在多射束柱中减少的库仑相互作用转让专利
申请号 : CN201880009523.9
文献号 : CN110313048B
文献日 : 2021-03-12
发明人 : A·D·布罗迪
申请人 : 科磊股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种电子束系统,其包括:电子束源;
多透镜阵列;
射束限制孔径,其界定多个孔,其中所述射束限制孔径安置在所述电子束源与所述多透镜阵列之间,且其中所述射束限制孔径经配置以减少所述电子束源与所述多透镜阵列之间的射束模糊;
在所述多透镜阵列的远离所述电子束源的相对侧上的元件,其中所述元件经配置以调节来自于所述多透镜阵列的细射束的焦点长度;以及磁性透镜,其安置于所述多透镜阵列与所述元件之间。
2.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述射束限制孔径安置在所述电子束源与所述多透镜阵列之间的具有小于1V/mm的场的位置处。
3.根据权利要求2所述的电子束系统,其中所述电子束源与所述多透镜阵列之间的所述位置是无场的。
4.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述射束限制孔径界定所述孔中的至少6个孔。
5.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述电子束源包含发射器、抑制器及提取器。
6.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述射束限制孔径将所述孔界定为各自具有从1μm到100μm的直径。
7.根据权利要求6所述的电子束系统,其中所述孔中的每一者的所述直径是50μm。
8.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述射束限制孔径将所述孔界定为具有从2μm到100μm的间距。
9.根据权利要求8所述的电子束系统,其中所述间距是100μm。
10.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述射束限制孔径由硅、金属或金属合金制作。
11.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述射束限制孔径将所述孔界定为各自是圆形的。
12.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述孔以多边形布置安置在所述射束限制孔径中。
13.一种扫描电子显微镜,其包括根据权利要求1所述的电子束系统。
14.一种电子束的操作方法,所述方法包括:产生所述电子束;
提取所述电子束;
将所述电子束引导穿过界定多个孔的射束限制孔径;
将所述电子束引导穿过相对于所述电子束的投射方向位于所述射束限制孔径下游的多透镜阵列,其中所述射束限制孔径经配置以减少电子束源与所述多透镜阵列之间的射束模糊;
将所述电子束引导穿过相对于所述电子束的所述投射方向位于所述多透镜阵列下游的磁性透镜;以及
将所述电子束引导穿过相对于所述电子束的所述投射方向位于所述磁性透镜下游的元件,其中所述元件经配置以调整来自于所述磁性透镜的细射束的焦点长度。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述电子束位于在所述电子束通过所述射束限制孔径时具有小于1V/mm的场的区域中。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述区域是无场区域。
17.根据权利要求14所述的方法,其中通过所述多透镜阵列的所述电子束被聚焦成
50nm的直径。
18.一种电子束系统,其包括:电子束源,其经配置以产生电子束;
多透镜阵列,其位于晶片上游;
射束限制孔径,其界定多个孔,其中所述射束限制孔径安置在所述电子束源与所述多透镜阵列之间,且其中所述射束限制孔径经配置以减少所述电子束源与所述多透镜阵列之间的射束模糊;
在所述多透镜阵列的远离所述电子束源的相对侧上的元件,其中所述元件经配置以调节来自于所述多透镜阵列的细射束的焦点长度;
磁性透镜,其安置于所述多透镜阵列与所述元件之间;以及检测器,其经配置以检测来自从所述晶片的表面返回的所述电子束的电子。
19.根据权利要求18所述的系统,其中所述射束限制孔径安置在所述电子束源与所述多透镜阵列之间的具有小于1V/mm的场的位置处。
20.根据权利要求19所述的系统,其中所述电子束源与所述多透镜阵列之间的所述位置是无场的。
说明书 :
在多射束柱中减少的库仑相互作用
技术领域
背景技术
电极上的电压确定尖端的顶点处的电场。尖端处的场确定可从尖端提取的电流量。提取器
之后的第二电极或阳极通常用于将射束加速到所要能量。来自发射器的电流分布扩展到几
度。在电子束检验系统中,小于1度的小源接受角可需要高分辨率。在扫描电子显微镜(SEM)
中,喷射孔径通常用于阻挡未使用电子。位于柱下面更远处的第二孔径可充当光瞳孔径,所
述光瞳孔径设定物镜的数值孔径(NA)。此设计仍具有库仑效应的问题。
发明内容
镜阵列之间。所述射束限制孔径经配置以减少所述电子束源与所述多透镜阵列之间的库仑
相互作用。所述射束限制孔径可由硅、金属或金属合金制作。所述电子束源可包含发射器、
抑制器及提取器。
述射束限制孔径可将所述孔界定为具有从2μm到100μm的间距。举例来说,所述间距可为100
μm。所述射束限制孔径可将所述孔界定为各自是圆形的。所述孔可以多边形布置安置在所
述射束限制孔径中。
束的投射方向位于所述射束限制孔径下游的多透镜阵列。所述射束限制孔径经配置以减少
所述电子束源与所述多透镜阵列之间的库仑相互作用。
自从所述晶片的表面返回的所述电子束的电子。所述射束限制孔径安置在所述电子束源与
所述多透镜阵列之间。所述射束限制孔径经配置以减少所述电子束源与所述多透镜阵列之
间的库仑相互作用。
附图说明
具体实施方式
下做出各种结构、逻辑、程序步骤及电子改变。因此,本发明的范围仅参考所附权利要求书
来定义。
以防止充电及/或气体离子化。BLA可帮助减少库仑效应。随着电子行进穿过电子光学柱,电
子如由库仑定律所描述彼此相互作用,此乃因电子是带电粒子。电子柱中的电子的数目与
电子在电子柱花费的时间长度的累积效应决定库仑效应的量值。将BLA引入电子源附近的
射束路径中会移除电子,因此在大多数电子路径中电子光学柱中存在较少电子。由于存在
较少电子,因此可减小库仑效应的量值。
取器102。
从2μm到25μm的厚度,但其它尺寸也是可能的。
围及值。在一例子中,BLA 103界定6个或7个孔105。BLA 103中可包含更多或更少个孔105。
径,包含到0.5μm的所有值及其之间的范围。孔105可相对于电子束的大小稍微过大,使得照
明过度填充MLA 104的光瞳孔径。BLA 103也可充当阻挡部分电子束的屏蔽物。
(用虚线所展示)。
域,可期望接近圆形的图案。
径离开BLA 103。电子束系统100的设计可提供彼此分散开的多个小的细射束108。电子束
107的其余部分由BLA 103阻挡。
射。
束源101的图像,所述图像接着被缩小到晶片上。为对MLA 104进行照明,可需要来自源的大
照明角度。举例来说,此照明角度可高达两度,但其它值也是可能的。
甚至无透镜效应。因此,BLA 103可不聚焦细射束108。无场可意指0V/mm,但可为在其下不会
发生透镜效应的接近0V/mm的其它值。将BLA 103定位于电子束源101与MLA104之间可减少
此区域中的库仑相互作用。如此一来,BLA 103可不充当光学组件,此降低公差要求。在一实
例中,递送到晶片的电子束电流在从大约3nm到10nm的分辨率下可为双倍的、三倍的或四倍
的。
MLA104之间的库仑相互作用。细射束108的分离可通过减少串扰来进一步改进性能。
从6000V到30,000V,且-Vext是-VE加上从3000V到7000V。
子束。图7展示电子束的中间图像。如本文中所揭示,使用BLA会减少库仑模糊,如由图3到7
中的模拟所展示。与在无BLA的情况下的49nm相比,中心电子束模糊从D2080=31nm减少。总
电流从在无BLA的情况下的16.1nA减少到在有BLA的情况下的6.3nA。如这些模拟中所见,
BLA可提供经改进性能,所述经改进性能是在无BLA的情况下的系统的两倍好。
束的输出获取子系统。举例来说,在一个实施例中,被引导到晶片204的能量包含电子,且从
晶片204所检测的能量包含电子。以此方式,能量源可为电子束源202,所述电子束源可包含
如本文中所揭示的电子束系统或与所述电子束系统耦合。在图7中所展示的一个此类实施
例中,输出获取子系统包含耦合到计算机子系统207的电子光学柱201。
203可包含(举例来说)枪透镜、阳极、BLA、MLA、门阀、射束电流选择孔径、物镜及/或扫描子
系统。电子柱201可包含此项技术中已知的任何其它适合元件。虽然仅图解说明一个电子束
源202,但系统200可包含多个电子束源202。
中的相同扫描子系统。电子柱201可包含此项技术中已知的任何其它适合元件。
射。另外,基于电子束的输出获取子系统可经配置以使用多种模式来产生晶片204的图像
(例如,以不同照明角度、收集角度等)。基于电子束的输出获取子系统的多种模式在输出获
取子系统的任何图像产生参数上可不同。
子系统207可经配置以使用检测器206的输出及/或电子束图像来执行其它功能或额外步
骤。
在设计商业输出获取系统时通常所执行。另外,可使用现有系统来实施本文中所描述的系
统(例如,通过将本文中所描述的功能性添加到现有系统)。对于一些此种系统,可提供本文
中所描述的方法作为系统的任选功能性(例如,除系统的其它功能性之外)。
所描述的电子束输出获取子系统可配置为缺陷复检系统。在又一实施例中,系统200是计量
系统。举例来说,本文中所描述的电子束输出获取子系统可配置为计量系统。特定来说,可
修改本文中所描述且图7中所展示的系统200的实施例的一或多个参数以取决于将使用所
述参数的应用而提供不同成像能力。在一个此类实例中,图7中所展示的系统200可经配置
以在其将用于缺陷复检或计量而非用于检验的情况下具有较高分辨率。换句话说,图7中所
展示的系统200的实施例描述系统200的一些一般及各种配置,可以若干种方式来修整系统
200以产生具有或多或少适合用于不同应用的不同成像能力的输出获取子系统。
束检验器或缺陷复检工具、掩模检验器、虚拟检验器或其它装置。以此方式,本文中所描述
的实施例可产生可用于包含(但不限于)晶片检验、掩模检验、电子束检验及复检、计量或其
它应用的多种应用的输出。可基于将产生输出的试样如上文所描述来修改图7中所展示的
系统200的特性。
减少电子束源与多透镜阵列之间的库仑相互作用。电子束可位于在电子束通过BLA时小于
1V/mm的区域或无场区域中。通过MLA的电子束可被聚焦成(举例来说)50nm的直径。
个计算机系统执行,所述一或多个计算机系统可根据本文中所描述的实施例中的任何者而
经配置。另外,可通过本文中所描述的系统实施例中的任何者来执行上文所描述的方法。
释限制。