚像素区33还包括依次设置在第一电极342上的发光功能层345和第二电极346。

[0110] 此处，第一电极342和第二电极346可以驱动发光功能层345发光。

[0111] 此外，可以是第一电极342为阳极(Anode)，第二电极346为阴极；也可以是第一电极342为阴极，第二电极346为阳极。

[0112] 在显示装置为电致发光显示装置的情况下，显示面板3可以是顶发光型显示面板，在此情况下，靠近第一衬底340的第一电极342呈不透明，远离第一衬底340的第二电极346呈透明或半透明；显示面板3也可以是底发光型显示面板，在此情况下，靠近第一衬底340的第一电极342呈透明或半透明，远离第一衬底340的第二电极346呈不透明；显示面板3当然还可以是双面发光型显示面板，在此情况下，第一电极342和第二电极346均呈透明或半透明。

[0113] 在一些实施例中，发光功能层345包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层345除包括发光层外，还包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)中的一层或多层。

[0114] 在此基础上，在显示用基板34应用于有机电致发光显示面板的情况下，发光层为有机发光层；在显示用基板34应用于量子点电致发光显示面板的情况下，发光层为量子点发光层。

[0115] 在显示用基板34应用于电致发光显示面板的情况下，在S103之后，显示用基板的制备方法还包括：如图3和图16a所示，在第一电极342上依次形成发光功能层345和第二电极346。

[0116] 在此基础上，如图3和图16a所示，显示用基板34还包括设置在第一电极342上的像素界定层347，像素界定层347包括多个开口区，一个发光功能层345设置在一个开口区中。

[0117] 在显示用基板34还包括设置在第一电极342上的像素界定层347的情况下，在S103之后，在形成发光功能层345之前，显示用基板34的制备方法还包括：如图16a所示，在第一电极342上形成像素界定层347，像素界定层347包括开口区域，以露出第一电极342。

[0118] 如图4和图16b所示，在显示用基板34应用于液晶显示面板中的情况下，在一些实施例中，显示用基板34还包括设置在第一衬底340上的公共电极。第一电极342和公共电极可以设置在同一层，在此情况下，第一电极342和公共电极均为包括多个条状子电极的梳齿结构。第一电极342和公共电极也可以设置在不同层，在此情况下，第一电极342和公共电极之间设置有第一绝缘层。在公共电极设置在第一电极342和薄膜晶体管341的情况下，公共电极和薄膜晶体管341之间设置有第二绝缘层。在另一些实施例中，如图4和图16b所示，对盒基板36包括公共电极363。

[0119] 在一些实施例中，如图4和图16b所示，对盒基板36包括设置在第二衬底360上的彩色滤光层361，在此情况下，对盒基板36也可以称为彩膜基板(Color filter，简称CF)。其中，彩色滤光层361至少包括设置在红色亚像素区的红色光阻单元、设置在绿色亚像素区的绿色光阻单元以及设置在蓝色亚像素区的蓝色光阻单元。对盒基板36还包括设置在第二衬底360上的黑矩阵图案362，黑矩阵图案362用于将红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元间隔开。

[0120] 在另一些实施例中，显示用基板34包括彩色滤光层361，红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元分别位于不同的亚像素区33中。在此情况下，显示用基板34可以称为COA基板(Color filter on Array，彩色滤光层整合于阵列基板上)。在显示用基板34包括彩色滤光层361的情况下，可以是显示用基板34包括设置在第一衬底340上的黑矩阵图案362，也可以是对盒基板36包括设置在第二衬底360上的黑矩阵图案362，黑矩阵图案362用于将红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元间隔开。

[0121] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。