阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制造方法

摘要

本发明涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制造方法。所述阵列基板包括：第一衬底(10)；在所述第一衬底(10)上的发光器件(11)，所述发光器件(11)包括沿远离第一衬底(10)的方向上依次设置的第一电极(111)、发光层(112)和第二电极(113)，其中所述第一电极(111)为透明的，所述第二电极(113)为反射的；在所述第一衬底(10)和所述发光器件(11)之间的不透光部(12)，其中，所述发光器件(11)在所述第一衬底(10)上的投影和所述不透光部(12)在所述第一衬底(10)上的投影部分重叠；在所述不透光部(12)和所述发光层(112)之间的反射部件(13)。

权利要求

1.一种阵列基板，包括：

第一衬底；

在所述第一衬底上的发光器件，所述发光器件包括沿远离第一衬底的方向上依次设置的第一电极、发光层和第二电极，其中所述第一电极为透明的，所述第二电极为反射的，其中，所述第二电极包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分在所述第一衬底上的投影与不透光部在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，所述第二部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影不重叠，其中，所述第一部分能够部分透射来自所述发光层的光，并且其中所述第二部分能够反射来自所述发光层的光；

在所述第一衬底和所述发光器件之间的不透光部，其中，所述发光器件在所述第一衬底上的投影和所述不透光部在所述第一衬底上的投影部分重叠；

在所述不透光部和所述发光层之间的反射部件，

其中，所述第一部分和所述第二部分包括相同材料，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度，或者所述第一部分和所述第二部分包括不同材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述反射部件具有朝向所述第一衬底的第一表面和远离所述第一衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一者与所述第一电极接触。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一部分的厚度不超过20nm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二电极的材料包括：镁、银、铝或其混合物。

5.根据权利要求1‑4中任一项所述的阵列基板，其中，所述不透光部包括薄膜晶体管，所述阵列基板还包括：在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦化层；

在所述平坦化层的远离所述第一衬底的表面上的像素定义层，所述像素定义层位于所述第一电极两侧以限定所述阵列基板的像素区。

6.一种显示面板，包括如权利要求1‑5中任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板相对设置的盖板。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述盖板包括第二衬底和设置在所述第二衬底的朝向所述阵列基板的表面上的光检测器，所述光检测器在所述第一衬底上投影与所述第二电极的第一部分在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，其中，所述第一部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，其中，所述第一部分能够部分透射来自所述发光层的光。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述光检测器包括PIN光电转换器件。

9.一种显示装置，包括：

根据权利要求7或8所述的显示面板；

数据处理单元，被配置为根据所述光检测器所检测的所述发光器件的亮度来生成控制信号；

发光控制单元，被配置为根据所述控制信号来调整所述发光器件的发光亮度。

10.一种阵列基板的制造方法，包括：提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成不透光部；

在所述不透光部上形成发光器件和反射部件，其中，所述发光器件在所述第一衬底上的投影和所述不透光部在所述第一衬底上的投影部分重叠，并且其中发光器件包括沿远离第一衬底的方向上依次设置的第一电极、发光层和第二电极，其中所述第一电极为透明的，所述第二电极为反射的，并且其中，所述反射部件位于所述不透光部和所述发光层之间，其中，所述第二电极包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，所述第二部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影不重叠，其中，所述第一部分能够部分透射来自所述发光层的光，并且其中所述第二部分能够部分反射来自所述发光层的光，其中，所述第一部分和所述第二部分包括相同材料，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度，或者所述第一部分和所述第二部分包括不同材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述不透光部上形成发光器件和反射部件包括：在所述不透光部上形成所述第一电极；

在所述第一电极上形成所述反射部件；

在所述反射部件上形成所述发光层；

在所述发光层上形成所述第二电极。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述不透光部上形成发光器件和反射部件包括：在所述不透光部上形成所述反射部件；

在所述反射部件上形成所述第一电极；

在所述第一电极上形成所述发光层；

在所述发光层上形成所述第二电极。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述不透光部上形成发光器件和反射部件包括：在所述不透光部上形成第一电极的第一子层；

在所述第一子层上形成所述反射部件；

在所述反射部件上形成第一电极的第二子层；

在所述第二子层上形成所述发光层；

在所述发光层上形成所述第二电极。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一部分和所述第二部分包括相同材料，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度，形成所述发光器件的第二电极包括：在所述发光层上形成反射导电层，以及

减薄所述第一部分。

15.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述发光器件的第二电极包括：在所述发光层上形成第一反射导电层；

在所述第一反射导电层上形成第二反射导电层，其中，所述第二反射导电层在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影不重叠。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一部分和所述第二部分包括不同材料，形成所述发光器件的第二电极包括：在所述发光层上形成所述第一部分和所述第二部分。

说明书

阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域。具体地，涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制造方法。

背景技术

[0002] OLED显示器件因其轻薄、低功耗、高对比度、高色域等优点，作为下一代显示器被广泛研究并得到应用。相比于液晶显示器件，OLED显示器件的另一个优势是，其不需要背光照明。

发明内容

[0003] 本发明的实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制造方法。

[0004] 根据本发明的实施例的阵列基板包括：

[0005] 第一衬底；

[0006] 在所述第一衬底上的发光器件，所述发光器件包括沿远离第一衬底的方向上依次设置的第一电极、发光层和第二电极，其中所述第一电极为透明的，所述第二电极为反射的；

[0007] 在所述第一衬底和所述发光器件之间的不透光部，其中，所述发光器件在所述第一衬底上的投影和所述不透光部在所述第一衬底上的投影部分重叠；

[0008] 在所述不透光部和所述发光层之间的反射部件。

[0009] 在一些实施例中，所述反射部件具有朝向所述第一衬底的第一表面和远离所述第一衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一者与所述第一电极接触。

[0010] 在一些实施例中，所述反射部件包括反射金属。

[0011] 在一些实施例中，所述第二电极包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，所述第二部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影不重叠，其中，所述第一部分能够部分透射来自所述发光层的光。

[0012] 在一些实施例中，所述第一部分和所述第二部分包括相同材料，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

[0013] 在一些实施例中，所述第一部分和所述第二部分包括不同材料。

[0014] 在一些实施例中，所述第一部分的厚度不超过20nm。

[0015] 在一些实施例中，所述第二电极的材料包括下列的至少一种：镁、银、铝或其混合物。

[0016] 在一些实施例中，所述第一电极包括透明导电材料。

[0017] 在一些实施例中，所述不透光部包括薄膜晶体管，所述阵列基板还包括：

[0018] 在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间的平坦化层；

[0019] 在所述平坦化层的远离所述第一衬底的表面上的像素定义层，所述像素定义层位于所述第一电极两侧以限定所述阵列基板的像素区。

[0020] 本发明的实施例还提供了一种显示面板。所述显示面板包括如上所述的阵列基板和与所述阵列基板相对设置的盖板。

[0021] 在一些实施例中，所述盖板包括第二衬底和设置在所述第二衬底的朝向所述阵列基板的表面上的光检测器，所述光检测器在所述第一衬底上投影与所述第二电极的第一部分在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，其中，所述第一部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，其中，所述第一部分能够部分透射来自所述发光层的光。

[0022] 在一些实施例中，所述光检测器包括PIN光电转换器件。

[0023] 本发明的实施例还提供了一种显示装置。所述显示装置包括：如上所述的显示面板；

[0024] 数据处理单元，被配置为根据所述光检测器所检测的所述发光器件的亮度来生成控制信号；

[0025] 发光控制单元，被配置为根据所述控制信号来调整所述发光器件的发光亮度。

[0026] 本发明的实施例还提供了一种阵列基板的制造方法。所述方法包括：提供第一衬底；

[0027] 在所述第一衬底上形成不透光部；

[0028] 在所述不透光部上形成发光器件和反射部件，其中，所述发光器件在所述第一衬底上的投影和所述不透光部在所述第一衬底上的投影部分重叠，并且其中发光器件包括沿远离第一衬底的方向上依次设置的第一电极、发光层和第二电极，其中所述第一电极为透明的，所述第二电极为反射的，并且其中，所述反射部件位于所述不透光部和所述发光层之间。

[0029] 在一些实施例中，在所述不透光部上形成发光器件和反射部件包括：在所述不透光部上形成所述第一电极；在所述第一电极上形成所述反射部件；在所述反射部件上形成所述发光层；在所述发光层上形成所述第二电极。

[0030] 在一些实施例中，在所述不透光部上形成发光器件和反射部件包括：在所述不透光部上形成所述反射部件；在所述反射部件上形成所述第一电极；在所述第一电极上形成所述发光层；在所述发光层上形成所述第二电极。

[0031] 在一些实施例中，在所述不透光部上形成发光器件和反射部件包括：在所述不透光部上形成所述反射部件；在所述反射部件上形成所述第一电极；在所述第一电极上形成所述发光层；在所述发光层上形成所述第二电极。

[0032] 在一些实施例中，在所述不透光部上形成发光器件和反射部件包括：在所述不透光部上形成第一电极的第一子层；在所述第一子层上形成所述反射部件；在所述反射部件上形成第一电极的第二子层；在所述第二子层上形成所述发光层；在所述发光层上形成所述第二电极。

[0033] 在一些实施例中，所述反射部件包括反射金属。

[0034] 在一些实施例中，形成所述发光器件的第二电极包括：

[0035] 在所述发光层上形成反射导电层，所述反射导电层包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，所述第二部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影不重叠；以及

[0036] 减薄所述第一部分。

[0037] 在一些实施例中，形成所述发光器件的第二电极包括：

[0038] 在所述发光层上形成第一反射导电层；

[0039] 在所述第一反射导电层上形成第二反射导电层，其中，所述第二反射导电层在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影不重叠。

[0040] 在一些实施例中，形成所述发光器件的第二电极包括：在所述发光层上形成第一部分和第二部分，其中所述第一部分和所述第二部分的材料不同，所述第一部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影至少部分重叠，并且其中，所述第二部分在所述第一衬底上的投影与所述不透光部在所述第一衬底上的投影不重叠，其中，所述第一部分能够部分透射来自所述发光层的光。

附图说明

[0041] 为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制，其中：

[0042] 图1为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；

[0043] 图2为根据本发明的实施例的阵列基板的部分光路示意图；

[0044] 图3A‑图3C为根据本发明的实施例的阵列基板的局部示意图；

[0045] 图4为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；

[0046] 图5为根据本发明的实施例的显示面板的示意图；

[0047] 图6为根据本发明的实施例的显示装置的示意图；

[0048] 图7A‑7C为根据本发明的实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；

[0049] 图8A‑8B为根据本发明的实施例的形成发光器件的第二电极的方法的示意图；

[0050] 图9A‑9B为根据本发明的实施例的形成发光器件的第二电极的方法的示意图；

[0051] 图10为根据本发明的实施例的形成发光器件的第二电极的方法的示意图。

具体实施方式

[0052] 为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将接合附图，对本发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，也都属于本发明保护的范围。

[0053] 当介绍本发明的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素。用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。

[0054] 出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及发明。术语“上覆”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之间可存在诸如界面结构的中间要素。术语“接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素，而在两个要素的界面处可以有或者没有其它要素。

[0055] 目前底发射OLED技术已经比较成熟并广泛应用于各类OLED显示屏，但是底发射存在一个显著的问题就是开口率低。例如，OLED像素驱动电路相比LCD复杂的多，像素驱动电路占用的非开口区域较大。

[0056] 此外，在亮度光学补偿方面，一种相关技术为通过外部工业级CCD 来实现像素级的亮度检测，这种方案需要额外搭建一套外部光学补偿系统。一方面精度较差，另一方面只能在显示屏制造阶段进行检测补偿。另一种相关技术为内部光学补偿方案。具体而言，在阵列基板中制作光敏传感器，但这种方案不仅大幅增加了像素电路面积导致像素开口率大幅下降，并且还需要为传感器设计复杂的光路影响光的透过率。

[0057] 图1为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图。如图1所示，根据本发明的实施例的阵列基板包括第一衬底10、在第一衬底10上的发光器件11、在第一衬底10和发光器件11之间的不透光部12。如图1所示，发光器件11包括沿远离第一衬底10的方向上依次设置的第一电极111、发光层112和第二电极113。如图1所示，该阵列基板还包括在不透光部12 和发光层112之间的反射部件13。其中第一电极111可以为透明的，第二电极113可以为反射的。发光器件11在第一衬底10上的投影和不透光部 12在第一衬底10上的投影部分重叠。

[0058] 这里的“不透光部”是指导致发光层所发出的光不能出射的部件。例如，不透光部包含具有用于驱动发光器件的薄膜晶体管等的像素驱动部件。由于像素驱动部件通常为不透光的，其导致对应于像素区域部件的发光层的一部分所发出的光被像素驱动部件遮挡。

[0059] 图2为根据本发明的实施例的阵列基板的部分光路示意图。如图2所示，通过第一电极111和反射部件13的配合，阵列基板的遮光区R1中的发光层112的产生的光能够从阵列基板的透光区R2出射。因此，本发明的实施例的阵列基板能够有效利用发光层112所产生的光。

[0060] 反射部件13具有朝向所述第一衬底10的第一表面S131和远离所述第一衬底10的第二表面S132。该第一表面S131和第二表面S132中的至少一者被与第一电极111接触。

[0061] 图3A‑图3C为根据本发明的实施例的阵列基板的局部示意图。如图3 A所示，反射部件13的第一表面S131与第一电极111接触而第二表面 S132未与第一电极111接触。即，在图3A的实施例中，反射部件13在第一电极111上。如图3B所示，反射部件13的第二表面S132与第一电极111接触而第一表面S131未与第一电极111接触。即，在图3B的实施例中，反射部件13在第一电极111下。如图3C所示，不透光部12的第一表面S121和第二表面S122均与第一电极111接触。即，在图3C的实施例中，反射部件13在第一电极111中。

[0062] 反射部件13可以包括反射材料。例如，反射部件13可以包括下列的至少一种：镁、银、铝或其混合物。第一电极111可以包括透明导电材料。例如，第一电极111可以包括ITO。第二电极113可以包括反射材料。例如，第二电极113的材料包括下列的至少一种：镁、银、铝或其混合物。

[0063] 图4为根据本发明的实施例的阵列基板的示意图。如图4所示，第二电极113可以包括第一部分1131和第二部分1132。第一部分1131在第一衬底10上的投影与不透光部12在第一衬底10上的投影至少部分重叠，并且第一部分1131能够部分透射来自发光层112的光。第二部分1132在第一衬底10上的投影与不透光部12在第一衬底10上的投影不重叠。通过这样的阵列基板，遮光区R1中的发光层所发出的光能够部分地从第二电极 113向上出射。这样的设置利于提供便捷的发光强度检测方案。

[0064] 第一部分1131和第二部分1132可以包括相同材料。第一部分1131的厚度可以小于第二部分1132的厚度。这样的设置可以使得第一部分1131 相比于第二部分1132能够部分透射来自发光层112的光。在一些实施例中，第一部分1131的厚度不超过20nm，对于反射材料而言，如果厚度超过 20nm则会导致光难以透过。在一些实施例中，第一部分1131和第二部分 1132也可以包括不同的材料。

[0065] 如图4所示，根据本发明的实施例的阵列基板还包括在不透光部12 和第一电极111之间的平坦化层14和在平坦化层14的远离第一衬底10 的表面上的像素定义层15。该像素定义层15位于第一电极111两侧以限定阵列基板的像素区PR。不透光部可以包括薄膜晶体管。

[0066] 本发明的实施例还提供了一种显示面板。显示面板可以包括如上所述的阵列基板。

[0067] 图5为根据本发明的实施例的显示面板的示意图。如图5所示，根据本发明的实施例的显示面板2000可以包括阵列基板100。阵列基板可以包括如图1或图4所示的阵列基板。

[0068] 根据本发明的实施例的显示面板还可以包括与阵列基板100相对设置的盖板200。显示面板可以为OLED显示面板。

[0069] 如图5所示，盖板200包括第二衬底20和设置在第二衬底20的朝向阵列基板100的表面上的光检测器21。光检测器21在第一衬底10上投影与第二电极113的第一部分1131在第一衬底10上的投影至少部分重叠。第一部分1131在第一衬底10上的投影与不透光部12在第一衬底10上的投影至少部分重叠。该第一部分1131能够部分透射来自发光层112的光。通过这样的设置，光检测器21可以检测通过第一部分1131出射的来自发光层112的光。光检测器21可以包括PIN光电转换器件。

[0070] 图6为根据本发明的实施例的显示装置的示意图。如图6所示，根据本发明的实施例的显示装置7000包括显示面板701、数据处理单元702、发光控制单元703。数据处理单元702被配置为根据光检测器所检测的发光器件的亮度来生成控制信号。发光控制单元703被配置为根据控制信号来调整发光器件的发光亮度。

[0071] 显示面板701可以为上述的显示面板。例如，显示面板701可以包括如图5所示的显示面板。数据处理单元702和发光控制单元703可以实现为处理器和存储器的组合，其中处理器执行存储器中存储的程序以实现相应单元或模块的功能。数据处理单元702和发光控制单元703单元也可以完全的硬件实施方式实现，包括专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)等。

[0072] 图7A‑7C为根据本发明的实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图。在图7A‑7C所示的实施例中，阵列基板的制造方法包括：

[0073] S1、如图7A所示，提供第一衬底10；

[0074] S3、如图7B所示，在第一衬底10上形成不透光部12；

[0075] S5、如图7C所示，在不透光部12上形成发光器件11和反射部件13。发光器件11在第一衬底10上的投影和不透光部12在第一衬底10上的投影部分重叠。发光器件11包括沿远离第一衬底10的方向上依次设置的第一电极111、发光层112和第二电极113。第一电极111为透明的，第二电极113为反射的。反射部件13位于不透光部12和发光层112之间。

[0076] 在一些实施例中，在不透光部12上形成发光器件11和反射部件13 包括：S511、在不透光部12上形成所述第一电极111；S531、在第一电极 111上形成反射部件13；S551、在反射部件13上形成发光层112；S571、在发光层112上形成所述第二电极113。在这样的实施例中，反射部件13 被形成在第一电极111上(参见图3A)。

[0077] 在一些实施例中，在不透光部12上形成发光器件11和反射部件13 包括：S512、在不透光部12上形成反射部件13；S532、在反射部件13上形成第一电极111；S552、在第一电极111上形成发光层112；S572、在发光层112上形成第二电极113。在这样的实施例中，反射部件13被形成在第一电极111下(参见图3B)。

[0078] 在一些实施例中，在不透光部12上形成发光器件11和反射部件13 包括：S503、在不透光部12上形成第一电极111的第一子层1111；S523、在第一子层1111上形成反射部件13；S543、在反射部件13上形成第一电极111的第二子层1112；S563、在第二子层1112上形成发光层112；S583、在发光层112上形成第二电极113。在这样的实施例中，反射部件13在第一电极111中(参见图3C)。

[0079] 根据本公开的实施例，可以采用磁控溅射法来形成反射部件13。反射部件13可以包括反射材料。例如，反射部件13可以包括：镁、银、铝或其混合物。

[0080] 根据本公开的实施例，可以采用磁控溅射法来形成第一电极111。第一电极111可以包括透明导电材料。例如，第一电极111可以包括ITO。

[0081] 根据本公开的实施例，可以采用蒸镀法来形成第二电极113。第二电极113可以包括具有较高反射率的材料。例如，第二电极113的材料可以包括：镁、银、铝或其混合物。

[0082] 图8A‑8B为根据本发明的实施例的形成发光器件的第二电极的方法的示意图。如图8A‑8B所示，根据本发明的实施例的形成发光器件11的第二电极113的方法包括：

[0083] S10、如图8A所示，在发光层112上形成反射导电层113’。该反射导电层113’包括第一部分1131和第二部分1132。第一部分1131在第一衬底 10上的投影与不透光部12在第一衬底10上的投影至少部分重叠。第二部分1132在第一衬底10上的投影与不透光部12在第一衬底10上的投影不重叠；以及

[0084] S12、如图8B所示，减薄第一部分1131。通过减薄第一部分1131的一部分，使得第一部分1131的厚度小于第二部分1132的厚度。这样的设置可以使得第一部分1131能够部分透射来自发光层112的光并且第二部分 1132反射来自发光层112的光。在一些实施例中，第一部分1131的厚度不超过20nm。第一部分1131的厚度若超过20nm则会导致第一部分1131 的透光率不佳。

[0085] 图9A‑9B为根据本发明的实施例的形成发光器件的第二电极的方法的示意图。如图9A‑9B所示，根据本发明的实施例的形成发光器件11的第二电极113的方法包括：

[0086] S20、如图9A所示，在发光层上形成第一反射导电层113a。

[0087] S22、如图9B所示，在第一反射导电层层113a上形成第二反射导电层113b以形成第二电极113。该第二反射导电层113b在第一衬底10上的投影与不透光部12在第一衬底10上的投影不重叠。

[0088] 图10为根据本发明的实施例的形成发光器件的第二电极的方法的示意图。如图10所示，根据本发明的实施例的形成发光器件11的第二电极 113的方法包括：

[0089] S30、在发光层112上形成第二电极的第一部分1131和第二部分1132，其中第一部分1131和第二部分1132的材料不同，第一部分1131在第一衬底10上的投影与不透光部12在第一衬底10上的投影至少部分重叠，并且其中，第二部分1132在第一衬底10上的投影与不透光部12在第一衬底 10上的投影不重叠，其中，第一部分1131能够部分透射来自发光层112 的光。在图10所示的实施例中，第一部分1131和第二部分1132的厚度可以相同或不同。

[0090] 本发明的实施例提供的显示装置可以为：显示面板、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

[0091] 已经描述了某特定实施例，这些实施例仅通过举例的方式展现，而且不旨在限制本发明的范围。事实上，本文所描述的新颖实施例可以以各种其它形式来实施；此外，可在不脱离本发明的精神下，做出以本文所描述的实施例的形式的各种省略、替代和改变。所附权利要求以及它们的等价物旨在覆盖落在本发明范围和精神内的此类形式或者修改。