一种加热器及其制备方法、传感器、智能终端

摘要

本发明实施例提供一种加热器及其制备方法、传感器、智能终端，该加热器，包括衬底基板、设置在所述衬底基板之上的支撑层以及设置在所述支撑层之上的加热电阻层，所述支撑层靠近所述衬底基板的一侧形成有凹槽，所述支撑层通过所述凹槽与所述衬底基板形成空腔；该加热器可以提高加热器的加热效果，降低加热器的功耗。

权利要求

1.一种加热器，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板之上的支撑层以及设置在所述支撑层之上的加热电阻层，所述支撑层靠近所述衬底基板的一侧形成有凹槽，所述支撑层通过所述凹槽与所述衬底基板形成空腔；所述空腔包括底壁、顶壁以及位于所述底壁与所述顶壁之间的侧壁，所述空腔的顶壁和侧壁位于所述支撑层中，所述空腔的底壁为所述衬底基板靠近所述支撑层一侧的表面；所述支撑层包括悬臂区以及用于承载所述加热电阻层的承载区，所述支撑层的所述承载区上设置有网孔，所述网孔包括第一通孔，所述第一通孔为长条状，所述第一通孔围绕所述加热电阻层的四周设置；或者，所述网孔包括第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔为长条状，所述第一通孔围绕所述加热电阻层的四周设置；所述第二通孔为圆形，所述第二通孔位于相邻的所述加热电阻层之间；或者，所述网孔包括第二通孔，所述第二通孔为圆形，所述第二通孔围绕所述加热电阻层的四周间隔设置，以及在相邻的所述加热电阻层之间间隔设置；或者，所述网孔包括第三通孔，所述第三通孔为矩形，所述第三通孔围绕所述加热电阻层的四周间隔设置，以及在相邻的所述加热电阻层之间间隔设置；所述衬底基板为玻璃基板，所述支撑层包括至少一层氮化硅层和/或至少一层氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述加热电阻层在所述衬底基板上的投影位于所述空腔内。

3.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述加热电阻层包括直线状或弯折状的电阻丝。

4.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述支撑层包括至少一层氮化硅层和/或至少一层氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述支撑层的厚度为0.2μm～3μm。

6.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述加热电阻层的厚度为0.1μm～0.5μm。

7.一种传感器，其特征在于，包括权利要求1‑6任一所述的加热器。

8.一种智能终端，其特征在于，包括权利要求1‑6任一所述的加热器。

9.一种加热器的制备方法，其特征在于，所述加热器的制备方法用于制备上述权利要求1至6任一所述的加热器，所述加热器的制备方法包括：在衬底基板之上形成牺牲层，所述衬底基板为玻璃基板；

在所述牺牲层之上形成支撑层以及在所述支撑层上形成网孔，所述支撑层包括至少一层氮化硅层和/或至少一层氧化硅层，所述网孔包括第一通孔，所述第一通孔为长条状，所述第一通孔围绕所述加热电阻层的四周设置；或者，所述网孔包括第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔为长条状，所述第一通孔围绕所述加热电阻层的四周设置；所述第二通孔为圆形，所述第二通孔位于相邻的所述加热电阻层之间；或者，所述网孔包括第二通孔，所述第二通孔为圆形，所述第二通孔围绕所述加热电阻层的四周间隔设置，以及在相邻的所述加热电阻层之间间隔设置；或者，所述网孔包括第三通孔，所述第三通孔为矩形，所述第三通孔围绕所述加热电阻层的四周间隔设置，以及在相邻的所述加热电阻层之间间隔设置；

在所述支撑层之上形成加热电阻层；

通过所述网孔去除所述牺牲层，以在所述支撑层靠近所述衬底基板一侧形成凹槽，所述支撑层通过所述凹槽与所述衬底基板形成空腔。

10.根据权利要求9所述的加热器的制备方法，其特征在于，在一次构图工艺中同时形成所述支撑层和所述加热电阻层。

11.根据权利要求10所述的加热器的制备方法，其特征在于，所述在一次构图工艺中同时形成所述支撑层和所述加热电阻层包括：在所述牺牲层之上形成介质薄膜层；

在所述介质薄膜层之上形成电阻材料薄膜层；

在所述电阻材料薄膜层之上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域以及光刻胶去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述加热电阻层，所述光刻胶半保留区域对应所述支撑层不与所述加热电阻层重叠的部分；

去除位于所述光刻胶去除区域的所述电阻材料薄膜层和位于所述光刻胶去除区域的所述介质薄膜层；

对所述光刻胶半保留区域的光刻胶进行灰化处理；

去除位于所述光刻胶半保留区域的所述电阻材料薄膜层；

去除位于所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

12.根据权利要求9所述的加热器的制备方法，其特征在于，所述支撑层的上表面为非平面，以形成非平面状的所述加热电阻层；或者，所述支撑层的上表面为平面，以形成平面状的所述加热电阻层。

13.根据权利要求9所述的加热器，其特征在于，所述牺牲层采用半导体材料。

14.根据权利要求9所述的加热器，其特征在于，所述牺牲层的厚度为100nm～20um，所述牺牲层的长度为100μm～10000μm，所述牺牲层的宽度为100μm～10000μm。

说明书

一种加热器及其制备方法、传感器、智能终端

技术领域

[0001] 本发明涉及传感器领域，具体涉及一种加热器及其制备方法、传感器、智能终端。

背景技术

[0002] 微型薄膜加热器在很多领域具有应用，如热相关气体传感器和红外光源。随着MEMS技术的发展，可制造出更小体积、更低功耗、热量分布均匀、更高性能的加热器。随着智能终端的快速发展，希望终端更加智能，功能更强大，同时体积和功耗要更小，因此对传感器集成度的要求越来越高。

[0003] 传统的微型加热器大多采用硅作为衬底。硅基加热器的制备工艺不能用于玻璃基板，因为刻蚀玻璃常用的氢氟酸、硝酸等强酸性溶剂对支撑膜材具有强腐蚀性。如果先刻蚀，再制作加热器层，又无法实现空腔的结构，从而导致热耗散现象严重，功耗高。

发明内容

[0004] 本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种加热器及其制备方法、传感器、智能终端，可以提高加热器的加热效果，降低加热器的功耗。

[0005] 为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种加热器，包括衬底基板、设置在所述衬底基板之上的支撑层以及设置在所述支撑层之上的加热电阻层，所述支撑层靠近所述衬底基板的一侧形成有凹槽，所述支撑层通过所述凹槽与所述衬底基板形成空腔。

[0006] 可选地，所述加热电阻层在所述衬底基板上的投影位于所述空腔内。

[0007] 可选地，所述加热电阻层包括直线状或弯折状的电阻丝。

[0008] 可选地，所述支撑层包括悬臂区以及用于承载所述加热电阻层的承载区，所述支撑层的所述承载区上设置有网孔。

[0009] 可选地，所述支撑层包括至少一层氮化硅层和/或至少一层氧化硅层。

[0010] 可选地，所述支撑层的厚度为0.2μm～3μm。

[0011] 可选地，所述加热电阻层的厚度为0.1μm～0.5μm。

[0012] 可选地，所述衬底基板为玻璃基板。

[0013] 本发明实施例还提供了一种传感器，包括前述的加热器。

[0014] 本发明实施例还提供了一种智能终端，包括前述的加热器。

[0015] 一种加热器的制备方法，包括：

[0016] 在衬底基板之上形成牺牲层；

[0017] 在所述牺牲层之上形成支撑层；

[0018] 在所述支撑层之上形成加热电阻层；

[0019] 去除所述牺牲层，以在所述支撑层靠近所述衬底基板一侧形成凹槽，所述支撑层通过所述凹槽与所述衬底基板形成空腔。

[0020] 可选地，在一次构图工艺中同时形成所述支撑层和所述加热电阻层。

[0021] 可选地，所述在一次构图工艺中同时形成所述支撑层和所述加热电阻层包括：

[0022] 在所述牺牲层之上形成介质薄膜层；

[0023] 在所述介质薄膜层之上形成电阻材料薄膜层；

[0024] 在所述电阻材料薄膜层之上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域以及光刻胶去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述加热电阻层，所述光刻胶半保留区域对应所述支撑层不与所述加热电阻层重叠的部分；

[0025] 去除位于所述光刻胶去除区域的所述电阻材料薄膜层和位于所述光刻胶去除区域的所述介质薄膜层；

[0026] 对所述光刻胶半保留区域的光刻胶进行灰化处理；

[0027] 去除位于所述光刻胶半保留区域的所述电阻材料薄膜层；

[0028] 去除位于所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

[0029] 可选地，所述支撑层的上表面为非平面，以形成非平面状的所述加热电阻层；或者，所述支撑层的上表面为平面，以形成平面状的所述加热电阻层。

[0030] 可选地，所述牺牲层采用半导体材料。

[0031] 可选地，所述牺牲层的厚度为100nm～20um，所述牺牲层的长度为100μm～10000μm，所述牺牲层的宽度为100μm～10000μm。

[0032] 本发明实施例提供的加热器，通过在支撑层中形成凹槽，以使支撑层与衬底基板之间形成空腔，从而避免在衬底基板上开设凹槽过程中，腐蚀支撑层；本发明实施例的加热器能够提高加热效果和工作效率，实现相邻加热电阻层的隔离，有效减少不同加热电阻层之间的影响。

[0033] 本发明实施例提供的加热器的制备方法，通过去除牺牲层，以在支撑层中形成凹槽，支撑层通过凹槽与衬底基板形成空腔，一方面避免在衬底基板上开设凹槽过程中，腐蚀支撑层，降低加热器的良率；另一方面，可有效控制牺牲层的钻蚀速率，优化器件制作时间，并可提高加热器的加热效果。

[0034] 当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

[0035] 附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

[0036] 图1为本发明第一实施例加热器的剖视图；

[0037] 图2为本发明第一实施例加热器的俯视图一；

[0038] 图3为本发明第一实施例加热器的俯视图二；

[0039] 图4为本发明第一实施例加热器的俯视图三；

[0040] 图5为本发明第一实施例加热器的俯视图四；

[0041] 图6为本发明第二实施例加热器制备过程中形成牺牲层后的结构示意图；

[0042] 图7为本发明第二实施例加热器制备过程中形成介质薄膜层后的结构示意图；

[0043] 图8为本发明第二实施例加热器制备过程中形成电阻材料薄膜层后的结构示意图；

[0044] 图9为本发明第二实施例加热器制备过程中形成支撑层、加热电阻层以及网孔后的结构示意图。

具体实施方式

[0045] 下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

[0046] 现有的微加热器都是采用硅作为衬底基板，一般可分为封闭膜式和悬膜式。封闭膜式的支撑膜边界与衬底基板的框架相连，然后通过硅的各向异性腐蚀从硅基板背面腐蚀得到。不足之处是腐蚀时间长，影响均匀性，同时占空比低，功耗高。悬膜式的加热器通常利用几条长条形支撑悬臂梁将加热膜区与衬底基板的框架相连，利用正面体硅加工技术实现中心加热膜区的悬空。不仅工艺时间短，也提高了占空比，功耗更低。硅基底微加热器的制备方法为：在硅基底之上形成悬臂梁和电阻丝，对硅基底进行各向异性湿法腐蚀，通过悬臂梁支撑电阻丝，在悬臂梁之下形成一定深度的空腔，可有效降低热损耗，提高加热器的效率。

[0047] 与硅基底相比，玻璃基板在实现大批量生产方面更具有优势。在微型加热器方面，玻璃基板能够制作较高规格的微型加热器。除了用于气体传感器或生物传感器，在玻璃基板上制作的微加热器，还可以集成到显示器件中，进一步拓展显示器的工作环境。如在低温下做为加热器，使LCD显示器更好的工作。而对于玻璃基板，湿法刻蚀液(HF)对常用的悬臂梁材料氧化硅和氮化硅具有很强的腐蚀作用，故无法在玻璃基板之上刻蚀形成空腔，从而导致热耗散现象比较严重，功耗较高。

[0048] 为了解决现有加热器热耗散现象严重，功耗高等问题，本发明实施例提供一种加热器，包括衬底基板、设置在所述衬底基板之上的支撑层以及设置在所述支撑层之上的加热电阻层，所述支撑层靠近所述衬底基板的一侧形成有凹槽，所述支撑层通过所述凹槽与所述衬底基板形成空腔。本发明实施例提供的加热器，通过在支撑层中形成凹槽，以使支撑层与衬底基板之间形成空腔，从而避免在衬底基板上开设凹槽过程中，腐蚀支撑层；本发明实施例的加热器能够提高加热效果和工作效率，实现相邻加热电阻层的隔离，有效减少不同加热电阻层之间的影响。

[0049] 下面通过具体实施例详细说明本发明实施例的技术方案。

[0050] 第一实施例

[0051] 图1为本发明第一实施例加热器的剖视图；图2为本发明第一实施例加热器的俯视图一。如图1和图2所示，本发明实施例提供的加热器包括衬底基板100、设置在衬底基板100之上的支撑层200以及设置在支撑层200之上的加热电阻层300，所述支撑层200靠近所述衬底基板100的一侧形成有凹槽，支撑层200通过所述凹槽与衬底基板100形成空腔400。空腔400能够提高加热器的加热效果和工作效率，实现相邻加热电阻层的隔离，有效减少不同加热电阻层之间的影响。其中，衬底基板100可以采用多种材质，比如，衬底基板100可以为玻璃基板，还可以为陶瓷基板、柔性树脂基板等。

[0052] 实施例中，加热电阻层300包括直线状或弯折状的电阻丝。其中，弯折状的电阻丝可以为折线状、曲折线状等。弯折状的电阻丝可以在有限的空间内增加电阻丝长度，提升加热效果。

[0053] 实施例中，支撑层200用于承载加热电阻层300，其包括悬臂区(即悬臂梁)210以及用于承载加热电阻层300的承载区220，支撑层200的承载区220上设置有网孔500。在制作空腔400时，网孔500可以作为刻蚀液钻蚀孔，同时，网孔500能够减少热量向支撑层200传递，减少热损失，从而进一步降低加热器功耗。其中，支撑层200可以采用多种形状，比如，支撑层200为矩形、圆形、菱形、三角形或六边形等形状。

[0054] 图3为本发明第一实施例加热器的俯视图二；图4为本发明第一实施例加热器的俯视图三；图5为本发明第一实施例加热器的俯视图四。支撑层200中形成的网孔500可以采用多种形状，比如，网孔500包括第一通孔，第一通孔为长条状，围绕加热电阻层300的四周设置，如图1所示。或者，网孔500包括第一通孔以及第二通孔，第一通孔为长条状，围绕加热电阻层300的四周设置；第二通孔为圆形，位于相邻的加热电阻层300之间，如图3所示。或者，网孔500包括第二通孔，第二通孔为圆形，第二通孔围绕加热电阻层300的四周间隔设置，以及在相邻的加热电阻层300之间间隔设置，如图4所示。或者，网孔500包括第三通孔，第三通孔为矩形，第三通孔围绕加热电阻层300的四周间隔设置，以及在相邻的加热电阻层300之间间隔设置，如图5所示。

[0055] 实施例中，支撑层的上表面可以为如图1所示的平面状(即加热器为二维平面型加热器)，支撑层之上的加热电阻层为平面状。或者，支撑层的上表面可以为为非平面状(即加热器为三维结构加热器)，支撑层之上的加热电阻层为非平面状，例如，加热电阻层可以呈凹状、凸状或凹凸不平状等非平面状，当该加热器应用于气体传感器时，三维结构的加热器受外界气流的影响更小。

[0056] 实施例中，支撑层200的厚度为0.2μm～3μm。支撑层200包括至少一层氮化硅层和/或至少一层氧化硅层。比如，支撑层200包括多层氮化硅层和多层氧化硅层，并且氮化硅层和氧化硅层交替层叠设置，每一层氮化硅层的厚度可以为0.1μm～0.5μm，每一层氧化硅层的厚度可以为0.1μm～0.5μm，其中，支撑层中的承载区的形状可以为方形、圆形、菱形、三角形、六边形等形状。

[0057] 实施例中，加热电阻层300的材料可以为金属、金属合金或半导体材料，例如可以为金、铂、钼、铬、钛、硅等，加热电阻层300的厚度可以为0.1μm～0.5μm之间，其中加热电阻层300的电阻丝的线宽可以为3μm～20μm，线间距可以为3μm～500μm。

[0058] 本发明实施例提供的加热器，通过在支撑层中形成凹槽，使支撑层通过凹槽与衬底基板形成空腔，从而避免在衬底基板上开设凹槽过程中，腐蚀支撑层。

[0059] 第二实施例

[0060] 基于前述实施例的技术构思，本发明还提供了一种加热器的制备方法，包括：

[0061] 在衬底基板之上形成牺牲层；

[0062] 在所述牺牲层之上形成支撑层；

[0063] 在所述支撑层之上形成加热电阻层；

[0064] 去除所述牺牲层，以在所述支撑层靠近所述衬底基板一侧形成凹槽，所述支撑层通过所述凹槽与所述衬底基板形成空腔。

[0065] 其中，所述支撑层的上表面为非平面，以形成非平面状的所述加热电阻层；或者，所述支撑层的上表面为平面，以形成平面状的所述加热电阻层。

[0066] 下面以衬底基板为玻璃基板，支撑层的上表面为平面，形成平面状的加热电阻层为例，进一步说明本实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

[0067] 图6～9为本实施例加热器制备过程的示意图。加热器的制备过程包括：

[0068] (1)形成牺牲层。形成牺牲层包括：将衬底基板100洗净，在衬底基板100上表面沉积一层覆盖整个衬底基板100的牺牲薄膜层，通过构图工艺对牺牲薄膜层进行构图，将衬底基板100之上的牺牲薄膜层形成牺牲层600，如图6所示。其中，牺牲层600可以采用多种形状的图案，比如，牺牲层600为正方形、长方形、菱形、三角形、圆形等。上述的构图工艺可以采用溅射工艺、热蒸镀工艺或电镀工艺。牺牲层600可以采用多种材料，比如，牺牲层600采用半导体，如钼、铝、钼‑铝钕‑钼、金属氧化物等；牺牲层600的厚度为100nm～20um，牺牲层600的长度为100μm～10000μm，牺牲层600的宽度为100μm～10000μm。

[0069] (2)形成介质薄膜层，该介质薄膜层用于形成支撑层。形成介质薄膜层包括：在形成前述图案的衬底基板100上，采用等离子增强化学气相沉积或低压化学气相沉积工艺，在牺牲层600之上形成覆盖整个衬底基板100的介质薄膜层700，如图7所示。其中，介质薄膜层700的厚度可以为0.2μm～3μm，介质薄膜层700的材料可以包括至少一层氮化硅层和/或至少一层氧化硅层，例如，介质薄膜层700可以包括多层氮化硅层和多层氧化硅层，并且氮化硅层和氧化硅层交替层叠设置，每一层氮化硅层的厚度可以为0.1μm～0.5μm，每一层氧化硅层的厚度可以为0.1μm～0.5μm。

[0070] (3)形成电阻材料薄膜层，该电阻材料薄膜层用于形成加热电阻层。形成电阻材料薄膜层包括：在形成前述图案的衬底基板100上，在介质薄膜层700之上形成覆盖整个介质薄膜层700的电阻材料薄膜层800，如图8所示。其中，该电阻材料薄膜层800的材料可以为金属、金属合金或半导体材料，例如可以为金、铂、钼、铬、钛、硅等。该电阻材料薄膜层800可通过溅射、蒸发或蒸镀的方式制作形成，电阻材料薄膜的厚度可以为0.1μm～0.5μm。

[0071] (4)形成支撑层、加热电阻层以及网孔。形成支撑层、加热电阻层以及网孔包括：在形成前述图案的衬底基板100上，在一次构图工艺中同时形成支撑层200、加热电阻层300以及网孔，如图9所示。其中，加热电阻层300包括电阻丝，所述电阻丝的线宽为3～20μm，所述电阻丝的线间距为3～500μm。

[0072] 其中，在一次构图工艺中同时形成支撑层、加热电阻层以及网孔包括：

[0073] (4‑1)在电阻材料薄膜层之上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域以及光刻胶去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述加热电阻层，所述光刻胶半保留区域对应所述支撑层不与所述加热电阻层重叠的部分；例如，可以通过半透掩膜版形成上述的光刻胶图案。

[0074] (4‑2)去除位于所述光刻胶去除区域的所述电阻材料薄膜层和位于所述光刻胶去除区域的所述介质薄膜层；例如，可以采用不同的刻蚀工艺分别去除位于所述光刻胶去除区域的所述电阻材料薄膜层和位于所述光刻胶去除区域的所述介质薄膜层，介质薄膜层通过本次刻蚀形成所需图案的支撑层，以及形成支撑层中的网孔。

[0075] (4‑3)对所述光刻胶半保留区域的光刻胶进行灰化处理；

[0076] (4‑4)去除位于所述光刻胶半保留区域的所述电阻材料薄膜层；例如，可以采用刻蚀工艺去除位于所述光刻胶半保留区域的所述电阻材料薄膜层，电阻材料薄膜层通过本次刻蚀后形成所需图案的加热电阻层；

[0077] (4‑5)去除位于所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，从而形成如图9所示的依次设置在牺牲层600之上的支撑层200以及加热电阻层300。

[0078] (5)去除牺牲层。去除牺牲层包括：采用湿法刻蚀工艺，通过网孔钻蚀牺牲层600，以在支撑层200靠近衬底基板100一侧形成凹槽，支撑层200通过凹槽与衬底基板100形成空腔400，如图1所示。

[0079] 通过本实施例上述制备过程可以看出，本实施例通过去除牺牲层，以在支撑层靠近衬底基板一侧形成凹槽，支撑层通过凹槽与衬底基板形成空腔，一方面避免在衬底基板上开设凹槽过程中，腐蚀支撑层，降低加热器的良率；另一方面，可有效控制牺牲层的钻蚀速率，优化器件制作时间，并可提高加热器的加热效果。

[0080] 此外，本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优，具有良好的应用前景。

[0081] 第三实施例

[0082] 基于前述实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种传感器，包括上述的加热器。

[0083] 本发明实施例的传感器可以为气体传感器，对于目前的气体传感器，需要在一定的温度下才能工作，一般都会在200℃以上，有的传感器会要求达到500℃以上，因此需要加热器来辅助，例如，对于金属氧化物传感器，其工作原理为：在工作温度下与气体相互作用，其电阻随气体浓度改变而变化，通过检测电阻丝的电阻可以检测待测气体的浓度；对于催化燃烧式气体传感器，其工作原理为：在一定温度下，气体在催化剂的作用下发生无焰燃烧，电阻丝的电阻值也会发生变化，从而可以通过电阻丝的电阻值得到待测气体的浓度。

[0084] 通过本发明中的加热器，能够有效降低传感器的功耗，并且有助于提高传感器的灵敏度。

[0085] 第四实施例

[0086] 基于前述实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种智能终端，包括上述的加热器。例如，该智能终端可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件等。

[0087] 在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0088] 在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0089] 虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。