电容器组件

摘要

本公开提供了一种电容器组件，所述电容器组件包括：主体，包括介电层以及被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的外表面上，并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述主体包括：电容形成部分，所述电容形成部分包括被设置为彼此面对的所述第一内电极和所述第二内电极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且在所述电容形成部分中形成电容；以及覆盖部，分别形成在所述电容形成部分的上表面和下表面上，并且所述覆盖部的硬度为大于等于9.5GPa且小于等于14GPa。

权利要求

1.一种电容器组件，所述电容器组件包括：主体，包括形成电容的电容形成部分以及分别设置在所述电容形成部分的上表面和下表面上的覆盖部，所述电容形成部分包括介电层以及被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的外表面上，并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，

所述覆盖部均具有比所述电容形成部分的所述介电层的硬度大的硬度，并且所述覆盖部的硬度是大于等于9.5GPa且小于等于14GPa。

2.根据权利要求1所述的电容器组件，所述电容器组件还包括设置在所述电容形成部分的侧表面上的边缘部。

3.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述介电层中的每个的厚度是0.4μm或更小，并且

所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的厚度是0.4μm或更小。

4.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述覆盖部中的每个的厚度是20μm或更小。

5.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第三表面与所述第四表面之间的距离是0.4mm或更小，并且所述第五表面与所述第六表面之间的距离是0.2mm或更小。

6.根据权利要求5所述的电容器组件，其中，所述第三表面和所述第四表面在所述主体的长度方向上彼此相对，并且

所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述第三表面和所述第四表面上。

7.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述介电层中的每个的厚度是0.4μm或更小。

8.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的厚度是0.4μm或更小。

9.一种电容器组件，所述电容器组件包括：主体，包括形成电容的电容形成部分以及分别设置在所述电容形成部分的上表面和下表面上的覆盖部，所述电容形成部分包括介电层以及被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的外表面上，并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，

所述覆盖部中的每个包括与所述第一内电极和所述第二内电极之中设置在最外部处的内电极相邻的第一区域以及与所述主体的外表面相邻的第二区域，所述覆盖部中的每个的所述第一区域分别设置在所述电容形成部分与所述覆盖部的所述第二区域之间，所述第一区域中的每个具有比所述电容形成部分的所述介电层的硬度大的硬度，并且所述第一区域的硬度为大于等于9.5GPa且小于等于14GPa。

10.根据权利要求9所述的电容器组件，其中，所述覆盖部的所述第一区域具有比所述覆盖部的所述第二区域的硬度大的硬度。

11.根据权利要求9所述的电容器组件，所述电容器组件还包括设置在所述电容形成部分的侧表面上的边缘部。

12.根据权利要求9所述的电容器组件，其中，所述介电层的厚度是0.4μm或更小，并且所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的厚度是0.4μm或更小。

13.根据权利要求9所述的电容器组件，其中，所述覆盖部的所述第一区域中的每个的厚度是20μm或更小。

14.根据权利要求9所述的电容器组件，其中，所述第三表面与所述第四表面之间的距离是0.4mm或更小，并且所述第五表面与所述第六表面之间的距离是0.2mm或更小。

15.根据权利要求14所述的电容器组件，其中，所述第三表面和所述第四表面在所述主体的长度方向上彼此相对，并且所述第一外电极和所述第二外电极分别设置在所述第三表面和所述第四表面上。

16.一种电容器组件，所述电容器组件包括：主体，包括形成电容的电容形成部分以及分别设置在所述电容形成部分的上表面和下表面上的覆盖部，所述电容形成部分包括介电层以及被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的外表面上，并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，

所述覆盖部中的每个包括与所述第一内电极和所述第二内电极之中设置在最外部处的内电极相邻的第一区域以及与所述主体的外表面相邻的第二区域，所述覆盖部中的每个的所述第一区域设置在所述电容形成部分与所述覆盖部中的每个的所述第二区域之间，所述覆盖部的所述第一区域分别具有比所述覆盖部的所述第二区域的硬度大的硬度，所述第一区域中的每个的硬度为大于等于9.5GPa且小于等于14GPa，并且所述覆盖部包含钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料。

17.根据权利要求16所述的电容器组件，所述电容器组件还包括设置在所述电容形成部分的相对的侧表面上的边缘部。

18.根据权利要求16所述的电容器组件，其中，所述介电层中的每个的厚度是0.4μm或更小，并且

所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的厚度是0.4μm或更小。

19.根据权利要求16所述的电容器组件，其中，所述第一区域中的每个的厚度是20μm或更小。

说明书

电容器组件

[0001] 本申请要求分别于2018年9月6日和2018年9月3日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0106555号和第10-2018-0104705号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申
请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

[0002] 本公开涉及一种电容器组件。

背景技术

[0003] 多层陶瓷电容器(电容器组件)是安装在各种电子产品(诸如，包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等的图像显示设备、计算机、智能电话、蜂窝电话等)的印刷
电路板上的用于给其充电或从其放电的片式电容器。

[0004] 多层陶瓷电容器由于其诸如小尺寸、高电容和易于安装的优点而可被用作各种电子设备的组件。随着各种电子装置(诸如，计算机、移动装置等)的小型化并具有高输出，对
多层陶瓷电容器的小型化和高电容的需求增加。

[0005] 为了同时实现多层陶瓷电容器的小型化和高电容，需要通过减小介电层的厚度和内电极的厚度来增加堆叠的层的数量。近来，介电层的厚度已经达约0.6μm，并且介电层继
续变薄。

[0006] 然而，在介电层的厚度小于0.6μm的情况下，难以确保耐受电压特性，并且介电层的绝缘电阻(IR)劣化缺陷增大，使得质量和良率可能下降。

[0007] 此外，根据现有技术，为了比较多层陶瓷电容器的耐受电压特性，在连续地增大施加电压的同时，测量并确定多层陶瓷电容器被损坏时的击穿电压(BDV)。因此，难以容易地
比较多层陶瓷电容器的耐受电压特性。

发明内容

[0008] 本公开的一方面可提供一种具有优异耐受电压特性的电容器组件。此外，本公开的一方面可提供一种能够预测耐受电压特性的新参数。

[0009] 根据本公开的一方面，一种电容器组件可包括：主体，包括介电层以及被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电
极之间，并且所述主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述
第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且
彼此相对的第五表面和第六表面；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的外表
面上，并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述主体可包括：电容形成部
分，所述电容形成部分包括被设置为彼此面对的所述第一内电极和所述第二内电极，同时
所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且在所述电容形成部分中形成
电容；以及覆盖部，分别设置在所述电容形成部分的上表面和下表面上，并且所述覆盖部的
硬度可以是大于等于9.5GPa且小于等于14GPa。

[0010] 根据本公开的另一方面，一种电容器组件可包括：主体，包括介电层以及被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内
电极之间，并且所述主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所
述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表
面并且彼此相对的第五表面和第六表面；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体
的外表面上，并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述主体可包括：电容
形成部分，所述电容形成部分包括被设置为彼此面对的所述第一内电极和所述第二内电
极，同时所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且在所述电容形成部
分中形成电容；以及覆盖部，分别设置在所述电容形成部分的上表面和下表面上，所述覆盖
部中的每个可包括与所述第一内电极和所述第二内电极之中设置在最外部处的内电极相
邻的第一区域以及与所述主体的外表面相邻的第二区域，并且所述第一区域的硬度可以是
大于等于9.5GPa且小于等于14GPa。

附图说明

[0011] 通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及其他优点将被更加清楚地理解，在附图中：

[0012] 图1是示出根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的示意性透视图；

[0013] 图2是沿图1的I-I'线截取的示意性截面图；

[0014] 图3是沿图1的II-II'线截取的示意性截面图；

[0015] 图4A和图4B示出了其上印刷有用于制造根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的主体的内电极的陶瓷生片；

[0016] 图5示出了根据针对具有不同硬度的覆盖部的样品的击穿电压的韦布尔分布；

[0017] 图6是示出从图5的组1和组2中选择的样品的覆盖部的硬度值的测量结果的图表；

[0018] 图7是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图1的I-I'线截取的示意性截面图；以及

[0019] 图8是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图1的II-II'线截取的示意性截面图。

具体实施方式

[0020] 在下文中，现将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。

[0021] 在附图中，X方向是指第二方向、L方向或长度方向，Y方向是指第三方向、W方向或宽度方向，Z方向是指第一方向、堆叠方向、T方向或厚度方向。

[0022] 电容器组件

[0023] 图1是示出根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的示意性透视图。

[0024] 图2是沿图1的I-I'线截取的示意性截面图。

[0025] 图3是沿图1的II-II'线截取的示意性截面图。

[0026] 图4A和图4B示出了其上印刷有用于制造根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的主体的内电极的陶瓷生片。

[0027] 图4A示出了其上印刷有第一内电极的陶瓷生片，并且图4B示出了其上印刷有第二内电极的陶瓷生片。

[0028] 参照图1至图4B，根据本公开中的示例性实施例的电容器组件100可包括：主体110，主体110包括介电层111以及被设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122，同
时介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且主体110包括彼此相对的第一
表面1和第二表面2、连接到第一表面和第二表面并且彼此相对的第三表面3和第四表面4以
及连接到第一表面至第四表面并且彼此相对的第五表面5和第六表面6；以及第一外电极
131和第二外电极132，设置在主体110的外表面上并且分别电连接到第一内电极121和第二
内电极122。主体可包括：电容形成部分A，电容形成部分A包括设置为彼此面对的第一内电
极和第二内电极，同时介电层111介于第一内电极和第二内电极之间，并且在电容形成部分
A中形成电容；以及覆盖部112和113，形成在电容形成部分的上表面和下表面上，并且覆盖
部的硬度可以大于等于9.5GPa且小于等于14GPa。

[0029] 在主体110中，介电层111以及第一内电极121和第二内电极122可交替地堆叠。

[0030] 主体110的特定形状不受具体限制，但是主体110可形成为六面体形状或与六面体形状相似的形状。由于包含在主体110中的陶瓷粉末在烧结工艺期间的收缩，尽管主体110
不是具有完全直线的六面体形状但其可具有大体上六面体的形状。

[0031] 主体110可具有：第一表面1和第二表面2，在主体110的厚度方向(Z方向)上彼此相对；第三表面3和第四表面4，连接到第一表面1和第二表面2并且在主体110的长度方向(X方
向)上彼此相对；以及第五表面5和第六表面6，连接到第一表面1和第二表面2且连接到第三
表面3和第四表面4，并且在主体110的宽度方向(Y方向)上彼此相对。

[0032] 形成主体110的多个介电层111可处于烧结状态，并且相邻介电层111可彼此成为一体，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下相邻介电层111之间的边界不是显而易
见的。

[0033] 介电层111的原材料不受具体限制，只要该原材料可获得足够的电容即可。例如，介电层111的原材料可以是钛酸钡(BaTiO3)粉末。根据本公开的目的，可通过将各种陶瓷添
加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)等的粉末来制备介
电层111的材料。

[0034] 内电极121和122可与介电层111交替地堆叠，并且可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地设置为彼此面对，同时构造主体110的
介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极
122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。

[0035] 参照图2，第一内电极121可与主体110的第四表面4分开且通过主体110的第三表面3暴露，并且第二内电极122可与主体110的第三表面3分开且通过主体110的第四表面4暴
露。

[0036] 此时，第一内电极121和第二内电极122可通过设置于其之间的介电层111而彼此电绝缘。参照图4A和图4B，主体110可通过交替地堆叠其上印刷有第一内电极121的陶瓷生
片a和其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片b并且然后烧结陶瓷生片a和b来形成。

[0037] 形成第一内电极121和第二内电极122中的每者的材料不受具体限制，但是可以是利用例如贵金属材料(诸如，钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金等)、镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或更
多种形成的导电膏。

[0038] 印刷导电膏的方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等，但不限于此。

[0039] 根据本公开中的示例性实施例的电容器组件100可包括：电容形成部分A，设置在主体110中，并且通过包括被设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122同时使介
电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间来形成电容；以及覆盖部112和113，形成
在电容形成部分A的上部和下部上。

[0040] 作为对形成电容器的电容有贡献的部分的电容形成部分A可通过重复地堆叠多个第一内电极121和多个第二内电极122同时使介电层111介于第一内电极121和第二内电极
122之间来形成。

[0041] 上覆盖部112和下覆盖部113可不包括内电极，并且可包含与介电层111的材料相同的材料。

[0042] 也就是说，上覆盖部112和下覆盖部113可包含陶瓷材料(例如，钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料)。

[0043] 上覆盖部112和下覆盖部113可通过在竖直方向上分别在电容形成部分A的上表面和下表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层形成，并且可主要用于防止由于物理
应力或化学应力导致对内电极的损坏。

[0044] 此外，可通过将覆盖部112和113的硬度调整到大于等于9.5GPa且小于等于14GPa来确保耐受电压特性。

[0045] 为了同时实现多层陶瓷电容器的小型化和高电容，需要通过减小介电层的厚度和内电极的厚度来增加堆叠的层的数量。近来，介电层的厚度已经达约0.6μm，并且介电层继
续变薄。

[0046] 然而，在介电层的厚度小于0.6μm的情况下，难以确保耐受电压特性，并且介电层的绝缘电阻(IR)劣化缺陷增大，使得质量和良率可能下降。

[0047] 具体地，当分析组件击穿模式时，经常观察到在覆盖部112和113中发生击穿的现象。因此，为了改善耐受电压特性，需要控制覆盖部112和113的特性。

[0048] 根据本公开中的示例性实施例，当将覆盖部112和113的硬度控制为大于等于9.5GPa且小于等于14GPa时，可抑制介电击穿以改善耐受电压特性。此外，可仅通过测量电
容器组件的覆盖部112和113的硬度而无需施加电场直到介电击穿为止来确定覆盖部112和
113的硬度值是否满足大于等于9.5GPa且小于等于14GPa从而充分地预测耐受电压特性。

[0049] 在覆盖部的硬度小于9.5GPa的情况下，难以确保耐受电压特性，并且将覆盖部的硬度控制为超过14GPa可能消耗过多的成本或者生产率可能下降。

[0050] 同时，用于控制覆盖部112和113的硬度的方法不受具体限制。例如，可通过调整覆盖部112和113的致密度来控制覆盖部112和113的硬度。当覆盖部112和113的致密度增大
时，覆盖部112和113的硬度可增大，并且当覆盖部112和113的致密度减小时，覆盖部112和
113的硬度可减小。

[0051] 图5示出了根据针对具有不同硬度的覆盖部的样品的击穿电压的韦布尔分布(Weibull distribution)。图6是示出从图5的组1和组2中选择的样品的覆盖部的硬度值的
测量结果的图表。

[0052] 针对具有不同硬度的六十个样品，顺序地测量样品片损坏的时间点下的电压值(击穿电压(BDV))，并且然后以韦布尔分布示出。

[0053] 韦布尔分布是连续概率分布中的一种，并且主要用于寿命数据分析。韦布尔分布是可估计故障概率如何随时间改变的概率分析中的一种，并且其遵循如下面式1中示出的
概率密度函数。

[0054] [式1]

[0055] f(t)＝αλ(λt)α-1e-(λt)α，t≥0

[0056] (α：形状参数，λ：比例参数，t：时间)

[0057] 此时，韦布尔分布中的斜率改变意味着概率密度函数变化，这意味着寿命故障的原因变化。因此，组1和组2是基于斜率迅速改变处的点进行分类的。

[0058] 如图6所示，选择组1中的五个样品(样品编号1至样品编号5)和组2中的九个样品(样品编号6至样品编号14)，样品中的每个样品如图3中所示被切割，测量上覆盖部112和下
覆盖部113中在宽度方向(Y方向)上以相等间隔设置的五个点处的硬度值，并且针对每个样
品测量总共十个点处的硬度值。

[0059] 可确认的是，在具有低击穿电压的组1的情况下，覆盖部的硬度值小于9.5GPa，并且在具有高击穿电压的组2的情况下的，覆盖部的硬度值满足大于等于9.5GPa且小于等于
14GPa。

[0060] 此外，可确认的是，即使仅测量电容器组件的覆盖部112和113的硬度而不施加电场直到介电击穿为止，也可充分地预测耐受电压特性。

[0061] 同时，边缘部114和115可设置在电容形成部分A的侧表面上。

[0062] 边缘部114和115可包括设置在陶瓷主体110的第六表面6上的边缘部114以及设置在陶瓷主体110的第五表面5上的边缘部115。

[0063] 也就是说，边缘部114和115可设置在陶瓷主体110在陶瓷主体110的宽度方向上相对的侧表面上。

[0064] 在如图3中所示的在主体110的在主体110的宽度-厚度(W-T)方向上的截面上，边缘部114和115是指第一内电极121和第二内电极122的相对端与主体110的边界之间的区
域。

[0065] 此外，覆盖部112和113可具有比电容形成部分A的介电层111的硬度大的硬度。

[0066] 当分析组件击穿模式时，经常观察到在覆盖部112和113中发生击穿的现象。因此，在根据本公开中的示例性实施例将覆盖部112和113的硬度确保为大于等于9.5GPa且小于
等于14GPa的情况下，即使电容形成部分A的介电层111的硬度稍微小于覆盖部112和113的
硬度，也可确保耐受电压特性。

[0067] 同时，第一内电极和第二内电极中的每个的厚度不受具体限制。然而，为了更加容易地实现电容器组件的小型化和高电容，第一内电极121和第二内电极122中的每个的厚度
te可以是0.4μm或更小。

[0068] 第一内电极121和第二内电极122中的每个的厚度te可指第一内电极121和第二内电极122的平均厚度。

[0069] 第一内电极121和第二内电极122的平均厚度可通过使用扫描电子显微镜对主体110在主体110的长度方向和厚度方向上的截面(L-T截面)的图像进行扫描来测量。

[0070] 例如，对于从通过使用扫描电子显微镜对沿着主体110在宽度(W)方向上的中心部截取的主体110在长度方向和厚度方向上的截面(L-T截面)进行扫描获得的图像中提取的
任意第一内电极121和第二内电极122，可在长度方向上以相等间隔设置的三十个点处测量
第一内电极和第二内电极的厚度以测量厚度的平均值。

[0071] 可在电容形成部分中测量以相等间隔设置的三十个点，所述电容形成部分指的是第一内电极121和第二内电极122彼此叠置的区域。

[0072] 此外，介电层111的厚度不受具体限制。

[0073] 然而，在介电层具有小于0.6μm的薄的厚度(具体地，介电层的厚度是0.4μm或更小)的情况下，难以控制在覆盖部中可能发生的工艺缺陷。因此，难以确保耐受电压特性，并
且可能由于介电层的绝缘电阻(IR)劣化缺陷导致质量和良率下降。

[0074] 根据如上所述的本公开中的示例性实施例，在覆盖部的硬度是大于等于9.5GPa且小于等于14GPa的情况下，由于电容器组件的耐受电压特性可被改善并且击穿电压(BDV)和
可靠性可被改善，因此即使在介电层的厚度td是0.4μm或更小的情况下，也可充分确保耐受
电压特性。

[0075] 因此，在介电层111的厚度td是0.4μm或更小的情况下，根据本公开的改善耐受电压特性、击穿电压以及可靠性的效果可更加显著。

[0076] 介电层111的厚度td可指设置在第一内电极121与第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。

[0077] 可通过使用扫描电子显微镜对主体110在主体110的长度方向和厚度方向上的截面(L-T截面)的图像进行扫描来测量介电层111的平均厚度。

[0078] 例如，对于从通过使用扫描电子显微镜对沿着主体110在宽度(W)方向上的中心部截取的主体110在长度方向和厚度方向上的截面(L-T截面)进行扫描获得的图像中提取的
任意介电层，在长度方向上以相等间隔设置的三十个点处测量介电层的厚度以测量厚度的
平均值。

[0079] 在电容形成部分中可测量以相等间隔设置的三十个点，所述电容形成部分指的是第一内电极121和第二内电极122彼此叠置的区域。

[0080] 此外，覆盖部112和113中的每个的厚度不受具体限制。然而，为了更加容易地实现电容器组件的小型化和高电容，覆盖部112和113中的每个的厚度tp可以是20μm或更小。根
据本公开中的示例性实施例，在确保覆盖部112和113的硬度为大于等于9.5GPa且小于等于
14GPa的情况下，即使在覆盖部112和113中的每个的厚度是20μm或更小的情况下，也可确保
耐受电压特性。

[0081] 外电极131和132可设置在主体110上，并且可连接到内电极121和122。如图2所示，外电极131和132可包括分别连接到第一内电极121和第二内电极122的第一外电极131和第
二外电极132。尽管在本示例性实施例中描述了电容器组件100包括两个外电极131和132的
结构，但是外电极131和132的数量、形状等可根据内电极121和122的形状或其它目的而改
变。

[0082] 同时，外电极131和132可利用任何材料形成，只要该材料是具有导电性的材料(诸如，金属等)即可，并且可考虑电特性、结构稳定性等来确定外电极131和132的具体材料。此
外，外电极131和132可具有多层结构。

[0083] 例如，外电极131和132可包括设置在主体110上的电极层131a和132a以及形成在电极层131a和132a上的镀层131b和132b。

[0084] 将更加详细地描述电极层131a和132a。电极层131a和132a可以是包含导电金属和玻璃的烧结电极，并且导电金属可以是铜(Cu)。此外，电极层131a和132a可以是包含多个金
属颗粒和导电树脂的树脂基电极。

[0085] 将更加详细地描述镀层131b和132b。镀层131b和132b可以是镍(Ni)镀层和/或锡(Sn)镀层。Ni镀层和Sn镀层可顺序地形成在电极层131a和132a上。镀层131b和132b还可包
括多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。

[0086] 同时，电容器组件100的尺寸不受具体限制。

[0087] 然而，为了同时实现电容器组件的小型化和高电容，需要通过减小介电层的厚度和内电极的厚度来增加堆叠的层的数量。因此，在具有0402(0.4mm×0.2mm)或更小的尺寸
的电容器组件中，根据本公开的改善耐受电压特性、击穿电压(BDV)和可靠性的效果可更加
显著。

[0088] 因此，当主体的第三表面与第四表面之间的距离是L并且主体的第五表面与第六表面之间的距离是W时，L可以是0.4mm或更小，并且W可以是0.2mm或更小。

[0089] 也就是说，根据本公开的电容器组件可以是具有0402(0.4mm×0.2mm)或更小的尺寸的电容器组件。

[0090] 图7是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图1的I-I'线截取的示意性截面图。

[0091] 图8是根据本公开中的另一示例性实施例的沿图1的II-II'线截取的示意性截面图。

[0092] 在下文中，将参照图7和图8详细地描述本公开中的另一示例性实施例。然而，为了避免重复描述，将省略与根据本公开中的示例性实施例的电容器组件相同的描述。

[0093] 根据本公开中的另一示例性实施例的电容器组件可包括：主体110，主体110包括介电层111以及被设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122，同时介电层111介于
第一内电极121和第二内电极122之间，并且主体110包括彼此相对的第一表面1和第二表面
2、连接到第一表面和第二表面并且彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表
面至第四表面并且彼此相对的第五表面5和第六表面6；以及第一外电极131和第二外电极
132，设置在主体110的外表面上并且分别电连接到第一内电极和第二内电极。主体110可包
括：电容形成部分A，电容形成部分A包括被设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，同
时介电层111介于第一内电极和第二内电极之间并且在电容形成部分A中形成电容；以及覆
盖部112和113，形成在电容形成部分A的上表面和下表面上，覆盖部112和113可被分为与第
一内电极和第二内电极之中设置在最外部的内电极相邻的第一区域112a和113a以及与主
体110的外表面相邻的第二区域112b和113b，并且第一区域112a和113a的硬度可以是大于
等于9.5GPa且小于等于14GPa。

[0094] 当分析组件击穿模式时，经常观察到在覆盖部112和113中发生击穿的现象。具体地，介电击穿主要发生在与第一内电极和第二内电极之中设置在最外部的内电极相邻的第
一区域112a和113a中。因此，为了改善耐受电压特性，需要将第一区域112a和113a的硬度控
制为大于等于9.5GPa且小于等于14GPa。

[0095] 此时，第一区域112a和113a可具有比第二区域112b和113b的硬度大的硬度。

[0096] 当分析组件击穿模式时，经常观察到在第一区域112a和113a中发生击穿的现象。因此，在根据本公开中的另一示例性实施例确保第一区域112a和113a的硬度为大于等于
9.5GPa且小于等于14GPa的情况下，即使第二区域112b和113b的硬度稍微小于第一区域
112a和113a的硬度，也可确保耐受电压特性。

[0097] 此外，第一区域112a和113a可具有比电容形成部分A的介电层111的硬度大的硬度。

[0098] 当分析组件击穿模式时，经常观察到在第一区域112a和113a中发生击穿的现象。因此，在根据本公开中的另一示例性实施例确保第一区域112a和113a的硬度为大于等于
9.5GPa且小于等于14GPa的情况下，即使电容形成部分A的介电层111的硬度稍微小于第一
区域112a和113a的硬度，也可确保耐受电压特性。

[0099] 此外，第一区域112a和113a中的每个的厚度tp1可以是20μm或更小。

[0100] 为了更加容易地实现电容器组件的小型化和高电容，第一区域112a和113a中的每个的厚度可以是20μm或更小。根据本公开中的另一示例性实施例，在确保第一区域112a和
113a的硬度为大于等于9.5GPa且小于等于14GPa的情况下，即使在第一区域112a和113a中
的每个的厚度是20μm或更小的情况下，也可确保耐受电压特性。

[0101] 如以上所阐述的，根据本公开中的示例性实施例，可提供具有优异耐受电压特性的电容器组件。

[0102] 此外，可提供能够预测耐受电压特性的新参数。

[0103] 本公开的各种优点和效果不限于以上的描述，并且在本公开中的示例性实施例的描述中可被更容易地理解。

[0104] 虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可以进行修改和变型。