硅岛结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种硅岛结构及其制作方法，所述方法包括：在硅衬底内形成多个第一沟槽，至少在部分第一沟槽中填充绝缘材料，以在第一沟槽内形成第二沟槽，形成覆盖硅衬底以及第二沟槽侧壁及底部的保护层，刻蚀去除第二沟槽底部的保护层以及第二沟槽下方的绝缘材料，以露出第一沟槽，氧化被第一沟槽侧壁暴露出的硅衬底，至相邻第一沟槽侧壁之间的硅衬底全部氧化，以形成氧化层，去除第二沟槽侧壁的保护层，填充隔离材料在第二凹槽内形成隔离结构，从而形成多个彼此完全绝缘的硅岛，可以在目前工艺基础上，不需要额外的离子注入、键合等工艺实现特定区域硅岛的形成，从而实现与绝缘衬底上硅相同的特性，可以极大的降低工艺的复杂程度，降低成本。

权利要求

1.一种硅岛结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅衬底，并在所述硅衬底内形成多个第一沟槽；

形成绝缘材料，所述绝缘材料至少填充在部分所述第一沟槽的底部，以在相应的所述第一沟槽内形成第二沟槽；

形成保护层，所述保护层覆盖所述硅衬底以及所述第二沟槽的侧壁及底部；

刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层以及所述第二沟槽下方的所述绝缘材料，以露出所述第一沟槽；

氧化被所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底，至相邻所述第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁之间的所述硅衬底全部氧化，以形成氧化层；

去除所述第二沟槽侧壁的所述保护层；以及，

填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构，在相邻的所述隔离结构之间的所述硅衬底构成硅岛。

2.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一沟槽之前，还包括：在所述硅衬底上依次形成垫氧化层与阻挡层。

3.如权利要求2所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一沟槽的步骤包括：形成图形化的光刻胶层在所述阻挡层上；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述阻挡层、所述垫氧化层以及部分厚度的所述硅衬底，以形成所述第一沟槽。

4.如权利要求3所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽内形成第二沟槽的步骤包括：形成绝缘材料在所述硅衬底上，所述绝缘材料覆盖所述阻挡层并至少填满部分所述第一沟槽；

平坦化所述绝缘材料，至暴露出所述阻挡层；以及，刻蚀至少部分第一沟槽内所述绝缘材料，至剩余部分厚度的所述绝缘材料，以至少在部分所述第一沟槽内形成第二沟槽。

5.如权利要求4所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，所述垫氧化层、绝缘材料以及隔离材料的材质包含氧化硅，所述阻挡层以及保护层的材质包含氮化硅。

6.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层，采用湿法浸泡去除所述第一沟槽内的所述绝缘材料。

7.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，采用湿法氧化工艺氧化所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底。

8.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构的步骤包括：形成隔离材料，所述隔离材料覆盖所述保护层并填满所述第二沟槽；

平坦化所述隔离材料，至暴露出所述保护层；以及，去除所述硅衬底上的所述保护层。

9.一种硅岛结构，其特征在于，采用如权利要求1～8任一项所述的硅岛结构的制作方法制作而成，所述硅岛结构包括：硅衬底；

多个隔离结构，位于所述硅衬底内，相邻所述隔离结构之间的所述硅衬底构成硅岛；以及氧化层，至少位于部分所述隔离结构与所述硅岛下方的所述硅衬底内，且所述氧化层与所述隔离结构相接触。

10.如权利要求9所述的硅岛结构，其特征在于，还包括：位于所述硅衬底上的垫氧化层，所述隔离结构贯穿所述垫氧化层。

11.如权利要求10所述的硅岛结构，其特征在于，所述隔离结构的上表面高于所述垫氧化层的上表面。

说明书

硅岛结构及其制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种硅岛结构及其制作方法。

背景技术

[0002] 近年来，随着半导体集成电路制造技术的发展，芯片中所含元件的数量不断增加，元件的尺寸也因集成度的提升而不断缩小，使用的线路宽度已进入微米的细小范围。然而，无论元件尺寸如何缩小化，在芯片中各个元件之间仍必须有适当地绝缘或隔离，才能得到良好的元件性质。这方面的技术一般称为元件隔离技术，其主要目的是在各元件之间形成隔离结构，并且在确保良好隔离效果的情况下，尽量缩小隔离结构所占的空间，以空留出更多的芯片面积来容纳更多的元件。

[0003] 现有的半导体制作技术中，通常使用绝缘衬底上硅(SOI：Silicon-On-Insulator)技术来实现良好的隔离，该SOI技术可以有效改善因器件特征尺寸减小所产生的衬底效应(Body-effect)，也可以通过多晶硅沉积研磨后再倒置的方法形成特定区域绝缘硅岛的方法来实现完全隔离。无论是SOI还是多晶硅研磨倒置形成硅岛的工艺，工艺都比较复杂，成本较高，且生产周期相对较长。

[0004] 图1～4为一种硅岛结构的制作方法的各步骤结构示意图，请参考图1～图4所示，所述硅岛结构的制作方法包括：

[0005] 首先，提供一硅衬底10，在所述硅衬底10内形成多个沟槽11，在所述沟槽11的侧壁、底部以及所述硅衬底10上覆盖氧化层12，形成如图1所示的结构。

[0006] 接着，在所述硅衬底10上沉积多晶硅层13，所述多晶硅层13覆盖所述硅衬底10并填满所述沟槽11，如图2所示。

[0007] 接着，对所述多晶硅层13进行化学机械研磨，使得所述多晶硅层13具有相对平坦的表面，如图3所示。

[0008] 最后，翻转所述硅衬底10，并对翻转后的所述硅衬底10进行化学机械研磨至暴露出所述氧化层12，剩余的所述硅衬底10被沟槽11隔离为多个彼此完全绝缘的硅岛14，如图4所示。

[0009] 但是，在上述形成硅岛的过程中，需要进行两次化学机械研磨(针对多晶硅层13的化学机械研磨以及针对翻转后的硅衬底10的化学机械研磨)，受化学机械研磨工艺的精度所限，研磨过程的均匀度并不好控制，尤其是对翻转后的硅衬底10的研磨，容易造成部分区域的氧化层12被暴露出来甚至被去除掉一部分，而部分区域的氧化层还被硅衬底所覆盖，从而对最终形成的硅岛造成影响。并且，在形成硅岛14之后，还需要在所述硅衬底10的底部(靠近所述硅岛14的一侧)键合承载衬底以提供支撑，两次化学机械研磨以及键合步骤使得该方法相对工艺比较复杂，成本较高，且生产周期相对较长。

[0010] 而采用绝缘衬底上硅技术来实现隔离，一般需要对衬底进行离子注入工艺来形成隔离，或者通过硅片键合来形成隔离，其方法相对工艺比较复杂，成本较高，且生产周期相对较长。

发明内容

[0011] 基于以上所述的问题，本发明的目的在于提供一种硅岛结构及其制作方法，形成多个完全彼此绝缘的硅岛，且降低工艺的复杂程度。

[0012] 为实现上述目的，本发明提供一种硅岛结构的制作方法，包括以下步骤：

[0013] 提供一硅衬底，并在所述硅衬底内形成多个第一沟槽；

[0014] 形成绝缘材料，所述绝缘材料至少填充在部分所述第一沟槽的底部，以在相应的所述第一沟槽内形成第二沟槽；

[0015] 形成保护层，所述保护层覆盖所述硅衬底以及所述第二沟槽的侧壁及底部；

[0016] 刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层以及所述第二沟槽下方的所述绝缘材料，以露出所述第一沟槽；

[0017] 氧化被所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底，至相邻所述第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁之间的所述硅衬底全部氧化，以形成氧化层；

[0018] 去除所述第二沟槽侧壁的所述保护层；以及，

[0019] 填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构，在相邻的所述隔离结构之间的所述硅衬底构成硅岛。

[0020] 可选的，在所述硅岛结构的制作方法中，在形成所述第一沟槽之前，还包括：在所述硅衬底上依次形成垫氧化层与阻挡层。

[0021] 可选的，在所述硅岛结构的制作方法中，形成所述第一沟槽的步骤包括：

[0022] 形成图形化的光刻胶层在所述阻挡层上；以及，

[0023] 以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述阻挡层、所述垫氧化层以及部分厚度的所述硅衬底，以形成所述第一沟槽。

[0024] 可选的，在所述硅岛结构的制作方法中，在所述第一沟槽内形成第二沟槽的步骤包括：

[0025] 形成绝缘材料在所述硅衬底上，所述绝缘材料覆盖所述阻挡层并至少填满部分所述第一沟槽；

[0026] 平坦化所述绝缘材料，至暴露出所述阻挡层；以及，

[0027] 刻蚀至少部分第一沟槽内所述绝缘材料，至剩余部分厚度的所述绝缘材料，以至少在部分所述第一沟槽内形成第二沟槽。

[0028] 可选的，在所述硅岛结构的制作方法中，所述垫氧化层、绝缘材料以及隔离材料的材质包含氧化硅，所述阻挡层以及保护层的材质包含氮化硅。

[0029] 可选的，在所述硅岛结构的制作方法中，采用干法刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层，采用湿法浸泡去除所述第一沟槽内的所述绝缘材料。

[0030] 可选的，在所述硅岛结构的制作方法中，采用湿法氧化工艺氧化所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底。

[0031] 可选的，在所述硅岛结构的制作方法中，填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构的步骤包括：

[0032] 形成隔离材料，所述隔离材料覆盖所述保护层并填满所述第二沟槽；

[0033] 平坦化所述隔离材料，至暴露出所述保护层；以及，

[0034] 去除所述硅衬底上的所述保护层。

[0035] 相应的，本发明还提供一种硅岛结构，采用如上所述的硅岛结构的制作方法制作而成，所述硅岛结构包括：

[0036] 硅衬底；

[0037] 多个隔离结构，位于所述硅衬底内，相邻所述隔离结构之间的所述硅衬底构成硅岛；以及

[0038] 氧化层，至少位于部分所述隔离结构与所述硅岛下方的所述硅衬底内，且所述氧化层与所述隔离结构相接触。

[0039] 可选的，在所述硅岛结构中，还包括：位于所述硅衬底上的垫氧化层，所述隔离结构贯穿所述垫氧化层。

[0040] 可选的，在所述硅岛结构中，所述隔离结构的上表面高于所述垫氧化层的上表面。

[0041] 与现有技术相比，本发明提供的硅岛结构制作方法中，首先在硅衬底内形成多个第一沟槽，至少在部分第一凹槽中填充绝缘材料，在相应的第一凹槽内以形成第二凹槽，通过在第二凹槽的侧壁形成保护层，之后对所述第一沟槽的侧壁进行氧化时，所述保护层起到保护作用，从而只在第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁上形成氧化层，且相邻所述第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁之间的硅衬底被全部被氧化，最后去除第二沟槽侧壁的保护层，填充隔离材料在所述第二沟槽内形成隔离结构，使得相邻的所述隔离结构之间的硅衬底构成硅岛，从而形成多个彼此完全绝缘的硅岛，可以在目前工艺基础上，不需要额外的离子注入、键合等工艺实现特定区域硅岛的形成，从而实现与绝缘衬底上硅相同的特性，可以极大的降低工艺的复杂程度，降低成本。

附图说明

[0042] 图1～4为一硅岛结构的制作方法的各步骤结构示意图。

[0043] 图5为本发明一实施例所提供的硅岛结构的制作方法的流程图。

[0044] 图6～11为本发明一实施例所提供的硅岛结构的制作方法的各步骤结构示意图。

具体实施方式

[0045] 为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容做进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

[0046] 显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本发明的限定。

[0047] 图5为本发明一实施例所提供的硅岛结构的制作方法的流程图。图6～11为本发明一实施例所提供的硅岛结构的制作方法的各步骤结构示意图。以下结合附图5-11对本实施例中硅岛结构的制作方法的各个步骤进行详细说明。

[0048] 在步骤S100中，请参考图6所示，提供一硅衬底100，所述硅衬底100内形成有多个第一沟槽110。

[0049] 作为优选实施例，在形成所述第一沟槽110之前，首先，在所述硅衬底100上依次形成垫氧化层101与阻挡层102。可以采用高温氧化的方法在所述硅衬底100上形成垫氧化层101，接着采用化学气相沉积的方法，在所述垫氧化层101上形成阻挡层102。所述垫氧化层
101的材质包含但不限于氧化硅，所述阻挡层102的材质包含但不限于氮化硅。所述阻挡层
102作用为在后续刻蚀形成第一沟槽的过程中，保护下面的垫氧化层101和硅衬底100免受刻蚀气体的影响。

[0050] 接着，在所述阻挡层102、垫氧化层101以及硅衬底100内形成多个第一沟槽110，如图6所示。例如，可以通过旋涂工艺在所述阻挡层102上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光与显影，形成图形化的光刻胶层，然后以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次对所述阻挡层102、所述垫氧化层101以及部分所述硅衬底100进行刻蚀，形成多个第一沟槽110。随后，可选择采用氧离子灰化等工艺去除所述图形化的光刻胶层。

[0051] 在步骤S200中，请参考图6所示，形成绝缘材料120，所述绝缘材料120至少填充在部分所述第一沟槽110的底部，以在相应的所述第一沟槽110内形成第二沟槽130。

[0052] 具体的，在所述阻挡层102上形成绝缘材料120，所述绝缘材料120覆盖所述阻挡层102并填满所述第一沟槽110，然后对所述绝缘材料120进行平坦化，例如可以进行化学机械研磨，至暴露出所述阻挡层102。

[0053] 以上其实是在所述硅衬底上形成浅沟槽隔离结构或深沟槽隔离结构的过程。

[0054] 接着，刻蚀部分所述第一凹槽110内的所述绝缘材料120，至剩余部分厚度的绝缘材料120，以在相应的所述第一沟槽110内形成第二沟槽130，即所述第二凹槽130位于所述第一凹槽110的上部，所述第二凹槽130的深度较所述第一沟槽110的深度小，且所述第二凹槽130的底部与所述绝缘材料120相接触。

[0055] 在图7中，在所述硅衬底100中示意性的表示出六个第一凹槽110，仅刻蚀左侧四个所述第一凹槽110内的部分所述绝缘材料120，用于说明本实施例中形成硅岛的区域可以自由选择，并不受硅衬底区域的限制，仅根据实际需求来选择形成区域即可。在只刻蚀部分第一沟槽110的绝缘材料120的情况下，可以通过旋涂工艺在所述阻挡层102上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光与显影，形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出需刻蚀区域的第一沟槽110上方的阻挡层102，然后以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次对所述阻挡层102、所述垫氧化层101以及部分所述硅衬底100进行刻蚀，形成多个第一沟槽110。随后，可选择采用氧离子灰化等工艺去除所述图形化的光刻胶层。

[0056] 需要说明的是，在本实施例中，是先形成第一沟槽110，在所述第一沟槽110内填充绝缘材料，然后进行刻蚀，在相应的第一沟槽110内形成第二沟槽130。在其他实施例中，也可以直接在所述第一沟槽110的部分深度内填充绝缘材料，以此在所述第一沟槽110内形成第二沟槽130。

[0057] 在步骤S300中，请参考图8所示，形成保护层103在所述硅衬底100上，所述保护层103覆盖所述硅衬底100、所述第二沟槽130的表面(即侧壁及底部)。

[0058] 例如可以采用化学气相沉积的方法在所述阻挡层102上形成所述保护层103，所述保护层103的材质包含但不限于氮化硅。所述保护层103覆盖所述阻挡层102，并覆盖所述第二凹槽120的侧壁及底部，即所述保护层103覆盖所述绝缘材料120。

[0059] 步骤S400中，请参考图9所示，刻蚀去除所述第二沟槽130底部的所述保护层103，并去除所述第二沟槽130下方的所述绝缘材料120，以露出所述第一沟槽110。

[0060] 具体的，可以采用干法刻蚀去除所述第二沟槽130底部的所述保护层103，但是保留所述阻挡层102上以及所述第二沟槽130侧壁的所述保护层103，即仅暴露出所述绝缘层120，接着，采用湿法浸泡的方法去除所述第二沟槽130下方的所述绝缘材料120，最终暴露出所述第一沟槽110。可根据所述绝缘材料120的材质来选择湿法浸泡工艺的腐蚀液，例如所述绝缘材料120为氧化硅时，可以采用稀释的氢氟酸(DHF)或缓冲氢氟酸溶液(BOE)去除所述第一沟槽110内的所述绝缘材料120。

[0061] 步骤S500中，请参考图10所示，氧化被所述第一沟槽110侧壁暴露出的所述硅衬底100，至相邻所述第一沟槽110未被所述保护层103覆盖的侧壁之间的所述硅衬底100全部氧化，以形成氧化层140。

[0062] 具体的，可以对所述第一沟槽110侧壁暴露出的所述硅衬底100进行湿法氧化工艺，即对所述第一沟槽110内未被所述保护层103覆盖的侧壁进行湿法氧化工艺，至相邻所述第一沟槽110未被所述保护层103覆盖的侧壁之间的所述硅衬底100被全部氧化，在所述第二沟槽130的下方以及相邻所述第二沟槽130下方形成氧化层140，即对所述硅衬底100进行横向(图9所示的水平方向)氧化形成氧化层140。在图10中，在左侧四个形成有第二凹槽130的位置处，其下方的硅衬底100内均氧化形成有氧化层。

[0063] 由于所述保护层103对所述第二凹槽130侧壁的保护，在所述第二凹槽130的侧壁上并不会形成氧化层。即仅在所述第二凹槽130的下方形成所述氧化层140，因此，所述氧化层140在所述硅衬底100内的深度是由所述第二凹槽130的深度决定的，而所述第二凹槽130的深度则由步骤S100中刻蚀的所述绝缘材料120的深度决定的，或者由刻蚀后剩余的所述绝缘材料120的厚度决定，因此，可以根据需要设定步骤S100中剩余的所述绝缘材料120的厚度。

[0064] 当然，在对所述第一沟槽110侧壁暴露出的所述硅衬底100进行氧化的过程中，即进行横向氧化的过程中，也不可避免的对所述第一沟槽110底部暴露出的所述硅衬底100进行氧化，即最终形成的氧化层140的厚度可能大于步骤S200中刻蚀后剩余的所述绝缘层120的厚度。

[0065] 在步骤S600中，去除所述第二沟槽130侧壁的所述保护层103，在步骤S700中，填充隔离材料在所述第二凹槽130内形成隔离结构150，在相邻的所述隔离结构150之间的所述硅衬底100构成硅岛160，最终形成如图11所示的结构。

[0066] 具体的，首先，去除所述第二沟槽130侧壁上的所述保护层103，例如，可以采用干法刻蚀的方法去除所述第二沟槽130侧壁上的保护层103。接着，在所述硅衬底上形成隔离材料，所述隔离材料覆盖所述硅衬底100表面上的所述保护层103，并填满所述第二沟槽130。然后，平坦化所述隔离材料，例如采用化学机械研磨的方法对所述隔离材料进行平坦化，至暴露出所述保护层103。最后，去除所述硅衬底100上的所述保护层103与所述阻挡层
102，可以采用湿法刻蚀工艺去除，在所述第二沟槽130内形成隔离结构150。

[0067] 本实施例中，由于所述保护层103与所述阻挡层102的材质相同，例如均为氮化硅，因此，在开始仅去除所述第二沟槽130侧壁上的所述保护层103，而保留所述硅衬底100上的保护层作为后续研磨的截止层，因为若对所述硅衬底100上的保护层进行刻蚀，则由于材质相同，不可避免的会对所述阻挡层102造成过刻蚀，从而增加刻蚀的难度。但是，若所述保护层103与所述阻挡层102的材质不同，且具有高刻蚀选择比，则可以在去除所述第二沟槽130侧壁上的所述保护层103的同时，去除所述硅衬底100上的所述保护层103，即去除所有的所述保护层103，而阻挡层102作为后续的研磨截止层。

[0068] 形成沟槽隔离150之间，相邻所述沟槽隔离150之间的硅衬底100构成硅岛160，每个所述硅岛160彼此完全绝缘。所述硅岛160可以实现与SOI一样的绝缘效果。

[0069] 在本发明实施例对提供的硅岛结构的制造方法中，首先在硅衬底100内形成多个第一沟槽110，至少在部分第一凹槽110中填充绝缘材料120，以在相应的第一沟槽110内形成第二沟槽120，然后形成保护层103，所述保护层103覆盖所述第二沟槽130的侧壁及底部，接着刻蚀去除所述第二沟槽130底部的保护层103以及第二沟槽130下方的绝缘材料120，然后氧化被所述第一沟槽110侧壁暴露出的硅衬底100，至相邻所述第一沟槽110未被所述保护层103覆盖的侧壁之间的所述硅衬底100全部氧化，以形成氧化层140，最后去除第二沟槽130侧壁的保护层103，填充隔离材料在第二凹槽130内形成隔离结构150，在相邻的所述隔离结构150之间的硅衬底构成硅岛160，从而形成多个彼此完全绝缘的硅岛160，可以在目前工艺基础上，不需要额外的离子注入、键合等工艺实现特定区域硅岛的形成，从而实现与绝缘硅衬底上硅相同的特性，可以极大的降低工艺的复杂程度，降低成本。

[0070] 相应的，本发明实施例还提供一种硅岛结构，采用如上所述的硅岛结构的制作方法制作而成，请参考图11所示，所述硅岛结构包括：

[0071] 硅衬底100；

[0072] 多个隔离结构150，位于所述硅衬底100内，相邻所述隔离结构150之间的所述硅衬底100构成硅岛160；以及

[0073] 氧化层140，至少位于部分所述隔离结构150与所述硅岛160下方的所述硅衬底100内，且所述氧化层140与所述隔离结构150相接触。

[0074] 所述氧化层140与每一相邻所述隔离结构150包围一所述硅岛160，以形成多个彼此完全绝缘的硅岛，从而实现与绝缘硅衬底上硅相同的特性。

[0075] 优选的，所述硅岛结构还包括：位于所述硅衬底100上的衬氧化层101，所述隔离结构150贯穿所述垫氧化层101。

[0076] 本申请实施例中，所述隔离结构150的材质包含但不限于氧化硅，所述氧化层140的材质包含但不限于氧化硅，所述垫氧化层101的材质包含但不限于氧化硅，即所述氧化层140、所述隔离结构150与所述垫氧化层101的材质可以相同。

[0077] 在本申请实施例中，所述隔离结构150的上表面高于所述垫氧化层101的上表面。

[0078] 综上所述，本发明提供的硅岛结构及其制作方法中，首先在硅衬底内形成多个第一沟槽，至少在部分第一凹槽中填充绝缘材料，在相应的第一凹槽内以形成第二凹槽，通过在第二凹槽的侧壁形成保护层，之后对所述第一沟槽的侧壁进行氧化时，所述保护层起到保护作用，从而只在第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁上形成氧化层，且相邻所述第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁之间的硅衬底被全部被氧化，最后去除第二沟槽侧壁的保护层，填充隔离材料在所述第二沟槽内形成隔离结构，使得相邻的所述隔离结构之间的硅衬底构成硅岛，从而形成多个彼此完全绝缘的硅岛，可以在目前工艺基础上，不需要额外的离子注入、键合等工艺实现特定区域硅岛的形成，从而实现与绝缘衬底上硅相同的特性，可以极大的降低工艺的复杂程度，降低成本。

[0079] 上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。