一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导

摘要

本发明揭示了一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，该基片集成慢波空波导包括上层介质板、中层介质板和下层介质板，上层介质板、中层介质板和下层介质板固定连接，上层介质板、中层介质板和下层介质板由上至下按序组成三层波导结构，上层介质板的下表面覆盖有第一底层金属层，中层介质板的上表面覆盖有第一顶层金属层，下层介质板的上表面覆盖有第二顶层金属层，下表面覆盖有第二底层金属层。本技术方案在保持基片集成空波导优点的同时，结合慢波效应，克服了高Q值与小型化难以结合的问题，在低损耗微波集成化电路中具有重要的应用价值，更适合应用于小型化、高Q值、低损耗等多方面要求严格的微波电路系统中。

权利要求

1.一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，其特征在于：包括上层介质板（1）、中层介质板（2）和下层介质板（3），所述上层介质板（1）、中层介质板（2）和下层介质板（3）固定连接，所述上层介质板（1）、中层介质板（2）和下层介质板（3）由上至下按序组成三层波导结构，

上层介质板的下表面覆盖有第一底层金属层（4），中层介质板的上表面覆盖有第一顶层金属层（5），下层介质板的上表面覆盖有第二顶层金属层（6），下表面覆盖有第二底层金属层（7）；

所述中层介质板（2）传输部分整体挖空形成矩形空气波导，馈电端口（9）设置于第一顶层金属层上（5）的左侧，矩形空气波导上设置有锥形过渡结构（10），馈电端口（9）连接锥形过渡结构，矩形空气波导位于长边的侧壁为电壁（13），电壁全部为金属；馈电端口的锥形过渡结构宽度呈指数递减，锥形过渡结构的末端为圆弧型；馈电端口（9）与锥形过渡结构相连；所述下层介质板沿中层介质板空气波导的电壁（13）设置了两排间距均匀的第一金属化通孔（11），每个第一金属化通孔（11）之间的间距相等，下层介质板的中部设置有均匀密集的第二金属化通孔（12），第二金属化通孔均匀地分布于中层介质板空气波导的下方，分布于两排第一金属化通孔（11）内侧；所述中层介质板的底层为金属地，分布于中层介质板空气波导外侧；下层介质板底层为金属地。

2.根据权利要求1所述的一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，其特征在于：所述上层介质板（1）、中层介质板（2）和下层介质板（3）的四周分别均分布有至少八个与连接件相匹配的匹配孔（8），每个所述匹配孔的大小均一致，所述连接件为螺钉。

3.根据权利要求1所述的一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，其特征在于：所述上层介质板（1）、中层介质板（2）和下层介质板（3）均采用Rogers 4003C介质板，介电常数为3.55，损耗角正切为0.027，厚度为0.813mm。

4.根据权利要求1所述的一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，其特征在于：所述馈电端口（9）的宽度等于该基片集成慢波空波导阻抗匹配的宽度。

5.根据权利要求1所述的一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，其特征在于：所述上层介质板（1）的长度小于中层介质板（2）和下层介质板（3）的长度，中层介质板（2）和下层介质板（3）的长度一致，上层介质板（1）、中层介质板（2）和下层介质板（3）的高度、宽度均一致。

说明书

一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导

技术领域

[0001] 本发明涉及一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，可用于微波技术领域。

背景技术

[0002] 随着现代技术的迅速发展，无线通信技术正在向小型化，高性能和高集成方向发展。基片集成波导因其高Q值、低损耗、易于集成等特点，广泛应用于微波电路中。随着电路
的发展，特别是在高频中，介质的存在限制了器件的性能，衬底的损耗增加了插入损耗并降
低了质量因数。为了解决这一问题，在基片集成波导中去除介质，形成空气波导，保持了其
低成本、低剖面的优点。因此。高Q值的基片集成电路的应用研究，对实现高性能的现代微波
毫米波无源器件和有源电路，不仅具有重要的理论价值还具有工程实际意义。

[0003] 由于基片集成空波导去除介质的特点，其尺寸相对较大，基片集成折叠空波导会使剖面大大增加，基片集成半模空波导会导致Q值大大减小，因此，如何在保持其高Q值的基
础上，减小其尺寸同样也是一个需要解决的难题。

发明内容

[0004] 本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提出一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导。

[0005] 本发明的目的将通过以下技术方案得以实现：一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，包括上层介质板、中层介质板和下层介质板，所述上层介质板、中层
介质板和下层介质板固定连接，所述上层介质板、中层介质板和下层介质板由上至下按序
组成三层波导结构，上层介质板的下表面覆盖有第一底层金属层，中层介质板的上表面覆
盖有第一顶层金属层，下层介质板的上表面覆盖有第二顶层金属层，下表面覆盖有第二底
层金属层。

[0006] 优选地，所述上层介质板、中层介质板和下层介质板的四周分别均分布有至少八个与连接件相匹配的通孔，每个所述通孔的大小均一致，所述连接件为螺钉。

[0007] 优选地，所述上层介质板、中层介质板和下层介质板均采用Rogers 4003C介质板，介电常数为3.55，损耗角正切为0.027，厚度为0.813mm。

[0008] 优选地，所述中层介质板传输部分整体挖空形成矩形空气波导，馈电端口设置于第一顶层金属层上，矩形空气波导上设置有锥形过渡结构，馈电端口从中层介质板到空气
波导过渡的锥形渐近线进行阻抗匹配，矩形空气波导的侧壁除了馈电的渐近线附近都为电
壁，即全部为金属。

[0009] 优选地，中间介质层馈电端口的过渡结构呈指数递减，过渡结构的末端为圆弧型。

[0010] 优选地，所述馈电端口的宽度等于该基片集成慢波空波导阻抗匹配的宽度。

[0011] 优选地，所述中间层介质板的第一顶层金属层左侧设置有馈电端口，馈电端口与锥形渐近线相连。

[0012] 优选地，下层介质板沿中间介质层空气波导的金属壁设置了两排间距均匀的第一金属化通孔，每个所述通孔之间的间距相等，下层介质板的中部设置有均匀密集的第二金
属化通孔，第二金属化通孔均匀地分布于中间介质层空气波导的下方，即两排第一金属化
通孔内侧。

[0013] 优选地，所述下层介质板顶层设置于两排第一金属化通孔外侧，即中间介质层空气波导外侧，为金属；下层介质板底层为地，即金属。

[0014] 优选地，所述上层介质板的长度小于中层介质板和下层介质板的长度，中层介质板和下层介质板的长度一致，上层介质板、中层介质板和下层介质板的高度、宽度均一致。

[0015] 本发明采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：本技术方案在保持基片集成空波导优点的同时，结合慢波效应，克服了高Q值与小型化难以结合的问题，在
低损耗微波集成化电路中具有重要的应用价值。本技术方案是在基片集成空波导基础上，
在下层介质板中均匀排列金属通孔，使电场集中在空气波导中，磁场仍分布在整个结构中，
使得纵向与横向的尺寸同时减小。

[0016] 相比于传统的基片集成慢波结构，该波导提升了近8倍的Q值，大大地减小了插入损耗；同时相比于传统的基片集成空波导结构，该波导结构更为紧凑。本发明在保持空波导
三层结构的基础上，没有增加加工难度与成本，实现了高Q值与小型化的结合，更适合应用
于小型化、高Q值、低损耗等多方面要求严格的微波电路系统中。

附图说明

[0017] 图1是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导的俯视图。

[0018] 图2是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导的四阶滤波器的俯视图。

[0019] 图3是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导的中间层空气波导的示意图。

[0020] 图4是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导的三维剖分图。

[0021] 图5是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导四阶滤波器的三维剖分图。

[0022] 图6是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导内部电场横截面图。

[0023] 图7是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导内部磁场横截面图。

[0024] 图8是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导S参数仿真图。

[0025] 图9是本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导的四阶滤波器S参数仿真与实测结果对比。

具体实施方式

[0026] 本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而
形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。

[0027] 本发明揭示了一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导，如图1、图2、图3和图4所示，该基片集成慢波空波导，包括上层介质板1、中层介质板2和下层介质板3，
所述上层介质板1、中层介质板2和下层介质板3固定连接，所述上层介质板1、中层介质板2
和下层介质板3由上至下按序组成三层波导结构。

[0028] 所述上层介质板1的长度小于中层介质板2和下层介质板3的长度，中层介质板2和下层介质板3的长度一致，上层介质板1、中层介质板2和下层介质板3的高度、宽度均一致。

[0029] 上层介质板的下表面覆盖有第一底层金属层4，中层介质板的上表面覆盖有第一顶层金属层5，下层介质板的上表面覆盖有第二顶层金属层6，下表面覆盖有第二底层金属
层7。

[0030] 所述上层介质板1、中层介质板2和下层介质板3的四周分别均分布有至少八个与连接件相匹配的通孔8，每个所述通孔的大小均一致，所述连接件为螺钉。所述上层介质板
1、中层介质板2和下层介质板3均采用Rogers 4003C介质板，介电常数为3.55，损耗角正切
为0.027，厚度为0.813mm。

[0031] 所述中层介质板2传输部分整体挖空形成矩形空气波导，馈电端口9设置于第一顶层金属层上5，矩形空气波导上设置有锥形过渡结构10，馈电端口9从中层介质板到空气波
导过渡的锥形渐近线进行阻抗匹配，矩形空气波导的侧壁除了馈电的渐近线附近都为电壁
13，即全部为金属。中间介质层馈电端口的过渡结构呈指数递减，过渡结构的末端为圆弧
型。所述馈电端口9的宽度等于该基片集成慢波空波导阻抗匹配的宽度。所述中间层介质板
的第一顶层金属层5左侧设置有馈电端口9，馈电端口9与锥形渐近线相连。

[0032] 下层介质板沿中间介质层空气波导的电壁13设置了两排间距均匀的第一金属化通孔11，每个所述通孔之间的间距相等，下层介质板的中部设置有均匀密集的第二金属化
通孔12，第二金属化通孔均匀地分布于中间介质层空气波导的下方，即两排第一金属化通
孔11内侧。所述下层介质板顶层设置于两排第一金属化通孔外侧，即中间介质层空气波导
外侧，为金属；下层介质板底层为地，即金属。

[0033] 如图5所示，基片集成慢波空波导由上至下依次包含上层介质基片、上层底面金属层、中间层顶面金属层、中间层介质基片、下层顶面金属层、下层介质基片和下层底面金属
层。

[0034] 所述上层介质板1、中层介质板2和下层介质板3均采用Rogers 4003C介质板，介电常数为3.55，损耗角正切为0.027，厚度为0.813mm，在下层的介质基片上均匀分布着金属化
通孔。基片集成慢波空波导宽14.45mm，相同工作频段下的基片集成空波导宽19.05mm，本发
明的基片集成慢波空波导减小了24%的尺寸。基片集成慢波空波导的无载Q值高达1680，是
基片集成波导Q值的5.35倍，是基片集成慢波波导Q值的6.04倍。

[0035] 如图3所示，微带线通过锥形过渡结构接入基片集成慢波空波导，作为波导的输入端口。为了更好的阻抗匹配，锥形过渡结构呈指数分布渐变，末端为圆弧形。

[0036] 图6和图7为本发明用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导内部电场和磁场横截面图，下层介质板通过打金属化通孔，在不影响磁场分布的情况下，把电场集中
到中间空气层，实现了慢波效应。

[0037] 图8是用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导的S参数仿真结果图，图中横坐标代表频率，纵坐标代表幅度，在中层介质板和下层介质板同等厚度的情况下，该波
导的回波损耗大于18dB，频率越高，输入端口逐渐不匹配导致回波损耗逐渐减小。

[0038] 图9为该四阶滤波器的S参数仿真和测试的结果图，图中横坐标代表频率，纵坐标代表幅度。利用基片集成慢波空波导设计的四阶滤波器中心频率为11.22GHz，相对带宽为
7.6％，回波损耗大于20dB，插入损耗仿真值小于0.88dB，测试值小于1.2dB，其误差主要在
于接头焊接的工艺损耗。同工作频段的基片集成波导四阶滤波器，插入损耗为2dB，同工作
频段的基片集成慢波波导四阶滤波器，插入损耗高达3.2dB，本发明的基片集成慢波空波导
四阶滤波器大大降低损耗，提高了传输性能。同工作频段的基片集成空波导四阶滤波器尺
2 2
寸为14.29cm ，本发明基片集成慢波空波导四阶滤波器实际尺寸为9cm ，同比减小了37%，实
现了结构的紧凑和低损耗高Q值的结合。

[0039] 该基片集成慢波空波导是由基片集成空波导改进的基片集成慢波空波导。改进的底层介质层通过打通均匀密集的金属化通孔，在波导中形成慢波效应，在不改变磁场分布
的情况下，把电场集中在中间空气层，达到了保持高Q值的同时，减小了该波导横向与纵向
的尺寸，最终实现了高Q值与小型化的结合。

[0040] 本发明能在基片集成空波导的三层结构基础上，实现了慢波效应，同时实现了该波导的低损耗传输，相对于同等技术的基片集成空波导，本发明明显减小了其尺寸，更易于
平面电路的集成，相对于同等技术的基片集成慢波波导，本发明大大增加了Q值，减小了插
入损耗，实用性更好。

[0041] 利用该波导结构，本发明设计了一种用于改善微波无源器件性能的基片集成慢波空波导四阶滤波器，插损低、Q值高、尺寸相对减小，充分说明该波导结构的优良特性。本发
明能顺利实现慢波效应与基片集成空波导的结合，相比于同等技术的基片集成空波导，本
发明实现了高Q值与小型化的共存，易于加工、结构紧凑，在小型化、高Q值、低损耗等多方面
要求严格的微波电路和系统中，有着广阔的应用前景。

[0042] 本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。