管芯封环及其制造方法

摘要

本发明公开一种管芯封环及其制造方法，其中上述管芯封环包括基底、介电层与多个导体层。介电层设置在基底上。导体层堆叠在基底上，且位于介电层中。每个导体层包括第一导体部与第二导体部。第二导体部设置在第一导体部上。第一导体部的宽度小于第二导体部的宽度。在第一导体部的侧壁与介电层之间具有第一气隙。在第二导体部的侧壁与介电层之间具有第二气隙。上述管芯封环及其制造方法可有效地防止在进行管芯切割时所产生的裂缝对电路结构造成损害。

权利要求

1.一种管芯封环，其特征在于，包括：基底；

介电层，设置在所述基底上；以及

多个导体层，堆叠在所述基底上，且位于所述介电层中，其中每个导体层包括：第一导体部；以及

第二导体部，设置在所述第一导体部上，其中所述第一导体部的宽度小于所述第二导体部的宽度，其中在所述第一导体部的侧壁与所述介电层之间具有第一气隙，且在所述第二导体部的侧壁与所述介电层之间具有第二气隙。

2.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，所述第一气隙与所述第二气隙互不相连。

3.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，所述介电层包括多层结构。

4.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，所述介电层的材料包括低介电常数材料、氧化硅、氮化硅或其组合。

5.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，所述低介电常数材料包括氟硅酸盐玻璃、黑金刚石或甲基硅倍半氧烷。

6.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，在每个导体层中的所述第一导体部与所述第二导体部为一体成型。

7.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，还包括：强化层，设置在所述第一气隙与所述第一导体部之间以及所述第二气隙与所述第二导体部之间。

8.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，还包括：强化层，设置在所述第一气隙与所述介电层之间以及所述第二气隙与所述介电层之间。

9.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，还包括：第一强化层，设置在所述第一气隙与所述介电层之间以及所述第二气隙与所述介电层之间；以及第二强化层，设置在所述第一气隙与所述第一导体部之间以及所述第二气隙与所述第二导体部之间。

10.根据权利要求9所述的管芯封环，其特征在于，所述第一强化层与所述第二强化层的材料包括氮化铝、氮化钛或氮化钽。

11.一种管芯封环的制造方法，其特征在于，包括：在基底上形成介电层；

在所述介电层中形成堆叠在所述基底上的多个导体层，其中每个导体层包括：第一导体部；以及

第二导体部，设置在所述第一导体部上，其中所述第一导体部的宽度小于所述第二导体部的宽度；

在所述第一导体部的侧壁与所述介电层之间形成第一气隙；以及在所述第二导体部的侧壁与所述介电层之间形成第二气隙。

12.根据权利要求11所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，所述第一气隙与所述第二气隙互不相连。

13.根据权利要求11所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，每个导体层中的所述第一导体部与所述第二导体部的形成方法包括双重金属镶嵌法。

14.根据权利要求11所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，所述第一气隙与所述第二气隙的形成方法包括：在所述第一导体部的侧壁与所述介电层之间形成第一热降解聚合物牺牲层；

在所述第二导体部的侧壁与所述介电层之间形成第二热降解聚合物牺牲层；以及进行热制作工艺，以移除所述第一热降解聚合物牺牲层与所述第二热降解聚合物牺牲层。

15.根据权利要求11所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，所述第一气隙与所述第二气隙的形成方法包括：在所述介电层中形成双重金属镶嵌开口，其中所述双重金属镶嵌开口包括相连接的下部开口与上部开口；

在所述双重金属镶嵌开口的表面上共形地形成热降解聚合物层；

对所述热降解聚合物层进行回蚀刻制作工艺，而在所述下部开口的侧壁上形成第一热降解聚合物牺牲层，且在所述上部开口的侧壁上形成第二热降解聚合物牺牲层；

在所述双重金属镶嵌开口中形成所述多个导体层中的一个；以及进行热制作工艺，以移除所述第一热降解聚合物牺牲层与所述第二热降解聚合物牺牲层。

16.根据权利要求15所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，还包括：在所述多个导体层中的一个上形成顶盖层，其中所述热制作工艺在形成所述顶盖层之后进行。

17.根据权利要求15所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，还包括：在所述多个导体层中的一个上形成顶盖层，其中所述热制作工艺在形成所述顶盖层之前进行。

18.根据权利要求11所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第一气隙与所述第一导体部之间以及所述第二气隙与所述第二导体部之间形成强化层。

19.根据权利要求11所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第一气隙与所述介电层之间以及所述第二气隙与所述介电层之间形成强化层。

20.根据权利要求11所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第一气隙与所述介电层之间以及所述第二气隙与所述介电层之间形成第一强化层；以及在所述第一气隙与所述第一导体部之间以及所述第二气隙与所述第二导体部之间形成第二强化层。

说明书

管芯封环及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种管芯封环及其制造方法。

背景技术

[0002] 随着科技日新月异，集成电路(integrated circuits，IC)元件已广泛地应用于我们日常生活当中。一般而言，集成电路的生产主要分为三个阶段：硅晶片的制造、集成电路的制作及集成电路的封装(package)等。以集成电路的封装而言，其首要步骤就是要先进行管芯切割(die saw)。

[0003] 然而，在沿着切割道区域进行管芯切割时，过大的切割应力会在管芯中产生裂缝(crack)。当裂缝持续向管芯内部延伸，裂缝会穿过管芯封环而对电路结构造成损害。

发明内容

[0004] 本发明提供一种管芯封环及其制造方法，其可有效地防止在进行管芯切割时所产生的裂缝对电路结构造成损害。

[0005] 本发明提出一种管芯封环，包括基底、介电层与多个导体层。介电层设置在基底上。导体层堆叠在基底上，且位于介电层中。每个导体层包括第一导体部与第二导体部。第二导体部设置在第一导体部上。第一导体部的宽度小于第二导体部的宽度。在第一导体部的侧壁与介电层之间具有第一气隙。在第二导体部的侧壁与介电层之间具有第二气隙。

[0006] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，第一气隙与第二气隙可互不相连。

[0007] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，介电层可为多层结构。

[0008] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，介电层的材料例如是低介电常数材料、氧化硅、氮化硅或其组合。

[0009] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，低介电常数材料例如是氟硅酸盐玻璃(fluorosilicate glass，FSG)、黑金刚石(Black Diamond)(应用材料公司(Applied Materials)的注册商标)或甲基硅倍半氧烷(methyl silsesquioxane，MSQ)。

[0010] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，在每个导体层中的第一导体部与第二导体部可为一体成型。

[0011] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，还可包括强化层。强化层设置在第一气隙与第一导体部之间以及第二气隙与第二导体部之间。

[0012] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，还可包括强化层。强化层设置在第一气隙与介电层之间以及第二气隙与介电层之间。

[0013] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，还可包括第一强化层与第二强化层。第一强化层设置在第一气隙与介电层之间以及第二气隙与介电层之间。第二强化层设置在第一气隙与第一导体部之间以及第二气隙与第二导体部之间。

[0014] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，第一强化层与第二强化层的材料例如是氮化铝(AlN)、氮化钛(TiN)或氮化钽(TaN)。

[0015] 本发明提出一种管芯封环的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成介电层。在介电层中形成堆叠在基底上的多个导体层。每个导体层包括第一导体部与第二导体部。第二导体部设置在第一导体部上。第一导体部的宽度小于第二导体部的宽度。在第一导体部的侧壁与介电层之间形成第一气隙。在第二导体部的侧壁与介电层之间形成第二气隙。

[0016] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，第一气隙与第二气隙可互不相连。

[0017] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，每个导体层中的第一导体部与第二导体部的形成方法可为双重金属镶嵌法。

[0018] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，第一气隙与第二气隙的形成方法可包括以下步骤。在第一导体部的侧壁与介电层之间形成第一热降解聚合物牺牲层(thermal degradable polymer(TDP)sacrificial layer)。在第二导体部的侧壁与介电层之间形成第二热降解聚合物牺牲层。进行热制作工艺，以移除第一热降解聚合物牺牲层与第二热降解聚合物牺牲层。

[0019] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，第一气隙与第二气隙的形成方法可包括以下步骤。在介电层中形成双重金属镶嵌开口。双重金属镶嵌开口包括相连接的下部开口与上部开口。在双重金属镶嵌开口的表面上共形地形成热降解聚合物层。对热降解聚合物层进行回蚀刻制作工艺，而在下部开口的侧壁上形成第一热降解聚合物牺牲层，且在上部开口的侧壁上形成第二热降解聚合物牺牲层。在双重金属镶嵌开口中形成导体层。进行热制作工艺，以移除第一热降解聚合物牺牲层与第二热降解聚合物牺牲层。

[0020] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，还可包括在导体层上形成顶盖层。热制作工艺可在形成顶盖层之后进行。

[0021] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，还可包括在导体层上形成顶盖层。热制作工艺可在形成所述顶盖层之前进行。

[0022] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，还可包括在第一气隙与第一导体部之间以及第二气隙与第二导体部之间形成强化层。

[0023] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，还可包括在第一气隙与介电层之间以及第二气隙与介电层之间形成强化层。

[0024] 依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，还可包括以下步骤。在第一气隙与介电层之间以及第二气隙与介电层之间形成第一强化层。在第一气隙与第一导体部之间以及第二气隙与第二导体部之间形成第二强化层。

[0025] 基于上述，在本发明所提出的管芯封环及其制造方法中，由于第一气隙位于第一导体部的侧壁与介电层之间，且第二气隙位于第二导体部的侧壁与介电层之间，因此可通过第一气隙与第二气隙来阻挡在进行管芯切割时所产生的裂缝的延伸路径，以防止裂缝延伸到电路区中，进而可防止裂缝对电路结构造成损害。

[0026] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

[0027] 图1A至图1G为本发明一实施例的管芯封环的制造流程剖视图；

[0028] 图2为本发明一实施例的半导体结构的剖视图；

[0029] 图3A至图3G为本发明另一实施例的管芯封环的制造流程剖视图；

[0030] 图4为本发明另一实施例的半导体结构的剖视图；

[0031] 图5为本发明另一实施例的半导体结构的剖视图；

[0032] 图6为本发明另一实施例的半导体结构的剖视图。

[0033] 符号说明

[0034] 10a、10b、10c、10d：半导体结构

[0035] 100：基底

[0036] 102、102a：介电层

[0037] 104、114：顶盖层

[0038] 106：硬掩模层

[0039] 108：双重金属镶嵌开口

[0040] 108a：下部开口

[0041] 108b：上部开口

[0042] 110：热降解聚合物层

[0043] 110a、110b：热降解聚合物牺牲层

[0044] 112：导体材料层

[0045] 112a：导体层

[0046] 116、118、128：气隙

[0047] 120、200、300、400：管芯封环

[0048] 122：内连线结构

[0049] 124：保护层

[0050] 126：切割道

[0051] 130：开口

[0052] 202、204：强化材料层

[0053] 202a、204a、206、208：强化层

[0054] CP1、CP2：导体部

[0055] R1：管芯封环区

[0056] R2：电路区

具体实施方式

[0057] 图1A至图1G为本发明一实施例的管芯封环的制造流程剖视图。图2为本发明一实施例的半导体结构的剖视图。

[0058] 请参照图1A，在基底100上形成介电层102a。在一实施例中，基底100可包括半导体基底(如，硅基底)，且还可包括在前段制作工艺(Front End of Line，FEOL)中形成在半导体基底上的半导体元件与内连线结构。在图1A中，将基底100绘示为单层结构，以简化说明。

[0059] 介电层102a可为单层结构或多层结构。介电层102a的材料例如是低介电常数材料、氧化硅、氮化硅或其组合。低介电常数材料例如是氟硅酸盐玻璃(FSG)、黑金刚石(Black Diamond)(应用材料公司的注册商标)或甲基硅倍半氧烷(MSQ)。介电层102a的形成方法例如是化学气相沉积法或旋转涂布法。

[0060] 此外，可在基底100与介电层102a之间形成顶盖层104。顶盖层104的材料例如是氮碳化硅(SiCN)。顶盖层104的形成方法例如是化学气相沉积法。

[0061] 接着，可在介电层102a上形成硬掩模层106。硬掩模层106的材料例如是氮氧化硅(SiON)。硬掩模层106的形成方法例如是化学气相沉积法。

[0062] 然后，在介电层102a中形成双重金属镶嵌开口108。双重金属镶嵌开口108包括相连接的下部开口108a与上部开口108b。在本实施例中，下部开口108a的数量是以两个为例来进行说明，但本发明并不以此为限。只要下部开口108a的数量为一个以上，即属于本发明所涵盖的范围。双重金属镶嵌开口108的形成方法例如是利用光刻制作工艺与蚀刻制作工艺对介电层102a进行图案化。此外，在形成双重金属镶嵌开口108的过程中，会移除部分顶盖层104，以暴露出基底100。由此，有利于后续形成在双重金属镶嵌开口108中的导体层112a(图1E)与基底100中的导体层(未示出)进行电连接。

[0063] 请参照图1B，在双重金属镶嵌开口108的表面上共形地形成热降解聚合物层110。热降解聚合物层110的材料例如是聚甲基丙烯酸甲酯(poly methyl methacrylate，PMMA)或聚甲醛(polyoxymethylene，POM)。热降解聚合物层110的形成方法例如是化学气相沉积法。

[0064] 请参照图1C，对热降解聚合物层110进行回蚀刻制作工艺，而在下部开口108a的侧壁上形成热降解聚合物牺牲层110a，且在上部开口108b的侧壁上形成热降解聚合物牺牲层110b。

[0065] 请参照图1D，形成填满双重金属镶嵌开口108的导体材料层112。导体材料层112的材料例如是铜等金属材料。导体材料层112的形成方法例如是电镀法。

[0066] 请参照图1E，移除双重金属镶嵌开口108外部的导体材料层112，而在双重金属镶嵌开口108中形成导体层112a。导体层112a包括导体部CP1与导体部CP2。导体部CP2设置在导体部CP1上。导体部CP1的宽度小于导体部CP2的宽度。导体部CP1可为介层窗(via)，且导体部CP2可为导线。在本实施例中，导体部CP1的数量是以两个为例来进行说明，但本发明并不以此为限。只要导体部CP1的数量为一个以上，即属于本发明所涵盖的范围。双重金属镶嵌开口108外部的导体材料层112的移除方法例如是化学机械研磨法。基于上述可知，导体部CP1与导体部CP2的形成方法可为双重金属镶嵌法，且导体层112a中的导体部CP1与导体部CP2可为一体成型，但本发明并不以此为限。此外，在移除双重金属镶嵌开口108外部的导体材料层112的步骤中，可同时移除硬掩模层106，但本发明并不以此为限。在另一实施例中，也可另行移除硬掩模层106。

[0067] 请参照图1F，可在导体层112a上形成顶盖层114。顶盖层114的材料例如是氮碳化硅(SiCN)。顶盖层114的形成方法例如是化学气相沉积法。

[0068] 请参照图1G，进行热制作工艺，以移除热降解聚合物牺牲层110a与热降解聚合物牺牲层110b，而在导体部CP1的侧壁与介电层102a之间形成气隙116，且在导体部CP2的侧壁与介电层102a之间形成气隙118。气隙116与气隙118可阻挡在进行管芯切割时所产生的裂缝的延伸路径，以防止裂缝对电路结构造成损害。气隙116与气隙118可互不相连。

[0069] 在本实施例中，热制作工艺是在形成顶盖层114之后进行，亦即先形成顶盖层114，再形成气隙116与气隙118，但本发明并不以此为限。在另一实施例中，热制作工艺也可在形成顶盖层114之前进行，亦即可先形成气隙116与气隙118，再形成顶盖层114。

[0070] 由上述可知，在一实施例中，气隙116与气隙118的形成方法可包括以下步骤。在导体部CP1的侧壁与介电层102a之间形成热降解聚合物牺牲层110a。在导体部CP2的侧壁与介电层102a之间形成热降解聚合物牺牲层110b。进行热制作工艺，以移除热降解聚合物牺牲层110a与热降解聚合物牺牲层110b。

[0071] 请参照图2，可重复进行图1A至图1G的步骤，而在基底100上形成介电层102，且在介电层102中形成堆叠在基底100上的多个导体层112a。介电层102可为多层结构。举例来说，在本实施例中，介电层102可包括多层介电层102a。

[0072] 通过上述方法，在管芯封环区R1中，可形成半导体结构10a中的管芯封环120。以下，通过图2来说明上述实施例的半导体结构10a与管芯封环120。

[0073] 半导体结构10a可包括管芯封环120。管芯封环120包括基底100、介电层102与多个导体层112a，且还可包括顶盖层104与多个顶盖层114中的至少一者。介电层102设置在基底100上。导体层112a堆叠在基底100上，且位于介电层102中。每个导体层112a包括导体部CP1与导体部CP2。导体部CP2设置在导体部CP1上。导体部CP1的宽度小于导体部CP2的宽度。在导体部CP1的侧壁与介电层102a之间具有气隙116。在导体部CP2的侧壁与介电层102a之间具有气隙118。气隙116与气隙118可互不相连。顶盖层104设置在基底100与介电层102之间。
顶盖层114设置在上下相邻的两层介电层102a之间。在上下相邻的两层导体层112a中，上方的导体层112a的导体部CP1会穿过顶盖层114而电连接到下方的导体层112a。此外，管芯封环120中的各构件的材料、配置方式、形成方法与功效已于上述实施例进行详尽地描述，在此不再重复说明。

[0074] 此外，半导体结构10a还可包括内连线结构122、保护层124与切割道中126中的至少一者。内连线结构122位于电路区R2中。电路区R2例如是主动电路区。内连线结构122可为后段制作工艺(Back End of Line，BEOL)的内连线结构。内连线结构122中的一部分可与管芯封环120通过相同制作工艺同时形成，因此会在部分内连线结构122的侧壁与介电层102之间形成气隙128。此外，电路区R2中的气隙128有助于降低电阻电容延迟(RC Delay)的情况。保护层124覆盖内连线结构122，且位于管芯封环区R1中的保护层124可具有开口130。开口130可阻挡在进行管芯切割时所产生的裂缝的延伸路径，以防止裂缝对电路结构造成损害。切割道126位于管芯封环120远离内连线结构122的一侧。

[0075] 基于上述可知，在管芯封环120及其制造方法中，由于气隙116位于导体部CP1的侧壁与介电层102a之间，且气隙118位于导体部CP2的侧壁与介电层102a之间，因此可通过气隙116与气隙118来阻挡在进行管芯切割时所产生的裂缝的延伸路径，以防止裂缝延伸到电路区R2中，进而可防止裂缝对电路结构造成损害。

[0076] 图3A至图3G为本发明另一实施例的管芯封环的制造流程剖视图。图4为本发明另一实施例的半导体结构的剖视图。

[0077] 请同时参照图1A至图1G、图2、图3A至图3G与图4，图4的管芯封环200与图2的管芯封环120在制造方法上的差异如下。在管芯封环200的制造方法中，会在气隙116与介电层102a之间以及气隙118与介电层102a之间形成强化层202a，且会在气隙116与导体部CP1之间以及气隙118与导体部CP2之间形成强化层204a。强化层202a与强化层204a的材料例如是氮化铝(AlN)、氮化钛(TiN)或氮化钽(TaN)等导电材料。

[0078] 举例来说，强化层202a与强化层204a的形成方法可包括以下步骤。请参照图3B，在双重金属镶嵌开口108的表面上共形地形成强化材料层202。强化材料层202的形成方法例如是化学气相沉积法。请参照图3C，在形成热降解聚合物牺牲层110a与热降解聚合物牺牲层110b之后，共形地形成强化材料层204，且强化材料层204覆盖强化材料层202、热降解聚合物牺牲层110a与热降解聚合物牺牲层110b。强化材料层204的形成方法例如是化学气相沉积法。请参照图3E，可移除双重金属镶嵌开口108外部的强化材料层204与强化材料层202，而形成强化层202a与强化层204a。在一实施例中，在移除双重金属镶嵌开口108外部的导体材料层112的步骤中，可同时移除双重金属镶嵌开口108外部的强化材料层204、强化材料层202与硬掩模层106，但本发明并不以此为限。在另一实施例中，也可另行移除双重金属镶嵌开口108外部的强化材料层204、强化材料层202与硬掩模层106。

[0079] 此外，管芯封环200的制造方法中的其他步骤可参考管芯封环120的制造方法，在此不再重复说明。

[0080] 另外，内连线结构122中的一部分可与管芯封环120通过相同制作工艺同时形成，因此会在气隙128与介电层102a之间形成强化层206，且会在气隙128与部分内连线结构122之间形成强化层208。

[0081] 另一方面，在图4的半导体结构10b与图2的半导体结构10a中，管芯封环200与管芯封环120在结构上的差异如下。管芯封环200还包括强化层202a与强化层204a。强化层202a设置在气隙116与介电层102a之间以及气隙118与介电层102a之间。强化层204a设置在气隙116与导体部CP1之间以及气隙118与导体部CP2之间。除此之外，半导体结构10b与半导体结构10a中的相同构件以相同的符号表示并省略其说明。

[0082] 基于上述实施例可知，在管芯封环200及其制造方法中，可通过强化层202a与强化层204a来增加管芯封环200的结构强度，进而可提高半导体结构10b的可靠度。

[0083] 图5为本发明另一实施例的半导体结构的剖视图。

[0084] 请同时参照图5与图4，图5的管芯封环300与图4的管芯封环200在制造方法上的差异如下。在管芯封环300的制造方法中，会在气隙116与导体部CP1之间以及气隙118与导体部CP2之间形成强化层204a，但不会在气隙116与介电层102a之间以及气隙118与介电层102a之间形成强化层202a。

[0085] 此外，内连线结构122中的一部分可与管芯封环120通过相同制作工艺同时形成，因此会在气隙128与部分内连线结构122之间形成强化层208。

[0086] 另一方面，在图5的半导体结构10c与图4的半导体结构10b中，管芯封环300与管芯封环200在结构上的差异如下。管芯封环300包括强化层204a，但不包括强化层202a。另外，半导体结构10c与半导体结构10b中的相同构件以相同的符号表示并省略其说明。

[0087] 基于上述实施例可知，在管芯封环300及其制造方法中，可通过强化层204a来增加管芯封环300的结构强度，进而可提高半导体结构10c的可靠度。

[0088] 图6为本发明另一实施例的半导体结构的剖视图。

[0089] 请同时参照图6与图4，图6的管芯封环400与图4的管芯封环200在制造方法上的差异如下。在管芯封环400的制造方法中，会在气隙116与介电层102a之间以及气隙118与介电层102a之间形成强化层202a，但不会在气隙116与导体部CP1之间以及气隙118与导体部CP2之间形成强化层204a。

[0090] 此外，内连线结构122中的一部分可与管芯封环120通过相同制作工艺同时形成，因此会在气隙128与介电层102a之间形成强化层206。

[0091] 另一方面，在图6的半导体结构10d与图4的半导体结构10b中，管芯封环400与管芯封环200在结构上的差异如下。管芯封环400包括强化层202a，但不包括强化层204a。另外，半导体结构10d与半导体结构10b中的相同构件以相同的符号表示并省略其说明。

[0092] 基于上述实施例可知，在管芯封环400及其制造方法中，可通过强化层202a来增加管芯封环400的结构强度，进而可提高半导体结构10d的可靠度。

[0093] 综上所述，在上述实施例的管芯封环及其制造方法中，可通过气隙来阻挡在进行管芯切割时所产生的裂缝的延伸路径，以防止裂缝延伸到电路区中，进而可防止裂缝对电路结构造成损害。

[0094] 虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。