一种芳胺化合物及其在有机电子器件上的应用

摘要

本发明涉及有机电致发光技术领域，特别是一种芳胺化合物及其在电子器件上的应用，特别是在有机电致发光二极管的应用。本发明的化合物拥有合适的能级，在紫外区域具有较高的消光系数，在可见光区域拥有较高的折射率，可以用于器件中的光取出层。它能降低外部高能量光对有机电致发光显示设备内部材料的损害，并提升光取出，提高器件的发光效率。

权利要求

1.一种芳胺化合物，其特征在于，选自通式(4-1)～(4-9)任意一种：其中：

L1选自亚苯基；L2选自亚苯基；

Ar2选自以下任一种：

Ar3选自以下任一种：

Y1～Y8每次出现时，分别独立选自N、CR4，且Y1～Y4中至少有一个为N；

X1选自CR5R6、NR5、S或O；

X2选自CR8R9、NR8、S或O；

W每次出现时，分别独立选自CR8；

W1每次出现时，分别独立选自N或CR10；

n选自0～3的整数；v选自0-4的任一整数；

R2、R5、R6、R8和R9每次出现时，分别独立选自：氢、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有

3至20个C原子的支链烷基或苯基；

R4和R10每次出现时，分别独立选自：氢、D、具有1至20个C原子的直链烷基、或具有3至20个C原子的支链烷基。

2.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，选自以下任一结构：其中，式(5-5)中R2为H。

3.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，Y1为N，Y4为N。

4.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，n为0，W1每次出现时，分别独立选自CR10。

5.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，X1选自：C(CH3)2、-N-Ph、S或O；X2选自：C(CH3)2、-N-Ph、S或O。

6.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，n为0，W1每次出现时，分别独立选自CH；

X1选自：C(CH3)2或-N-Ph；

X2选自：C(CH3)2或-N-Ph。

7.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，选自以下任一化合物：

8.根据权利要求1-7任一项所述的芳胺化合物，其特征在于，在波长630nm处折射率大于1.7。

9.根据权利要求1-7任一项所述的芳胺化合物，其特征在于，所述芳胺化合物单线态能量(S1)大于2.7eV。

10.根据权利要求1-7任一项所述的芳胺化合物，其特征在于，所述芳胺化合物在波长为430nm时的消光系数小于0.1。

11.一种组合物，其特征在于，包含有至少一种如权利要求1-10任一项所述的芳胺化合物，及至少一种有机溶剂。

12.一种光取出层材料，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的芳胺化合物。

13.一种有机电子器件，其特征在于，包含至少一种如权利要求1-10任一项所述的芳胺化合物或如权利要求12所述的光取出层材料。

14.根据权利要求13所述的有机电子器件，其特征在于，包含两个电极、位于两电极之间的一个或者多个有机功能层，和一个位于一电极表面且远离有机功能层一侧的光取出层，其特征在于，所述的光取出层包含权利要求1-10任一项所述的芳胺化合物或权利要求

12所述的光取出层材料。

说明书

一种芳胺化合物及其在有机电子器件上的应用

[0001] 本申请要求于2018年12月10日提交中国专利局、申请号为201811503258.8发明名称为“一种芳胺化合物及其在有机电子器件上的应用”的中国专利申请的优先权，其全部内
容通过引用结合在本申请中。

技术领域

[0002] 本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其是是涉及一种芳胺化合物，及其在有机电子器件的应用，特别是在电致发光器件光取出层中的应用。

背景技术

[0003] 有机电致发光显示设备是一类自发光型的显示装置，通过载流子在各个功能层间的转移、复合产生激子，依靠高量子效率的有机化合物或金属配合物发光。其具有自发光、
高亮度、高效率、高对比度、高响应性等特点。

[0004] 近些年，有机电致发光二极管(OLED)的发光效率有了很大的提升，但是其内部量子效率已经接近理论极限。因此提高光取出效率成为进一步提高器件稳定性和电流效率的
有效手段(如发射层金属配合物的堆积、各功能层间折射率的匹配等)。在2001年，Hung等人
在金属阴极的表面覆盖了一层约50nm的有机化合物或无机化合物，通过控制厚度及折射率
以提高器件的表现性能。在2003年，Riel等人已尝试将具有高折射率(n＝2.6)的无机化合
物ZnSe蒸镀于阴极上，利用功能层之间折射率的差异提高光取出效率，但受限于无机材料
蒸发温度高、蒸发速率慢等原因，这类化合物并未在有机电致发光器件中得到更多应用。

[0005] 鉴于上述原因，可以尝试将有具有较高折射率有机化合物用于电致发光器件中以提高光取出效率。此类化合物需满足以下几类条件：在紫外波段(＜400nm)消光系数高，避
免有害光对器件材料的不利影响；在可见光范围(>430nm)消光系数接近于0，对可见光有较
高的透射率，降低对设备出光效率的影响；在可见光范围内具有较高折射率并且差异较小，
具有提高出光和优化器件结构等特点；有较高的玻璃化温度，提升化合物的热稳定性。

[0006] 因此，新一类的提高有机电致发光器件光取出效率的材料需要被进一步开发。

发明内容

[0007] 鉴于上述现有技术的不足，本发明的一个主要目的在于提供一种新型芳胺化合物，包含其的组合物，及其在有机电子器件中应用。本发明进一步提供一种新的光取出层材
料，覆盖在器件阴极的表面上，用以提高器件光取出效率。

[0008] 本发明的技术方案如下：

[0009] 一种芳胺化合物，具有如结构式(1)所示的结构式：

[0010]

[0011] 其中：

[0012] Ar1选自基团(A-1)-(A-7)任意一种或者其组合：

[0013]

[0014] Y1～Y8每次出现时，分别独立选自N、CR4，且Y1～Y4中至少有一个为N。

[0015] 虚线表示Ar1与L1相连的键。

[0016] X1多次出现时相同或不同，且分别独立选自CR5R6、C＝C(R5R6)、SiR5R6、NR5、C(＝O)，S，SO2，S(＝O)或O。

[0017] Ar2～Ar5每次出现时，分别独立选自取代或未取代的环原子数为5至60的芳香基团或杂芳香基团；或者具有取代或未取代的环原子数为3-25的非芳香族环系。

[0018] L1每次出现时，分别独立选自单键、烯基、炔基、酰基、酰胺基、羰基、砜基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷氧基、取代或未取代
的环原子数5至60的芳香基团或杂芳香基团。

[0019] R1～R6每次出现时，分别独立选自氢，或D，或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或甲硅
烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原
子的芳氧基羰基，氰基(-CN)，氨基甲酰基(-C(＝O)NH2)，卤甲酰基，甲酰基(-C(＝O)-H)，异
氰基，异氰酸酯，硫氰酸酯或异硫氰酸酯，羟基，硝基，CF3，Cl，Br，F，可交联的基团，或者具
有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至60个环原子的芳氧
基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；其中相邻两个或多个基团R1～R6可以任选的彼此形
成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。

[0020] 一种组合物，包含有至少一种上述芳胺化合物，及至少一种有机溶剂。

[0021] 一种光取出层材料，包含有上述芳胺化合物。

[0022] 一种有机电子器件，包含至少一种如上所述的化合物。

[0023] 一种有机电子器件，包括两个电极、位于两电极之间的一个或者多个有机功能层，和一个位于一电极表面且远离有机功能层一侧的光取出层，所述的光取出层包含上述的芳
胺化合物。

[0024] 有益效果：

[0025] 按照本发明的一种芳胺化合物，有较高的玻璃化温度，化合物的热稳定性较高。在紫外波段消光系数高，在可见光范围消光系数较小，并具备较高的折射率。当作为电子器件
的光取出层材料时，能避免有害光对器件内部材料的不利影响并提高可见光出光效率。

附图说明

[0026] 图1是一器件实施例的结构图。其中：1是基板，2是阳极，3a是空穴注入层，3b是空穴传输层，3c是发光层，3d是电子传输层，3e是电子注入层，4是阴极，5是光取出层。

[0027] 图2是合成实施例C6在二氯甲烷溶液中浓度为0.1mM时的紫外可见吸收光谱。

具体实施方式

[0028] 本发明提供一种芳胺化合物及其在有机电致发光器件中的应用，特别是作为有机电致发光器件的光取出层材料的应用。为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明
确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发
明，并不用于限定本发明。

[0029] 在本发明中，“取代”表示被取代基中的氢原子被取代基所取代。

[0030] 在本发明中，“环原子数”表示原子键合成环状而得到的结构化合物(例如，单环化合物、稠环化合物、交联化合物、碳环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的原
子数。该环被取代基所取代时，取代基所包含的原子不包括在成环原子内。关于以下所述的
“环原子数”，在没有特别说明的条件下也是同样的。例如，苯环的环原子数为6，萘环的环原
子数为10，噻吩基的环原子数为5。

[0031] 在本发明中，“相邻基团”是指这些基团键合至同一碳原子或键合至相邻的碳原子上。这些定义相应的适用于“相邻取代基”。

[0032] 芳香基团指至少包含一个芳环的烃基。杂芳香基团指包含至少一个杂原子的芳香烃基。杂原子优选选自Si、N、P、O、S和/或Ge，特别优选选自Si、N、P、O和/或S。稠环芳香基团
指芳香基团的环可以具有两个或多个环，其中两个碳原子被两个相邻的环共用，即稠环。稠
杂环芳香基团指包含至少一个杂原子的稠环芳香烃基。对于本发明的目的，芳香基团或杂
芳香基团不仅包括芳香环的体系，而且包含非芳香族的环系。因此，比如吡啶、噻吩、吡咯、
吡唑、三唑、咪唑、噁唑、噁二唑、噻唑、四唑、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、卡宾等体系，对于该发
明目的同样认为是芳香基团或杂环芳香基团。对于本发明的目的，稠环芳香族或稠杂环芳
香族环系不仅包括芳香基团或杂芳香基团的体系，而且，其中多个芳香基团或杂环芳香基
团也可以被短的非芳族单元间断(<10％的非H原子，优选小于5％的非H原子，比如C、N或O原
子)。因此，比如9，9'-螺二芴，9，9-二芳基芴，三芳胺，二芳基醚等体系，对于该发明目的同
样认为是稠环芳香族环系。

[0033] 本发明提供一种芳胺化合物，具有如结构式(1)所示的结构式：

[0034]

[0035] 其中：Ar1选自基团(A-1)-(A-7)任意一种或者其组合：

[0036]

[0037] Y1～Y8每次出现时，分别独立选自N、CR4，且Y1～Y4中至少有一个为N；虚线表示Ar1与L1相连的键；

[0038] X1选自CR5R6、C＝C(R5R6)、SiR5R6、NR5、C(＝O)，S，SO2，S(＝O)或O；更优选地，X1选自O、S、NR5、CR5R6。在一实施例中，X1独立选自NR5或CR5R6，R5和R6各自独立地为烷基或芳香基，
更进一步地，R5和R6各自独立地为C1-C6烷基或苯基。在一实施例中，X1独立选自-N-Ph或-C
(C1-C6烷基)2。

[0039] Ar2～Ar5每次出现时，分别独立选自取代或未取代的环原子数为5至60的芳香基团或杂芳香基团；或者具有取代或未取代的环原子数为3-25的非芳香族环系；

[0040] L1选自单键、烯基、炔基、酰基、酰胺基、羰基、砜基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷氧基、取代或未取代的环原子数5至60的芳
香基团或杂芳香基团。

[0041] R1～R6每次出现时，分别独立选自氢，或D，或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或甲硅
烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原
子的芳氧基羰基，氰基(-CN)，氨基甲酰基(-C(＝O)NH2)，卤甲酰基，甲酰基(-C(＝O)-H)，异
氰基，异氰酸酯，硫氰酸酯或异硫氰酸酯，羟基，硝基，CF3，Cl，Br，F，可交联的基团，或者具
有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至60个环原子的芳氧
基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；其中相邻两个或多个基团R1～R6可以任选的彼此形
成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。

[0042] 在一个优选的实施例中，Ar1中含有的Y1～Y4中Y1或者Y4为N；更优选地，Y1～Y4中至少有两个为N；最优选地，Y1和Y4同时为N。

[0043] 在一个优选的实施例中，Ar1中含有的Y5～Y8中至少一个为N；更优选地，Y5～Y8中至少有两个为N；最优选地，Y5和Y8同时为N。

[0044] 因为Y1～Y8中N原子个数影响着基团的吸电子能力，N原子可以增强基团的吸电子能力，提高整个分子的电子推拉，调控分子的能级及偶极矩，提高分子在400nm波长以下的
紫外吸收和分子的折射率。

[0045] 更进一步地，Ar1优先选自以下基团的一种或者其组合：

[0046]

[0047] 其中：环上的H原子可以进一步被R7取代，R7每次出现时，独立选自D，或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷
氧基或硫代烷氧基，或甲硅烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧
基羰基，或具有7至20个C原子的芳氧基羰基，氰基(-CN)，氨基甲酰基(-C(＝O)NH2)，卤甲酰
基，甲酰基(-C(＝O)-H)，异氰基，异氰酸酯，硫氰酸酯或异硫氰酸酯，羟基，硝基，CF3，Cl，
Br，F，可交联的基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团，
或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；其中相邻两个或多个
基团R7可以任选的彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。

[0048] 在一实施例中，R2和R3各自独立地选自H、烷基或芳香基，更进一步地，选自H或苯基。

[0049] 在某一个优选地实施例中，Ar1选自基团(A-1)-(A-5)任意一个；优选地，Ar1选自基团(A-1)或(A-4).

[0050] 在某一个优选地实施例中，Ar1选自基团(A-6)或(A-7)；优选地，Ar1选自基团(A-6)。

[0051] 在一个优选的实施例中，Ar2～Ar5每次出现时，分别独立选自取代或未取代的环原子数为5至40的芳香基团或杂芳香基团；较优选地，Ar2～Ar5每次出现时，分别独立选自取代
或未取代的环原子数为5至20的芳香基团或杂芳香基团。更优选地，Ar2～Ar5每次出现时，分
别独立选自取代或未取代的环原子数为7至60的稠环方向基团或者稠环杂芳香基团；更优
选地，Ar2～Ar5每次出现时，分别独立选自取代或未取代的环原子数为7至30的稠环方向基
团或者稠环杂芳香基团；

[0052] 更进一步地，结构式(1)中的Ar2选自以下基团的一种或者其组合：

[0053]

[0054] 其中：

[0055] W每次出现时，分别独立选自N或CR8；

[0056] X2选自CR8R9、C＝C(R8R9)、SiR8R9、NR8、C(＝O)，S，SO2，S(＝O)或O；

[0057] R8、R9每次出现时，分别独立选自氢，或D，或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或甲硅烷
基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原子
的芳氧基羰基，氰基，氨基甲酰基，卤甲酰基，甲酰基，异氰基，异氰酸酯，硫氰酸酯或异硫氰
酸酯，羟基，硝基，CF3，Cl，Br，F，可交联的基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代的
芳香基团或杂芳香基团，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组
合；其中相邻两个或多个基团R8可以任选的彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环
系。

[0058] 具体地，结构式(1)中的Ar2优先选自以下基团的一种或者其组合：

[0059]

[0060] 其中：

[0061] L2选自单键、烯基、炔基、酰基、酰胺基、羰基、砜基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷氧基、取代或未取代的环原子数5至60的芳
香基团或杂芳香基团；

[0062] 虚线表示Ar2与结构式(1)中N原子相连的键。

[0063] 环上的H原子可以进一步被R7取代，R7含义同上所述。

[0064] 在一优选地实施例中，Ar1选自基团(A-1)-(A-5)任意一个；Ar2选自以下基团的一种或者其组合：

[0065]

[0066] 在某一个优选地实施例中，Ar1选自基团(A-6)；Ar2选自以下基团的一种或者其组合：

[0067]

[0068] 更优选地，Ar1选自基团(A-6)；Ar2选自以下基团的一种或者其组合：

[0069]

[0070] 在一个优选的实施例中，结构式(1)选自如下通式任意一种：

[0071]

[0072] 其中：Ar1～Ar5、X1、L1、R1、W、L2含义如上所述。

[0073] 按照本发明所述的芳胺化合物，其中，Ar4和Ar5选自以下基团的一种或者其组合：

[0074] 其中：W、X2含义如上所述。

[0075] 优选地，Ar4和Ar5选自

[0076] 在一个优选的实施例中，结构式(1)选自通式(2-1)～(2～4)任意一种：

[0077]

[0078] 其中：W、X1、X2、Ar1、Ar3、L1、L2含义如上所述。

[0079] 在一个优选地实施例中，结构式(1)选自通式(2-1)；更优选地，X1选自NR5，X2选自NR8；或X1选自CR5R6，X2选自CR8R9。

[0080] 在一个优选地实施例中，结构式(1)选自通式(2-1)，且W选自CR8；更优选地，W选自CH。

[0081] 按照本发明所述的芳胺化合物，其中，L1和L2选自单键或者以下基团的一种或者其组合：

[0082]

[0083] 其中：W、X2含义如上所述。

[0084] 进一步地，L1和L2选自单键或者以下基团的一种或者其组合：

[0085]

[0086] 其中：环上的H原子可以进一步被取代。具体地，L1和L2选自以下基团的一种或者其组合：

[0087]

[0088] 其中：环上的H原子可以进一步被取代。

[0089] 在一优选地实施例中，L1和L2选自苯。

[0090] 按照本发明所述的芳胺化合物，其中，Ar3选自如下基团的一种或者其组合：

[0091]

[0092] 其中：n选自0～3的整数；v选自0-4的任一整数；

[0093] W1每次出现时，分别独立选自N或CR10；

[0094] X3选自CR10R11、C＝C(R10R11)、SiR10R11、NR10、C(＝O)，S，SO2，S(＝O)或O；

[0095] R10、R11每次出现时，分别独立选自氢，或D，或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或甲硅
烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原
子的芳氧基羰基，氰基，氨基甲酰基，卤甲酰基，甲酰基，异氰基，异氰酸酯，硫氰酸酯或异硫
氰酸酯，羟基，硝基，CF3，Cl，Br，F，可交联的基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代
的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的
组合；其中相邻两个或多个基团R8可以任选的彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族
环系。

[0096] 在一实施例中，W1中至少有一个为CR10。在一实施例中，W1均为CH。

[0097] 在一实施例中，结构式(1)选自通式(3-1)～(3-2)任意一种：

[0098]

[0099] 其中：Ar1、Ar2、X1、L1、W、W1、n含义如上所述；Ar6选自取代或未取代的芳香基团、杂芳香基团或非芳香环系。优选地，Ar6为

[0100] 在一实施例中，结构式(1)选自通式(3-1a)～(3～2a)任意一种：

[0101]

[0102] 在一实施例中，式(3-1a)～(3～2a)中，L2为 和/或Ar6为

[0103] 在一个优选地实施例中，Ar3选自苯；在一优选地实施例中，L1和L2及Ar3均选自苯。

[0104] 进一步地，结构式(1)选自如下通式：

[0105]

[0106] 在一实施例中，结构式(1)选自如下任一同时：

[0107]

[0108] 其中，X1、X2和Ar1定义如上所述。

[0109] 在一实施例中，上述结构中X1多次出现时相同或不同，且分别独立选自NR5或CR5R6，R5和R6各自独立地为烷基或芳香基，更进一步地，R5和R6各自独立地为C1-C6烷基或苯
基。在一实施例中，X1多次出现时相同或不同，且分别独立选自-N-Ph或-C(C1-C6烷基)2。在
一实施例中，X1多次出现时相同或不同，且分别独立选自-N-Ph或-C(CH3)2。在一个优选地实
施例中，上述结构中X2选自NR8或CR8R9。

[0110] 在一个优选地实施例中，X1选自NR5，X2选自NR8；或X1选自CR5R6，X2选自CR8R9。

[0111] 在一个优选地实施例中，X1、X2多次出现时相同或不同，分别独立选自-N-Ph或-C(C1-C6烷基)2。在一实施例中，X1、X2多次出现时相同或不同，且分别独立选自-N-Ph或-C
(CH3)2。

[0112] 在一实施例中，结构式(1)选自通式(4-1)～(4-9)任意一种：

[0113]

[0114] 更优选地，结构式(1)选自通式(5-1)～(5-12)任意一种：

[0115]

[0116] 下面举例按照本发明的芳胺化合物的具体例子，但并不限定于此:

[0117]

[0118]

[0119]

[0120]

[0121]

[0122] 以上列出的本发明的芳胺化合物的例子，其中结构式中的H可以进一步被任意取代，特别是氘代。

[0123] 按照本发明所述的芳胺化合物，需要较高的玻璃化温度，提升化合物的热稳定性。在某些优选的实施例中，其玻璃化温度Tg≥100℃，在一个优选的实施例中，Tg≥120℃，在一
个较为优选的实施例中，Tg≥140℃，在一个更为优选的实施例中，Tg≥160℃，在一个最为优
选的实施例中，Tg≥180℃。

[0124] 在某些实施例中，按照本发明所述的芳胺化合物，在波长630nm处折射率大于1.7；优选地，大于1.78；更优选地，大于1.83。

[0125] 在某些实施例中，按照本发明所述的芳胺化合物，其单线态能量(S1)要大于或等于2.7eV；优选地，大于或等于2.8eV；更优选地，大于或等于2.85eV。

[0126] 按照本发明所述的芳胺化合物，需要较小的消光系数，在波长为430nm时的消光系数小于0.1；优选地，小于0.003；更优选地，小于0.001。对可见光有较高的透射率，降低对设
备出光效率的影响。

[0127] 在某些优选的实施方案中，按照本发明所述的芳胺化合物在≤400nm的波长范围有较大的消光系数；优先的，在波长为350nm时的消光系数≥0.3；较好是≥0.5，更好是≥
0.7，最好是≥1.0。本发明的一个目的是为蒸镀型OLED提供材料解决方案。

[0128] 在某些实施例中，按照本发明的化合物，其分子量≤1200g/mol，优选≤1100g/mol，很优选≤1000g/mol，更优选≤950g/mol，最优选≤900g/mol。

[0129] 本发明的另一个目的是为印刷OLED提供材料解决方案。

[0130] 在某些实施例中，按照本发明的芳胺化合物，其分子量≥800g/mol，优选≥900g/mol，很优选≥1000g/mol，更优选≥1100g/mol，最优选≥1200g/mol。

[0131] 在另一些实施例中，按照本发明的芳胺化合物，在25℃时，在甲苯中的溶解度≥2mg/ml，优选≥3mg/ml，更优选≥4mg/ml，最优选≥5mg/ml。

[0132] 本发明还涉及一种组合物，包含至少一种如上所述的芳胺化合物，及至少一种有机溶剂；所述的至少一种的有机溶剂选自芳族或杂芳族、酯、芳族酮或芳族醚、脂肪族酮或
脂肪族醚、脂环族或烯烃类化合物，或硼酸酯或磷酸酯类化合物，或两种及两种以上溶剂的
混合物。

[0133] 在一些实施例中，按照本发明的组合物，所述的至少一种的有机溶剂选自基于芳族或杂芳族的溶剂，特别是脂肪族链/环取代的芳族溶剂、或芳族酮溶剂，或芳族醚溶剂。

[0134] 适合本发明的溶剂的例子有，但不限于：基于芳族或杂芳族的溶剂:对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1，4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三
戊苯、戊基甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1，2，3，4-
四甲苯、1，2，3，5-四甲苯、1，2，4，5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异
丙基苯、1-甲氧基萘、环己基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1，2，4-
三氯苯、1，3-二丙氧基苯、4，4-二氟二苯甲烷、1，2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、
2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄
酯、1，1-双(3，4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、二苄醚等；基于酮的溶剂:1-四氢萘酮，2-
四氢萘酮，2-(苯基环氧)四氢萘酮，6-(甲氧基)四氢萘酮，苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、及它
们的衍生物，如4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙
酮、2-甲基苯丙酮，异佛尔酮、2，6，8-三甲基-4-壬酮、葑酮、2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸
酮、2，5-己二酮、佛尔酮、二正戊基酮；芳族醚溶剂：3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、苄基丁基苯、
对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1，2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1，4-苯
并二噁烷、1，3-二丙基苯、2，5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1，2，4-三甲氧基苯、4-(1-丙
烯基)-1，2-二甲氧基苯、1，3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、
反式-对丙烯基茴香醚、1，2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四
氢呋喃、乙基-2-萘基醚、戊醚c己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁
基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二
醇二甲醚、四乙二醇二甲醚；酯溶剂：辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、苯乙
酸烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、马来酸烷酯、烷内酯、油酸烷酯等。

[0135] 进一步，按照本发明的油墨，所述的至少一种的有溶剂可选自：脂肪族酮，例如，2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2，5-己二酮、2，6，8-三甲基-4-壬酮、佛尔酮、二正戊基酮等；
或脂肪族醚，例如，戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲
醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二
甲醚、四乙二醇二甲醚等。

[0136] 在另一些实施例中，所述的印刷油墨进一步包含有另一种有机溶剂。另一种有机溶剂的例子包括(但不限于)：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯
苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1，4二氧杂环己烷、丙酮、
甲基乙基酮、1，2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2，2-四氯乙烷、醋酸乙酯、
醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合
物。

[0137] 在一个优选的实施方案中，按照本发明的组合物是一溶液。

[0138] 在另一个优选的实施方案中，按照本发明的组合物是一悬浮液。

[0139] 本发明实施例中的组合物中可以包括0.01至20wt％的按照本发明的有机化合物，较好的是0.1至15wt％，更好的是0.2至10wt％，最好的是0.25至5wt％的有机化合物。

[0140] 本发明还涉及所述组合物作为涂料或印刷油墨在制备有机电子器件时的用途，特别优选的是通过打印或涂布的制备方法。

[0141] 其中，适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印，喷印(Nozzle Printing)，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印
刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭缝型挤压式涂布等。首选的是凹版印刷，喷印
及喷墨印刷。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润
湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。有关打印技术，
及其对有关溶液的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等，的详细信息请参见Helmut Kipphan主
编的《印刷媒体手册:技术和生产方法》(Handbook of Print Media:Technologies and 
Production Methods)，ISBN 3-540-67326-1。

[0142] 本发明还提供了一种光取出层材料，所述光取出层材料包含有上述芳胺化合物。

[0143] 本发明还提供一种有机电子器件，包含至少一种如上所述的芳胺化合物，所述的有机电子器件可选于，但不限于，有机发光二极管(OLED)，有机光伏电池，有机发光电池，有
机场效应管，有机发光场效应管，有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离
激元发射二极管等，特别优选为OLED。

[0144] 进一步地，按照本发明所述的有机电子器件，至少包含两个电极、位于两电极之间的一个或者多个有机功能层，，和一个位于一电极表面且远离有机功能层的光取出层，所述
的光取出层包含上述的芳胺化合物。

[0145] 其中，所述有机功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层和发光层中的一个或多个，且至少包含有一个发光层。

[0146] 在一实施例中，如图1所示，有机电子器件包括基板1、有机功能层3、阴极4和光取出层5，其中光取出层5设置在阴极4的远离有机功能层3的一侧。其中，有机功能层3包括：层
叠于阳极2上的空穴注入层3a、层叠于空穴注入层3a上的空穴传输层3b、层叠于空穴传输层
3b上的发光层3c，层叠于发光层3c上的电子传输层3d，层叠于电子传输层3d上的电子注入
层3e。

[0147] 在一实施例中，所述的光取出层包含由结构式(1)表示的化合物。

[0148]

[0149] 其中：

[0150] Ar1选自基团(A-1)-(A-7)任意一种或者其组合：

[0151]

[0152] Y1～Y8每次出现时，分别独立选自N、CR4，且Y1～Y4中至少有一个为N；

[0153] 虚线表示Ar1与L1相连的键；

[0154] X1选自CR5R6、C＝C(R5R6)、SiR5R6、NR5、C(＝O)，S，SO2，S(＝O)或O；

[0155] Ar2～Ar5每次出现时，分别独立选自取代或未取代的环原子数为5至60的芳香基团或杂芳香基团；或者具有取代或未取代的环原子数为3-25的非芳香族环系；

[0156] L1选自单键、烯基、炔基、酰基、酰胺基、羰基、砜基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷基、取代或未取代的碳原子数1至60的烷氧基、取代或未取代的环原子数5至60的芳
香基团或杂芳香基团。

[0157] R1～R6每次出现时，分别独立选自氢，或D，或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或甲硅
烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原
子的芳氧基羰基，氰基，氨基甲酰基，卤甲酰基，甲酰基，异氰基，异氰酸酯，硫氰酸酯或异硫
氰酸酯，羟基，硝基，CF3，Cl，Br，F，可交联的基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代
的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的
组合；其中相邻两个或多个基团R1～R6可以任选的彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳
族环系。

[0158] 在一个优选的实施例中，所述的有机电子器件是有机发光二极管器件，包含一个阳极，和一个阴极，而且所述阳极和阴极之间的有机功能层包含至少一个发光层；更优先
的，光取出层位于阴极远离有机功能层的一侧；在另一些实施例中，光取出层位于阳极的远
离有机功能层的一侧。

[0159] 在某些优选的实施例中，所述的有机电子器件的光取出层包含如上所述的任一项化合物。

[0160] 优选地，所述的有机电子器件的光取出层包含由结构式(2-1)～(2-4)表示的化合物。

[0161] 在另一些优选的实施例中，所述的有机电子器件的光取出层包含由结构式(3-1)～(3-2)表示的化合物。

[0162] 在一优选的实施例中，所述的有机电子器件的光取出层包含由结构式(4-1)～(4-9)表示的化合物。

[0163] 在一优选的实施例中，所述的有机电子器件的光取出层包含由结构式(5-1)～(5-2)表示的化合物。

[0164] 按照本发明所述的有机电子器件，所述的光取出层包含的化合物需要较高的玻璃化温度，提升化合物的热稳定性。在某些优选的实施例中，其玻璃化温度Tg≥100℃，在一个
优选的实施例中，Tg≥120℃，在一个较为优选的实施例中，Tg≥140℃，在一个更为优选的实
施例中，Tg≥160℃，在一个最为优选的实施例中，Tg≥180℃。

[0165] 按照本发明所述的有机电子器件，所述的光取出层具有较高的折射率，因此可有助于有机发光器件的光效率提高，特别是有助于外部发光效率的提高，需要在波长630nm处
折射率大于或等于1.7；优选地，大于或等于1.78；更优选地，大于或等于1.83。

[0166] 在一些优选的实施例中，按照本发明所述的有机电子器件，所述的光取出层包含的单线态能量(S1)要大于或等于2.7eV；优选地，大于或等于2.8eV；更优选地，大于或等于
2.85eV。

[0167] 在另一些优选的实施例中，按照本发明所述的有机电子器件，所述的光取出层包含的单线态能量(S1)要小于或等于3.1eV；优选地，小于或等于3.0eV。

[0168] 按照本发明所述的有机电子器件，所述的光取出层包含的化合物需要较小的消光系数，在波长为430nm时的消光系数小于0.1；优选地，小于0.003；更优选地，小于0.001。对
可见光有较高的透射率，降低对设备出光效率的影响。

[0169] 在优选的实施例中，按照本发明所述的有机电子器件是一电致发光器件，其中包括一个或者更多个有机功能层，所述的有机功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴注入
层、空穴传输层和发光层的一个或多个层，且至少包含一个发光层。

[0170] 按照本发明的有机电致发光器件优先选自有机发光二极管(OLED)、有机发光电池(OLEEC)、有机场效应管(OFET)、有机发光场效应管。

[0171] 下面对电致发光器件的器件结构阴极、阳极和光取出层做一描述，但不限于此。

[0172] 阳极可包含一导电金属或金属氧化物，或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)或发光层中。在一个的实施例中，阳极的功函数和
发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价
带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包
含但不限于：Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO、铝掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适
的阳极材料是已知的，本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合
适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-
beam)等。在某些实施例中，阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到，
并且可以用来制备根据本发明的器件。

[0173] 阴极可包含一导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。在一个实施例中，阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)
或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝
对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。原则上，所有可用作OLED的阴极的材
料都可能作为本发明器件的阴极材料。阴极材料的例子包含但不限于：Al、Au、Ag、Ca、Ba、
Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO等。阴极材料可以使用任何合
适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-
beam)等。

[0174] 光取出层有合适能级结构，波长小于400nm的区域有较强的吸收，波长大于400nm的可见光则吸收弱或接近零，避免器件内部材料在后续过程中受到高能光线照射而造成损
伤。同时，光取出层拥有较高的折射率，能够对可见光的发射进行有益导出，提高有机电子
发光器件的发光效率。光取出层与相邻电极之间的界面的反射率大时，光干涉的影响大，因
此构成光取出层材料的折射率优选大于相邻的电极的折射率，折射率在630nm处一般为
1.50以上，更优选的是1.70以上，特别优选的是1.80以上。

[0175] 按照本发明的有机电致发光器件，一般光取出层有机化合物厚度为10nm至200nm，较好为20nm至150nm，更好为30nm至100nm，最好为40nm至90nm

[0176] 本发明还涉及按照本发明的电致发光器件在各种电子设备中的应用，包含，但不限于，显示设备，照明设备，光源，传感器等等。

[0177] 下面将结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应
意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和
范围所覆盖。

[0178] 具体实施例

[0179] 按照本发明的化合物的合成方法举例，但本发明并不局限于下述实施例。

[0180]

[0181] 化合物C-1合成：

[0182]

[0183] 双(4-溴苯基)胺(6.5g，20mmol)，N-苯基-3-咔唑硼酸(13.2g，46mmol)，碳酸钾(8.2g，60mmol)，四(三苯基膦)钯(1.2g，1.0mmol)加入500mL双口烧瓶，加入约165mL的甲苯
和85mL甲醇，抽真空充氮气三次，升温至90℃，搅拌反应12小时。待温度降至室温，用水猝
灭，分离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶
剂。进行柱层析提纯得到白色固体10.8g，产率为82％。

[0184]

[0185] 称取I-1(3g，4.6mmol)，I-2(1.32g，4.8mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.21g，0.23mmol)，叔丁醇钠(0.53g，5.5mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯。抽气氮封
三次，用注射器加入三叔丁基膦，升温至105℃，搅拌过夜。待降至室温后，用水猝灭，分离有
机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。进行柱
层析提纯得到浅黄色固体2g，产率为52％。

[0186] 化合物C-2合成：

[0187]

[0188] 依次称取I-1(3g，4.6mmol)，I-3(1.32g，4.8mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.21g，0.23mmol)，叔丁醇钠(0.53g，5.5mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯。
抽气氮封三次，用注射器加入三叔丁基膦，升温至105℃，搅拌过夜。待降至室温后，用水猝
灭，分离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶
剂。进行柱层析提纯得到浅黄色固体2.3g，产率为60％。

[0189] 化合物C-3合成：

[0190]

[0191] 二(4-溴苯基)氨(6.54g，20mmol)，9，9-二甲基芴-2-硼酸(10.47g，46.5mmol)，四(三苯基膦)钯(1.15g，1mmol)，碳酸钾(8.28g，60mmol)加入250mL双口烧瓶中，加入130mL甲
苯和25mL水，抽真空充氮气三次，升温至120℃，搅拌12h。待温度降至室温，用水猝灭，分离
有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。柱层
析提纯得到灰白色固体10.2g，产率92％。

[0192]

[0193] 依次称取I-4(3g，5.4mmol)，I-5(1.57g，5.7mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.25g，0.27mmol)，叔丁醇钠(0.62g，6.5mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯。
抽气氮封三次，用注射器加入三叔丁基膦，升温至100℃，搅拌过夜。待降至室温后，用水猝
灭，分离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶
剂。进行柱层析提纯得到浅黄色固体1.4g，产率为35％。

[0194] 化合物C-4合成：

[0195]

[0196] 依次称取I-4(3g，5.4mmol)，I-6(2g，5.7mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.25g，0.27mmol)，叔丁醇钠(0.62g，6.5mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯。抽气氮封
三次，用注射器加入三叔丁基膦，升温至100℃，搅拌过夜。待降至室温后，用水猝灭，分离有
机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。进行柱
层析提纯得到浅黄色固体1.87g，产率为42％。

[0197] 化合物C-5合成：

[0198]

[0199] 1，3，5-三溴苯(12.6g，40mmol)，9，9-二甲基芴-2-硼酸(19.1g，80mmol)，碳酸钾(16.6g，0.12mol)，四(三苯基膦)钯(2.3g，2mmol)加入500mL双口烧瓶，加入约200mL的甲苯
和60mL甲醇，抽真空充氮气三次，升温至55℃，搅拌过夜，用水猝灭，分离有机层，后用乙酸
乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。进行柱层析提纯得到浅
黄色的固体12.8g，产率为59％。

[0200]

[0201] 中间体1-7(5.4g，10mmol)，4-氨基联苯(2.0g，12mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.46g，0.5mmol)，叔丁醇钠(1.15g，12mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约130mL的甲苯，抽
真空充氮气三次，加入三叔丁基膦，升温至110℃，搅拌过夜。停止反应，温度降至室温，用水
猝灭，分离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机
溶剂。进行柱层析提纯得到白色的固体4.7g，产率为74％。

[0202]

[0203] 中间体1-8(2g，3.2mmol)，I-2(0.91g，3.3mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.15g，0.16mmol)，叔丁醇钠(0.37g，3.84mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯，抽真空
充氮气三次，加入三叔丁基膦，升温至110℃，搅拌过夜。停止反应，温度降至室温，用水猝
灭，分离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶
剂。进行柱层析提纯得到白色的固体1.8g，产率为70％。

[0204] 化合物C-6合成：

[0205]

[0206] 中间体1-8(2g，3.2mmol)，I-3(0.91g，3.3mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.15g，0.16mmol)，叔丁醇钠(0.37g，3.84mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯，抽真空
充氮气三次，加入三叔丁基膦，升温至110℃，搅拌过夜。停止反应，温度降至室温，用水猝
灭，分离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶
剂。进行柱层析提纯得到白色的固体2.1g，产率为80％。

[0207] 化合物C-7合成：

[0208]

[0209] 中间体1-8(2g，3.2mmol)，I-9(0.9g，3.3mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.15g，0.16mmol)，叔丁醇钠(0.37g，3.84mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯，抽真空
充氮气三次，加入三叔丁基膦，升温至100℃，搅拌过夜。停止反应，温度降至室温，用水猝
灭，分离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶
剂。进行柱层析提纯得到浅黄色的固体1.7g，产率为65％。

[0210] 化合物C-8合成：

[0211]

[0212] 中间体1-10(3g，9mmol)，I-3(5.36g，19.8mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.41g，0.45mmol)，叔丁醇钠(2.1g，21.9mmol)加入250mL双口烧瓶，加入约100mL的甲苯，抽真空充
氮气三次，加入三叔丁基膦，升温至100℃，搅拌48h。停止反应，温度降至室温，用水猝灭，分
离有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。进
行柱层析提纯得到浅黄色的固体3.35g，产率52％。

[0213] 化合物C-9的合成：

[0214]

[0215] 中间体1-10(3.24g，10mmol)，I-6(7g，20mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.27g，0.3mmol)，叔丁醇钠(2.1g，30mmol)加入100mL双口烧瓶，加入约60mL的甲苯，抽真空充氮气
三次，加入三叔丁基膦，升温至100℃，搅拌16h。停止反应，温度降至室温，用水猝灭，分离有
机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。进行柱
层析提纯得到3.67g产物，产率42％。

[0216] 化合物C-10的合成；

[0217]

[0218] 2-氨基咔唑(4.18g，20mmol)，I-9(5.5g，20mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g，0.6mmol)，叔丁醇钠(3.84g，40mmol)加入100mL双口烧瓶，加入约60mL的甲苯，抽真空充氮
气三次，加入三叔丁基膦，升温至100℃，搅拌48h。停止反应，温度降至室温，用水猝灭，分离
有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。进行
柱层析提纯得到3.64gI-11，产率45％。

[0219] 中间体1-11(3.23g，8mmol)，I-12(4g，8mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.22g，0.24mmol)，叔丁醇钠(1.54g，16mmol)加入100mL双口烧瓶，加入约40mL的甲苯，抽真空充氮
气三次，加入三叔丁基膦，升温至100℃，搅拌48h。停止反应，温度降至室温，用水猝灭，分离
有机层，后用乙酸乙酯萃取，合并有机相并用硫酸钠干燥，减压下浓缩除去有机溶剂。进行
柱层析提纯得到黄色的固体5.13g，产率74％。

[0220] 有机化合物的能量结构

[0221] 有机材料的能级可通过量子计算得到，比如利用TD-DFT(含时密度泛函理论)通过Gaussian09W(Gaussian Inc.)，具体的模拟方法可参见WO2011141110。首先用半经验方法
“Ground State/DFT/Default Spin/B3LYP/6-31G(d)”(Charge 0/Spin Singlet)来优化分
子几何结构，有机分子的能量结构由TD-DFT(含时密度泛函理论)方法算得“TD-SCF/DFT/
Default Spin/B3PW91”与基组“6-31G(d)”(Charge 0/Spin Singlet)。

[0222] 通过真空蒸镀方式将化合物蒸镀于单晶硅上形成50nm的薄膜，单晶硅置于椭偏仪(ES-01)样品台，入射角70°，测试为大气环境，化合物的消光系数(k)与折射率(n)测试结果
由椭偏仪得出。

[0223] 其中CBP为4,4'-二(9-咔唑)联苯。

[0224] 结果如表1所示：

[0225] 表1

[0226]

[0227] 表1中化合物在可见光波段吸收弱，在紫外波段有较高的吸收，能够抵抗外部高能量光对器件内部的损害。相比比较例有更高的折射率，较高的折射率能保证更好的光提取
效果。其中，图2表示合成实施例C6在二氯甲烷溶液中浓度为0.1mM时的紫外可见吸收光谱，
可见其在可见光波段吸收弱，在紫外波段有较高的吸收。说明本发明的化合物具有较好的
光提取效果，适宜用于制备电子器件的光取出层。

[0228] OLED器件的制备及表征

[0229] 下面通过具体实施例来详细说明采用上述的OLED器件的制备过程，OLED器件的结构为：ITO/Ag/ITO(阳极)/HATCN/SFNFB/m-CP:Ir(p-ppy)3/NaTzF2/LiF/Mg:Ag/光取出层，制
备步骤如下：

[0230] 清洗ITO导电玻璃阳极层，后用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗15分钟，然后在等离子体清洗器中处理5分钟以提高电极功函。在ITO阳极层上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴
注入层材料HATCN，厚度为5nm，蒸镀速率 。在空穴注入层上，通过真空蒸镀方式蒸镀空
穴传输材料SFNFB，厚度为80nm。在空穴传输层之上蒸镀发光层，m-CP作为作为主体材料，Ir
(p-ppy)3作为掺杂材料，Ir(p-ppy)3和m-CP的质量比为1:9，厚度为30nm。在发光层之上，通
过真空蒸镀方式蒸镀电子传输材料NaTzF2，厚度为30nm。在电子传输层之上，真空蒸镀电子
注入层LiF，厚度为1nm，该层为电子注入层7。在电子注入层之上，真空蒸镀阴极Mg:Ag层，
Mg:Ag掺杂比例为9:1，厚度15nm。在阴极层之上，通过真空蒸镀方式蒸镀光取出层化合物C-
1，厚度为60nm。

[0231] 器件实施例2：有机电致发光器件的光取出层化合物变为C-2。

[0232] 器件实施例3：有机电致发光器件的光取出层化合物变为C-6。

[0233] 器件实施例4：有机电致发光器件的光取出层化合物变为C-8。

[0234] 器件实施例5：有机电致发光器件的光取出层化合物变为C-9。器件实施例6：有机电致发光器件的光取出层化合物变为C-10。

[0235] 器件比较例1：有机电致发光器件的光取出层化合物变为CBP。

[0236] 器件中所涉及的化合物结构如下：

[0237]

[0238] 表2

[0239]

[0240] 表2中发光效率是电流密度为10mA/cm2时所得数据。从表2可以看出相比对比例，本发明的化合物作为光取出层可以有效的提高有机电致发光器件的发光效率。

[0241] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来
说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护
范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。