一种核桃育种方法

摘要

本发明提供了一种核桃育种方法，包括：(1)亲本的选择与人工杂交：选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交；(2)杂交果管理并采集：杂交期间进行管理，并在杂交后取杂交果；(3)幼胚的获得与培养：将杂交果进行无菌化处理并取杂交果幼胚置于幼胚培养基中进行培养；(4)继代培养：将胚培苗的茎段于继代培养基中进行继代培养；(5)胚培苗的生根诱导培养：将继代胚培苗于生根诱导培养基中培养得到完整带根苗；(6)炼苗移栽。本发明提供的一种核桃育种方法，杂种幼胚的萌发率达到96％，胚培苗茎段的生根率达到86.1％，移栽成活率达到88.5％。

权利要求

1.一种核桃育种方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1、亲本的选择与人工杂交：选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交；

步骤2、杂交果管理并采集：杂交期间进行管理，并在杂交后取杂交果；

步骤3、幼胚的获得与培养：将杂交果进行无菌化处理并取杂交果幼胚置于幼胚培养基中进行培养；所述步骤3的幼胚培养基为DKW基础培养基中添加IBA 1～2mg/L，2,4‑D 0.05～0.08mg/ L；培养条件为：首先在4℃冰箱中放5‑10天，然后温度为23～27℃下在暗培养

15‑20天；待幼胚萌发，长出胚根和嫩茎，将胚根切去，仅留嫩茎，放培养室光照下培养，培养温度为23～27℃，光照强度1500lux，光照时间为15～16小时/天；

步骤4、继代培养：将胚培苗的茎段于继代培养基中进行继代培养；所述步骤4中继代培养基为基本培养基中添加10～20mg/L活性炭、2～5 mg/L IBA、0.2～0.5 mg/L NAA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH值为5.5～6.0；所述培养条件为：培养温度为23～27℃，光照强度

1500lux，光照时间为8～10小时/天步骤5、胚培苗的生根诱导培养：将继代胚培苗于生根诱导培养基中培养得到完整带根苗；所述步骤5中生根培养基为基本培养基中添加4～6mg/L维生素C、5～

10mg/L IBA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH值为5.5～6.0；生根培养条件为：在培养温度23～

27℃、光照强度1500lux，光照时间为8～10小时/天的条件下培养；

步骤6、炼苗移栽：将步骤5得到的带根苗经炼苗后移栽。

2.如权利要求1所述的核桃育种方法，其特征在于，所述步骤1中在雄花和雌花生长至充分大却未成熟时，用小袋将父本的雄花和母本的雌花连同幼果分别套住，防止别的花粉进入袋内；等到雄花吐露花粉时解开套袋，收集花粉，然后弹落在雌蕊上，并套袋。

3.如权利要求1所述的核桃育种方法，其特征在于，所述步骤2中杂交果管理包括防治病虫害，避免杂交果实碰伤。

4.如权利要求1所述的核桃育种方法，其特征在于，所述步骤3中取杂交果幼胚的具体步骤为：在超净工作台上，将幼果用无菌纸包裹，然后打开果核后，看到置于核桃顶端、夹在两片子叶间的幼胚，将幼胚用镊子取出。

说明书

一种核桃育种方法

技术领域

[0001] 本发明涉及核桃育种技术领域，特别涉及一种核桃育种方法。

背景技术

[0002] 核桃营养丰富，具有补肾、润肺、润肠、强身健脑和驻颜延年的作用。核桃青果皮中含有丰富的维生素B、维生素C，其含量相当于柑钳类含量的40‑50倍，还含有槲皮素、山萘醇
等物质，可用于中医治疗一些皮肤病和胃神经痛；青果皮也可用作农药。目前，核桃的育种
主要有筛选优良品种直接播种以及嫁接的方法。直接播种的方法成活率低且所需时间长，
因为核桃种子外壳坚硬，吸水缓慢，如用干种子直接播种，培育出的核桃苗栽培成活率很
低。嫁接繁殖方法无论是高枝换头，还是小苗芽接都存在存活率低的缺点。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种核桃育种方法，快速选育出优良品种，存活率高。

[0004] 本发明是这样实现的：

[0005] 本发明提供的目的在于提供一种核桃育种方法，所述方法包括：

[0006] 步骤1、亲本的选择与人工杂交：选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交；

[0007] 步骤2、杂交果管理并采集：杂交期间进行管理，并在杂交天后取杂交果；

[0008] 步骤3、幼胚的获得与培养：将杂交果进行无菌化处理并取杂交果幼胚置于幼胚培养基中进行培养；

[0009] 步骤4、继代培养：将胚培苗的茎段于继代培养基中进行继代培养；

[0010] 步骤5、胚培苗的生根诱导培养：将继代胚培苗于生根诱导培养基中培养

[0011] 得到完整带根苗；

[0012] 步骤6、炼苗移栽：将步骤5得到的带根苗经炼苗后移栽。

[0013] 优选地，所述步骤1中在雄花和雌花生长至充分大却未成熟时，用小袋将父本的雄花和母本的雌花连同幼果分别套住，防止别的花粉进入袋内；等到雄花吐露花粉时解开套
袋，收集花粉，然后弹落在雌蕊上，并套袋。

[0014] 优选地，所述步骤2中杂交果管理包括防治病虫害，避免杂交果实碰伤。

[0015] 优选地，所述步骤3中取杂交果幼胚的具体步骤为：在超净工作台上，将幼果用无菌纸包裹，然后打开果核后，看到置于核桃顶端、夹在两片子叶间的幼胚，将幼胚用镊子取
出。

[0016] 优选地，所述步骤3的幼胚培养基为DKW基础培养基中添加IBA 1～2mg/L，2,4‑D 0.05～0.08mg/ L；培养条件为：首先在4℃冰箱中放5‑10天，然后温度为23～27℃下在暗培
养15‑20天；待幼胚萌发，长出胚根和嫩茎，将胚根切去，仅留嫩茎，放培养室光照下培养，培
养温度为23～27℃，光照强度1500lux，光照时间为15～16小时/天。

[0017] 优选地，所述步骤4中继代培养基为基本培养基中添加10～20mg/L活性炭、2～5 mg/L IBA、0.2～0.5 mg/L NAA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH值为5.5～6.0；所述培养条件
为：培养温度为23～27℃，光照强度1500lux，光照时间为8～10小时/天。

[0018] 优选地，所述步骤5中生根培养基为基本培养基中添加4～6mg/L维生素C、5～10mg/L IBA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH值为5.5～6.0；生根培养条件为：在培养温度23～
27℃、光照强度1500lux，光照时间为8～10小时/天的条件下培养。

[0019] 本发明具有以下有益效果：

[0020] 本发明提供的一种核桃育种方法，选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交，杂种幼胚的萌发率达到96%，胚培苗茎段的生根率达到86.1%，移栽成活率达到88.5%。

具体实施方式

[0021] 实施例1

[0022] 本实施例提供一种核桃育种方法，包括：

[0023] 步骤1、亲本的选择与人工杂交：选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交；中在雄花和雌花生长至充分大却未成熟时，用小袋将父本的雄花和母本的雌花连同幼
果分别套住，防止别的花粉进入袋内；等到雄花吐露花粉时解开套袋，收集花粉，然后弹落
在雌蕊上，并套袋。

[0024] 步骤2、杂交果管理并采集：杂交期间进行管理，并在杂交后取杂交果；杂交果管理包括防治病虫害，避免杂交果实碰伤。取杂交果幼胚的具体步骤为：在超净工作台上，将幼
果用无菌纸包裹，然后打开果核后，看到置于核桃顶端、夹在两片子叶间的幼胚，将幼胚用
镊子取出。

[0025] 步骤3、幼胚的获得与培养：将杂交果进行无菌化处理并取杂交果幼胚置于幼胚培养基中进行培养；所述幼胚培养基为DKW基础培养基中添加IBA 1.5mg/L，2,4‑D 0.06mg/ 
L；培养条件为：首先在4℃冰箱中放7天，然后温度为23～27℃下在暗培养18天；待幼胚萌
发，长出胚根和嫩茎，将胚根切去，仅留嫩茎，放培养室光照下培养18天，培养温度为23～27
℃，光照强度1500lux，光照时间为15～16小时/天。

[0026] 步骤4、继代培养：将胚培苗的茎段于继代培养基中进行继代培养；继代培养基为基本培养基中添加15mg/L活性炭、3 mg/L IBA、0.3 mg/L NAA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH
值为5.5～6.0；所述培养条件为：培养温度为23～27℃，光照强度1500lux，光照时间为8～
10小时/天。

[0027] 步骤5、胚培苗的生根诱导培养：将继代胚培苗于生根诱导培养基中培养

[0028] 得到完整带根苗；所述生根培养基为基本培养基中添加5mg/L维生素C、810mg/L IBA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH值为5.5～6.0；生根培养条件为：在培养温度23～27℃、光
照强度1500lux，光照时间为8～10小时/天的条件下培养。

[0029] 步骤6、炼苗移栽：将步骤5得到的带根苗经炼苗后移栽。

[0030] 实施例2

[0031] 本实施例提供一种核桃育种方法，包括：

[0032] 步骤1、亲本的选择与人工杂交：选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交；中在雄花和雌花生长至充分大却未成熟时，用小袋将父本的雄花和母本的雌花连同幼
果分别套住，防止别的花粉进入袋内；等到雄花吐露花粉时解开套袋，收集花粉，然后弹落
在雌蕊上，并套袋。

[0033] 步骤2、杂交果管理并采集：杂交期间进行管理，并在杂交后取杂交果；杂交果管理包括防治病虫害，避免杂交果实碰伤。取杂交果幼胚的具体步骤为：在超净工作台上，将幼
果用无菌纸包裹，然后打开果核后，看到置于核桃顶端、夹在两片子叶间的幼胚，将幼胚用
镊子取出。

[0034] 步骤3、幼胚的获得与培养：将杂交果进行无菌化处理并取杂交果幼胚置于幼胚培养基中进行培养；所述幼胚培养基为DKW基础培养基中添加IBA 1mg/L，2,4‑D 0.05mg/ L；
培养条件为：首先在4℃冰箱中放5天，然后温度为23～27℃下在暗培养15天；待幼胚萌发，
长出胚根和嫩茎，将胚根切去，仅留嫩茎，放培养室光照下培养15天，培养温度为23～27℃，
光照强度1500lux，光照时间为15～16小时/天。

[0035] 步骤4、继代培养：将胚培苗的茎段于继代培养基中进行继代培养；继代培养基为基本培养基中添加10mg/L活性炭、2 mg/L IBA、0.2mg/L NAA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH
值为5.5～6.0；所述培养条件为：培养温度为23～27℃，光照强度1500lux，光照时间为8～
10小时/天。

[0036] 步骤5、胚培苗的生根诱导培养：将继代胚培苗于生根诱导培养基中培养

[0037] 得到完整带根苗；所述生根培养基为基本培养基中添加4mg/L维生素C、5mg/L IBA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH值为5.5～6.0；生根培养条件为：在培养温度23～27℃、光
照强度1500lux，光照时间为8～10小时/天的条件下培养。

[0038] 步骤6、炼苗移栽：将步骤5得到的带根苗经炼苗后移栽。

[0039] 实施例3

[0040] 本实施例提供一种核桃育种方法，包括：

[0041] 步骤1、亲本的选择与人工杂交：选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交；中在雄花和雌花生长至充分大却未成熟时，用小袋将父本的雄花和母本的雌花连同幼
果分别套住，防止别的花粉进入袋内；等到雄花吐露花粉时解开套袋，收集花粉，然后弹落
在雌蕊上，并套袋。

[0042] 步骤2、杂交果管理并采集：杂交期间进行管理，并在杂交后取杂交果；杂交果管理包括防治病虫害，避免杂交果实碰伤。取杂交果幼胚的具体步骤为：在超净工作台上，将幼
果用无菌纸包裹，然后打开果核后，看到置于核桃顶端、夹在两片子叶间的幼胚，将幼胚用
镊子取出。

[0043] 步骤3、幼胚的获得与培养：将杂交果进行无菌化处理并取杂交果幼胚置于幼胚培养基中进行培养；所述幼胚培养基为DKW基础培养基中添加IBA 2mg/L，2,4‑D 0.08mg/ L；
培养条件为：首先在4℃冰箱中放5‑10天，然后温度为23～27℃下在暗培养20天；待幼胚萌
发，长出胚根和嫩茎，将胚根切去，仅留嫩茎，放培养室光照下培养20天，培养温度为23～27
℃，光照强度1500lux，光照时间为15～16小时/天。

[0044] 步骤4、继代培养：将胚培苗的茎段于继代培养基中进行继代培养；继代培养基为基本培养基中添加20mg/L活性炭、5 mg/L IBA、0.5 mg/L NAA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH
值为5.5～6.0；所述培养条件为：培养温度为23～27℃，光照强度1500lux，光照时间为8～
10小时/天。

[0045] 步骤5、胚培苗的生根诱导培养：将继代胚培苗于生根诱导培养基中培养

[0046] 得到完整带根苗；所述生根培养基为基本培养基中添加6mg/L维生素C、10mg/L IBA、30g/L蔗糖和6g/L的琼脂，pH值为5.5～6.0；生根培养条件为：在培养温度23～27℃、光
照强度1500lux，光照时间为8～10小时/天的条件下培养。

[0047] 步骤6、炼苗移栽：将步骤5得到的带根苗经炼苗后移栽。

[0048] 对比例1

[0049] 该对比例提供一种核桃育种方法，包括：

[0050] 步骤1、亲本的选择与人工杂交：选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交；中在雄花和雌花生长至充分大却未成熟时，用小袋将父本的雄花和母本的雌花连同幼
果分别套住，防止别的花粉进入袋内；等到雄花吐露花粉时解开套袋，收集花粉，然后弹落
在雌蕊上，并套袋。

[0051] 步骤2、杂交果播种及幼苗管理：将成熟的杂交核果在当年地冻前点播于苗圃中。

[0052] 步骤3、杂交种苗的早期选育：杂交种苗于第二年清明前后出苗，等到杂交种苗接出杂交核果时，根据表现进行选育，选杂交核果兼有亲本优点而无亲本缺点的核果为杂交
种果。筛选后的杂交种果播种统计存活率。

[0053] 实验例1

[0054] 1、统计实施例1～实施例3的杂种幼胚的萌发率、生根率和移栽存活率进行统计如表1所示：

[0055] 表1

[0056]组别 萌发率 生根率 移栽存活率
实施例1 96.6％ 86.1％ 88.5％
实施例2 96.1% 81.2% 86.7%
实施例3 95.3% 85.4% 85.1%
对比例1 / / 79.8%

[0057] 由表1可知，本发明提供的一种核桃育种方法，将传统的育种方法与组培技术相结合，选早实核桃做父本，中核1号核桃做母本进行杂交，杂种幼胚的萌发率达到96%，胚培苗
茎段的生根率达到86.1%，移栽成活率达到88.5%。

[0058] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。