数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质转让专利
申请号 : CN201810669080.8
文献号 : CN110648714B
文献日 : 2021-03-30
发明人 : 贺元魁 , 潘荣华 , 吴星星
申请人 : 北京兆易创新科技股份有限公司 , 合肥格易集成电路有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种数据的读取方法,其特征在于,包括:在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后,对所述选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压;
根据所述各个位线的充电端的当前电压,从所述各个位线中筛选出擦除状态位线,并确定所述擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1;
再次对所述各个位线中除所述擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至所述读取工作电压,且不对所述擦除状态位线的充电端充电之后,对所述选中字线的栅极以及所述非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压;
根据所述待确定位线的充电端的当前电压,确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据;
所述第一设定时间小于所述第二设定时间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述各个位线的充电端的当前电压,从所述各个位线中筛选出擦除状态位线,包括:如果所述充电端的当前电压小于设定电压阈值,则确定与该充电端对应的位线为擦除状态位线。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述待确定位线的充电端的当前电压,确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据,包括:如果所述待确定位线的充电端的当前电压为0V,则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为1;
如果所述待确定位线的充电端的当前电压大于0V,则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为0。
4.一种数据的读取装置,其特征在于,包括:第一电压施加模块,用于在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后,对所述选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压;
擦除状态位线确定模块,用于根据所述各个位线的充电端的当前电压,从所述各个位线中筛选出擦除状态位线,并确定所述擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1;
第二电压施加模块,用于再次对所述各个位线中除所述擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至所述读取工作电压,且不对所述擦除状态位线的充电端充电之后,对所述选中字线的栅极以及所述非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压;
存储数据确定模块,用于根据所述待确定位线的充电端的当前电压,确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据;
所述第一设定时间小于所述第二设定时间。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述擦除状态位线确定模块具体用于:如果所述充电端的当前电压小于设定电压阈值,则确定与该充电端对应的位线为擦除状态位线。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述存储数据确定模块包括:第一数据确定单元,用于如果所述待确定位线的充电端的当前电压为0V,则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为1;
第二数据确定单元,用于如果所述待确定位线的充电端的当前电压大于0V,则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为0。
7.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序;
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行,使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1‑3中任一项所述的方法。
8.一种包含计算机可执行指令的存储介质,所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行如权利要求1‑3中任一项所述的方法。
说明书 :
数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质
技术领域
背景技术
相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
的工作电压,施加工作电压一段时间(例如20微秒)后读取位线的电压值来确定所需读取的
数据为何。
态位线的读取数据错误。
发明内容
以及所述非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压;
读取电压;
1;
对所述选中字线的栅极以及所述非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取
电压;
过较短的第一设定时间筛选出了绝大部分擦除状态的位线,在第二次读取过程中对剩余的
位线再次进行第二设定时间的常规数据读取,解决了现有技术中存储器在读取数据的过程
中,功耗较大、容易出现读取数据错误的技术缺陷,实现了降低存储器的读取数据功耗,提
高存储器读取数据的准确度。
附图说明
具体实施方式
而非对本发明的限定。
成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理,但
是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外,各项操作的顺序可以被重新
安排。当其操作完成时所述处理可以被终止,但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。
所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。
储器中,例如Nand‑flash存储器。本实施例的方法具体包括:
漏极电压提升至某一电压(例如1.8V电压),以便在对选中字线的栅极和非选中字线的栅极
施加读取电压之后,根据上述漏极电压放电之后的电压值确定该条字线对应的存储数据。
取工作电压具体是指存储器在进行读取数据操作时,各个位线的充电端所应达到的电压。
的读取电压。示例性的,存储器在进行读取数据操作时,对选中字线的栅极施加0.5V左右的
电压,对非选中字线的栅极施加8V左右的电压。其中,第一设定时间具体是相对现有技术中
存储器同时对选中字线和非选中字线施加读取电压的时间(例如20微秒)来说,一个相对较
短的时间,以使得本步骤中的第一次读取数据过程产生的功耗尽量小,从而减小存储器读
取数据的总功耗。第一设定时间典型的可以是2微秒等。
储的数据为“1”的浮栅场效应管应是导通状态。此时导通状态的该浮栅场效应管对应的位
线就会产生一个较大的电流(例如500微安),该较大的电流不但会增加存储器的功耗,并且
当选中字线对应的浮栅场效应管中有很多浮栅场效应管所存储的数据均为“1”时,就会使
得多根位线同时产生较大的电流,由此导致部分存储数据为“1”的浮栅场效应管对应的位
线的充电端的电压被抬高,进而存储器就容易出现读取数据错误的情况,将“1”误读为“0”。
效果较好的浮栅场效应管来说,可以将该浮栅场效应管对应的位线的充电端的电压放电至
0V,那么第一设定时间之后就可以根据各个位线的充电端的当前电压筛选出绝大部分对应
的浮栅场效应管所存储的数据为“1”的位线。由于第一设定时间较小,因此不但第一次读取
数据过程的功耗较小,而且大电流对位线充电端电压的不良影响也会减弱。
大部分位线,即擦除状态位线。示例性的,当充电端的当前电压为0V或小于设定电压阈值
时,则确认该位线为擦除状态位线。
抬高浮栅场效应管的阈值。如果浮栅场效应管的阈值被抬高,那么当该浮栅场效应管所存
储的数据为“1”时,在读取数据的过程中,该浮栅场效应管所在位线的放电速度就会变慢,
有可能在第一设定时间内无法将位线的充电端的电压放电至0V。因此,为了进一步减小步
骤130中第二次读取数据过程中的功耗,可以设置一个电压阈值(例如0.2V),将经过步骤
110放电之后充电端的电压小于该电压阈值的位线也确定为擦除状态位线。
栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压。
效应管所存储的数据为“0”的位线),还包括少量的擦除状态位线。
压。此时不再对擦除状态位线的充电端进行充电,具体可以对擦除状态位线的充电端施加
0V电压,或使其悬空等。由于待确定位线中仅有一小部分的位线为擦除状态位线,或根本不
包括擦除状态位线,因此,本步骤中在对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加各自
对应的读取电压进行放电时,不会存在很多根位线上同时出现大电流的情况,进而提高了
读取数据的准确度。
的放电操作之后,上述阈值被抬高的浮栅场效应管对应的位线充电端绝大部分都会被放电
至0V。当然为了减小存储器读取数据所需的时间,第二设定时间不宜设置得过长,那么在经
过第二设定时间的放电之后,阈值被抬高得较多的浮栅场效应管对应的位线充电端电压可
能还没有放电至0V,此时,也可以设置一个电压阈值(例如0.1V),将经过本步骤放电之后充
电端的电压小于该电压阈值的位线也确定为擦除状态位线。
器在进行读取数据操作的过程中,对位线充电端电压进行放电的时间相等,也可以略小于
该放电时间等。
数据。
元所存储的数据即为“1”;如果待确定位线的充电端的电压大于0V或大于一个设定电压阈
值(例如0.1V),则确定该待确定位线为编程状态位线,那么该待确定位线对应的存储单元
所存储的数据即为“0”。
出了绝大部分擦除状态的位线,在第二次读取过程中对剩余的位线再次进行第二设定时间
的常规数据读取,解决了现有技术中存储器在读取数据的过程中,功耗较大、容易出现读取
数据错误的技术缺陷,实现了降低存储器的读取数据功耗,提高存储器读取数据的准确度。
待确定位线对应的存储单元所存储数据的确定方法以及具体化第一设定时间与第二设定
时间的大小关系的具体实施方式。
定该位线为擦除状态位线。其中,设定电压阈值典型的可以是0.2V等。
栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压,其中,第一设定时间小于第二设定时间。
应设置得尽量短一些,尽量降低存储器读取数据的功耗,只要保证经过第一设定时间的放
电操作之后,绝大部分擦除状态位线的充电端的电压都可以降低至0V,或降低至小于设定
电压阈值即可。
第二设定时间可以设置得稍长一些,以保证阈值被抬得较高的擦除状态的浮栅场效应管对
应的位线的充电端的电压可以降低至0V。
程的功耗,具体化了待确定位线对应的存储单元所存储的数据的确定方法,进一步提高了
读取数据的准确性。
储数据确定模块304,其中:
读取电压;
栅极以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压;
以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压,然后通过擦除状态位线
确定模块302根据各个位线的充电端的当前电压,从各个位线中筛选出擦除状态位线,并确
定擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1,再根据第二电压施加模块303再次对各
个位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压,且不对擦除状
态位线的充电端充电之后,对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的
各自对应的读取电压,最后根据存储数据确定模块304根据待确定位线的充电端的当前电
压,确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据。
一个或多个,图4中以一个处理器40为例;电子设备中的处理器40、存储器41、输入装置42和
输出装置43可以通过总线或其他方式连接,图4中以通过总线连接为例。
第一电压施加模块301、擦除状态位线确定模块302、第二电压施加模块303以及存储数据确
定模块304)。处理器40通过运行存储在存储器41中的软件程序、指令以及模块,从而执行电
子设备的各种功能应用以及数据处理,即实现上述的数据的读取方法。
外,存储器41可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁
盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实例中,存储器41可进一步
包括相对于处理器40远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至电子设备。
上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
施加第二设定时间的各自对应的读取电压;
取方法中的相关操作。
佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的
部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质
中,如计算机的软盘、只读存储器(Read‑Only Memory,ROM)、随机存取存储器(Random
Access Memory,RAM)、闪存(FLASH)、硬盘或光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设
备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
外,各功能单元的具体名称也只是为了便于相互区分,并不用于限制本发明的保护范围。
重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行
了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还
可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。