本发明涉及显示技术领域，公开了一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法，包括初始化阶段：电源电压处于低电位状态，数据信号线处于关断状态或者低电位使有机发光二极管中无电流通过，有机发光二极管不发光；调整阶段：第二薄膜晶体管打开；数据写入阶段：第二节点写入数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管关闭；保持阶段：第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压；驱动阶段：第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，有机发光二极管发光。上述时序控制方法中，通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制，由于通过对电源电压高低电平的控制，减小了延迟时间，提高了有机发光二极管的调节效果。
1.一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法，其特征在于，包括：
进入初始化阶段，电源电压(ELVDD)处于低电位状态，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开，第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)打开，电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管(D1)中无电流通过，有机发光二极管(D1)不发光；
进入调整阶段，所述调整阶段结束时，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，有机发光二极管(D1)不发光，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)打开；
进入数据写入阶段，电源电压(ELVDD)处于低电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，有机发光二极管(D1)不发光，扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开，数据信号线(Data)提供高电位，第二节点(N2)写入数据信号线(Data)提供的电压，第二薄膜晶体管(T2)关闭；
进入保持阶段，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，有机发光二极管(D1)不发光，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压，第二薄膜晶体管(T2)关闭；
进入驱动阶段，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，电源电压(ELVDD)提供高电位，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态，有机发光二极管(D1)发光；
其中，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于扫描控制信号线(Sn)，第一端电性连接于数据信号线(Data)，第二端电性连接于第一节点(N1)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第二节点(N2)，第一端电性连接于第一节点(N1)，第二端电性连接于第三节点(N3)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于扫描控制信号线(Sn)，第一端电性连接于第二节点(N2)，第二端电性连接于第三节点(N3)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于发光信号线(En)，第一端电性连接于电源电压(ELVDD)，第二端电性连接于第一节点(N1)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于发光信号线(En)，第一端电性连接于第三节点(N3)，第二端电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；
电容(C1)的第一端电性连接于第二节点(N2)；第二端电性连接于电源电压(ELVDD)；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的第二端，阴极接地。
第一调整阶段，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态但没有电流通过，此时有机发光二极管(D1)不发光；
第二调整阶段，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，有机发光二极管(D1)不发光，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)打开。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管(T6)和第七薄膜晶体管(T7)时：
上述初始化阶段中，电源电压(ELVDD)处于低电位状态，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开，第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)打开，电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管(D1)中无电流通过、有机发光二极管(D1)不发光；
上述调整阶段中，所述调整阶段结束时，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，有机发光二极管(D1)不发光，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)打开、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)打开；
上述数据写入阶段中，电源电压(ELVDD)处于低电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，扫描控制信号线(Sn)提供低电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开，数据信号线(Data)提供高电位，第六薄膜晶体管(T6)首先处于打开状态，数据信号线(Data)提供的电压经第一薄膜晶体管(T1)、第六薄膜晶体管(T6)及第三薄膜晶体管(T3)写入第二节点(N2)，当第二节点(N2)即第六薄膜晶体管(T6)栅极的电压达到Vdata+Vth6后第六薄膜晶体管(T6)关闭、第二薄膜晶体管(T2)和第七薄膜晶体管(T7)关闭，其中Vth6为第六薄膜晶体管(T6)的阈值电压，Vdata为数据信号(Data)提供的电压；
上述保持阶段中，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，有机发光二极管(D1)不发光，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)的电压保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压，第二薄膜晶体管(T2)关闭、第六薄膜晶体管(T6)和第七薄膜晶体管(T7)关闭；
上述驱动阶段中，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，电源电压(ELVDD)提供高电位，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)处于打开状态，有机发光二极管(D1)发光。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管(T6)和第七薄膜晶体管(T7)时：
第一调整阶段，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)，发光信号线(En)提供低电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)打开，第二薄膜晶体管(T2)中无电流通过，此时有机发光二极管(D1)不发光；
第二调整阶段，电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态，发光信号线(En)提供高电位，第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭，有机发光二极管(D1)不发光，扫描控制信号线(Sn)提供高电位，第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭，第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压，第二薄膜晶体管(T2)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)打开。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述扫描控制信号线(Sn)提供的信号包括大于或等于两个脉冲，且至少包括一个所有行相同时间的脉冲和一个逐行扫描的脉冲。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法。
背景技术
[0002] 如图1所示，现有的一种AMOLED时序控制电路，AMOLED像素驱动电路为7T1C结构，即七个薄膜晶体管加一个电容的结构，包括:第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、第五薄膜晶体管T50、第六薄膜晶体管T60、第七薄膜晶体管T70及电容C10，其中，第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2，第一端电性连接于数据信号线DATA，第二端经由第一节点N10电性连接于第二薄膜晶体管T20的第一端及第四薄膜晶体管T40的第一端；第二薄膜晶体管T20的栅极经电性连接于第二节点N20，第一端电性连接于第一节点N10，第二端电性连接于第三节点N30；第三薄膜晶体管T30的栅极电性连接于第二扫描控制信号线S2，第一端电性连接于第三节点N30，第二端电性连接于第二节点N20及第六薄膜晶体管T60的第一端；第四薄膜晶体管T40栅极电性连接于发光信号线En,第一端电性连接于第一节点N10，第二端电性连接于电源电压ELVDD；第五薄膜晶体管T50栅极电性连接于发光信号线En，第一端电性连接于第三节点N30，第二端电性连接于有机发光二级管D10的阳极及第七薄膜晶体管T70的第二端；第六薄膜晶体管T60的栅极电性连接于第一扫描控制信号线S1，第一端电性连接于第三薄膜晶体管T30的第二端，第二端电性连接于第七薄膜晶体管T70的第一端及参考电压信号线VINT；第七薄膜晶体管T70的栅极连接第二扫描控制信号线S2，第一端电性连接于第六薄膜晶体管T60的第二端及参考电压信号线VINT，第二端电性连接于第五薄膜晶体管T50的第二端及有机发光二级管D10的阳极；电容C10的第一端电性连接于第二节点N20，另一端连接连接于电源电压ELVDD；有机发光二极管D10的阳极电性连接于第五薄膜晶体管T50的第二端及第七薄膜晶体管T70的第二端，阴极接地。
[0003] 上述AMOLED时序控制电路中，通过控制电源电压的通断电实现对有机发光二极管亮暗的调节，但由于对电源电压的通断电过程中，存在延迟时间，对有机发光二极管的调节效果较差。
发明内容
[0004] 本发明提供了一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法，该时序控制方法通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制，由于通过对电源电压高低电平的控制，减小了延迟时间，提高了有机发光二极管的调节效果。
[0005] 为达到上述目的，本发明提供一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法，包括：
[0006] 进入初始化阶段，电源电压处于低电位状态，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，第三节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压，扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开，第二节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管打开，电源电压处于低电位状态、数据信号线处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管中无电流通过，有机发光二极管不发光；
[0007] 进入调整阶段，所述调整阶段结束时，电源电压等于电源负电压或提供高电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，有机发光二极管不发光，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管打开；
[0008] 进入数据写入阶段，电源电压处于低电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，有机发光二极管不发光，扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开，数据信号线提供高电位，第二节点写入数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管关闭；
[0009] 进入保持阶段，电源电压等于电源负电压或提供高电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，有机发光二极管不发光，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管关闭；
[0010] 进入驱动阶段，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，电源电压提供高电位，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，第二薄膜晶体管处于打开状态，有机发光二极管发光。
[0011] 上述AMOLED时序控制电路的时序控制方法中，通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制，由于通过对电源电压高低电平的控制，减小了延迟时间，提高了有机发光二极管的调节效果。
[0012] 优选地，上述调整阶段包括：
[0013] 第一调整阶段，电源电压等于电源负电压，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管处于打开状态但没有电流通过，此时有机发光二极管不发光；
[0014] 第二调整阶段，电源电压等于电源负电压或提供高电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，有机发光二极管不发光，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管打开。
[0015] 优选地，当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管时：
[0016] 上述初始化阶段中，电源电压处于低电位状态，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，第三节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压，扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开，第二节点的电压等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管打开，电源电压处于低电位状态、数据信号线处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管中无电流通过、有机发光二极管不发光；
[0017] 上述调整阶段中，所述调整阶段结束时，电源电压等于电源负电压或提供高电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，有机发光二极管不发光，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管打开、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管打开；
[0018] 上述数据写入阶段中，电源电压处于低电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，扫描控制信号线提供低电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管打开，数据信号线提供高电位，第六薄膜晶体管首先处于打开状态，数据信号线提供的电压经第一薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第三薄膜晶体管写入第二节点，当第二节点即第六薄膜晶体管栅极的电压达到Vdata+Vth6后第六薄膜晶体管关闭、第二薄膜晶体管和第七薄膜晶体管关闭，其中Vth6为第六薄膜晶体管的阈值电压，Vdata为数据信号提供的电压；
[0019] 上述保持阶段中，电源电压等于电源负电压或提供高电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，有机发光二极管不发光，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点的电压保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压，第二薄膜晶体管关闭、第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管关闭；
[0020] 上述驱动阶段中，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，电源电压提供高电位，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管处于打开状态，有机发光二极管发光。
[0021] 优选地，当AMOLED时序控制电路包括第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管时：
[0022] 上述调整阶段包括：
[0023] 第一调整阶段，电源电压等于电源负电压，发光信号线提供低电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管打开，第二薄膜晶体管中无电流通过，此时有机发光二极管不发光；
[0024] 第二调整阶段，电源电压等于电源负电压或提供高电位状态，发光信号线提供高电位，第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管关闭，有机发光二极管不发光，扫描控制信号线提供高电位，第一薄膜晶体管及第三薄膜晶体管关闭，第二节点的电压保持等于有机发光二极管阳极的电压，第二薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管打开。
[0025] 优选地，所述扫描控制信号线提供的信号包括大于或等于两个脉冲，且至少包括一个所有行相同时间的脉冲和一个逐行扫描的脉冲。
[0026] 优选地，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
附图说明
[0027] 图1为现有技术中一种AMOLED时序控制电路；
[0028] 图2为本发明提供的第一种AMOLED时序控制电路；
[0029] 图3为本发明提供的第二种AMOLED时序控制电路；
[0030] 图4为图3所示的AMOLED时序控制电路的时序图；
[0031] 图5为图3所示的AMOLED时序控制电路在初始化阶段的电路图；
[0032] 图6为图3所示的AMOLED时序控制电路在第一调整阶段的电路图；
[0033] 图7为图3所示的AMOLED时序控制电路在第二调整阶段的电路图；
[0034] 图8为图3所示的AMOLED时序控制电路在数据写入阶段的电路图；
[0035] 图9为图3所示的AMOLED时序控制电路在保持阶段的电路图；
[0036] 图10为图3所示的AMOLED时序控制电路在驱动阶段的电路图。
具体实施方式
[0037] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0038] 请参考图2，本发明提供一种AMOLED时序控制电路，包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、电容C1及有机发光二极管D1；
[0039] 第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于扫描控制信号线Sn，第一端电性连接于数据信号线Data，第二端电性连接于第一节点N1；
[0040] 第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接于第二节点N2，第一端电性连接于第一节点N1，第二端电性连接于第三节点N3；
[0041] 第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于扫描控制信号线Sn，第一端电性连接于第二节点N2，第二端电性连接于第三节点N3；
[0042] 第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于发光信号线En，第一端电性连接于电源电压ELVDD，第二端电性连接于第一节点N1；
[0043] 第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于发光信号线En，第一端电性连接于第三节点N3，第二端电性连接于有机发光二极管D1的阳极；
[0044] 电容C1的第一端电性连接于第二节点N2；第二端电性连接于电源电压ELVDD；
[0045] 有机发光二极管D1的阳极电性连接于第五薄膜晶体管T5的第二端，阴极接地；
[0046] 第二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管。
[0047] 上述AMOLED时序控制电路采用5T1C结构，通过第三薄膜晶体管来补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，上述AMOLED时序控制电路减少了扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
[0048] 参考图3，上述AMOLED时序控制电路还包括：
[0049] 设置于第一薄膜晶体管T1第二端与第一节点N1之间的第七薄膜晶体管T7，第七薄膜晶体管T7的栅极电性连接于第二节点N2，第一端电性连接于第一薄膜晶体管T1第二端，第二端电性连接于第一节点N1；
[0050] 设置于第一薄膜晶体管T1第二端与第三薄膜晶体管T3之间的第六薄膜晶体管T6，第六薄膜晶体管T6的栅极电性连接于第二节点N2和电容C1的第一端、且与第二薄膜晶体管T2共栅极，第一端电性连接于第一薄膜晶体管T1第二端，第二端电性连接于第三薄膜晶体管T3的第二端和第三节点N3。
[0051] 上述AMOLED时序控制电路采用7T1C结构，通过对称设置阈值电压相等的第六薄膜晶体管与第二薄膜晶体管来实现补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压的功能，使得流经有机发光二极管的电流与第二薄膜晶体管即驱动晶体管的阈值电压无关；上述AMOLED时序控制电路减少了扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
[0052] 具体地，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。其中，第六薄膜晶体管T6与第二薄膜晶体管T2对称设置，且二者的沟道宽度相同，从而第六薄膜晶体管T6与第二薄膜晶体管T2的阈值电压相等，第六薄膜晶体管T6的阈值电压能够补偿第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的阈值电压，使得流经有机发光二极管的电流与第二薄膜晶体管T2的阈值电压无关。二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管，第六薄膜晶体管T6为镜像薄膜晶体管。
[0053] 具体地，扫描控制信号线Sn的输入端及发光信号线En的输入端均设有用于与外部时序控制器连接的连接端子。扫描控制信号线Sn及发光信号线En均通过外部时序电路提供。
[0054] 本发明还提供一种上述技术方案中任一项AMOLED时序电路的时序控制方法，包括：
[0055] 进入初始化阶段1，电源电压ELVDD处于低电位状态，此时有机发光二极管D1阳极的电压基本等于ELVSS电压-3V；发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，第三节点N3的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压，扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开，第二节点N2的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压即第二节点N2的电压等于-3V，第二薄膜晶体管T2打开，电源电压ELVDD处于低电位状态、数据信号线Data处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管D1中无电流通过，有机发光二极管D1不发光；
[0056] 进入第一调整阶段2，电源电压ELVDD等于电源负电压ELVSS等于-3V，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压即第二节点N2的电压等于-3V，由于电源电压ELVDD处于低电位状态，且第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3处于关闭状态，第二薄膜晶体管T2处于打开状态但没有电流通过，此时有机发光二极管D1不发光；
[0057] 进入第二调整阶段3，电源电压ELVDD等于电源负电压ELVSS即电源电压ELVDD为-3V或提供高电位状态，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5关闭使得有机发光二极管D1无导通路径而不发光，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压即第二节点N2的电压等于-3V，第二薄膜晶体管T2打开。
[0058] 进入数据写入阶段4，电源电压ELVDD处于低电位状态，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5关闭使得有机发光二极管D1无导通路径而不发光，扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开，数据信号线Data提供高电位，第二节点N2写入数据信号线Data提供的电压，第二薄膜晶体管T2关闭；
[0059] 进入保持阶段5，电源电压ELVDD等于电源负电压ELVSS或提供高电位状态，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5关闭使得有机发光二极管D1无导通路径而不发光，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二节点N2保持数据写入阶段写入的数据信号线Data提供的电压，第二薄膜晶体管T2关闭；
[0060] 进入驱动阶段6，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，电源电压ELVDD提供高电位，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，第二薄膜晶体管T2处于打开状态，有机发光二极管D1发光。
[0061] 上述AMOLED时序控制电路的时序控制方法中，通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制，由于通过对电源电压高低电平的控制，减小了延迟时间，提高了有机发光二极管的调节效果。
[0062] 当AMOLED时序控制电路中包括第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7时，本发明提供的时序控制方法包括如下步骤：
[0063] 请同时参阅图4和图5，进入初始化阶段1，电源电压ELVDD处于低电位状态，此时有机发光二极管D1阳极的电压基本等于ELVSS电压-3V；发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，第三节点N3的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压，扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开，第二节点N2的电压等于有机发光二极管D1阳极的电压即第二节点N2的电压等于-3V，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7打开，电源电压ELVDD处于低电位状态、数据信号线Data处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管D1中无电流通过、有机发光二极管D1不发光；
[0064] 请同时参阅图4图6，进入第一调整阶段2，电源电压ELVDD等于电源负电压ELVSS，即电源电压ELVDD等于-3V，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7打开，由于电源电压ELVDD处于低电位状态，第二薄膜晶体管T2中无电流通过，且第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3处于关闭状态，使得有机发光二极管D1不发光；
[0065] 请同时参阅图4图7，进入第二调整阶段3，电源电压ELVDD处于等于电源负电压ELVSS或提供高电位状态，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5关闭使得有机发光二极管D1无导通路径而不发光，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二节点N2的电压保持等于有机发光二极管D1阳极的电压，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7打开。
[0066] 请同时参阅图4和图8，进入数据写入阶段4，电源电压ELVDD处于低电位状态，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5关闭使得有机发光二极管D1无导通路径而不发光，扫描控制信号线Sn提供低电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3打开，数据信号线Data提供高电位，第六薄膜晶体管T6首先处于打开状态，数据信号线Data提供的电压经第一薄膜晶体管T1、第六薄膜晶体管T6及第三薄膜晶体管T3写入第二节点N2，当第二节点N2即第六薄膜晶体管T6栅极的电压达到Vdata+Vth6后第六薄膜晶体管T6关闭、第二薄膜晶体管T2和第七薄膜晶体管T7关闭，其中Vth6为第六薄膜晶体管T6的阈值电压，Vdata为数据信号Data提供的电压；
[0067] 请同时参阅图4和图9，进入保持阶段5，电源电压ELVDD等于电源负电压ELVSS或提供高电位状态，发光信号线En提供高电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5关闭，第五薄膜晶体管T5关闭使得有机发光二极管D1无导通路径而不发光，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，第二节点N2的电压保持数据写入阶段写入的数据信号线Data提供的电压，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7关闭；
[0068] 请同时参阅图4和图10，进入驱动阶段6，扫描控制信号线Sn提供高电位，第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3关闭，电源电压ELVDD提供高电位，发光信号线En提供低电位，第四薄膜晶体管T4及第五薄膜晶体管T5打开，第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7处于打开状态，有机发光二极管D1发光，
[0069] 此时流经有机发光二极管D1的电流为：
[0070] IOLED＝K[VELVDD-Vdata+Vth6－Vth2]^2
[0071] 当T2和T1是共栅镜像关系时，Vth6－Vth2＝0；
[0072] 其中K为薄膜晶体管的结构参数，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定；Vth6为第六薄膜晶体管T6的阈值电压，Vdata为数据信号Data提供的电压；VELVDD为电源电压。
[0073] 由上述分析计算可知，第六薄膜晶体管T6的阈值电压补偿了第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的阈值电压，使得流经有机发光二极管D1的电流与第二薄膜晶体管T2的阈值电压无关。
[0074] 且上述AMOLED时序控制电路及上述时序控制方法减少了扫描信号线和参考电压信号线而减少了面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
[0075] 具体地，扫描控制信号线Sn提供的信号大于或等于两个脉冲，且至少包括一个所有行相同时间的脉冲和一个逐行扫描的脉冲。
[0076] 显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
