介质膜沉积方法

摘要

本发明提供了一种介质膜沉积方法，包括：通过控制所述单一沉积腔内的机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述载片装置或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，然后对另一个所述待处理表面进行镀膜处理。所述薄膜沉积方法通过控制所述机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述致密结构件紧密贴合，使得无须所述载片装置进出所述单一沉积腔，就能够对另一个所述待处理表面进行所述镀膜处理，从而避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。

权利要求

1.一种介质膜沉积方法，其特征在于，包括：

S1：提供待处理硅片、载片装置和气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的两个待处理表面，所述气相沉积设备具有单一沉积腔；

S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态；

S3：在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片进行镀膜处理和机械操作，以使两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜；

所述步骤S3中，通过所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，以使任意一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态；

当所述载片装置具有复数个隔离片，所述机械装置包括第一伸缩机械手和第二伸缩机械手，所述隔离片为所述载片装置的致密结构件，相邻隔离片之间通过绝缘杆组件固定连接，所述步骤S2中，将所述待处理硅片水平放置在所述隔离片的表面，通过所述待处理硅片的重力作用使一个所述待处理表面与所述隔离片的表面紧密贴合，所述步骤S3中，所述第一伸缩机械手和所述第二伸缩机械手对所述载片装置进行所述机械操作，使所述待处理硅片沿所述绝缘杆组件滑动至所述隔离片的相邻隔离片，并通过所述待处理硅片的重力作用使另一个所述待处理表面与所述相邻隔离片的表面紧密贴合；

当所述载片装置包括复数个镂空舟片，所述机械装置包括移动部以及复数个隔离板，所述隔离板为所述机械装置的致密结构件，将所述待处理硅片与所述镂空舟片固定连接，通过所述移动部带动所述隔离板在相邻的待处理硅片之间移动，以使任意一个所述待处理表面与所述隔离板紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。

2.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述机械装置完成所述机械操作的时间不超过10分钟。

3.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述镀膜处理包括钝化处理或减反射处理。

4.根据权利要求3所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面依次进行所述钝化处理和所述第一次减反射处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜处理。

5.根据权利要求3所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述钝化处理包括第一次钝化处理和第二次钝化处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面进行所述第一次钝化处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次钝化处理。

6.根据权利要求5所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，所述第二次钝化处理完成后，对另一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理，然后执行所述机械操作，最后对一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜处理。

7.根据权利要求3所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理后，再执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面依次执行所述钝化处理和所述第二次减反射处理。

8.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述待处理硅片为N型硅片或P型硅片中的任意一种。

9.根据权利要求8所述的介质膜沉积方法，其特征在于，还包括步骤S0，所述步骤S0中，提供原始硅片，对所述原始硅片进行制绒工艺、扩散工艺、绝缘抛光工艺、热氧化工艺和背钝化工艺中的任意一种或多种，以形成所述待处理硅片。

10.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述第一介质膜和所述第二介质膜的厚度均小于200nm。

11.根据权利要求10所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述第一介质膜和所述第二介质膜均由钝化膜或减反射膜中的任意一种或两种构成，所述钝化膜的层数至少为1，所述减反射膜的层数至少为1。

12.根据权利要求11所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述减反射膜各层的组成材料为氮化硅或氮氧化硅中的任意一种，所述钝化膜各层的组成材料为氧化硅、碳化硅、铝氧化物中的任意一种。

13.根据权利要求11所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述减反射膜或所钝化膜为渐进膜。

说明书

介质膜沉积方法

技术领域

[0001] 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种介质膜沉积方法。

背景技术

[0002] 太阳能电池是光伏行业的主导产品，通过优化其生产工艺和结构，目前已经研制出了诸如钝化发射极背场点接触电池(Passivated Emitter and Rear Cell，PERC)、钝化发射极背接触电池(Passivated Emitter Solar Cell，PESC)以及钝化发射极背部局域扩散(Passivated Emitter and Rear Locally-diffused，PERL)电池等高效电池，光电转化效率均能接近20％甚至高于20％，具有良好的应用前景。

[0003] 随着太阳能电池，尤其是晶硅太阳能电池在光电转化效率上的突破，从产业化应用的角度讲，提高设备的产能以及产品的良率是至关重要的。以PERC钝化膜和减反射膜沉积过程为例，现有技术通常是先将待处理的硅片进行装片，送入工艺腔中对其中一面进行钝化层沉积和减反射层沉积后降温出腔，再对待处理硅片进行翻面和重新装片，然后送入工艺腔中对另外一面进行减反射层沉积。上述工艺流程中，对硅片的翻面和重新装片以及对工艺腔内进行升降温处理使得工艺流程繁琐，不利于提高产能。更重要的是，对硅片的重复装片容易影响产品的良率，不利于光电转化效率的提高。

[0004] 因此，需要开发一种新型的介质膜沉积方法以避免现有技术中存在的上述问题。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种介质膜沉积方法，以避免现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。

[0006] 为实现上述目的，本发明的所述介质膜沉积方法，包括：

[0007] S1：提供待处理硅片、载片装置和气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的两个待处理表面，所述气相沉积设备具有单一沉积腔；

[0008] S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态；

[0009] S3：在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片进行的镀膜处理和机械操作，以使两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜；

[0010] 所述步骤S3中，通过所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，以使任意一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。

[0011] 本发明所述介质膜沉积方法的有益效果在于：所述介质膜沉积方法中，放置有所述待处理硅片的所述载片装置进入所述单一沉积腔，由于所述待处理表面能够与所述载片装置或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，通过所述单一沉积腔内的机械装置对所述载片装置进行的所述机械操作配合所述镀膜处理，能够在两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜，减少了降温出腔的次数以及对工艺腔内进行升降温处理的时间，避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。

[0012] 优选的，所述步骤S3中，所述机械装置完成所述机械操作的时间不超过10分钟。其有益效果在于：有利于在保障良率的同时不影响产能。

[0013] 优选的，所述载片装置具有复数个隔离片，所述隔离片为所述载片装置的致密结构件，相邻隔离片之间通过绝缘杆组件固定连接，所述步骤S1中，将所述待处理硅片水平放置在所述隔离片的表面，通过所述待处理硅片的重力作用使一个所述待处理表面与所述隔离片的表面紧密贴合。其有益效果在于：有利于装载多个待处理硅片，以提高产能。

[0014] 进一步优选的，所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，使所述处理硅片沿所述绝缘杆组件滑动至所述隔离片的相邻隔离片，并通过所述载片的重力作用使所述第一待处理表面与所述相邻隔离片的表面紧密贴合。

[0015] 优选的，所述载片装置包括复数个镂空舟片，所述机械装置包括移动部以及复数个隔离板，所述隔离板为所述机械装置的致密结构件，将所述待处理硅片与所述镂空舟片固定连接，通过所述移动部带动所述隔离板在相邻的待处理硅片之间移动，以使任意一个所述待处理表面与所述隔离板紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。其有益效果在于：有利于装载多个待处理硅片，以提高产能。

[0016] 优选的，所述步骤S3中，所述镀膜处理包括钝化处理或减反射处理。其有益效果在于：有利于在同一所述单一沉积腔内对同一所述待处理硅片沉积不同功能或相同功能的介质膜。

[0017] 进一步优选的，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面依次进行所述钝化处理和所述第一次减反射处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜处理。

[0018] 进一步优选的，所述钝化处理包括第一次钝化处理和第二次钝化处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面进行所述第一次钝化处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次钝化处理。

[0019] 进一步优选的，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，所述第二次钝化处理完成后，对另一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理，然后执行所述机械操作，最后对一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜操作。

[0020] 进一步优选的，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理后，再执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面依次执行所述钝化处理和所述第二次减反射处理。

[0021] 优选的，所述待处理硅片为N型硅片或P型硅片中的任意一种。

[0022] 进一步优选的，所述介质膜沉积方法还包括步骤S0，所述步骤S0中，提供原始硅片，对所述原始硅片进行制绒工艺、扩散工艺、绝缘抛光工艺、热氧化工艺和背钝化工艺中的任意一种或多种，以形成所述待处理硅片。

[0023] 优选的，所述第一介质膜和所述第二介质膜的厚度均小于200nm。

[0024] 进一步优选的，所述第一介质膜和所述第二介质膜均由钝化膜或减反射膜中的任意一种或两种构成，所述钝化膜的层数至少为1，所述减反射膜的层数至少为1。

[0025] 进一步优选的，所述减反射膜各层的组成材料为氮化硅或氮氧化硅中的任意一种，所述钝化膜各层的组成材料为氧化硅、碳化硅、铝氧化物中的任意一种。

[0026] 进一步优选的，所述减反射膜或所钝化膜为渐进膜。

附图说明

[0027] 图1为本发明的介质膜沉积方法的流程图；

[0028] 图2a为现有技术常用的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺流程示意图；

[0029] 图2b为本发明的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺流程示意图；

[0030] 图3a为现有技术常用的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程示意图；

[0031] 图3b为本发明的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程示意图；

[0032] 图4为本发明一些实施例的石墨舟的部分结构示意图；

[0033] 图5为本发明的气相沉积设备的结构示意图；

[0034] 图6为图4所示的石墨舟中的装载单元的一种工作状态示意图；

[0035] 图7为图6所示的装载单元的另一种工作状态示意图；

[0036] 图8为本发明另一些实施例的石墨舟、机械装置以及待处理硅片之间的工作状态示意图；

[0037] 图9为图8所示的第一镂空舟片的结构示意图。

具体实施方式

[0038] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

[0039] 针对现有技术存在的问题，本发明的实施例提供了一种介质膜沉积方法，参照图1，包括：

[0040] S1：提供待处理硅片、载片装置和气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的两个待处理表面，所述气相沉积设备具有单一沉积腔；

[0041] S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态；

[0042] S3：在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片进行的镀膜处理和机械操作，以使两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜；

[0043] 所述步骤S3中，通过所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，以使任意一个所述待处理表面与所述机械装置的致密结构件紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。

[0044] 本发明一些实施例中，所述机械操作包括翻转操作、机械推动操作或移动操作，所述机械装置完成所述机械操作的时间不超过10分钟。

[0045] 本发明一些具体的实施例中，所述机械装置为翻转装置，所述翻转装置对所述载片装置进行所述翻转操作或所述机械推动操作，使所述载片装置的翻转角度为90度-270度。

[0046] 本发明一些实施例中，在执行所述步骤S1之前，不装载所述待处理硅片的所述载片装置已经进行过烘干处理和碳化硅预处理，使所述载片装置的表面镀有至少一层碳化硅膜，以在后续的镀膜过程中减少石墨舟对镀膜的吸收，保证所述待处理硅片的镀膜厚度和品质。所述烘干处理和所述碳化硅预处理均为本领域技术人员的惯用技术手段，在此不做赘述。

[0047] 本发明一些实施例中，所述介质膜沉积方法应用于晶硅太阳能电池的制造技术。具体的，所述介质膜沉积方法还包括步骤S0，所述步骤S0中，提供原始硅片，对所述原始硅片进行制绒工艺、扩散工艺、绝缘抛光工艺、热氧化工艺或背钝化工艺中的任意一种或多种，以形成所述待处理硅片。所述待处理硅片为N型硅片或P型硅片中的任意一种。

[0048] 本发明一些实施例中，所述镀膜处理包括钝化处理或减反射处理。

[0049] 本发明实施例中，为了叙述方便和便于理解，进行以下定义：

[0050] 所述待处理硅片的两个相互平行的待处理表面中，一个待处理表面定义为正面，另一个待处理表面定义为背面。

[0051] 通过钝化膜沉积反应对所述正面进行一次钝化沉积处理的工艺定义为正面钝化；对所述背面进行一次钝化沉积处理的工艺定义为背面钝化。

[0052] 通过减反射膜沉积反应对所述正面进行一次减反射沉积处理的工艺定义为正面减反射；对所述背面进行一次减反射沉积处理的工艺定义为背面减反射。

[0053] 在所述单一沉积腔内对所述载片装置进行降温并运送出所述气相沉积设备的过程定义为降温出腔。

[0054] 在所述气相沉积设备外对所述载片装置中的待处理硅片进行翻面、重新装载并重新送入所述单一沉积腔的过程定义为翻面重载。

[0055] 图2a为现有技术中常用“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺流程示意图。图2b为本发明一些实施例的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺的流程示意图。

[0056] 当需要在所述待处理硅片正面依次形成钝化膜和第一减反射膜，并在背面形成第二减反射膜，参照图2a，现有技术常用的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺经历了时长为T1的正面钝化、时长为T2的正面减反射、两次时长分别为T3的降温出腔、时长为T4的翻面重载、时长为T5的腔体预热以及时长为T6的背面减反射。参照图2a和图2b，本发明一些实施例的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺与现有技术常用的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺相比，通过在所述单一沉积腔内通过时长为T7的机械操作使所述待处理硅片的任意一个待处理表面处于待镀状态，无需进行时长为T3的降温出腔以及时长为T4的翻面重载就能够进行背面减反射工艺，且节省了时长为T5的腔体预热。

[0057] 图3a为现有技术常用的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程示意图，图3b为本发明一些实施例的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程示意图。

[0058] 参照图3a和图3b，当需要对所述待处理硅片的正面和背面分别进行钝化处理，并在所述钝化处理结束后对背面和正面分别进行减反射处理。本发明一些实施例的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程与现有技术常用的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程相比，通过在所述单一沉积腔内通过时长均为T7的两次机械操作使所述待处理硅片的任意一个待处理表面处于待镀状态，无需进行时长均为T3的两次降温出腔以及时长分别为T4的两次翻面重载就能够进行背面减反射工艺，且节省了时长均为T5的两次腔体预热。

[0059] 具体的，以在管式等离子体化学气相沉积(Plasma Chemical Vapor Deposition，PECVD)设备的单一沉积腔中采用PECVD法进行钝化处理和减反射处理为例，现有技术中，时长T3通常为10分钟，时长T4通常为10分钟，时长T5通常为10-20分钟。而本发明一些实施例中，对所述待处理硅片的正面依次进行正面钝化和正面减反射后，通过控制所述单一沉积腔中的翻转装置控制所述载片装置在10分钟的时间完成所述翻转操作，使所述待处理硅片的背面不与所述载片装置接触，并继续在所述单一沉积腔中进行背面减反射，以完成所述镀膜处理，直至降温出腔。可见，翻转操作消耗的时间远小于降温出腔、翻面重载以及腔体预热所消耗的总时间，有效简化了工艺流程，有利于避免由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。

[0060] 本发明一些实施例中，所述载片装置为石墨舟。所述石墨舟具有复数个隔离片，所述隔离片的表面为致密结构，相邻隔离片之间通过绝缘杆组件固定连接。

[0061] 图4为本发明一些实施例的石墨舟的部分结构示意图。图5为本发明一些实施例的气相沉积设备的结构示意图。

[0062] 参照图4，石墨舟2具有10片结构相同且与地面平行的隔离片21以及18个结构相同且垂直设置的绝缘固定杆22，所述绝缘固定杆22贯穿所述隔离片21以使各隔离片之间相对固定。

[0063] 参照图4和图5，气相沉积设备3为管式PECVD沉积设备，由装载区31、炉体32、特气柜33、控制系统34和真空系统35组成，所述装载区31设置有抽风系统311、碳化硅桨片313和机械臂312。所述炉体32为单一沉积腔，顶部设置有第一伸缩机械手321和第二伸缩机械手322，用于在所述控制系统34的控制下实现对所述石墨舟2的抓握和倾斜翻转。所述炉体32的其余具体结构，所述装载区31、所述特气柜33和所述真空系统35的具体结构以及所述控制系统34的其余具体结构与现有技术中的常规管式PECVD沉积设备相同，再此不做赘述。

[0064] 本发明一些实施例的所述步骤S2中，参照图4和图5，将待处理硅片(图中未标示)沿图4所示的B方向插入相邻隔离片之间，将所述石墨舟2沿图2所示的A方向送入所述气相沉积设备3。

[0065] 图6为本发明一些实施例的石墨舟中的装载单元的一种工作状态示意图，图7为图4所示的装载单元的另一种工作状态示意图。

[0066] 参照图4、图6和图7，相互平行的第一隔离片单元411和第二隔离片单元412以及设置在所述第一隔离片单元411和所述第二隔离片单元412之间的垂直绝缘杆组件(图中未标示)共同构成了所述石墨舟2中的装载单元。所述垂直绝缘杆组件(图中未标示)由第一绝缘杆413、第二绝缘杆414、第三绝缘杆415、第四绝缘杆416、第五绝缘杆417、第六绝缘杆418以及第七绝缘杆419组成。

[0067] 参照图4和图6，由于所述第一绝缘杆413和所述第二绝缘杆414均与所述第一隔离片单元411以及所述第二隔离片单元412固定连接，且顶部分别靠近所述第一隔离片单元411的沿A方向的两个顶点设置，将待处理硅片42通过第一绝缘杆413和所述第二绝缘杆414之间的空隙插入，并水平放置在所述第二隔离片单元412的上表面，所述待处理硅片42的第一待处理表面421朝向所述第一隔离片单元411的下表面。由于所述第三绝缘杆415、所述第四绝缘杆416、所述第五绝缘杆417、所述第六绝缘杆418以及所述第七绝缘杆419等间距排列设置，能够防止所述待处理硅片42在后续所述石墨舟2发生倾斜翻转的过程中不会滑出所述石墨舟2。

[0068] 参照图4和图6，操纵所述控制系统34使所述机械臂312将所述石墨舟2送入所述装载区31的内部，然后操纵所述控制系统34，以通过所述抽风系统311进行预处理。所述预处理结束后，操纵所述控制系统34，以通过所述碳化硅桨片313将所述石墨舟2送入所述炉体32的内部。

[0069] 参照图4和图5，操纵所述控制系统34，使所述第一伸缩机械手321和所述第二伸缩机械手322抓牢所述石墨舟2，所述石墨舟2以底部沿A方向延伸的旋转轴23为轴，整体以顺时针方向，即C方向在5分钟内进行180度的倾斜翻转，以完成翻转操作，所述倾斜翻转的角度为所述石墨舟2的底部与水平面之间的夹角。

[0070] 参照图6和图7，所述倾斜翻转的过程中，所述装载单元(图中未标示)以轴线43为轴，顺时针进行整体翻转。所述轴线43为所述第二隔离片单元412的位于内侧的边长的延长线。所述倾斜翻转的角度从0增加到90度后，所述第一隔离片单元411、所述第二隔离片单元412和所述待处理硅片42均垂直于水平面。所述倾斜翻转的角度从90度增加到180度的过程中，所述待处理硅片42的第二待处理表面422不与所述第二隔离片单元412的上表面接触，所述待处理硅片42沿所述第四绝缘杆416、所述第五绝缘杆417和所述第六绝缘杆418的表面朝向所述第一隔离片单元411滑动，以使所述第一待处理表面421与所述第一隔离片单元
411的表面紧密贴合。所述翻转操作完成后，所述第一隔离片单元411位于所述第二隔离片单元412的正下方，且所述第一待处理表面421与所述第一隔离片单元411的表面紧密贴合，使所述第二待处理表面422朝向所述第二隔离片单元412。

[0071] 图8为本发明一些实施例的石墨舟、机械装置以及待处理硅片之间的工作状态示意图。图9为图8所示的第一镂空舟片的结构示意图。

[0072] 参照图8，第二机械装置(图中未标示)包括固定架811以及固定连接在所述固定架811下端面的三个隔离板，分别为第一隔离板812、第二隔离板813和第三隔离板814，三个所述隔离板表面均为致密结构。第二石墨舟(图中未标示)包括基座821、设置在所述基座821表面的第一V型夹具822和第二V型夹具823，第一镂空舟片824以及第二镂空舟片825。所述第一镂空舟片824设置在所述第一V型夹具822的V型槽内且与所述基座821固定连接；所述第二镂空舟片825设置在所述第二V型夹具823的V型槽内且与所述基座821固定连接。三个所述隔离板以及两个镂空舟片之间相互平行设置。所述第二机械装置(图中未标示)还包括驱动装置(图中未标示)，所述固定架811通过所述驱动装置(图中未标示)沿C方向或C方向的反方向进行水平移动。所述驱动装置(图中未标示)的实现形式以及所述驱动装置(图中未标示)与所述固定架811之间的连接关系为本领域技术人员能够想到的常规手段，在此不做赘述。

[0073] 具体的，第一待处理硅片831和第二待处理硅片832分别固定连接在所述第一镂空舟片824的一侧表面以及所述第二镂空舟片825的一侧表面。所述第一舟片镂空824与所述第二镂空舟片825具有相同的结构。

[0074] 参照图8和图9，以所述第一镂空舟片824为例，所述第一镂空舟片824中部镂空，围绕镂空的部分分布有三个结构相同的卡点8241，所述第一待处理硅片831通过三个所述卡点8241与所述第一镂空舟片824固定连接。为叙述方便，定义待处理硅片的不与镂空舟片相接触的表面为第一待镀表面，与镂空舟片相接触的表面为第二待镀表面。

[0075] 当装载有镂空舟片的所述第二石墨舟进入到图5所示的所述炉体32中后，参照图8和图9，所述驱动装置(图中未标示)带动所述固定架811沿C的反方向水平移动，以使所述第二隔离板813与所述第一镂空舟片824紧密贴合，且所述第三隔离板814与所述第二镂空舟片825紧密贴合，即所述第一待处理硅片831的第一待镀表面以及所述第二待处理硅片832的第一待镀表面处于待镀状态，然后对所述第一待处理硅片831的第一待镀表面以及所述第二待处理硅片832的第一待镀表面同时进行所述镀膜处理。

[0076] 所述镀膜处理结束后，所述驱动装置(图中未标示)带动所述固定架811沿C方向水平移动，以使所述第一隔离板812与所述第一待处理硅片831的第一待镀表面紧密贴合，且所述第二隔离板813与所述第二待处理硅片832的第一待镀表面紧密贴合，即所述第一待处理硅片831的第二待镀表面以及所述第二待处理硅片832的第二待镀表面处于待镀状态，然后对所述第一待处理硅片831的第二待镀表面以及所述第二待处理硅片832的第二待镀表面同时进行所述镀膜处理。

[0077] 本发明一些实施例中，完成所述钝化处理后，再执行所述减反射处理。具体的，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面依次进行所述钝化处理和所述第一次减反射处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜处理。

[0078] 本发明一些实施例中，所述钝化处理包括第一次钝化处理和第二次钝化处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面进行所述第一次钝化处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次钝化处理。

[0079] 本发明一些实施例中，所述第二次钝化处理完成后，对另一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理，然后执行所述机械操作，最后对一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜操作。

[0080] 本发明一些实施例中，对一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理后，再执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面依次执行所述钝化处理和所述第二次减反射处理。

[0081] 本发明一些实施例中，所述待处理硅片为P型晶硅电池片，且所述P型晶硅电池片经过制绒工艺、扩散工艺、激光掺杂工艺、抛光工艺、去除磷硅玻璃(Phospho Silicate Glass，PSG)工艺、热氧化工艺中任意一个或几个后，在抛光面表面进行氧化铝钝化工艺，以形成厚度不超过30nm的氧化铝钝化膜，最后在管式PECVD设备的单一沉积腔内进行本发明实施例所述的镀膜处理，以在所述P型晶硅电池片的抛光面或制绒面形成减反射膜。

[0082] 具体的，所述抛光面为所述P型晶硅电池片的背面，所述P型晶硅电池片的正面为制绒面。

[0083] 本发明另一些实施例中，所述P型晶硅电池片经过制绒工艺、扩散工艺、激光掺杂工艺、抛光工艺、去除磷硅玻璃(Phospho Silicate Glass，PSG)工艺、热氧化工艺中任意一个或几个后，在所述管式PECVD设备的单一沉积腔内进行本发明实施例所述的镀膜处理，以在所述抛光面形成厚度不超过30nm的氧化铝钝化膜，以及在所述抛光面或所述制绒面中的任意一个或两个形成减反射膜。

[0084] 本发明一些实施例中，所述待处理硅片为N型晶硅电池片，且所述N型晶硅电池片经过制绒工艺、硼扩散工艺、激光掺杂工艺、背面蚀刻工艺、背面隧穿二氧化硅钝化工艺、背面非晶硅钝化工艺、背面非晶硅掺杂工艺、退火工艺、RCA清洗工艺中的任意一个或几个后，所述N型晶硅电池片正面为制绒面，在所述N型晶硅电池片的制绒面进行氧化铝钝化工艺，以形成厚度不超过30nm的氧化铝钝化膜；最后在管式PECVD设备的单一沉积腔内进行本发明实施例所述的镀膜处理，以在所述N型晶硅电池片的制绒面或抛光面形成减反射膜。

[0085] 本发明另一些实施例中，所述N型晶硅电池片经过制绒工艺、硼扩散工艺、激光掺杂工艺、背面蚀刻工艺、背面隧穿二氧化硅钝化工艺、背面非晶硅钝化工艺、背面非晶硅掺杂工艺、退火工艺、RCA清洗工艺中的任意一个或几个后，所述N型晶硅电池片正面为制绒面，在管式PECVD设备的单一沉积腔内进行本发明实施例所述的镀膜处理，以在所述N型晶硅电池片的制绒面进行氧化铝钝化工艺，形成厚度不超过30nm的氧化铝钝化膜，且在所述N型晶硅电池片的制绒面或抛光面形成减反射膜。

[0086] 本发明一些实施例中，所述钝化膜的层数至少为1，所述钝化膜中每层钝化层的组成材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝中的任意一种。当所述钝化膜的层数大于等于2，各钝化层的组成材料相同或不同。所述减反射膜的层数至少为1，所述减反射膜的每层减反射层的组成材料为氮化硅或氮氧化硅中的任意一种。当所述减反射膜的层数大于等于2，各减反射膜的组成材料相同或不同。

[0087] 本发明一些具体的实施例中，所述第一次钝化处理或所述第二钝化处理控制所述单一沉积腔中的钝化沉积温度为100-550度，真空度为0-20mbar，TMAL的流量为0-3000sccm，N2O的流量为0-10slm，O2的流量为0-10slm，SiH4的流量为0-2000sccm，载气N2的流量为0-20slm，钝化沉积的时间为30-900秒，得到钝化膜的厚度为1-100nm。

[0088] 更具体的，当钝化沉积温度为260度，真空度为2mbar，TMAL的流量为2000sccm，N2O的流量为8slm，钝化沉积的时间为120秒，得到的氧化铝钝化膜的厚度为10nm。

[0089] 当钝化沉积温度为330度，真空度为5mbar，TMAL的流量为3000sccm，N2O的流量为10slm，钝化沉积的时间为360秒，得到的氧化铝钝化膜的厚度为50nm。

[0090] 当钝化沉积温度为100度，真空度为5mbar，TMAL的流量为5slm，N2O的流量为8slm，钝化沉积的时间为600秒，得到的氧化铝钝化膜的厚度为15nm。

[0091] 当钝化沉积温度为550度，真空度为20mbar，SiH4的流量为2000sccm，O2的流量为20slm，载气N2的流量为20slm，钝化沉积的时间为30秒，得到的氧化硅钝化膜的厚度为1nm。

[0092] 当钝化沉积温度为550度，真空度为20mbar，SiH4的流量为2000sccm，O2的流量为20slm，载气N2的流量为20slm，钝化沉积的时间为900秒，得到的氧化硅钝化膜的厚度为
10nm。

[0093] 当钝化沉积温度为480度，真空度为1mbar，SiH4的流量为800sccm，N2O的流量为5slm，钝化沉积的时间为360秒，得到的氮氧化硅钝化膜的厚度为60nm。

[0094] 当钝化沉积温度为480度，真空度为2mbar，SiH4的流量为800sccm，N2O的流量为8slm，钝化沉积的时间为600秒，得到的氮氧化硅钝化膜的厚度为100nm。

[0095] 当钝化沉积温度为260度，真空度为2mbar，钝化沉积的时间为100秒，TMAL的流量从3000sccm渐变到2000sccm，N2O的流量从6slm渐变到8slm，，得到的氧化铝渐变钝化膜的厚度为10nm。

[0096] 当钝化沉积温度为480度，真空度为2mbar，钝化沉积的时间为400秒，SiH4的流量从900sccm渐变到600sccm，N2O的流量从5slm渐变到8slm，，得到的氮化硅渐变钝化膜的厚度为70nm。

[0097] 本发明一些实施例中，在所述待处理硅片的正面进行的第一减反射处理，以形成厚度小于200nm的第一减反射膜；在在所述待处理硅片的背面进行的第二减反射处理，以形成厚度小于200nm的第二减反射膜。

[0098] 所述第一减反射处理和所述第二减反射处理分别控制第一反应气体的流量为2-10标准升/分钟，第二反应气体的流量为200-2000标准毫升/分钟，补偿气体的流量为0-30标准升/分钟，射频功率为5000-20000瓦，所述炉体32内的反应压力为500-3000微米汞柱，反应温度为400-600℃，沉积时间小于等于15分钟，以分别形成所述第一减反射膜和所述第二减反射膜。

[0099] 具体的，当第一反应气体为氨气，流量为5标准升/分钟；第二反应气体为硅烷，流量为600标准毫升/分钟；补偿气体为氮气，流量为8标准升/分钟，射频功率为13500瓦，反应压力为1000微米汞柱，反应温度为400℃，沉积时间为700秒，所述第一减反射膜是厚度为80nm的氮化硅膜。

[0100] 当第一反应气体为氨气，流量为8标准升/分钟；第二反应气体为硅烷，流量为900标准毫升/分钟；补偿气体为氮气，流量为8标准升/分钟，射频功率为12000瓦，反应压力为1600微米汞柱，反应温度为480℃，沉积时间为480秒，所述第一减反射膜是厚度为80nm的氮化硅膜。

[0101] 当第一反应气体为氨气，流量从7标准升/分钟渐变到8标准升/分钟；第二反应气体为硅烷，流量从900标准毫升/分钟渐变到500标准毫升/分钟；补偿气体为氮气，流量为8标准升/分钟，射频功率为13000瓦，反应压力为1600微米汞柱，反应温度为480℃，沉积时间为400秒，所述第一减反射膜是厚度为70nm的氮化硅膜。

[0102] 虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。