显示装置

摘要

一种显示装置包括：显示基板；位于显示基板上的发光器件；位于发光器件上并且结合到显示基板的封装基板；以及位于封装基板的顶表面上的衍射光栅层，其中衍射光栅层包括彼此间隔开预定距离的多个衍射图案，并且多个衍射图案中的每一个具有下层和上层的堆叠结构，其中下层和上层包括不同的材料。

权利要求

1.一种显示装置，包括：

显示基板；

位于所述显示基板上的发光器件；

位于所述发光器件上并且结合到所述显示基板的封装基板；以及位于所述封装基板的顶表面上的衍射光栅层，其中所述衍射光栅层包括彼此间隔开预定距离的多个衍射图案，其中所述多个衍射图案中的每一个具有下层和上层的多层结构，并且其中所述下层和所述上层包括不同的材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上层包括与所述封装基板相同的材料。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个衍射图案在彼此垂直相交的第一方向和第二方向上以相同的周期被设置。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下层和所述上层包括不同的无机材料。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述下层包括从由氧化铟锡、氧化铟锌和氧化铟锡锌组成的组中选择的至少一种。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述上层包括从由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中选择的至少一种。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下层包括从所述上层的侧边缘凹陷的底切区域。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下层的厚度比所述上层的厚度薄。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示基板包括电连接到所述发光器件的薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述发光器件包括电连接到所述薄膜晶体管的像素电极、位于所述像素电极上的对电极以及介于所述像素电极与所述对电极之间并且包括有机发射层的中间层。

说明书

显示装置

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求2018年8月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0098765号的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

[0003] 一个或多个实施例涉及可以用在头戴式显示装置中的显示装置以及制造该显示装置的方法。

背景技术

[0004] 随着在视觉上表示各种电信号信息的显示器领域快速发展，已经研究并开发了具有诸如薄、重量轻和低功耗的优异特性的各种显示装置。另外，对可穿戴设备的兴趣增加，并且因此引入了头戴式显示装置。头戴式显示装置在用户眼睛前面显示图像，使得用户可以体验虚拟现实或增强现实。这种头戴式显示装置可以包括位于显示装置与用户眼睛之间的、用于放大由显示装置提供的图像的透镜，以便在用户眼睛前面显示图像。然而，当通过透镜放大图像时，可能发生其中显示装置的非发射区域被用户识别的纱窗效应(screen door effect，SDE)。

发明内容

[0005] 一个或多个实施例包括可以通过改进纱窗效应(SDE)来提供具有高质量的图像的显示装置，以及制造该显示装置的方法。

[0006] 附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中明白，或者可以通过所提供的实施例的实践来领会。

[0007] 根据一个或多个实施例，显示装置包括：显示基板；位于显示基板上的发光器件；位于发光器件上并且结合到显示基板的封装基板；以及位于封装基板的顶表面上的衍射光栅层，其中衍射光栅层包括彼此间隔开预定距离的多个衍射图案，多个衍射图案中的每一个具有下层和上层的堆叠结构，并且下层和上层包括不同的材料。

[0008] 上层可以包括与封装基板相同的材料。

[0009] 多个衍射图案可以在彼此垂直相交的第一方向和第二方向上以相同的周期被设置。

[0010] 下层和上层可以包括不同的无机材料。下层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)组成的组中选择的至少一种。

[0011] 上层可以包括从由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中选择的至少一种。

[0012] 下层可以包括从上层的侧边缘凹陷的底切区域。

[0013] 下层的厚度可以比上层的厚度薄。

[0014] 显示基板可以包括电连接到发光器件的薄膜晶体管。

[0015] 发光器件可以包括电连接到薄膜晶体管的像素电极、位于像素电极上的对电极以及介于像素电极与对电极之间并且包括发射层的中间层。

附图说明

[0016] 根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显以及更易于理解，其中：

[0017] 图1是示意性地图示根据示例性实施例的显示装置的示例的截面图；

[0018] 图2是示意性地图示图1的显示装置中的显示基板和发光器件的示例的截面图；

[0019] 图3是示意性地图示图1的显示装置中的衍射光栅层的示例的透视图；

[0020] 图4是用于说明由图1的显示装置中的衍射光栅层形成的发射区域的放大的图；

[0021] 图5是示意性地图示包括图1的显示装置的头戴式显示装置的示例的截面图；并且[0022] 图6至图9是示意性地图示制造图1的显示装置的方法的截面图。

具体实施方式

[0023] 现在将具体参考实施例，这些实施例的示例被图示在附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应理解为限于本文陈述的描述。因此，下面通过参考附图描述的实施例仅仅用于解释本说明书的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“中的至少一个”的表述在位于一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列中的单独元件。

[0024] 由于本公开考虑到各种改变和大量实施例，因此在附图中图示了并且在书面描述中详细描述了具体实施例。通过参考稍后将参考附图详细描述的实施例，本公开的效果和特征及其实现方法将变得显而易见。然而，本公开并不限于下面的实施例，而是可以以各种形式体现。

[0025] 将理解，虽然本文可以使用“第一”、“第二”等术语来描述各种部件，但这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区别开。

[0026] 如本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。

[0027] 将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征或部件，但不排除一个或多个其他特征或部件的存在或附加。

[0028] 将理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可以直接或间接形成在该另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可存在中间层、区域或部件。

[0029] 为便于说明，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于为了便于解释，附图中部件的尺寸和厚度被任意地图示，因此下面的实施例不限于此。

[0030] 当某一实施例可被不同地实现时，特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。

[0031] 在下文中，下面将参考附图更详细地描述本公开的实施例。无论图号如何，相同或相对应的那些部件都被赋予相同的附图标记。

[0032] 图1是用于示意性地图示根据示例性实施例的显示装置的示例的截面图，并且图2是用于示意性地图示图1的显示装置中的显示基板和发光器件的示例的截面图。

[0033] 参考图1和图2，根据示例性实施例的显示装置100可以包括显示基板110、布置在显示基板110上的发光器件、布置在显示基板110上方的封装基板160以及布置在封装基板160的顶表面上的衍射光栅层170。在下文中，发光器件将被解释为具有像素电极121、对电极150以及介于像素电极121与对电极150之间并且包括发射层的中间层141的有机发光器件OLED。然而，本公开的实施例并不限于此，并且显示装置100可以包括各种类型的发光器件。

[0034] 显示基板110可以包括基底基板101以及布置在基底基板101上并且电连接到OLED的薄膜晶体管TFT。此外，显示基板110可以包括电容器以及驱动OLED所需的电子器件。

[0035] 基底基板101可以是绝缘基板。例如，基底基板101可以由具有主要成分为氧化硅(SiO2)的透明玻璃材料形成。然而，基底基板101并不限于此，并且也可以由透明塑料材料形成。塑料材料可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)等。

[0036] 此外，当显示装置100为顶部(前)发射型时，基底基板101不需要由透明材料形成。在此情况下，基底基板101可以由金属形成。当基底基板101由金属形成时，基底基板101可以包括铁(Fe)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、不锈钢(SUS)、因瓦(Invar)合金、因康镍(Inconel)合金、可伐(Kovar)合金等。

[0037] 缓冲层112可以形成在基底基板101上。缓冲层112可以为基底基板101的顶部提供平坦表面，并且可以阻挡渗透基底基板101的异物或在制造显示装置100的工艺期间从基底基板101洗脱的异物。例如，缓冲层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料或诸如聚酰亚胺、聚酯或压克力的有机材料，并且可以由上述材料中的多个堆叠结构形成。

[0038] TFT被放置在缓冲层112上。TFT包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D，半导体层A包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。

[0039] 栅电极G被布置在半导体层A的顶部上。源电极S和漏电极D根据施加到栅电极G的信号而彼此电连接。栅电极G可以包括从由例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、Ni、钕(Nd)、铱(Ir)、Cr、锂(Li)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)、铜(Cu)组成的组中选择的至少一种，并且可以具有单层或多层结构。在此情况下，为了获得半导体层A与栅电极G的绝缘性能，栅绝缘层113可以由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成，并且可以介于半导体层A与栅电极G之间。

[0040] 层间绝缘层114可以被布置在栅电极G的顶部上。层间绝缘层114可以具有由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成的单层或多层结构。

[0041] 源电极S和漏电极D被布置在层间绝缘层114的顶部上。源电极S和漏电极D中的各个分别通过形成在层间绝缘层114和栅绝缘层113中的接触孔电连接到半导体层A。考虑到导电性，源电极S和漏电极D可以包括从由例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu组成的组中选择的至少一种，并且可以具有单层或多层结构。

[0042] 为了保护具有这种结构的TFT，覆盖TFT的保护层(未示出)可以被布置。保护层可以由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。保护层可以是单层或多层。

[0043] 平坦化层115可以被布置在TFT上。例如，当如图2所示，OLED被布置在比TFT高的位置处时，平坦化层115可以通过覆盖TFT平坦化由TFT引起的弯曲。平坦化层115可以包括有机材料，诸如压克力、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅醚(HMDSO)。在图2中，平坦化层115为单层。然而，各种修改(诸如多层的平坦化层115)是可能的。当然，根据当前实施例的显示装置100可以具有保护层和平坦化层115两者，或者可以根据需要仅具有平坦化层115。

[0044] 包括像素电极121、对电极150以及中间层141的OLED被布置在显示基板110上，中间层141介于像素电极121与对电极150之间并且具有发射层。具体地，用于使TFT的源电极S和漏电极D中的至少一个暴露的开口存在于平坦化层115中，并且与源电极S和漏电极D中的一个接触并电连接到TFT的像素电极121被布置在平坦化层115上。

[0045] 像素电极121可以是(半)透明电极或反射电极。当像素电极121为(半)透明电极时，像素电极121可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或掺杂铝的氧化锌(AZO)。当像素电极121是反射电极时，像素电极121可以具有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。当然，本公开的实施例不限于此，并且像素电极121可以包括各种材料，并且包括单层或多层结构的像素电极121的结构的各种修改是可能的。

[0046] 像素限定层130可以被布置在平坦化层115的顶部。像素限定层130具有用于暴露像素电极121的至少中心部分的开口，从而限定像素。此外，如图2所示，像素限定层130覆盖像素电极121的边缘，从而增大像素电极121的边缘与像素电极121的顶部上的对电极150之间的距离，以便防止在像素电极121的边缘中发生电弧。像素限定层130可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺或HMDSO。

[0047] OLED的中间层141包括发射层。发射层可以包括发射具有预定颜色的光的聚合物或小分子量有机材料。此外，中间层141可以包括从由空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成的组中选择的至少一种功能层。功能层可以包括有机材料。

[0048] 对电极150在多个OLED中可以形成为单体，以与多个像素电极121相对应。对电极150可以是(半)透明电极或反射电极。当对电极150是(半)透明电极时，对电极150可以具有由具有小的功函数的金属(诸如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物)形成的层以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的(半)透明导电层。当对电极150是反射电极时，对电极150可以具有由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物形成的层。当然，对电极150的组成和材料不限于此，并且各种修改是可能的。

[0049] 封装基板160可以被布置在显示基板110上方。在实施例中，作为透明绝缘层的封装基板160可以是玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。密封构件(未示出)可以被布置在封装基板160和显示基板110的边缘处、封装基板160与显示基板110之间，以便将封装基板160结合到显示基板110。因此，显示装置100的、其中布置OLED的内部空间可以被密封，使得可以防止外部的氧和湿气的渗透。

[0050] 填充材料151可以被布置在对电极150与封装基板160之间的空间中。填充材料151可以防止由于冲击而引起的显示装置100的损坏，并且可以获得显示装置100的机械稳定性。填充材料151可以由具有弹力和粘合性的材料形成。例如，填充材料151可以是包括硅氧烷交联反应的硅类树脂，例如，包括聚甲基三氟丙基硅氧烷、聚甲基乙烯基硅氧烷等的硅类树脂。在另一示例中，在对电极150与封装基板160之间的空间中可不布置具体元件。在此情况下，空气层被布置在对电极150与封装基板160之间的空间中。

[0051] 衍射光栅层170可以被布置在封装基板160的顶表面上。衍射光栅层170可以包括彼此间隔开预定距离的多个衍射图案171，衍射光栅层170可以被布置在从OLED发射的光的行进路径上，可以使发射的光发生衍射，并且可以放大OLED的发射区域。此外，多个衍射图案171中的每一个具有堆叠结构，堆叠结构具有由不同材料形成的下层171a和上层171b，使得可以防止在形成衍射图案171时在封装基板160的表面中发生凹凸。因此，当从OLED发射的光被衍射光栅层170衍射时，可以防止光路由于凹凸等而改变。

[0052] 图3是用于示意性地图示图1的显示装置中的衍射光栅层的示例的透视图，并且图4是用于说明由图1的显示装置中的衍射光栅层形成的发射区域的放大的图。

[0053] 首先，参考图3，布置在封装基板160的顶表面160u上的衍射光栅层170包括多个衍射图案171。多个衍射图案171中的每一个可以从封装基板160的顶表面160u突出，并且可以具有相同的形状。在示例中，多个衍射图案171中的每一个可以具有圆柱形形状。然而，本公开的实施例并不限于此，并且多个衍射图案171中的每一个可以具有包括方柱形形状的各种形状。

[0054] 多个衍射图案171可以彼此间隔开预定距离。也就是说，多个衍射图案171可以被布置在封装基板160的顶表面160u上，同时在第一方向X和第二方向Y上具有相同的周期DP1。第一方向X和第二方向Y可以相互垂直。此外，周期DP1为从衍射图案171中的每一个衍射图案171的一侧到衍射图案171中的每个相邻衍射图案171的在相同位置处的一侧的距离。可替代地，周期DP1也可以被理解为衍射图案171中的每个衍射图案171的中心与衍射图案171中的每个相邻衍射图案171的中心之间的距离。

[0055] 多个衍射图案171可以增大从OLED发射的光的发射区域，如图4所示。

[0056] 在下文中，由于从OLED发射的光L1而在第一区域TA1中产生的发射图案被定义为第一发射图案EP1，并且由于穿过衍射光栅层170的光L2a、L2b和L2c而在第二区域TA2中产生的发射图案被定义为第二发射图案EP2。第一区域TA1可以是封装基板160的下部的任意区域，并且第二区域TA2可以是衍射光栅层170的上部的区域。此外，从OLED发射的光L1被称为“出射光”，并且穿过衍射光栅层170的光L2a、L2b和L2c被称为“衍射光”。

[0057] 出射光L1可以穿过填充材料151和封装基板160，并且可以被提供给衍射光栅层170。在此情况下，由于填充材料151和封装基板160的折射率，出射光L1可以以第一入射角θ
1入射在填充材料151上并且以第二入射角θ2入射在封装基板160上。

[0058] 衍射光栅层170可以使穿过封装基板160的出射光L1发生衍射，以产生衍射光L2a、L2b和L2c。在下文中，为便于说明，将描述第一至第三衍射光L2a、L2b和L2c。

[0059] 第一至第三衍射光L2a、L2b和L2c可以包括零级衍射光和一级衍射光。这里，零级衍射光为在光被衍射光栅层170衍射之前和之后具有相同光路的光。此外，一级衍射光为具有由于衍射光栅层170而改变的光路并且基于零级衍射光具有第二衍射角的光。

[0060] 也就是说，附图标记L2b1、L2a1和L2c1为零级衍射光。此外，附图标记L2b2、L2b3、L2a2、L2a3、L2c2和L2c3为一级衍射光。在另一实施例中，第一至第三衍射光L2a、L2b和L2c可以进一步包括二级或更多衍射光。在本说明书中，将描述第一至第三衍射光L2a、L2b和L2c包括零级衍射光和一级衍射光的示例。

[0061] 第一至第三衍射光L2a、L2b和L2c可以包括相对于显示基板110具有垂直光路的第一至第三有效光L2a1、L2b3和L2c2。这里，垂直方向可以是以显示基板110为基础的完全垂直方向或者可以是基本接近该垂直方向的方向。当有效光相对于显示基板110具有垂直光路时，衍射光的级数没有限制。也就是说，当有效光具有垂直光路时，有效光可以包括零级衍射光和一级衍射光。

[0062] 衍射光栅层170使从OLED发射的光L1发生衍射，从而产生第一至第三有效光L2a1、L2b3和L2c2。因此，第二发射图案EP2可以包括参考发射图案Pref以及从参考发射图案Pref重复的多个重复发射图案P1至P8。

[0063] 第一区域TA1和第二区域TA2具有相同的面积。与此相反，包含在第二区域TA2中的发射图案的数量大于包含在第一区域TA1中的发射图案的数量。这意味着第二区域TA2的发射区域的面积大于第一区域TA1的发射区域的面积。

[0064] 发射区域的大面积可以被表示为大的有效发射面积比。有效发射面积比被定义为一个区域中的发射图案的面积相对于该区域的面积的比。这里，用于计算有效发射面积比的发射图案可以包括参考发射图案和重复发射图案两者。例如，包括参考发射图案Pref和多个重复发射图案P1至P8的九个发射图案存在于第二区域TA2中，而一个发射图案存在于第一区域TA1中。因此，第二区域TA2的有效发射面积比大于第一区域TA1的有效发射面积比。

[0065] 当增大衍射距离β时，可以增大有效发射面积比。衍射距离β可受从OLED发射的光的波长、填充材料151的厚度和折射率、封装基板160的厚度和折射率以及衍射图案171中的每一个的周期DP1影响。

[0066] 也就是说，衍射距离β可以被表示为下面的公式1。

[0067] β＝z1·tanθ1+z2·tanθ2      (1)

[0068] 其中z1为OLED与封装基板160之间的最短距离，z2为填充材料151与衍射光栅层170之间的最短距离。也就是说，z2可以被定义为封装基板160的厚度。如上所述，θ1和θ2分别为填充材料151和封装基板160上的入射角，并且可以分别被表示为下面的公式2和3。

[0069]

[0070] 其中λ为从OLED发射的光的波长，并且n151为填充材料151的折射率。

[0071]

[0072] 其中nEN为封装基板160的折射率。

[0073] 当θ1和θ2被代入上面的公式1中时，衍射距离β可以被表示为下面的公式4。

[0074]

[0075] 在一个实施例中，当代替于填充材料151的另一元件存在于封装基板160与OLED之间时，公式4的n151可以用另一元件的折射率代替。在另一实施例中，当空气层存在于封装基板160与OLED之间时，公式4的n151可以用空气的折射率代替。

[0076] 在另一实施例中，当填充材料151的厚度太小而被忽略时，OLED与衍射光栅层170之间的最短距离可以近似于封装基板160的厚度。在此情况下，衍射距离β'可以被简单表示为下面的公式5。

[0077]

[0078] 换句话说，根据本公开的示例性实施例的显示装置(图1的100)可以调整OLED的发射颜色、封装基板160的厚度和折射率以及衍射图案171中的每一个的周期DP1，从而控制衍射距离β。因此，可以增大显示装置(图1的100)的有效发射面积比。因此，当根据本公开的显示装置(图1的100)用在头戴式显示装置中时，即使在通过透镜放大图像时，也可以防止纱窗效应(SDE)发生。

[0079] 返回参考图3，多个衍射图案171中的每一个具有包括第一无机材料的下层171a和包括第二无机材料的上层171b的堆叠结构。第一无机材料和第二无机材料彼此不同。

[0080] 第一无机材料可以包括从由相对于封装基板160具有大的刻蚀选择比和优异的透光率的ITO、IZO和ITZO组成的组中选择的至少一种。第二无机材料可以是相对于第一无机材料具有大的刻蚀选择比的含硅无机材料。例如，第二无机材料可以包括从由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中选择的至少一种。例如，第二无机材料(例如，氮化硅)的干法刻蚀速率可以小于150nm/min，并且第一无机材料(例如，ITO)的干法刻蚀速率可以小于50nm/min。第二无机材料(例如，氮化硅)的湿法刻蚀速率可以小于10nm/min，并且第一无机材料(例如，ITO)的湿法刻蚀速率可以小于100nm/min。第一无机材料的厚度可以为从大约至大约 并且第二无机材料的厚度可以为从大约 至大约

[0081] 这样，当多个衍射图案171中的每一个具有由不同材料形成的下层171a和上层171b的堆叠结构时，在形成衍射图案171中的每一个时，可以防止在封装基板160的表面中发生凹凸。因此，当从OLED发射的光被衍射光栅层170衍射时，可以防止光路由于凹凸而改变，使得可以防止重复的发射图案的形状劣化。

[0082] 图5是用于示意性地图示包括图1的显示装置的头戴式显示装置的示例的截面图。

[0083] 参考图5，头戴式显示装置10可以包括透镜单元12以及向透镜单元12提供图像的显示装置100。此外，头戴式显示装置10可以进一步包括摄像机、红外传感器、信号处理器以及可安装在用户头上的框架。

[0084] 透镜单元12可以被布置在显示装置100与用户之间，并且可以放大从显示装置100提供的图像。透镜单元12可以包括不透明透镜以便实现虚拟现实，或者可以包括透明或半透明透镜以便实现增强现实。

[0085] 如上所述，显示装置100包括布置在封装基板160上的衍射光栅层170。衍射光栅层170包括彼此间隔开预定距离的衍射图案171，使得可以增大从OLED发射的光的有效发射区域。此外，衍射图案171中的每一个具有由不同无机材料形成的下层171a和上层171b的堆叠结构，以便防止封装基板160的顶表面160u被损坏。因此，在从OLED发射的光穿过衍射光栅层170时形成的重复发射图案的形状可以是均匀的。

[0086] 因此，即使当由显示装置100显示的图像被透镜单元12放大时，用户也不容易识别到显示装置100的非发射区域。因此，当头戴式显示装置10被驱动时，可以改善SDE，并且可以提供具有高质量的图像。

[0087] 图6至图9是用于示意性地图示制造图1的显示装置的方法的截面图。

[0088] 首先，如图6所示，在OLED形成在显示基板110上之后，显示基板110和封装基板160彼此结合。在此情况下，如上所述，电连接到OLED的TFT可以形成在显示基板110中。

[0089] 可以通过将密封构件施加到显示基板110或封装基板160的边缘上，并且然后通过将封装基板160放置在OLED上使得OLED被放置在显示基板110与封装基板160之间，以及通过固化密封构件，来执行显示基板110和封装基板160的结合。此外，当显示基板110和封装基板160彼此结合时，对电极150与封装基板160之间的空间可以被填充材料151填充。

[0090] 像素限定层130被形成为暴露OLED的像素电极121的中心部分，并且包括有机发射层的中间层141形成在暴露的像素电极121上。此外，对电极150在多个OLED中可以形成为单体，以与多个像素电极121相对应。

[0091] 在显示基板110和封装基板160彼此结合之后，衍射光栅层170形成在封装基板160的顶表面上。

[0092] 具体地，第一层172a和第二层172b依次形成在封装基板160的整个顶表面上。第一层172a可以由第一无机材料形成，并且第二层172b可以由与第一无机材料不同的第二无机材料形成。在示例中，第一无机材料可以包括从由ITO、IZO和ITZO组成的组中选择的至少一种，并且第二无机材料可以包括从由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中选择的至少一种。第一层172a的厚度可以比第二层172b的厚度薄，以最小化对封装基板160的损坏。例如，第一层172a的厚度可以为从大约 至大约 并且第二层172b的厚度可以为从大约 至大约

[0093] 光敏层PR形成在第二层172b上并且被图案化以形成开口OP。

[0094] 随后，如图7所示，包括开口OP的光敏层PR被用作掩模，并且第二层172b被图案化，使得衍射图案(图9的171)中的每一个的上层171b可以被形成。在示例中，第二层172b可以通过干法刻蚀工艺被刻蚀。由于第一无机材料和第二无机材料具有大的刻蚀选择比，因此当第二层172b被刻蚀时第一层172a不被刻蚀。这从图8中变得明显，图8示出了第一层172a由ITO形成并且第二层172b由氧化硅形成并且然后被刻蚀的结果。也就是说，当第二层172b被刻蚀时，第一层172a可以用作刻蚀阻止件。因此，在上层171b被形成时，封装基板160的顶表面160u不被损坏。

[0095] 接下来，如图9所示，通过使用上层171b作为掩模来刻蚀第一层172a，使得衍射图案171中的每一个的下层171a可以被形成。在示例中，第一层172a可以通过湿法刻蚀工艺被刻蚀。由于湿法刻蚀工艺为各向同性刻蚀工艺，因此下层171a可具有从上层171b的侧边缘凹陷的底切区域。由于由玻璃材料形成的封装基板160具有与由氧化硅形成的上层171b相同的成分，因此当用于形成下层171a的第一层172a被刻蚀时，封装基板160的顶表面160u在刻蚀工艺中可以不被损坏。因此，封装基板160的顶表面160u可不会由于衍射图案171中的每一个的形成而被损坏。也就是说，由于在封装基板160的顶表面160u上没有因为刻蚀工艺而形成凹凸，因此在从OLED发射的光被衍射光栅层170衍射时，可以防止从OLED发射的光的光路由于凹凸而改变，使得在从OLED发射的光穿过衍射光栅层170时，可以形成具有均匀形状的重复发射图案。

[0096] 如上所述，在根据一个或多个实施例的显示装置中，由于发射区域通过诱使从发光器件产生的光由于衍射光栅层导致衍射而被增大，因此当头戴式显示装置被驱动时，可以改善纱窗效应(SDE)，并且可以提供具有高质量的图像。

[0097] 此外，衍射光栅层具有堆叠结构，该堆叠结构具有高刻蚀选择比的下层和上层，使得在形成衍射光栅层时未在封装基板的表面中发生损坏，并且可以防止衍射光的光路被改变。

[0098] 应理解，本文中描述的实施例应被视为是仅仅描述性的而非限制目的。每个实施例中特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。

[0099] 尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，对其进行形式上和细节上的各种修改。