磁盘用基板和磁盘

摘要

磁盘用基板具备：具有两个主表面的基板主体；和设置于上述主表面的、损耗系数的值为0.1以上的材料的膜。包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，设置于上述主表面的上述膜的厚度D(mm)与包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T(mm)满足D≥0.0082/T－0.0015的关系。

权利要求

1.一种磁盘用基板，其特征在于，所述磁盘用基板具备：

具有两个主表面的基板主体；和设置于所述主表面的、损耗系数的值为0.01以上的金属材料的膜，包含所述膜的所述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，设置于所述主表面的所述膜的合计的厚度D与包含所述膜的所述磁盘用基板的厚度T满足下述式(1)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0082/T－0.0015…··(1)，所述膜按照覆盖所述基板的整个面的方式进行设置，所述基板的端面处的所述膜的膜厚厚于所述主表面处的所述膜的膜厚，按照所述端面处的膜厚达到所述主表面处的膜厚的110％以上的方式设置有所述膜。

2.一种磁盘用基板，其特征在于，所述磁盘用基板具备：

具有两个主表面的基板主体；和设置于所述主表面的、损耗系数的值为0.01以上的金属材料的膜，包含所述膜的所述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，设置于所述主表面的所述膜的合计的厚度D与包含所述膜的所述磁盘用基板的厚度T满足下述式(1)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0082/T－0.0015…··(1)，所述膜形成于所述基板主体的主表面和外周端面，所述基板主体的形成与所述膜的界面的外周端面的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz为

0.5μm以上。

3.一种磁盘用基板，其特征在于，所述磁盘用基板具备：

具有两个主表面的基板主体；和设置于所述主表面的、损耗系数的值为0.01以上的金属材料的膜，包含所述膜的所述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，设置于所述主表面的所述膜的合计的厚度D与包含所述膜的所述磁盘用基板的厚度T满足下述式(1)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0082/T－0.0015…··(1)，所述膜形成于所述基板主体的主表面和外周端面，所述磁盘用基板的外周端面处的所述膜的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz小于所述基板主体的外周端面处的所述基板主体的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz。

4.如权利要求1所述的磁盘用基板，其中，所述膜形成于所述基板主体的主表面和外周端面，所述磁盘用基板的外周端面处的所述膜的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz小于所述基板主体的外周端面处的所述基板主体的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz。

5.如权利要求3所述的磁盘用基板，其中，所述膜形成于所述基板主体的主表面和外周端面，所述基板主体的形成与所述膜的界面的外周端面的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz为

0.5μm以上。

6.如权利要求2所述的磁盘用基板，其中，所述膜按照覆盖所述基板的整个面的方式进行设置，所述基板的端面处的所述膜的膜厚厚于所述主表面处的所述膜的膜厚，按照所述端面处的膜厚达到所述主表面处的膜厚的110％以上的方式设置有所述膜。

7.如权利要求5所述的磁盘用基板，其中，所述膜按照覆盖所述基板的整个面的方式进行设置，所述基板的端面处的所述膜的膜厚厚于所述主表面处的所述膜的膜厚，按照所述端面处的膜厚达到所述主表面处的膜厚的110％以上的方式设置有所述膜。

8.如权利要求1所述的磁盘用基板，其中，所述膜的厚度D与包含所述膜的所述基板的厚度T满足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0094/T…··(2)。

9.如权利要求2所述的磁盘用基板，其中，所述膜的厚度D与包含所述膜的所述基板的厚度T满足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0094/T…··(2)。

10.如权利要求3所述的磁盘用基板，其中，所述膜的厚度D与包含所述膜的所述基板的厚度T满足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0094/T…··(2)。

11.如权利要求4所述的磁盘用基板，其中，所述膜的厚度D与包含所述膜的所述基板的厚度T满足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0094/T…··(2)。

12.如权利要求5所述的磁盘用基板，其中，所述膜的厚度D与包含所述膜的所述基板的厚度T满足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0094/T…··(2)。

13.如权利要求6所述的磁盘用基板，其中，所述膜的厚度D与包含所述膜的所述基板的厚度T满足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0094/T…··(2)。

14.如权利要求7所述的磁盘用基板，其中，所述膜的厚度D与包含所述膜的所述基板的厚度T满足下述式(2)，其中，所述厚度D和所述厚度T的单位为mm，D≥0.0094/T…··(2)。

15.如权利要求1～14中任一项所述的磁盘用基板，其特征在于，所述磁盘用基板是外径为90mm以上的圆盘形状，包含所述膜的所述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，按照下述方式设置有所述膜，即，在固定了所述基板的内周部的状态下沿所述主表面的法线方向以2msec提供120G的冲击时，所述基板的外周端部的板厚方向的振动所致的位移量达到0.2mm以上的次数为4次以下。

16.如权利要求1～14中任一项所述的磁盘用基板，其中，所述基板的厚度T为0.640mm以下。

17.如权利要求15所述的磁盘用基板，其中，所述基板的厚度T为0.640mm以下。

18.如权利要求1～14中任一项所述的磁盘用基板，其中，所述基板的厚度T为0.520mm以下。

19.如权利要求15所述的磁盘用基板，其中，所述基板的厚度T为0.520mm以下。

20.如权利要求1～14中任一项所述的磁盘用基板，其中，所述膜的维氏硬度Hv为2

100kgf/mm以上。

2

21.如权利要求15所述的磁盘用基板，其中，所述膜的维氏硬度Hv为100kgf/mm以上。

2

22.如权利要求16所述的磁盘用基板，其中，所述膜的维氏硬度Hv为100kgf/mm以上。

2

23.如权利要求17所述的磁盘用基板，其中，所述膜的维氏硬度Hv为100kgf/mm以上。

2

24.如权利要求18所述的磁盘用基板，其中，所述膜的维氏硬度Hv为100kgf/mm以上。

2

25.如权利要求19所述的磁盘用基板，其中，所述膜的维氏硬度Hv为100kgf/mm以上。

26.如权利要求1～14中任一项所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

27.如权利要求15所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

28.如权利要求16所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

29.如权利要求17所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

30.如权利要求18所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

31.如权利要求19所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

32.如权利要求20所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

33.如权利要求21所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

34.如权利要求22所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

35.如权利要求23所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

36.如权利要求24所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

37.如权利要求25所述的磁盘用基板，其中，所述膜的金属材料包含Ni‑P合金。

38.一种磁盘，其在权利要求1～37中任一项所述的磁盘用基板的表面至少具有磁性膜。

说明书

磁盘用基板和磁盘

技术领域

[0001] 本发明涉及磁盘用基板和磁盘。

背景技术

[0002] 一直以来，使用玻璃基板或铝合金基板作为磁盘用基板。在这些基板中，磁性膜形成于基板主表面，从而形成磁盘基板。对于磁盘而言，希望表面缺陷少、信息的读取写入没
有障碍、能够进行大量信息的读取写入。

[0003] 例如，在使用铝合金基板作为磁盘用非磁性基板的情况下，已知下述的磁记录介质用Al合金基板：在铝合金基板的表面进行NiP镀覆，此时，为了抑制镀覆后的表面缺陷，通
过物理蒸镀在基板表面形成了金属覆膜(专利文献1)。

[0004] 现有技术文献

[0005] 专利文献

[0006] 专利文献1：日本特开2006‑302358号公报

发明内容

[0007] 发明所要解决的课题

[0008] 对于上述磁记录介质用Al合金基板而言，认为能够减少形成于该基板的NiP镀覆后的表面缺陷。由此，信息的读取写入没有障碍，可以提供能够进行大量信息的读取写入的
磁盘。

[0009] 另外，近年来，在硬盘驱动器行业，磁盘中的磁性颗粒的微细化接近极限，以往的记录密度的提高速度出现衰退迹象。另一方面，由于大数据分析等原因，对于硬盘驱动装置
(下文中也称为HDD)的存储容量增大的要求愈发强烈。因此，正在研究增加搭载于1台硬盘
驱动装置的磁盘的片数。

[0010] 通过增大组装到硬盘驱动装置中的磁盘的片数而实现存储容量增大的情况下，需要在磁盘驱动装置内的有限空间内减薄磁盘的厚度中占大部分的磁盘用基板的厚度。

[0011] 此处，可知：若减薄磁盘用基板的厚度，则基板的刚性降低，容易产生大的振动，同时该振动有时难以平息。例如，在用于云的数据中心使用了极大量的硬盘驱动装置，因此频
繁地进行与故障相伴的硬盘驱动装置的更换。此时可知：由于新的硬盘驱动装置安装到机
架时的冲击而会产生故障，或者至产生故障的时间缩短。进一步详细调查的结果可知：在硬
盘驱动装置由外部受到冲击时，由于电源尚未供给到硬盘驱动装置，因此磁盘尽管未旋转
也会受到损害。

[0012] 这样由来自外部的冲击所产生的振动不同于由旋转的磁盘和其周围的空气流动所产生的稳定旋转状态下产生的稳定状态的颤振，其随时间而衰减。但是，若该振动的振幅
大，则由于磁头从磁盘上躲避，接触以在磁盘的主表面上突出的方式设置的灯构件，灯构件
被削去等而产生颗粒，进而根据情况，磁盘的表面会产生划痕或缺陷。特别是，在大的振动
不衰减、与外部构件的接触次数增多的情况下，在磁盘未旋转的状况下在磁盘上的相同位
置发生反复接触，因此更容易产生磁盘表面的颗粒、划痕或缺陷。目前状况下，例如标称3.5
英寸尺寸的磁盘用基板的厚度厚达0.8mm以上，因此难以产生由来自外部的冲击所产生的
振动成为问题的振幅。另外，由于硬盘驱动装置的磁盘的搭载片数少至6片以下，因此磁盘
与灯的距离(间隙)比较大。因此，磁盘与灯接触的情况少。但是，今后若为了增大硬盘驱动
装置的存储容量等而将磁盘用基板的厚度减薄，则以往未产生问题的来自外部的冲击所致
的振动和与之相伴产生的与灯构件等其他构件的接触、进而与接触相伴产生的颗粒或磁盘
的划痕及凹陷等变得无法忽视。

[0013] 因此，本发明的目的在于提供一种磁盘用基板和磁盘，其中，即便基板的厚度变薄，也能有效地减少因由外部受到的冲击而产生的与颤振不同的磁盘的振动而使磁盘与外
部构件接触的次数。

[0014] 用于解决课题的手段

[0015] 本发明的一个方式为磁盘用基板。该基板具备：

[0016] 具有两个主表面的基板主体；和

[0017] 设置于上述主表面的、损耗系数的值为0.01以上的金属材料的膜。

[0018] 包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，

[0019] 设置于上述主表面的上述膜的厚度D[mm]与包含上述膜的上述基板的厚度T[mm]满足下述式(1)。

[0020] D≥0.0082/T－0.0015·····(1)，

[0021] 上述膜按照覆盖上述基板的整个面的方式进行设置，

[0022] 上述基板的端面处的上述膜的膜厚厚于上述主表面处的上述膜的膜厚，

[0023] 按照上述端面处的膜厚达到上述主表面处的膜厚的110％以上的方式设置有上述膜。

[0024] 另外，本发明的另一方式为磁盘用基板。该基板具备：

[0025] 具有两个主表面的基板主体；和

[0026] 设置于上述主表面的、损耗系数的值为0.01以上的金属材料的膜，

[0027] 包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，

[0028] 设置于上述主表面的上述膜的合计的厚度D与包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T满足下述式(1)，其中，上述厚度D和上述厚度T的单位为mm，

[0029] D≥0.0082/T－0.0015·····(1)，

[0030] 上述膜形成于上述基板主体的主表面和外周端面，

[0031] 上述基板主体的形成与上述膜的界面的外周端面的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz为0.5μm以上。

[0032] 此外，本发明的另一方式为磁盘用基板。该基板具备：

[0033] 具有两个主表面的基板主体；和

[0034] 设置于上述主表面的、损耗系数的值为0.01以上的金属材料的膜，

[0035] 包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，

[0036] 设置于上述主表面的上述膜的合计的厚度D与包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T满足下述式(1)，其中，上述厚度D和上述厚度T的单位为mm，

[0037] D≥0.0082/T－0.0015·····(1)，

[0038] 上述膜形成于上述基板主体的主表面和外周端面，

[0039] 上述磁盘用非磁性基板的外周端面处的上述膜的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz小于上述基板主体的外周端面处的上述基板主体的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz。

[0040] 优选：上述膜的厚度D[mm]与包含上述膜的上述基板的厚度T[mm]满足下述式(2)。

[0041] D≥0.0094/T·····(2)

[0042] 优选：上述磁盘用基板为圆盘形状，

[0043] 上述圆盘形状的外径为90mm以上。

[0044] 优选：上述磁盘用基板是外径为90mm以上的圆盘形状，

[0045] 包含上述膜的上述磁盘用基板的厚度T为0.700mm以下，

[0046] 按照下述方式设置有上述膜，即，在固定了上述基板的内周部的状态下沿上述主表面的法线方向以2[msec]提供120[G]的冲击时，上述基板的外周端部的板厚方向(基板的
主表面的法线方向)的振动所致的位移量达到0.2mm以上的次数为4次以下。

[0047] 此处，关于上述基板主体(不存在膜的构成的磁盘用基板)，对上述磁盘用基板提供上述冲击时，上述基板的外周端部的板厚方向的振动所致的位移量达到0.2mm以上的次
数也可以超过4次。

[0048] 优选：上述膜按照覆盖上述基板的整个面的方式进行设置，

[0049] 上述基板的端面的上述膜的膜厚厚于上述主表面的上述膜的膜厚，

[0050] 按照上述端面的膜厚达到上述主表面的膜厚的110％以上的方式设置有上述膜。

[0051] 优选：上述基板的厚度T为0.640mm以下。

[0052] 优选：上述基板的厚度T为0.520mm以下。

[0053] 优选：上述膜的维氏硬度Hv为100[kgf/mm2]以上。

[0054] 优选：上述膜的材料包含Ni‑P合金。

[0055] 优选：上述膜形成于上述基板主体的主表面和外周端面，

[0056] 上述基板主体的形成与上述膜的界面的外周端面的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz为0.5μm以上。

[0057] 优选：上述膜形成于上述基板主体的主表面和外周端面，

[0058] 上述磁盘用基板的外周端面的上述膜的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz小于上述基板主体的外周端面的上述基板主体的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz。

[0059] 本发明的另一方式为一种磁盘，其在上述磁盘用基板的表面至少具有磁性膜。

[0060] 发明的效果

[0061] 通过上述磁盘用基板和磁盘，即便磁盘用基板的厚度变薄，也能有效地减少因由外部受到的冲击而产生的与颤振不同的磁盘的振动而使磁盘与外部构件接触的次数。

附图说明

[0062] 图1是示出本实施方式的磁盘用基板的外观形状的一例的图。

[0063] 图2是说明本实施方式的磁盘用基板的端部和膜的一例的图。

[0064] 图3是示出本实施方式的磁盘用基板的振动的一例的图。

[0065] 图4是说明本实施方式的磁盘用基板的厚度T[mm]与厚度D[mm]的范围的图。

具体实施方式

[0066] 以下，对本发明的磁盘用基板进行详细说明。需要说明的是，在下述说明中，使用磁盘用玻璃基板进行说明，但除了玻璃基板以外，磁盘用基板的基板主体也可以为非磁性
的金属制基板。即，基板主体为由玻璃或金属构成的非磁性基板。

[0067] 作为玻璃基板的材料，可以使用铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等。尤其是从能够根据需要实施化学强化并且能够制作主表面的平坦度和基板的强度优异的磁盘
用玻璃基板的方面考虑，可以适宜使用无定形的铝硅酸盐玻璃。

[0068] 作为金属制基板的材料，可以使用例如铝合金、钛合金以及Si单晶等。在铝合金的情况下，可以包含镁作为成分。铝合金等的金属制基板通常与玻璃基板相比杨氏模量低，因
而容易因外部冲击的影响使得振动变大。因此，通过将金属制基板应用于本发明，可获得特
别大的改善效果，因而优选应用金属制基板。

[0069] 图1是示出本实施方式的磁盘用基板的外观形状的图。如图1所示，本实施方式中的磁盘用基板1(下文中简称为基板1)是形成有内孔2的圆盘状的薄板的基板。基板1的尺寸
不限，基板1例如可以适宜用于标称直径2.5英寸或3.5英寸的磁盘用基板。在标称直径3.5
英寸的磁盘用基板的情况下，圆盘形状的外径(直径)优选为90mm以上。具体而言，圆盘形状
的外径的标称值能够为95mm或97mm。即便是这种大的圆盘形状，通过在主表面形成后述的
膜，也能减少由磁盘的振动引起的颗粒、划痕或凹陷的产生。另外，圆盘形状的外径(直径)
的上限例如为100mm。一般的3.5英寸型HDD(能够搭载于一般的电脑机箱的3.5英寸机架的
尺寸)的宽度为101.6mm，因此，若超过100mm则有可能无法获得足够的壁的厚度。需要说明
的是，基板1的外径越大，则与颤振不同的由来自外部的冲击所产生的磁盘的振动越大，与
之相伴，越难以衰减。因此，基板1的外径越大，则越能发挥出后述的本实施方式的效果，故
优选。即，本实施方式的磁盘用基板特别优选面向标称3.5英寸以上的尺寸的磁盘用基板。

[0070] 图2是说明基板1的端部和膜的一例的图。如图2所示，基板1具有基板主体3和膜4。

[0071] 基板主体3具有：一对主表面3a；沿着与一对主表面3a正交的方向配置的侧壁面3b；和配置于一对主表面3a与侧壁面3b之间的一对倒角面3c。侧壁面3b和倒角面3c形成于
基板1的外周侧的端部和内周侧的端部。

[0072] 基板主体3使用玻璃的情况下，基板主体3的玻璃组成例如以摩尔％表示计包含55％～78％的SiO2、0.1％～1％的Li2O、2％～15％的Na2O、合计为10％～25％的MgO、CaO、
SrO和BaO，CaO的含量相对于MgO、CaO、SrO和BaO的总含量的摩尔比(CaO/(MgO+CaO+SrO+
BaO))可以为0.20以下。将该玻璃称为玻璃1。

[0073] 另外，基板主体3的玻璃例如也可以为下述无定形的氧化物玻璃，以摩尔％表示计，含有45％～68％的SiO2、5％～20％的Al2O3、总含量(SiO2+Al2O3)为60％～80％的SiO2和
Al2O3、0～5％的B2O3、3％～28％的MgO、0～18％的CaO，BaO和SrO的总含量(BaO+SrO)为0～
2％，碱土金属氧化物的总含量(MgO+CaO+SrO+BaO)为12％～30％，碱金属氧化物的总含量
(Li2O+Na2O+K2O)为3.5％～15％，包含选自由Sn氧化物和Ce氧化物组成的组中的至少一种，
Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.05％～2.00％。将该玻璃称为玻璃2。

[0074] 如图2所示，在基板主体3的整个面、即主表面3a、侧壁面3b以及倒角面3c设有膜4。膜4可提高基板1的防振特性。

[0075] 膜4是损耗系数的值为0.01以上的材料的膜。膜由金属材料构成。

[0076] 膜4的金属材料是损耗系数高于基板主体3的材料的材料。损耗系数的值是室温、例如25℃的值。下文中，损耗系数为室温下的值。

[0077] 此处，膜4的损耗系数如下求出：将基板主体3以及在基板主体3形成有膜4的基板1分别作为试验试样，通过振动试验求出试验试样的共振频率和共振频率下的半峰宽。在振
动试验中，例如可以使用Nihon Techno‑Plus公司制造的“自由共振式杨氏模量、刚性率和
内部摩擦测定装置(JE系列)”。由振动试验中得到的试验试样的共振频率和半峰宽求出试
验试样的损耗系数。此外，例如根据下述所示的已知公式，可以由基板1的共振频率和损耗
系数、基板主体3的共振频率、基板主体3的厚度与膜4的厚度之比、基板主体3的材料的密度
与膜4的金属材料的密度之比计算出膜4的损耗系数。

[0078] 将基板1的共振频率和损耗系数分别设为f1、η1，将基板主体3的共振频率设为f3，将膜4的总厚度相对于基板主体3的厚度之比设为a，将膜4的金属材料的密度相对于基板主
2
体3的材料的密度之比设为b时，设α＝(f1/f3)·(1+a·b)，膜4的损耗系数η4可以表示为η4
＝α/(α‑1)·η1。

[0079] 作为具有这种膜4的特性(损耗系数)的材料，可以适宜使用包含Ni和P的Ni‑P合金。在Ni‑P合金的情况下，为了成为非磁性，只要含有P即可。例如，可以使P的含量为5质
量％～15质量％。另外，作为膜4的金属材料，可以使用Mg合金、Al‑Zn合金、Mg‑Zr合金等。需
要说明的是，作为成膜方法，可以使用例如溅射法、非电解镀覆法、电解镀覆法等。从这些方
法中适宜选择即可。

[0080] 包含基板主体3和膜4的基板1的厚度T为0.700mm以下。

[0081] 此外，设置于主表面3a的膜4的厚度D[mm]与包含膜4的基板1的厚度T[mm]满足下述式(1)。需要说明的是，膜4的厚度优选不因主表面的部位而变化，在主表面是恒定的。

[0082] D≥0.0082/T－0.0015·····(1)

[0083] 这种基板1具有0.700mm以下的厚度，因此基板1容易因来自外部的冲击等而产生振动，但即便产生了上述振动，由于基板主体3的主表面3a上形成有膜4，因此能够在初期使
上述振动衰减。此外，膜4无缝隙地覆盖包含端面的金属主体1的整个周围时，上述振动的抑
制程度变得特别高，故优选。另外，该情况下，更优选膜4比基板主体3更硬质。另外，进一步
优选在基板主体3的两侧的主表面3a形成的膜4的厚度D1和D2同等。这种情况下，难以形成
局部大幅变形的振动模式，振动的抑制程度进一步提高。因此，能够减小例如与灯构件或相
邻位置的磁盘的接触次数。

[0084] 需要说明的是，本实施方式中，在两侧的主表面3a分别形成膜4，本实施方式也包括仅在一个主表面3a形成膜4的构成。这种情况下，膜4的厚度D是形成于一个主表面3a的膜
4的厚度。

[0085] 在基板1形成磁性膜而制作的磁盘在硬盘驱动装置内、在内孔2的附近的主表面与硬盘驱动装置的轴被固定。例如，为了更换而将新的硬盘驱动装置安装于机架时、或为了将
机架内的硬盘驱动装置移动到其他位置而取下时等，伴随着这些操作，硬盘驱动装置有时
会受到来自外部的冲击。由于这种冲击，发生基板1的主表面3a沿主表面3a的法线方向(基
板1的厚度方向)位移的振动。该位移在主表面的外周端面达到最大。另外，该振动不同于由
旋转的磁盘和其周围的空气流动所产生的稳定旋转状态下产生的稳定状态的颤振，如图3
所示，是随时间而衰减的振动。图3是示出基板1的外周端部的主表面的法线方向的振动的
一例的图。

[0086] 这种振动在磁盘旋转的情况下、静止的情况下均发生。因此，该振动长时间持续，由基板1形成的磁盘在硬盘驱动装置内接触灯构件而在磁盘的表面产生颗粒、划痕或凹陷，
这是不优选的，进而由于该接触，还可能使灯构件削去等，从而产生颗粒。特别是，在静止的
磁盘振动而与灯构件接触的情况下，磁盘的相同部位与灯构件多次接触，因而产生颗粒、划
痕或凹陷的情况容易增多。

[0087] 但是，基板1是由损耗系数的值为0.01以上的金属材料构成的膜4，膜4的厚度D(＝D1+D2)[mm]与基板主体3的厚度T[mm]处于D≥0.0082/T－0.0015的关系。厚度T越薄，则振
动引起的振幅越大、同时振幅越难以衰减，但可以确定厚度D的下限而确保厚度D，因此能够
在初期使基板1的振动衰减。膜4的损耗系数的值优选为0.02以上。另一方面，对膜4中的损
耗系数的值的上限没有特别限定，但损耗系数的值过大的材料有时为金属材料中的晶体容
易破坏的软材料。在膜4的硬度过低的情况下，制成磁盘后表面容易产生划痕，有可能引起
HDD的压碎。因此，从能够使用实用性的金属材料的方面考虑，例如优选为0.3以下。

[0088] 厚度D小于0.0082/T－0.0015时，膜4的厚度D相对于基板主体3的厚度T不足够厚，因此难以在初期使基板1中的振动衰减，除此以外，膜4也无法减小主表面3a的振动的初期
的振幅。通过使厚度D为0.0082/T－0.0015以上，覆盖主表面3a的膜4的厚度变得充分，因此
能够在初期使基板1中的振动衰减，同时能够将振动的初期的振幅抑制为较小。由此，即便
基板的厚度变薄，也能有效地减少因磁盘的振动而使磁盘与灯构件等外部构成接触的次
数。此外，厚度D优选为0.0094/T以上。通过使厚度D为0.0094/T以上，减少磁盘与外部构成
接触的次数的效果进一步增大，HDD起动后的故障发生概率降低，故优选。

[0089] 需要说明的是，基板1在介质工序中形成磁性膜等，任意的一个表面的该磁性膜等的膜厚合计为0.1μm以下，因此可以忽视本说明书中作为问题的对振动的影响。即，即便是
制成磁盘后，与基板1的振动特性也相同。

[0090] 图4是说明本实施方式的基板1的厚度T[mm]与厚度D[mm]的范围的图。本实施方式中的范围是相对于图4中的实线曲线以箭头标记的上方的区域。这样，厚度T越薄则厚度D的
下限越厚。

[0091] 膜4即使仅设置于主表面3a而不设置于侧壁面3b和倒角面3c，也可发挥上述效果，但如图2所示，膜4优选按照覆盖基板1的整个面的方式进行设置，即，除了设置于主表面3a
以外还连续地设置于基板主体3的端面、即侧壁面3b和倒角面3c。在基板1中产生的振动是
沿主表面3a的法线方向位移的振动，与该振动中的沿主表面3a的法线方向的位移联动，在
基板主体3的端面也沿主表面3a的法线方向位移。通过将膜4除了设置于主表面3a以外还设
置于基板主体3的端面、即侧壁面3b和倒角面3c，能够抑制沿主表面3a的法线方向的位移
量、即振动的振幅。推测这是因为，通过用膜4连接两个主表面，膜4的振动抑制效果提高。

[0092] 另外，侧壁面3b和倒角面3c的膜4的厚度优选比各个主表面3a中的厚度D1、D2更厚。由此，推测两个主表面的连接性、连结性提高，膜4的振动抑制效果提高。在基板1中产生
的振动是沿主表面3a的法线方向位移的振动，与该振动中的沿主表面3a的法线方向的位移
联动，在基板主体3的端面也沿主表面3a的法线方向位移。通过抑制这种位移，能够抑制沿
主表面3a的法线方向的位移量、即振动的振幅，因此优选除了主表面3a以外，在基板主体3
的端面、即侧壁面3b和倒角面3c也形成膜4。

[0093] 优选按照基板主体3的端面(侧壁面3b和倒角面3c)的膜厚达到主表面3a的膜厚D1、D2(膜厚D1、D2不同的情况下，为较厚的膜厚)的110％以上的方式设置有膜4。由此，能够
在不对基板1的厚度T产生影响的情况下抑制振动的振幅。另外，基板主体3的端面的膜厚优
选为主表面3a的膜厚D1、D2的150％以下。若基板主体3的端面的膜厚超过主表面3a的膜厚
D1、D2的150％，由于基板1的外周的端部的质量增加，基板1作为磁盘旋转而产生的离心力
增大，由于该离心力而容易使颤振变大，故不优选。

[0094] 磁盘的厚度越薄则振动的振幅越大，因此，会产生磁盘在硬盘驱动装置内与其他构件的接触次数增加、进而与接触相伴产生的颗粒、磁盘的划痕或凹陷的缺陷增多的问题，
但在基板1的情况下，即便使厚度为0.640mm以下，也难以产生上述问题。基板1的厚度可以
为0.570mm以下、进而可以为0.52mm以下、也可以为0.400mm以下。另外，作为基板1的厚度，
例如可以为0.635mm以下、0.550mm以下、0.500mm以下、0.381mm以下。从机械耐久性的方面
出发，基板1的厚度的下限优选为0.2mm以上。基板1越薄，原则上颗粒产生的问题、进而根据
情况产生划痕或凹陷的缺陷的问题越大，但本实施方式中，减小颗粒、划痕或凹陷的缺陷的
效果显著。

[0095] 若使基板1的厚度T为0.640mm以下，在一般的3.5英寸型HDD的高度为26.1mm(能够搭载于一般的电脑机箱的3.5英寸机架的尺寸)，后述的灯构件间的磁盘放入的间隙为磁盘
的厚度+0.4mm下，能够将基板搭载片数从8片增加为9片，故优选。需要说明的是，若使HDD的
高度为26.1mm以上，还能够为9片以上的搭载片数。另外，若使基板的厚度为0.520mm以下，
在与上述相同尺寸的HDD中能够使基板搭载片数为10片以上，故更优选。

[0096] 这些HDD与以往相比搭载了更多的基板，因此在受到外部冲击时磁盘与灯构件或相邻的磁盘的接触容易增多，存在容易产生由该接触引起的故障(颗粒、划痕、凹陷)的问
题，但通过使用本实施方式的基板，能够减少故障。

[0097] 根据一个实施方式，膜4的维氏硬度Hv优选为100[kgf/mm2]以上。通过提高维氏硬度Hv，与硬盘驱动装置内的灯构件等接触时难以产生划痕或凹陷的缺陷。维氏硬度Hv小于
2
100[kgf/mm]的情况下，与硬盘驱动装置内的灯构件等接触时会产生划痕或凹陷的缺陷，
容易产生硬盘驱动装置的故障。

[0098] 根据一个实施方式，圆盘形状的基板主体3的形成与膜4的界面的外周端面的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz(JIS B 0601：2001)优选为0.5μm以上。本说明书中，将基板主体3
的与膜4的界面的粗糙度称为基板主体3的形成与膜4的界面的外周端面的表面粗糙度。在
基板主体3，包含外周端面在内形成有膜4，利用以下所示的方法能够取得基板主体3的外周
端面的截面图像，能够求出轮廓最大高度Rz。具体而言，首先，对于设有膜4的基板1的外周
端面，使用离子抛光法，用通过基板1的中心并与主表面垂直的面进行切割，制成外周端面
的截面露出的试样。对于该截面，使用扫描型电子显微镜(SEM)得到例如5000倍的倍率的外
周端面的截面图像。进行例如截面图像的二值化处理或利用目视的跟踪处理，由该图像取
得基板主体3的形成与膜4接触的界面的基板主体3的表面的凹凸曲线，提取出位于该凹凸
曲线上的任意部位的宽20μm的区域，求出轮廓最大高度Rz。

[0099] 在与膜4接触的基板主体3的界面存在某种程度的表面凹凸，由此，膜4产生的振动抑制提高。关于该振动的抑制，推测是因为：在基板主体3与膜4的界面处，侵入陷入相互的
凹部，从而两者的密合性提高，膜4产生的振动抑制的效果对基板主体3产生影响。另外，作
为通过增加膜4的厚度而引起膜剥落的主要原因的膜应力变大，但通过使上述轮廓最大高
度Rz为0.5μm以上，还能够防止膜应力引起的膜剥落。外周端面与主表面相比面积小，而且
形状复杂，进而基板1的板厚与以往相比薄至0.700mm以下，因此基板1的外周端面容易发生
膜剥落。但是，通过使基板主体的表面(界面)的Rz为0.5μm以上，能够提高基板主体3与膜4
的密合性，能够防止膜4的剥离而提高HDD的长期可靠性。

[0100] 需要说明的是，关于基板主体3的外周端面的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz，为了进一步提高上述的振动抑制，更优选为1.0μm以上、进一步优选为1.5μm以上。另一方面，若
轮廓最大高度Rz变得过大，则膜4的成膜后的表面粗糙度(基板1的外周端面的表面粗糙度)
仿照基板主体3的表面粗糙度而变大，在主表面研磨等加工时异物容易附着到外周端面，进
而，在磁性膜的成膜后的磁盘中外周端面也容易附着异物，因此基板1或硬盘驱动装置的制
造时的成品率有可能降低。需要说明的是，使上述轮廓最大高度Rz为0.5μm以上的外周端面
的部位只要至少为外周端面的一部分即可，为了提高上述振动的抑制、并提高膜剥落防止
效果，优选为侧壁面3b和倒角面3c两者。

[0101] 另一方面，若在基板主体3的主表面使轮廓最大高度Rz过大，则在膜4的形成初期可能会形成缺陷，其传播，有可能在膜4的表面产生凹部或裂纹等缺陷。这些缺陷会引起腐
蚀或研磨后的表面缺陷，因此去除为宜，但由于根深、难以去除，因此在将磁性膜成膜而制
成磁盘后也会残留影响。由此，在基板主体3的主表面优选使轮廓最大高度Rz例如为1μm以
下。

[0102] 另外，根据一个实施方式，基板1的外周端面的膜4的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz优选小于基板主体3的外周端面(与膜4接触的边界面)的基板主体3的表面粗糙度的轮廓
最大高度Rz。

[0103] 关于基板1的外周端面的膜4的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz，例如，使用触针式的表面粗糙度·轮廓形状测定机，在下述条件下求出外周端面的多处(例如3处)的轮廓最
大高度Rz，将该多处的平均值作为上述膜4的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz。需要说明的
是，此时触针的移动(扫描)方向为基板1的厚度方向。

[0104] ·触针的形状：前端半径为2μm、圆锥的锥角为60°

[0105] ·触针负荷：0.75mN

[0106] ·触针移动速度：0.02mm/秒

[0107] ·采样长度：0.08mm

[0108] ·滤波器λc：0.08mm

[0109] ·滤波器λs：0.0008mm。

[0110] 若基板1的外周端面的膜4的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz过大，则在磁性膜的成膜等后续工序时容易成为基板1上的异物附着或外周端面的把持所致的划痕的主要原因，
因而上述轮廓最大高度Rz优选较小。因此，优选使基板1的外周端面的膜4的表面粗糙度的
轮廓最大高度Rz小于基板主体3的外周端面(与膜4接触的边界面)的基板主体3的表面粗糙
度的轮廓最大高度Rz。由此，能够提高基板主体3与膜4的密合性，防止膜4的剥离而提高HDD
的长期可靠性，并且在基板1上将磁性膜成膜时等，能够防止外周端面的异物附着或外周端
面的把持所致的划痕。轮廓最大高度Rz更优选为1.0μm以下、更进一步优选为0.5μm以下。需
要说明的是，限制上述轮廓最大高度Rz的基板1的外周端面的部位只要至少为基板1的外周
端面的一部分即可，为了提高上述振动的抑制效果、以及提高膜剥落防止效果，优选为基板
1的表面并且是形成于侧壁面3b和倒角面3c的两个表面的膜4的表面部分。需要说明的是，
外周端面的膜4的表面粗糙度容易仿照作为基底的基板主体3的表面粗糙度。因此，在使基
板主体3的表面粗糙度过大的情况下，在膜4的形成后有时需要端面研磨处理等追加加工。

[0111] 在这种基板1的另一实施方式中，基板1是外径为90mm以上的圆盘形状，基板1的厚度为0.700mm以下。此时，按照下述方式设置有膜4，即，在固定了基板1的内周部的状态向以
2[msec]提供120[G]的冲击时，具有基板1的外周端部的板厚方向(主表面的法线方向)的振
动所致的位移量达到0.2mm以上的次数为4次以下的特性。例如，按照实现上述特性的方式
设定膜4的损耗系数和膜厚。

[0112] 若上述位移量达到0.2mm以上的次数为4次以下，则与外部构件的相同位置处的反复接触次数为2以下，故优选。此外，上述位移量达到0.2mm以上的次数更优选为2次以下。上
述次数为2次以下的情况下，是指在基板1的一个面不存在多次的接触。即，在磁盘中，完全
没有主表面的相同位置处的反复碰撞，因而上述位移量达到0.2mm以上的次数更优选为2次
以下。

[0113] 此处，基板主体3的特性也可以为，在对基板主体3提供上述冲击时，该基板主体的外周端部的板厚方向的振动所致的位移量达到0.2mm以上的次数超过4次。通过设置调整了
膜的材料或膜厚的膜4，能够将位移量达到0.2mm以上的次数抑制为4次以下。

[0114] 通常，基板1是外径为90mm以上的圆盘形状且厚度为0.700mm以下的情况下，基板1的外周端部的板厚方向的振动所致的位移量具有变大的倾向，但基板1通过膜4的效果而将
振动所致的位移量达到0.2mm以上的次数限制为4次以下。

[0115] 这种基板1例如如下制作。此处，作为一例，对使用玻璃基板作为基板1的情况进行说明。

[0116] 首先，对具有一对主表面的板状的成为磁盘用玻璃基板的原材料的玻璃坯板进行成型处理。接着，进行该玻璃坯板的粗磨削。之后，对玻璃坯板实施形状加工和端面研磨。之
后，对由玻璃坯板得到的玻璃基板进行使用固定磨粒的精磨削。之后，对玻璃基板实施第1
研磨、化学强化以及第2研磨。之后，进行膜形成和膜研磨。需要说明的是，本实施方式中，以
上述流程进行玻璃基板的制作，但上述处理不需要始终存在，也可以适宜不进行这些处理。
例如，上述中的端面研磨、精磨削、第1研磨、化学强化、第2研磨也可以不实施。下面，对各处
理进行说明。

[0117] (a)玻璃坯板的成型

[0118] 在玻璃坯板的成型中，可以使用例如压制成型法。通过压制成型法，可以得到圆形的玻璃坯板。此外，可以使用下拉法、重新引下法、熔融法等公知的制造方法来制造。对于通
过这些公知的制造方法制作的板状玻璃坯板适宜进行形状加工，由此得到作为磁盘用玻璃
基板的基础的圆板状的玻璃基板。

[0119] (b)粗磨削

[0120] 在粗磨削中，进行玻璃坯板的两侧的主表面的磨削。作为磨削材料，使用例如游离磨粒。在粗磨削中，玻璃坯板被磨削成大致接近作为目标的板厚尺寸和主表面的平坦度。需
要说明的是，粗磨削根据所成型的玻璃坯板的尺寸精度或表面粗糙度而进行，根据情况也
可以不进行。

[0121] (c)形状加工

[0122] 接着，进行形状加工。在形状加工中，在玻璃坯板的成型后，使用公知的加工方法形成圆孔，由此得到开有圆孔的圆盘形状的玻璃基板。之后，实施玻璃基板的端面的倒角。
由此，在玻璃基板的端面，在与主表面正交的侧壁面3b、以及侧壁面3b与两侧的主表面3a之
间形成相对于主表面3a倾斜的倒角面3c。

[0123] (d)端面研磨

[0124] 接着，进行玻璃基板的端面研磨。端面研磨为下述处理：例如在研磨刷与玻璃基板的端面(侧壁面3b和倒角面3c)之间供给包含游离磨粒的研磨液，使研磨刷和玻璃基板相对
移动，由此进行研磨。端面研磨中，以玻璃基板的内周侧端面和外周侧端面为研磨对象，使
内周侧端面和外周侧端面为镜面状态。需要说明的是，根据情况也可以不进行端面研磨。

[0125] (e)精磨削

[0126] 接着，对玻璃基板的主表面实施精磨削。例如，使用行星齿轮机构的双面磨削装置，对玻璃基板的主表面3a进行磨削。这种情况下，例如将固定磨粒设于定盘而进行磨削。
或者，也可以进行使用游离磨粒的磨削。需要说明的是，根据情况也可以不进行精磨削。

[0127] (f)第1研磨

[0128] 接着，对玻璃基板的主表面3a实施第1研磨。第1研磨使用游离磨粒，使用贴附于定盘的研磨垫。关于第1研磨，例如进行利用固定磨粒的磨削的情况下，将残留于主表面3a的
裂纹或应变除去。在第1研磨中，能够防止主表面3a的端部的形状过度下陷或突出，同时能
够降低主表面3a的表面粗糙度、例如算术平均粗糙度Ra。

[0129] 第1研磨中使用的游离磨粒没有特别限制，例如使用氧化铈磨粒、或氧化锆磨粒等。需要说明的是，根据情况也可以不进行第1研磨。

[0130] (g)化学强化

[0131] 玻璃基板可以适宜进行化学强化。作为化学强化液，例如可以使用将硝酸钾、硝酸钠、或它们的混合物加热而得到的熔融液。另外，通过将玻璃基板浸渍到化学强化液中，位
于玻璃基板的表层的玻璃组成中的锂离子、钠离子分别被化学强化液中的离子半径相对大
的钠离子、钾离子所置换，从而在表层部分形成压缩应力层，玻璃基板被强化。

[0132] 进行化学强化的时机可以适宜决定，若在化学强化后进行研磨，则能够在表面平滑化的同时通过化学强化将粘合于玻璃基板表面的异物去除，因而特别优选。另外，根据情
况也可以不进行化学强化。

[0133] (h)第2研磨(镜面研磨)

[0134] 接着，对化学强化后的玻璃基板实施第2研磨。第2研磨的目的在于主表面3a的镜面研磨。在第2研磨中，也使用与第1研磨同样构成的研磨装置来进行研磨。在第2研磨中，相
对于第1研磨，改变游离磨粒的种类和颗粒尺寸，将树脂抛光材料的硬度软的物质用作研磨
垫来进行镜面研磨。由此，能够防止主表面3a的端部的形状过度下陷或突出，同时能够降低
主表面3a的粗糙度。关于主表面3a的粗糙度，算术平均粗糙度Ra(JIS B 0601 2001)优选为
0.2nm以下。需要说明的是，第2研磨后的基板的主表面3a不成为具有膜4的基板1中的最外
表面，因此根据情况也可以不进行第2研磨。

[0135] (i)膜形成

[0136] 在所制作的玻璃基板的主表面3a、侧壁面3b以及倒角面3c形成膜4。膜4的形成通过电解镀覆、非电解镀覆、溅射法等来进行。在膜4的形成前，可以根据需要进行用于提高膜
4的密合性的预处理或基底层的形成。膜4形成于主表面3a、侧壁面3b以及倒角面3c，在任一
面均可为同等的膜厚。为了缓和所形成的膜4的内部应力，在膜4的形成后，根据需要进行膜
4的退火处理(热处理)。需要说明的是，为了在最终制成磁盘时不引起噪音，膜4优选为非磁
性。

[0137] (j)膜研磨

[0138] 在膜4的形成后，为了减小膜4的表面粗糙度，进行基板主体3的主表面3a上的膜4的研磨。膜研磨的目的在于镜面研磨。在膜研磨中，也可以使用与第1研磨同样构成的研磨
装置进行研磨。在膜研磨中，相对于第1研磨，改变游离磨粒的种类和颗粒尺寸，将树脂抛光
材料的硬度软的物质用作研磨垫来进行研磨。在膜研磨中，根据需要也可以进行多个研磨。
这种情况下，越是后续工序的研磨，越可使游离磨粒的颗粒尺寸细小而进行精密的研磨。如
此对形成于主表面3a的膜4进行研磨，侧壁面3b和倒角面3c的膜4不进行研磨，从而能够使
侧壁面3b和倒角面3c的膜4的厚度薄于主表面3a的膜4的厚度。

[0139] 如上所述，形成于侧壁面3b和倒角面3c的膜4发挥抑制基板1的主表面3a的振动振幅的效果，因此，优选按照侧壁面3b和倒角面3c的膜4的厚度成为能够抑制主表面3a的振动
振幅的程度的厚度的方式对膜4的厚度进行设定。

[0140] 在膜研磨后，对形成有膜4的玻璃基板进行清洗，制作磁盘用基板。

[0141] 需要说明的是，在基板主体3为Al合金基板的情况下，例如利用下述方法制作基板主体3。

[0142] 首先，通过切削加工将成为基板主体3的Al合金基板机械加工成所需要的尺寸形状。之后，为了提高基板主体3的形状精度和平坦度，进行加压加热退火。此外，对基板主体3
的端面(内周端面和外周端面)进行磨削和研磨。在端面的磨削中，将粘合有磨粒的旋转工
具按压到与玻璃基板的情况同样地进行了切削加工的基板主体3的端面，并使两者旋转，同
时从喷嘴供给磨削液而对基板主体3的端面进行磨削。基板主体3的倒角面通过使用将旋转
工具的端部形状预先成型为倒角形状的成型磨石进行磨削而形成。此外，在降低端面的表
面粗糙度的情况下，将由无纺布构成的抛光材料粘接到旋转工具的表面，一边供给分散有
游离磨粒的研磨液，一边对基板主体3的端面进行研磨。

[0143] 接着，使用双面磨削装置对基板主体3的主表面进行磨削加工，进而通过双面研磨装置，利用发泡聚氨酯制的树脂抛光材料、和包含氧化铝磨粒或胶态二氧化硅磨粒的研磨
液进行多次研磨，最后进行清洗。

[0144] 需要说明的是，作为膜4的形成的预处理，也可以对基板主体3进行锌酸盐处理。在膜4的形成后，为了缓和膜4的内部应力，适宜进行退火处理。在膜4的退火处理后，进一步进
行主表面3a的研磨。根据基板的需要而进行多次研磨。之后，进行清洗，制作磁盘用基板1。

[0145] 除了上述的Ni‑P合金以外，膜4可以使用Mg合金、Al‑Zn合金、Mg‑Zr合金等。此处，关于膜4的金属材料，从抑制基板1的振动的方面考虑，与基板主体3相比损耗系数高，是损
耗系数为0.01以上的材料，根据一个实施方式，膜4的金属材料的损耗系数优选为0.02以
上、更优选为0.03以上。另外，基板主体3的损耗系数优选为0.002以下、更优选为0.001以
下。基板主体3的损耗系数越小，则膜4产生的振动的抑制效果越高，因此基板主体3的损耗
系数越小越优选。在用于磁盘用的无定形的铝硅酸盐玻璃基板的情况下，例如为0.001以
下。另外，在磁盘用的Al‑Mg合金基板的情况下，例如为0.002以下。这样，膜4的损耗系数的
值相对于基板主体3的损耗系数足够大，因此通过将膜4成膜，可有效地获得振动的抑制效
果。

[0146] 另外，根据一个实施方式，从难以产生颗粒、划痕或凹陷的方面考虑，膜4的材料的2 2
维氏硬度Hv优选为100[kgf/mm ]以上、更优选为200[kgf/mm ]以上、更进一步优选为400
2
[kgf/mm]以上。

[0147] 下述表1中示出基板主体3的材料和能够适宜用作膜4的材料的特性。下述表1所示的损耗系数使用上述的损耗系数的计算方法算出。损耗系数的值为室温下的值。关于维氏
硬度Hv，使用显微维氏硬度计，膜4由于为薄膜，因此在压头负荷10gf的条件下进行测定，基
板主体3在压头负荷300gf的条件下进行测定。

[0148] [表1]

[0149] 2  损耗系数 维氏硬度[kgf/mm]
铝硅酸盐玻璃 0.0003～0.0008 600～760
Al‑Mg合金 0.0005～0.0017 50～100
Mg合金 0.01 55
Al‑Zn合金 0.05 100
Mg‑Zr合金 0.09 100
Ni‑P合金 0.03 500

[0150] 上述表1中，铝硅酸盐玻璃的损耗系数由包含上述玻璃1、玻璃2的组成的若干玻璃求出。需要说明的是，玻璃2的情况下的典型的损耗系数的值为0.0006、维氏硬度为741
2
[kgf/mm]。

[0151] Al‑Mg合金的组成例如以质量％计为Mg：3.5％～5％、Si：0～0.05％、Fe：0～0.1％、Cu：0～0.12％、Mn：0～0.3％、Cr：0～0.1％、Zn：0～0.5％、Ti：0～0.1％，余部为Al。

[0152] Mg合金的组成以质量％计为Mg：91.57％、Al：7.6％、Zn：0.7％、Mn：0.13％。

[0153] Al‑Zn合金的组成以质量％计为Al：60％、Zn：40％。

[0154] Mg‑Zr合金的组成以质量％计为Mg：99.4％、Zn：0.6％。

[0155] Ni‑P合金的组成以质量％计为Ni：90％、P：10％。

[0156] 由表1可知，从抑制振动的方面考虑，优选使用铝硅酸盐玻璃或Al‑Mg合金作为基板主体3的材料，使用Ni‑P合金、Mg合金、Al‑Zn合金以及Mg‑Zr合金作为膜4的材料。另外，
2
Ni‑P合金、Al‑Zn合金以及Mg‑Zr合金的维氏硬度Hv高，为100[kgf/mm]以上，更适宜作为膜
4的材料，难以产生颗粒、划痕或凹陷。另外可知，Ni‑P合金的维氏硬度Hv特别高，更适宜作
为膜4的材料。

[0157] (实验例1)

[0158] 为了调查磁盘用基板1的效果，制作出各种基板(例1～21)。

[0159] 磁盘用基板1的基板主体的材料使用了铝合金(Al‑Mg合金)。在形成膜4的情况下，膜4按照以均匀的膜厚覆盖基板主体3的整个表面的方式，通过非电解镀Ni‑P合金(P：10质
量％、余部Ni)而形成。之后，利用双面研磨装置对两侧的主表面进行研磨，在各个主表面将
膜4的厚度的20％研磨除去。最终的膜4的厚度在两侧的主表面相同，各个膜4的厚度为端面
的膜4的厚度的90％。换言之，端面的膜4的厚度为主表面的膜4的厚度的约111％。Ni‑P合金
的损耗系数的值满足0.01以上。

[0160] 另外，所制作的基板1的尺寸为外径95mm、内径(圆孔直径)25mm，在外周端面和内周端面，分别在与两主表面的连接部形成有倒角面。关于该倒角面的规格，在T为0.64mm以
上的情况下，相对于主表面的角度为45°，半径方向的长度为150μm，板厚方向的长度为150μ
m。另外，在T小于0.64mm的情况下，相对于主表面的角度为45°，半径方向的长度为100μm，板
厚方向的长度为100μm。此时，外周端面的粗糙度调整为基板主体3的表面和基板1的表面均
是轮廓最大高度Rz为0.1μm。

[0161] 将所制作的基板1安装到具备高速度照相机的评价装置。该评价装置能够施加任意大小的外部冲击，能够以动画的形式拍摄与之相伴产生的基板的外周端部的运动(振
动)。并且，通过对该动画进行分析，能够测定主表面的法线方向的外周端部的位移。

[0162] 需要说明的是，在实际的HDD中，组装有用于磁头的斜坡加载机构的灯，在安装各磁盘时，从两主表面空出0.2mm的间隙。即，灯间的放入磁盘的间隙为磁盘的厚度+0.4mm。在
实际的HDD中，按照即使基板的厚度变化、该间隙也一定的方式进行设计。另一方面，评价装
置中不设置该灯。因此，根据振动所致的基板的位移量，在实际的HDD中是否接触灯的判断
利用基板的位移量来判断，若位移量小于0.2mm，可以判断未发生与灯的接触。需要说明的
是，介质工序中成膜的磁性膜等的厚度在任意一个表面即使包含基底膜、软磁性层等也为
100nm以下左右，因此实质上可以忽视。本评价中，基板不旋转而以静止状态进行评价。

[0163] 利用该评价装置，进行向基板1的主表面的法线方向以2[msec]施加120[G]的冲击的冲击试验，测定沿外周端部的主表面的法线方向的振动。测定结果作为图3的波形数据表
示。由该波形数据统计相对于基板的外周端部的位移量0的中心沿法线方向的任一方向的
位移量分别达到0.2mm以上的次数，基于下述评价基准进行评价。在图3所示的例中，统计次
数为4。该统计次数越少，则基板1与外部构件接触的次数越少，因此推测，在使用了该基板1
的磁盘中，HDD起动后的故障发生概率降低，HDD的寿命延长。

[0164]

[0165] 2次以下…(优良：合格)

[0166] 评价结果示于下述表2。

[0167] [表2]

[0168]

[0169] 表2中的例1、4、7、10、13、16、19为比较例，除此以外的例子为实施例。

[0170] 基板的厚度T为0.381mm～0.700mm时，表2的例1～21中除了例1、4、7、10、13、16、19外的各例满足D≥0.0082/T－0.0015，评价结果均为合格。

[0171] 此外，满足D≥0.0094/T的例3、6、9、12、15、18、21的评价结果优良。

[0172] (实验例2)

[0173] 为了调查将玻璃材料用于基板主体3的基板1的效果，制作了多种基板(例22～30)。

[0174] 玻璃材料使用了上述的玻璃1。另外，膜4与实验例1同样地，与实验例1同样地通过非电解镀Ni‑P合金(P：10质量％、余部Ni)而形成，之后与实验例1同样地利用双面研磨装置
对两侧的主表面进行研磨，在各主表面调整了膜4的厚度。

[0175] 关于评价，也使用与实验例1相同的评价方法，以统计次数进行评价。

[0176] 评价结果示于下述表3。

[0177] [表3]

[0178]

[0179] 在表2中的例22～30中，例22、25、28为比较例，例23、24、26、27、29、30均为实施例。

[0180] 基板的厚度T为0.400～0.640mm时，除了例22、25、28外的各例满足D≥0.0082/T－0.0015，评价结果均为合格。

[0181] 此外，满足D≥0.0094/T的例24、27、30的评价结果为优良。

[0182] 由以上的评价结果可知基板1的效果。

[0183] (实验例3)

[0184] 对基板主体3的形成与膜4的界面的外周端面的表面粗糙度的轮廓最大高度Rz进行各种调整而制作基板1，并进行剥离试验，调查轮廓最大高度Rz的效果(例31～39)。

[0185] 基板主体3使用了实验例1中所用的铝合金(Al‑Mg合金)。膜4利用与实验例1相同的方法，按照以均匀的膜厚覆盖基板主体3的整个表面的方式形成Ni‑P合金(P：10质量％、
余部Ni)。基板1的外周端面的轮廓最大高度Rz通过变更端面磨削中所用的成型磨石中包含
的磨粒的尺寸、之后的端面研磨中所用的研磨磨粒的尺寸而调整。需要说明的是，若对基板
主体3的形成与膜4的界面的外周端面的表面粗糙度进行各种调整，则基板1上的外周端面
的膜4的表面粗糙度也发生变化(例如，若增大基板主体3与膜4的界面的粗糙度，则基板1的
表面侧的膜4的表面粗糙度也增大)，但按照基板1上的外周端面的膜4的表面粗糙度的轮廓
最大高度Rz为0.5μm以下的方式适宜进行端面研磨而调整。

[0186] 进行所制作的基板1的外周端面的膜4的剥离试验。从HDD的长期可靠性的方面考虑，外周端面的膜4容易剥离的基板1是不优选的。即，外周端面的膜4被部分剥离的情况下，
将基板1的两侧的主表面上的膜4彼此连接合作的效果减小，振动抑制效果有可能变差。

[0187] 剥离试验中，在形成于外周端面的侧壁面的膜4上，利用金刚石笔在侧壁面的圆周方向上以1mm间隔连续设置5条板厚方向的刮痕而形成刮痕区域，在该刮痕区域按压胶带，
将胶带剥离，用显微镜观察剥离后的膜4的表面，评价膜4的剥离程度。刮痕区域在外周端面
的圆周上每30°设置12处，在各部位调查膜4的剥离程度，统计发生了膜4的剥离的部位。需
要说明的是，膜4即将剥离的情况也算作剥离的情况，如下进行分类。

[0188] ·等级1：在10处以上膜4发生了剥离。

[0189] ·等级2：在7～9处膜4发生了剥离。

[0190] ·等级3：在4～6处膜4发生了剥离。

[0191] ·等级4：在0～3处膜4发生了剥离。

[0192] 评价结果示于下述表4。表4所示的例6、9、12为实验例1中的例6、9、12，例6、9、12的基板主体3与膜4的界面的轮廓最大高度Rz均为0.1μm。另外，表4所示的例6、9、12的外周端
面的膜4的表面粗糙度(即基板1的表面粗糙度)以轮廓最大高度Rz值计为0.1μm，例31～39
以轮廓最大高度Rz值计为0.5μm。

[0193] [表4]

[0194]

[0195] 由表4的结果可知，不依赖于厚度T、D，通过使轮廓最大高度Rz为0.5μm以上，剥离难度提高。特别是，可知：通过使轮廓最大高度Rz为1.0μm以上，剥离难度进一步提高，通过
使轮廓最大高度Rz为1.5μm以上，剥离难度更进一步提高。

[0196] 由上述评价结果可知轮廓最大高度Rz的效果。

[0197] 以上，对本发明的磁盘用基板和磁盘进行了详细说明，但是本发明不限定于上述实施方式和实施例等，显然也可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改良、变更。

[0198] 符号说明

[0199] 1  磁盘用基板

[0200] 2  内孔

[0201] 3  基板主体

[0202] 3a  主表面

[0203] 3b  侧壁面

[0204] 3c  倒角面

[0205] 4  膜