电源控制电路及应用所述电源控制电路的电子装置转让专利

申请号 : CN201810930054.6

文献号 : CN110838838A

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发明人 : 王太诚朱清孙君黄婷婷

申请人 : 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司鸿海精密工业股份有限公司

摘要 :

一种电源控制电路,用以为电子元件供电,所述电源控制电路包括控制芯片、三极管及场效应管,所述控制芯片包括输出睡眠信号的控制引脚;所述三极管之基极通过第一电阻连接所述控制引脚以接收所述睡眠信号,所述三极管之集电极通过第二电阻连接第一电源,所述三极管之射极接地;所述场效应管之栅极通过第三电阻连接于所述三极管之集电极与所述第一电源之间的公共端点,所述场效应管之源极连接第二电源,所述场效应管之漏极连接所述电子元件的电源端,为所述电子元件供电。本发明还提供一种应用所述电源控制电路的电子装置,可确保电子元件正常工作,并且还可节省成本。

权利要求 :

1.一种电源控制电路,用以为电子元件供电,其特征在于,所述电源控制电路包括:

控制芯片,包括输出睡眠信号的控制引脚;

三极管,所述三极管之基极通过第一电阻连接所述控制引脚以接收所述睡眠信号,所述三极管之集电极通过第二电阻连接第一电源,所述三极管之射极接地;及场效应管,所述场效应管之栅极通过第三电阻连接于所述三极管之集电极与所述第一电源之间的公共端点,所述场效应管之源极连接第二电源,所述场效应管之漏极连接所述电子元件的电源端,为所述电子元件供电。

2.如权利要求1所述的电源控制电路,其特征在于,在第一状态下,所述控制芯片之控制引脚用于输出具有第一电平的睡眠信号,所述第一电平的睡眠信号将控制所述三极管导通并将所述公共端点置于低电平状态,以控制所述场效应管导通,所述第二电源通过所述场效应管之漏极为所述电子元件供电。

3.如权利要求2所述的电源控制电路,其特征在于,在第二状态下,所述控制芯片之控制引脚用于输出具有第二电平的睡眠信号,所述第二电源将不会给所述电子元件供电。

4.如权利要求3所述的电源控制电路,其特征在于,所述电源控制电路还包括放电单元,所述放电单元用于为所述电子元件进行放电。

5.如权利要求4所述的电源控制电路,其特征在于,所述放电单元包括第四电阻、第一电容及第二电容,所述第一电容的一端连接于所述电子元件的电源端与所述场效应管之漏极之间的节点,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端连接所述节点,所述第二电容的另一端接地,所述第四电阻的一端连接所述节点,所述第四电阻的另一端接地。

6.如权利要求1所述的电源控制电路,其特征在于,所述场效应管为P型场效应管。

7.一种电子装置,包括电源控制电路及电子元件,所述电源控制电路用于为电子元件供电,其特征在于,所述电源控制电路包括:控制芯片,包括输出睡眠信号的控制引脚;

三极管,所述三极管之基极通过第一电阻连接所述控制引脚以接收所述睡眠信号,所述三极管之集电极通过第二电阻连接第一电源,所述三极管之射极接地;及场效应管,所述场效应管之栅极通过第三电阻连接于所述三极管之集电极与所述第一电源之间的公共端点,所述场效应管之源极连接第二电源,所述场效应管之漏极连接所述电子元件的电源端,为所述电子元件供电。

8.如权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述电源控制电路还包括放电单元,所述放电单元用于为所述电子元件进行放电。

9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述放电单元包括第四电阻、第一电容及第二电容,所述第一电容的一端连接于所述电子元件的电源端与所述场效应管之漏极之间的节点,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端连接所述节点,所述第二电容的另一端接地,所述第四电阻的一端连接所述节点,所述第四电阻的另一端接地。

10.如权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述场效应管为P型场效应管,所述电子元件为网卡芯片。

说明书 :

电源控制电路及应用所述电源控制电路的电子装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种电源控制电路及应用所述电源控制电路的电子装置。

背景技术

[0002] 随着科学技术的发展,个人电脑已经应用于人们工作、学习、生活的方方面面,电脑之电子元件的供电问题也日益受到人们的重视。
[0003] 在现有技术中,通常会使用两个场效应晶体管所组成的电源电路以对网卡芯片供电,如此可使得网卡芯片正常工作。然而,市场上所售出的场效应晶体管的价格均较为昂贵,将会增加产品的成本。

发明内容

[0004] 鉴于上述内容,有必要提供一种电源控制电路及应用所述电源控制电路的电子装置。
[0005] 一种电源控制电路,用以为电子元件供电,所述电源控制电路包括:
[0006] 控制芯片,包括输出睡眠信号的控制引脚;
[0007] 三极管,所述三极管之基极通过第一电阻连接所述控制引脚以接收所述睡眠信号,所述三极管之集电极通过第二电阻连接第一电源,所述三极管之射极接地;及[0008] 场效应管,所述场效应管之栅极通过第三电阻连接于所述三极管之集电极与所述第一电源之间的公共端点,所述场效应管之源极连接第二电源,所述场效应管之漏极连接所述电子元件的电源端,以为所述电子元件供电。
[0009] 进一步地,在第一状态下,所述控制芯片之控制引脚用于输出具有第一电平的睡眠信号,所述第一电平的睡眠信号将控制所述三极管导通并将所述公共端点置于低电平状态,以控制所述场效应管导通,所述第二电源通过所述场效应管之漏极为所述电子元件供电。
[0010] 进一步地,在第二状态下,所述控制芯片之控制引脚用于输出具有第二电平的睡眠信号,所述第二电源将不会给所述电子元件供电。
[0011] 进一步地,所述电源控制电路还包括放电单元,所述放电单元用于为所述电子元件进行放电。
[0012] 进一步地,所述放电单元包括第四电阻、第一电容及第二电容,所述第一电容的一端连接于所述电子元件的电源端与所述场效应管之漏极之间的节点,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端连接所述节点,所述第二电容的另一端接地,所述第四电阻的一端连接所述节点,所述第四电阻的另一端接地。
[0013] 进一步地,所述场效应管为P型场效应管。
[0014] 一种电子装置,包括电源控制电路及电子元件,所述电源控制电路用于为电子元件供电,所述电源控制电路包括:
[0015] 控制芯片,包括输出睡眠信号的控制引脚;
[0016] 三极管,所述三极管之基极通过第一电阻连接所述控制引脚以接收所述睡眠信号,所述三极管之集电极通过第二电阻连接第一电源,所述三极管之射极接地;及[0017] 场效应管,所述场效应管之栅极通过第三电阻连接于所述三极管之集电极与所述第一电源之间的公共端点,所述场效应管之源极连接第二电源,所述场效应管之漏极连接所述电子元件的电源端,以为所述电子元件供电。
[0018] 进一步地,所述电源控制电路还包括放电单元,所述放电单元用于为所述电子元件进行放电。
[0019] 进一步地,所述放电单元包括第四电阻、第一电容及第二电容,所述第一电容的一端连接于所述电子元件的电源端与所述场效应管之漏极之间的节点,所述第一电容的另一端接地,所述第二电容的一端连接所述节点,所述第二电容的另一端接地,所述第四电阻的一端连接所述节点,所述第四电阻的另一端接地。
[0020] 进一步地,所述场效应管为P型场效应管,所述电子元件为网卡芯片。
[0021] 上述电源控制电路及应用所述电源控制电路的电子装置通过控制芯片之睡眠信号控制三极管的导通状态,并对应控制场效应管的导通状态,以使得电源通过所述场效应管之漏极为所述电子元件供电。如此一来,可以确保电子元件正常工作,还可节省成本。

附图说明

[0022] 图1为电子装置的较佳实施方式的方框图。
[0023] 图2为电子装置的较佳实施方式的电路图。
[0024] 主要元件符号说明
[0025] 电子装置             100
[0026] 电源控制电路         10
[0027] 控制芯片             12
[0028] 放电单元             14
[0029] 电子元件             20
[0030] 三极管               Q1
[0031] 场效应管             Q2
[0032] 电阻                 R1-R5
[0033] 电容                 C1-C3
[0034] 电源                 V1、V2
[0035] 公共端点             P1
[0036] 节点                 P2
[0037] 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

[0038] 下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0039] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下将结合附图及实施方式,对本发明中的电源控制电路及应用所述电源控制电路的电子装置作进一步详细描述及相关说明。
[0040] 请参考图1及图2,在本发明一较佳实施方式中,一种电源控制电路10应用于一电子装置100内,以为电子装置100的电子元件20供电。在一实施方式中,所述电子元件20可为一网卡芯片,所述电子装置100可为一电脑主板。
[0041] 所述电源控制电路10包括一控制芯片12、一三极管Q1、一场效应管Q2及三个电阻R1-R3。
[0042] 在一较佳实施方式中,所述控制芯片12包括一用于输出睡眠信号的控制引脚SLP_LAN#。
[0043] 在第一状态(如主板上电)下,所述控制引脚SLP_LAN#输出具有第一电平的睡眠信号。在第二状态下(如主板断电)下,所述控制引脚SLP_LAN#输出具有第二电平的睡眠信号。在一具体实施方式中,所述第一电平的睡眠信号为高电平状态的睡眠信号,所述第二电平的睡眠信号为低电平状态的信号。
[0044] 所述三极管Q1之基极通过所述电阻R1连接所述控制引脚SLP_LAN#以接收所述睡眠信号,所述三极管Q1之集电极通过所述电阻R2连接一电源V1,所述三极管Q1之射极接地。
[0045] 所述场效应管Q2之栅极通过所述电阻R3连接于所述三极管Q1之集电极与电源V1之间的公共端点P1,所述场效应管Q2之源极连接一电源V2,所述场效应管Q2之漏极连接所述电子元件20的电源端(图未示),以为所述电子元件20供电。
[0046] 举例而言,在第一状态下,所述控制芯片12之控制引脚SLP_LAN#输出具有高电平的睡眠信号,所述高电平的睡眠信号将控制所述三极管Q1导通并将所述公共端点P1置于低电平状态,以控制所述场效应管Q2导通,所述电源V2通过所述场效应管Q2之漏极为所述电子元件20供电。进一步地,在第二状态下,所述控制芯片12之控制引脚SLP_LAN#输出具有低电平的睡眠信号,所述电源V2不会输出电压以为所述电子元件20供电。
[0047] 如此一来,所述电源V2可经由所述场效应管为所述电子元件20提供稳定的工作电压,可确保所述电子元件20正常工作。
[0048] 进一步地,所述电源控制电路10还可包括一放电单元14,所述放电单元14连接于所述场效应管Q2的漏极与所述电子元件20之间,以用于为所述电子元件20进行放电。
[0049] 举例而言,当电子装置处于非上电状态下需要对电子元件20进行放电,通过将放电单元14设置于所述场效应管Q2的漏极与所述电子元件20之间,以将所述电子元件20进行放电,如此一来,可使得所述电子元件20在断电的情况下避免被剩余的电荷损坏。
[0050] 在一较佳实施方式中,所述放电单元14可包括一电阻R4、一电容C1及一电容C2。
[0051] 所述电容C1的一端连接于所述电子元件20的电源端与所述场效应管之漏极之间的节点P2,所述电容C1的另一端接地。所述电容C2的一端连接所述节点P2,所述电容C2的另一端接地。所述电阻R4的一端连接所述节点P2,所述电阻R4的另一端接地。
[0052] 进一步地,所述电源控制电路10还包括一电阻R5及一电容C3。所述电阻R5的一端连接所述场效应管Q2的栅极,所述电阻R5的另一端通过所述电容C3接地。
[0053] 在一较佳实施方式中,所述电源V1用于输出5V的直流电压,所述电源V2用于输出3.3V的直流电压。所述场效应管Q2为一P型场效应管。
[0054] 下面将详细介绍本发明电源控制电路及电子装置的工作原理。
[0055] 当电子装置上电时,所述控制芯片12之控制引脚SLP_LAN#开始输出具有高电平的睡眠信号至所述三极管Q1。此时,由于所述三极管Q1导通,所述电源V1通过所述电阻R2接地,如此将所述公共端点P1置于低电平状态。所述公共端点P1将输出低电平的控制信号至所述场效应管Q2以控制所述场效应管Q2导通。所述电源V2将通过所述场效应管Q2之漏极输出3.3V的直流电压至所述电子元件20。如此一来,所述电子元件20将接收3.3V的工作电压,并可确保所述电子元件20正常工作。
[0056] 当电子装置未上电时,所述控制芯片12之控制引脚SLP_LAN#开始输出具有低电平的睡眠信号至所述三极管Q1。此时,由于所述电源V2并未输出3.3V的直流电压,如此将不会为所述电子元件20供电。
[0057] 在上述电源控制电路10及应用所述电源控制电路10的电子装置100中,通过控制所述三极管Q1导通,进而控制所述场效应管Q2导通,如此使得所述电源V2可通过所述场效应管Q2输出3.3V的工作电压至所述电子元件20。如此一来,可确保所述电子元件20正常工作,并且节省成本。
[0058] 最后应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明。本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。并且,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都将属于本发明保护的范围。