硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法

摘要

本发明提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法，以十八烯‑硒作为硒前驱体，制备硒化银量子点，且在硒化银量子点表面包覆硒硫化银合金壳，以钝化硒化银量子点的表面，减少硒化银量子点的表面缺陷，构建平缓的界面势垒，抑制硒化银量子点的俄歇复合，消除随机方向的局域电场，且硒化银/硒硫化银核壳量子点毒性可忽略，安全可靠；采用全氢聚硅氮烷，在大气氛围及室温下，转化为硒化银/硒硫化银核壳量子点的二氧化硅封装层，可制备工作波长在近红外第二窗口随量子点尺寸连续可调、调制深度大、性能稳定、寿命长、结构简单且环境友好的电光调制器。

权利要求

1.一种电光调制器，其特征在于，所述电光调制器包括依次堆叠设置的：基板；

第一电极；

功能层，所述功能层包括封装层及位于所述封装层内的硒化银/硒硫化银核壳量子点，在所述硒化银/硒硫化银核壳量子点中，硒化银量子点作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的核，硒硫化银合金壳作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的壳，且所述硒硫化银合金壳包覆所述硒化银量子点；

第二电极。

2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述硒化银/硒硫化银核壳量子点在所述封装层中均匀分布。

3.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：在所述硒硫化银合金壳中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

4.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述封装层包括二氧化硅层及树脂层中的一种。

5.一种电光调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板，在所述基板的表面上形成第一电极；

于所述第一电极的表面上形成功能层，所述功能层包括封装层及位于所述封装层内的硒化银/硒硫化银核壳量子点，在所述硒化银/硒硫化银核壳量子点中，硒化银量子点作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的核，硒硫化银合金壳作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的壳，且所述硒硫化银合金壳包覆所述硒化银量子点；

于所述功能层的表面上形成第二电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成所述功能层的步骤包括：制备所述硒化银量子点；

基于所述硒化银量子点，制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点；

基于所述硒化银/硒硫化银核壳量子点，于所述第一电极的表面形成所述功能层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，制备所述硒化银量子点的步骤包括：将硒粉溶解在十八烯中，制备十八烯-硒；

采用金属有机制备法，以所述十八烯-硒作为硒前驱体，制备所述硒化银量子点。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，基于所述硒化银量子点制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的步骤包括：提供所述硒化银量子点；

采用连续离子层吸附反应法，通过逐渐减小所述硒前躯体的注入速度，同时逐渐增加硫前躯体的注入速度，以在所述硒化银量子点的表面形成包覆所述硒化银量子点的所述硒硫化银合金壳，获得所述硒化银/硒硫化银核壳量子点，其中，在所述硒硫化银合金壳中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在所述连续离子层吸附反应法中，反应时间为4h，所述硒前躯体的浓度为0.1mmol/ml，所述硒前躯体的注入速度从2ml/h逐渐减小到0.2ml/h，所述硫前躯体的浓度为0.1mmol/ml，所述硫前躯体的注入速度从0.2ml/h逐渐增加到2ml/h。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，基于所述硒化银/硒硫化银核壳量子点，于所述第一电极的表面形成所述功能层的步骤包括：将所述硒化银/硒硫化银核壳量子点分散于正丁醚中，形成第一混合分散液；

将所述第一混合分散液与全氢聚硅氮烷混合，形成第二混合分散液；

将所述第二混合分散液涂覆于所述第一电极的表面，以获得所述功能层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于：在形成所述第一混合分散液时，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点与所述正丁醚的质量比为1:5；在形成所述第二混合分散液时，所述第一混合分散液与所述全氢聚硅氮烷的质量比为1:1。

说明书

硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于光电子器件领域，涉及一种硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法。

背景技术

[0002] 电光调制器是利用电光效应制成的调制器，当把电压加到电光晶体上时，电光晶体的折射率或禁带宽度将发生变化，结果引起通过该晶体的光波特性的变化，实现对光信号的相位、幅度、强度以及偏振状态的调制，其是光通信系统中的关键部件。

[0003] 量子限域结构在外加电场的作用下，会形成内建电场，进而导致半导体的能带发生倾斜，电子-空穴对发生空间分离、波函数交叠量减少，从而引起发光峰和吸收边红移等现象，称为量子限制斯塔克效应。利用该效应，通过改变外加电场，可以控制吸收边的移动，从而调制透射光强度。

[0004] 基于量子阱结构的量子限制斯塔克效应器件已经成功应用于电光调制器，相较于量子阱，量子点的吸收边更加陡峭，吸收边的位置随量子点尺寸调节的范围更大。因此，基于量子点的斯塔克效应电光调制器，可拥有更大的调制深度和随尺寸可调的工作波长。然而，量子点的俄歇复合效率和比表面积都远高于量子阱，且量子点的俄歇复合和表面缺陷会使量子点的表面或周围产生带电载流子，这些带电载流子会产生随机方向的局域电场，而这些局域电场会削弱电光调制器的调制深度。

[0005] 因此，提供一种新型的硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法，实属必要。

发明内容

[0006] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法，用于解决现有技术中，在基于量子点的斯塔克效应电光调制器中，由于量子点的俄歇复合和表面缺陷，所造成的削弱电光调制器的调制深度的问题。

[0007] 为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点包括：

[0008] 硒化银量子点，所述硒化银量子点作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的核；

[0009] 硒硫化银合金壳，所述硒硫化银合金壳作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的壳，且所述硒硫化银合金壳包覆所述硒化银量子点。

[0010] 可选地，在所述硒硫化银合金壳中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

[0011] 本发明还提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点的制备方法，包括以下步骤：

[0012] 制备硒化银量子点，所述硒化银量子点作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的核；

[0013] 基于所述硒化银量子点，制备硒硫化银合金壳，所述硒硫化银合金壳作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的壳，且所述硒硫化银合金壳包覆所述硒化银量子点。

[0014] 可选地，制备所述硒化银量子点的步骤包括：

[0015] 将硒粉溶解在十八烯中，制备十八烯-硒；

[0016] 采用金属有机制备法，以所述十八烯-硒作为硒前驱体，制备所述硒化银量子点。

[0017] 可选地，基于所述硒化银量子点制备所述硒硫化银合金壳的步骤包括：

[0018] 提供所述硒化银量子点；

[0019] 采用连续离子层吸附反应法，通过逐渐减小所述硒前躯体的注入速度，同时逐渐增加硫前躯体的注入速度，以在所述硒化银量子点的表面形成包覆所述硒化银量子点的所述硒硫化银合金壳，其中，在所述硒硫化银合金壳中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

[0020] 可选地，在所述连续离子层吸附反应法中，反应时间为4h，所述硒前躯体的浓度为0.1mmol/ml，所述硒前躯体的注入速度从2ml/h逐渐减小到0.2ml/h，所述硫前躯体的浓度为0.1mmol/ml，所述硫前躯体的注入速度从0.2ml/h逐渐增加到2ml/h。

[0021] 本发明还提供一种电光调制器，所述电光调制器包括依次堆叠设置的：

[0022] 基板；

[0023] 第一电极；

[0024] 功能层，所述功能层包括封装层及位于所述封装层内的硒化银/硒硫化银核壳量子点，在所述硒化银/硒硫化银核壳量子点中，硒化银量子点作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的核，硒硫化银合金壳作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的壳，且所述硒硫化银合金壳包覆所述硒化银量子点；

[0025] 第二电极。

[0026] 可选地，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点在所述封装层中均匀分布。

[0027] 可选地，在所述硒硫化银合金壳中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

[0028] 可选地，所述封装层包括二氧化硅层、聚甲基丙烯酸甲酯层及树脂层中的一种。

[0029] 本发明还提供一种电光调制器的制备方法，包括以下步骤：

[0030] 提供基板，在所述基板的表面上形成第一电极；

[0031] 于所述第一电极的表面上形成功能层，所述功能层包括封装层及位于所述封装层内的硒化银/硒硫化银核壳量子点，在所述硒化银/硒硫化银核壳量子点中，硒化银量子点作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的核，硒硫化银合金壳作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的壳，且所述硒硫化银合金壳包覆所述硒化银量子点；

[0032] 于所述功能层的表面上形成第二电极。

[0033] 可选地，形成所述功能层的步骤包括：

[0034] 制备所述硒化银量子点；

[0035] 基于所述硒化银量子点，制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点；

[0036] 基于所述硒化银/硒硫化银核壳量子点，于所述第一电极的表面形成所述功能层。

[0037] 可选地，制备所述硒化银量子点的步骤包括：

[0038] 将硒粉溶解在十八烯中，制备十八烯-硒；

[0039] 采用金属有机制备法，以所述十八烯-硒作为硒前驱体，制备所述硒化银量子点。

[0040] 可选地，基于所述硒化银量子点制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的步骤包括：

[0041] 提供所述硒化银量子点；

[0042] 采用连续离子层吸附反应法，通过逐渐减小所述硒前躯体的注入速度，同时逐渐增加硫前躯体的注入速度，以在所述硒化银量子点的表面形成包覆所述硒化银量子点的所述硒硫化银合金壳，获得所述硒化银/硒硫化银核壳量子点，其中，在所述硒硫化银合金壳中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

[0043] 可选地，在所述连续离子层吸附反应法中，反应时间为4h，所述硒前躯体的浓度为0.1mmol/ml，所述硒前躯体的注入速度从2ml/h逐渐减小到0.2ml/h，所述硫前躯体的浓度为0.1mmol/ml，所述硫前躯体的注入速度从0.2ml/h逐渐增加到2ml/h。

[0044] 可选地，基于所述硒化银/硒硫化银核壳量子点，于所述第一电极的表面形成所述功能层的步骤包括：

[0045] 将所述硒化银/硒硫化银核壳量子点分散于正丁醚中，形成第一混合分散液；

[0046] 将所述第一混合分散液与全氢聚硅氮烷混合，形成第二混合分散液；

[0047] 将所述第二混合分散液涂覆于所述第一电极的表面，以获得所述功能层。

[0048] 可选地，在形成所述第一混合分散液时，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点与所述正丁醚的质量比为1:5；在形成所述第二混合分散液时，所述第一混合分散液与所述全氢聚硅氮烷的质量比为1:1。

[0049] 如上所述，本发明的硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法，以十八烯-硒作为硒前驱体，可制备吸收边较陡峭的硒化银量子点，且硒化银量子点的吸收边在近红外第二窗口随尺寸连续可调，基于硒化银量子点的电光调制器，可拥有较大的调制深度且工作波长在近红外第二窗口随硒化银量子点尺寸连续可调；在硒化银量子点表面包覆硫元素自核向壳的方向延伸且含量逐渐增加的硒硫化银合金壳，可钝化硒化银量子点的表面，以减少硒化银量子点的表面缺陷，并构建平缓的界面势垒，以抑制硒化银量子点的俄歇复合，进而消除随机方向的局域电场，进一步增加电光调制器的调制深度；硒化银/硒硫化银核壳量子点的毒性可忽略，安全可靠；采用新型的涂层材料全氢聚硅氮烷，在大气氛围及室温下，即可转化为硒化银/硒硫化银核壳量子点的二氧化硅封装层，制备方法简便，可提高电光调制器的稳定性和寿命；从而本发明可制备工作波长在近红外第二窗口随量子点尺寸连续可调、调制深度大、性能稳定、寿命长、结构简单且环境友好的电光调制器。

附图说明

[0050] 图1显示为本发明制备的硒化银/硒硫化银核壳量子点的结构示意图。

[0051] 图2显示为本发明制备硒化银/硒硫化银核壳量子点的工艺流程图。

[0052] 图3显示为本发明制备的电光调制器的结构示意图。

[0053] 图4显示为本发明制备的电光调制器的工艺流程图。

[0054] 元件标号说明

[0055] 100                    硒化银/硒硫化银核壳量子点

[0056] 101                    硒化银量子点

[0057] 102                    硒硫化银合金壳

[0058] 200                    封装层

[0059] 110                    基板

[0060] 120                    第一电极

[0061] 130                    功能层

[0062] 140                    第二电极

具体实施方式

[0063] 以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

[0064] 请参阅图1～图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

[0065] 如图1，本实施例提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点100，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100包括硒化银量子点101及硒硫化银合金壳102，其中，所述硒化银量子点101作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的核，所述硒硫化银合金壳102作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的壳，且所述硒硫化银合金壳102包覆所述硒化银量子点101。

[0066] 本实施例基于具有陡峭的吸收边的所述硒化银量子点101，在所述硒化银量子点101的表面包覆所述硒硫化银合金壳102，以提供一种新型的、毒性可忽略、安全可靠的所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，且所述硒硫化银合金壳102可钝化所述硒化银量子点101的表面，以减少所述硒化银量子点101的表面缺陷，并构建平缓的界面势垒，以抑制所述硒化银量子点101的俄歇复合，进而消除随机方向的局域电场，从而当将所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100应用于电光调制器时，可使所述电光调制器在具有陡峭的吸收边及吸收边在近红外第二窗口随尺寸连续可调的前提下，进一步增加所述电光调制器的调制深度。

[0067] 作为示例，在所述硒硫化银合金壳102中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

[0068] 具体的，在制备所述硒硫化银合金壳102的过程中，可通过控制反应条件，使得在所述硒硫化银合金壳102中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加，以进一步增加所述电光调制器的调制深度，具体形成方法在以下有关所述硒硫化银合金壳102的制备方法的内容中将进行详细介绍，此处暂不做介绍。

[0069] 如图2，本实施例还提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点的制备方法，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点的制备方法可用以制备上述图1中的所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，但制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的方法并非局限于此，本实施例中，以制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100作为示例。

[0070] 首先，制备所述硒化银量子点101，所述硒化银量子点101作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的核，所述硒化银量子点101的制备步骤包括：

[0071] 将硒粉溶解在十八烯中，制备十八烯-硒；

[0072] 采用金属有机制备法，以所述十八烯-硒作为硒前驱体，制备所述硒化银量子点101。

[0073] 具体的，以十八烯-硒作为硒前驱体，可进一步制备吸收边陡峭的所述硒化银量子点101，使得后续基于所述硒化银量子点101制备的所述电光调制器，可进一步的拥有较大的调制深度。

[0074] 接着，基于所述硒化银量子点101，制备所述硒硫化银合金壳102，所述硒硫化银合金壳102作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的壳，且所述硒硫化银合金壳102包覆所述硒化银量子点101，所述硒硫化银合金壳102的制备步骤包括：

[0075] 提供所述硒化银量子点101；

[0076] 采用连续离子层吸附反应法，通过逐渐减小所述硒前躯体的注入速度，同时逐渐增加硫前躯体的注入速度，以在所述硒化银量子点101的表面形成包覆所述硒化银量子点101的所述硒硫化银合金壳102，其中，在所述硒硫化银合金壳102中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

[0077] 具体的，利用所述连续离子层吸附反应法，通过在4h的反应过程中，将浓度为0.1mmol/ml的所述硒前躯体的注入速度从2ml/h逐渐减小到0.2ml/h，同时将浓度为
0.1mmol/ml的所述硫前躯体的注入速度从0.2ml/h逐渐增加到2ml/h，可在2μmol的所述硒化银量子点101的表面包覆硫元素含量自所述核向所述壳的方向延伸，逐渐增加的所述硒硫化银合金壳102，从而获得所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100。

[0078] 如图3，本实施例还提供一种电光调制器，所述电光调制器包括依次堆叠设置的基板110、第一电极120、功能层130及第二电极140，所述功能层130包括封装层200及位于所述封装层200内的硒化银/硒硫化银核壳量子点。其中，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点可采用所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，但并非局限于此，本实施例中，以所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100作为示例。即在所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100中，所述硒化银量子点101作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的核，所述硒硫化银合金壳102作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的壳，且所述硒硫化银合金壳102包覆所述硒化银量子点101。

[0079] 本实施例中的所述电光调制器，包括所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，因此，可提供一种新型的、毒性可忽略、环境友好、安全可靠、工作波长在近红外第二窗口随量子点尺寸连续可调、调制深度大的所述电光调制器。

[0080] 具体的，所述基板110可采用透明材质的石英或三氧化二铝；所述第一电极120可采用透明材质的氧化铟锡(ITO)、掺杂氟的二氧化锡(FTO)、石墨烯或银纳米线，同理，所述第二电极140可采用透明材质的氧化铟锡、掺杂氟的二氧化锡、石墨烯或银纳米线；所述封装层200可采用透明且绝缘的封装材料，包括二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或树脂。本实施例中，优选所述基板110采用石英基板，所述第一电极120及第二电极140均采用氧化铟锡，所述封装层200采用二氧化硅，以扩大所述电光调制器的应用。

[0081] 作为示例，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100在所述封装层200中均匀分布，以提高所述电光调制器的性能稳定性。

[0082] 作为示例，在所述硒硫化银合金壳102中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加，以进一步的提高所述电光调制器的调制深度及性能稳定性。

[0083] 如图4，本实施例还提供一种电光调制器的制备方法，所述电光调制器的制备方法可用以制备上述图3中的所述电光调制器，但制备所述电光调制器的方法并非局限于此，本实施例中，以制备所述电光调制器作为示例。

[0084] 首先，提供基板110，在所述基板110的表面上形成第一电极120。

[0085] 具体的，所述基板110可采用透明材质的石英或三氧化二铝，所述第一电极120可采用透明材质的氧化铟锡(ITO)、掺杂氟的二氧化锡(FTO)、石墨烯或银纳米线。本实施例中所述基板110优选石英基板，所述第一电极120优选氧化铟锡，但并非局限于此，可根据需要进行选择。其中，制备所述第一电极120的方法可采用磁控溅射法，以在所述石英基板上沉积氧化铟锡，制备所述第一电极120。

[0086] 接着，于所述第一电极120的表面上形成功能层130，所述功能层130包括封装层200及位于所述封装层200内的硒化银/硒硫化银核壳量子点100，在所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100中，所述硒化银量子点101作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的核，所述硒硫化银合金壳102作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的壳，且所述硒硫化银合金壳102包覆所述硒化银量子点101。

[0087] 具体的，形成所述功能层130的步骤包括：

[0088] 制备所述硒化银量子点101；

[0089] 基于所述硒化银量子点101，制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100；

[0090] 基于所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，于所述第一电极120的表面形成所述功能层130。

[0091] 其中，首先制备所述硒化银量子点101，步骤包括：

[0092] 将硒粉溶解在十八烯中，制备十八烯-硒；

[0093] 采用金属有机制备法，以所述十八烯-硒作为硒前驱体，制备所述硒化银量子点101。

[0094] 接着，基于所述硒化银量子点101制备所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，步骤包括：

[0095] 提供所述硒化银量子点101；

[0096] 采用连续离子层吸附反应法，通过逐渐减小所述硒前躯体的注入速度，同时逐渐增加硫前躯体的注入速度，以在所述硒化银量子点101的表面形成包覆所述硒化银量子点101的所述硒硫化银合金壳102，获得所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，其中，在所述硒硫化银合金壳102中，自所述核向所述壳的方向延伸，硫元素的含量逐渐增加。

[0097] 具体的，利用所述连续离子层吸附反应法，通过在4h的反应过程中，将浓度为0.1mmol/ml的所述硒前躯体的注入速度从2ml/h逐渐减小到0.2ml/h，同时将浓度为
0.1mmol/ml的所述硫前躯体的注入速度从0.2ml/h逐渐增加到2ml/h，可在2μmol的所述硒化银量子点101的表面包覆硫元素含量自所述核向所述壳的方向延伸，逐渐增加的所述硒硫化银合金壳102，从而获得所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100。

[0098] 接着，基于所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100，于所述第一电极120的表面形成所述功能层130，步骤包括：

[0099] 将所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100分散于正丁醚中，形成第一混合分散液；

[0100] 将所述第一混合分散液与全氢聚硅氮烷混合，形成第二混合分散液；

[0101] 将所述第二混合分散液涂覆于所述第一电极120的表面，以获得所述功能层130。

[0102] 具体的，在形成所述第一混合分散液时，所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100与所述正丁醚的质量比为1:5；在形成所述第二混合分散液时，所述第一混合分散液与所述全氢聚硅氮烷的质量比为1:1。其中，在形成所述第二混合分散液时，采用的所述全氢聚硅氮烷在大气氛围及室温下，即可转化为二氧化硅，因此可作为所述硒化银/硒硫化银核壳量子点100的二氧化硅封装层使用，制备方法简便，且可提高所述电光调制器的稳定性和寿命。所述第二混合分散液涂覆于所述第一电极120的表面的方式可采用旋涂法，但并非局限于此，涂覆的方式可根据需要选择，此处不作过分限制。

[0103] 最后，于所述功能层130的表面上形成第二电极140。

[0104] 具体的，所述第二电极140可采用透明材质的氧化铟锡、掺杂氟的二氧化锡、石墨烯或银纳米线。本实施例中所述第二电极140优选与所述第一电极120相同的材质，即氧化铟锡，且制备所述第二电极140的方法可采用磁控溅射法，但所述第二电极140的材质及制备方法的选择，并非局限于此，可根据需要进行选择。

[0105] 综上所述，本发明的硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法，以十八烯-硒作为硒前驱体，可制备吸收边较陡峭的硒化银量子点，且硒化银量子点的吸收边在近红外第二窗口随尺寸连续可调，基于硒化银量子点的电光调制器，可拥有较大的调制深度且工作波长在近红外第二窗口随硒化银量子点尺寸连续可调；在硒化银量子点表面包覆硫元素自核向壳的方向延伸且含量逐渐增加的硒硫化银合金壳，可钝化硒化银量子点的表面，以减少硒化银量子点的表面缺陷，并构建平缓的界面势垒，以抑制硒化银量子点的俄歇复合，进而消除随机方向的局域电场，进一步增加电光调制器的调制深度；硒化银/硒硫化银核壳量子点的毒性可忽略，安全可靠；采用新型的涂层材料全氢聚硅氮烷，在大气氛围及室温下，即可转化为硒化银/硒硫化银核壳量子点的二氧化硅封装层，制备方法简便，可提高电光调制器的稳定性和寿命；从而本发明可制备工作波长在近红外第二窗口随量子点尺寸连续可调、调制深度大、性能稳定、寿命长、结构简单且环境友好的电光调制器。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

[0106] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。