一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法

摘要

本发明公开了一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将硅化钙置于浓盐酸中反应，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片；(2)将硝酸银溶于能和Ag+形成络合作用的胺中，配成硝酸银胺溶液；(3)将Si6H6纳米片超声分散在有机溶剂中，加入硝酸银胺溶液，反应、过滤、洗涤，即得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材料。该方法首先采用浓盐酸和层状化合物硅化钙反应生成Si6H6纳米片，然后加入到硝酸银和胺的络合物中，一步反应得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒复合材料，步骤简洁，易于操作，制得的复合材料在高倍率锂离子电池领域有潜在的应用。

权利要求

1.一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)将硅化钙置于浓盐酸中，-30℃反应5天，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片；

步骤2)将硝酸银溶于能和Ag+形成络合作用的胺中，配成浓度为0.1M的硝酸银胺溶液；

步骤3)将步骤1)制得的Si6H6纳米片超声分散在有机溶剂中，加入步骤2配制的硝酸银胺溶液，在室温至60℃范围内、常压下反应1～24h，过滤、洗涤，即得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤2)所述胺为乙二胺、三正丙胺、苯胺或对苯二胺。

3.根据权利要求1所述的一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤3)所述有机溶剂为乙腈、二氯甲烷或四氢呋喃。

4.权利要求1～3任一项的方法制得的二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材料在锂电池方面的应用。

说明书

一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法

技术领域

[0001] 本发明属于材料化学领域，具体涉及一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法。

背景技术

[0002] 自从2004年发现石墨烯材料后，由于潜在的优异的物理、化学性能，二维片状纳米材料得到了广泛的关注和研究。硅与碳同主族，而且硅在微电子和太阳能电池领域已经得
到了广泛的应用，因此，二维超薄纳米硅材料受到了越来越多的重视。但由于硅是半导体材
料，内在比较差的导电性阻碍了其在光电催化、高倍率性能锂离子电池等领域的应用。如何
提高二维硅纳米材料的导电性和光电化学活性依然是比较棘手的问题。众所周知，银是非
常好的导体以及具有优异的表面等离子共振效应，如果能开发比较简便的方法在二维纳米
硅片的表面修饰上银纳米粒子，所得到的硅片/银复合材料在锂电池、光热转换等领域都有
巨大的潜在的应用。

[0003] CN107460462B公开了一种硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，提出将单晶硅片先后置于碱洗液和酸洗液浸泡使硅片表面羟基化；再置于巯基丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶
液中反应使硅片硅烷化；再先后分别置于硝酸银溶液和硼氢化钠溶液中以生成银纳米粒
子。CN102425007A公开了一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法，包括在硅片表面制备含
有醛基物质的种子层，利用银镜反应镀银。以上两种方法的主要缺点在于：(1)所使用的硅
片均是商业化的单晶硅片，厚度不在纳米级，对特定的应用性能有显著的影响；(2)所使用
的合成方法步骤繁琐。

发明内容

[0004] 针对现有技术的不足，本发明提供一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，该方法首先采用浓盐酸和层状化合物硅化钙反应生成Si6H6纳米片，然后加入到硝酸银
和胺的络合物中，一步反应得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒复合材料，步骤简洁，易
于操作，制得的复合材料在高倍率锂离子电池领域有潜在的应用。

[0005] 本发明是通过以下技术方案实现的：

[0006] 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

[0007] 步骤1)将硅化钙置于浓盐酸中，-30℃反应5天，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片；

[0008] 步骤2)将硝酸银溶于能和Ag+形成络合作用的胺中，配成硝酸银胺溶液；

[0009] 步骤3)将步骤1)制得的Si6H6纳米片超声分散在有机溶剂中，加入步骤2配制的硝酸银胺溶液，在室温至60℃范围内、常压下反应1～24h，过滤、洗涤，即得到二维超薄硅片表
面负载银纳米颗粒的复合材料。

[0010] 优选地，步骤2)所述胺为乙二胺、三正丙胺、苯胺或对苯二胺。

[0011] 优选地，步骤2)所述硝酸银胺溶液的浓度为0.1M。

[0012] 优选地，步骤3)所述有机溶剂为乙腈、二氯甲烷或四氢呋喃。

[0013] 上述二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材料在锂电池方面的应用。

[0014] 本发明的有益效果如下：

[0015] 本发明的制备方法通过将Ag+先和胺类物质先形成络合物，再和Si6H6纳米片反应来制备二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒复合材料，一步法直接把Si6H6表面的H拔掉，形成
0价Si纳米片，并且在Si片表面负载上导电性能优异的Ag纳米颗粒，步骤简洁，同时利用络
合还原法避免了AgCl副产物的形成。制得的复合材料在高倍率锂离子电池领域有潜在的应
用。

附图说明

[0016] 图1为二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒复合材料的XRD图；

[0017] 图2为二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒复合材料的SEM图。

具体实施方式

[0018] 下面结合附图与实施例对本发明作进一步阐述。

[0019] 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

[0020] (1)将硅化钙置于浓盐酸中，-30℃反应5天，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片。

[0021] (2)将硝酸银溶于胺中，配成硝酸银胺溶液。

[0022] 其中，所述胺包括乙二胺、三正丙胺、苯胺、对苯二胺等。

[0023] 上述胺类物质不仅限于所列举物质，还包括能和Ag+形成络合作用的其他物质。

[0024] (3)将Si6H6纳米片超声分散在有机溶剂中，加入硝酸银胺溶液，在室温至60℃范围内、常压下反应1～24h，过滤、洗涤，即得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材料。

[0025] 其中，所述有机溶剂包括乙腈、二氯甲烷、四氢呋喃等。

[0026] 在上述步骤中，AgNO3相当于氧化剂，Si6H6相当于还原剂，但是如果直接将AgNO3和Si6H6纳米片混合反应，很容易形成AgCl副产物(因为浓盐酸处理CaSi2时氯离子很难洗干
净)。因此本发明提供一种新的思路，采用络合还原的方法，即先将Ag+和胺类物质络合形成
络合物，该络合物和Si6H6纳米片反应就能形成二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材
料，此过程不会生成AgCl副产物，且负载的Ag纳米颗粒大小比较均匀。

[0027] 实施例1

[0028] 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

[0029] (1)将3g硅化钙置于300mL浓盐酸中，-30℃反应5天，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片。

[0030] (2)将硝酸银溶于10mL乙二胺中，配成浓度为0.1M的硝酸银乙二胺溶液。

[0031] (3)将0.1g Si6H6纳米片超声分散在10mL乙腈中，加入2mL硝酸银乙二胺溶液，在60℃、常压下反应24h，过滤、洗涤，得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材料。

[0032] 实施例2

[0033] 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

[0034] (1)将3g硅化钙置于300mL浓盐酸中，-30℃反应5天，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片。

[0035] (2)将硝酸银溶于10mL对苯二胺中，配成浓度为0.1M的硝酸银对苯二胺溶液。

[0036] (3)将0.1g Si6H6纳米片超声分散在10mL四氢呋喃中，加入2mL硝酸银对苯二胺溶液，在室温至60℃范围内、常压下反应1～24h，过滤、洗涤，得到二维超薄硅片表面负载银纳
米颗粒的复合材料。

[0037] 实施例3

[0038] 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

[0039] (1)将3g硅化钙置于300mL浓盐酸中，-30℃反应5天，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片。

[0040] (2)将硝酸银溶于10mL三正丙胺中，配成浓度为0.1M的硝酸银三正丙胺溶液。

[0041] (3)将0.1～1g Si6H6纳米片超声分散在10mL四氢呋喃中，加入1～10mL硝酸银三正丙胺溶液，在室温至60℃范围内、常压下反应1～24h，过滤、洗涤，得到二维超薄硅片表面负
载银纳米颗粒的复合材料。

[0042] 实施例4

[0043] 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

[0044] (1)将3g硅化钙置于300mL浓盐酸中，-30℃反应5天，过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片。

[0045] (2)将硝酸银溶于10mL苯胺中，配成浓度为0.1M的硝酸银苯胺溶液。

[0046] (3)将0.1g Si6H6纳米片超声分散在10mL二氯甲烷中，加入2mL硝酸银对苯二胺溶液，在室温至60℃范围内、常压下反应1～24h，过滤、洗涤，得到二维超薄硅片表面负载银纳
米颗粒的复合材料。

[0047] 实施例1制得的复合材料的XRD图谱如图1所示，所得复合材料的X射线衍射峰全部归属于立方相的硅和银，没有检测到其它杂质的衍射峰，说明所得复合材料由硅和银组成。
从图2复合材料的SEM图也可以进一步直观地看到在片状硅表面负载有很细的纳米颗粒。

[0048] Angew.Chem.Int.Ed.,222012,51:2409制备出了Ag纳米粒子掺杂多孔Si材料，并将其应用于锂电池负极材料上取得了较好的效果，因此本发明的复合材料在锂电池上也有
潜在的应用。