本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法和应用。其中，R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中包含R，T和X；其满足以下关系式：(1)(Fe+Co)/B的原子比为12.5‑13.5；(2)B/X的原子比为2.7‑4.1；X为Al、Ga和Cu中的一种或多种，其包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，二颗粒晶界相和富稀土相包含组成为R6T13X的相。本发明中的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中形成了R6T13X相，使得Hcj和力学性能实现了同步提升。
1.一种R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中包含R、T和X；
所述R为至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
所述X为Al、Ga和Cu中的一种或多种，且所述X必须包括Al；
所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ满足以下关系式：(1)(Fe+Co)/B的原子比为12.5‑13.5；
所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，所述二颗粒晶界相和所述富稀土相包含组成为R6T13X的相；
所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，以重量百分比计，其包括：R：31.0‑32.5wt％，且所述R中包含RH；
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
所述R为至少包括Nd的稀土元素；所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
2.如权利要求1所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述T包括Fe和Co；
和/或，所述R6‑T13‑X相中，X为Al和Cu；
和/或，所述(Fe+Co)/B的原子比为12.8‑13.39；
3.如权利要求2所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述(Fe+Co)/B的原子比为
12.5、12.86、12.88、12.89、12.9或13.39；
和/或，所述B/X的原子比为2.8、2.9、3.2、3.6、3.8、3.9或4。
4.如权利要求1所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述R中还包括Pr元素；
和/或，所述R的含量范围为31.5‑32.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.8‑2.2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.2‑0.4wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.4‑0.6wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为0wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.1‑0.2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5‑1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.97‑1wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
5.如权利要求1所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述Cu的含量范围为0.3‑
0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.5‑0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.12‑0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为1‑2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.99‑1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
6.如权利要求1所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述R的含量范围为31wt％、
31.5wt％、32wt％或32.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.8wt％、1.5wt％或2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.2wt％、0.3wt％、0.35wt％、0.4wt％、0.45wt％或
0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.4wt％、0.5wt％、0.51wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％或0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.1wt％、0.12wt％、0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5wt％、1wt％、1.2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.97wt％、0.98wt％、0.99wt％、1wt％或1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
7.一种用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ，其特征在于，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中包含R、T和X；
所述R为至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH为重稀土元素；
所述X为Al、Ga和Cu中的一种或多种，且所述X必须包括Al；
所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ满足以下关系式：(1)(Fe+Co)/B的原子比为12.5‑13.7；
以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括以下组分：R：30.5‑32wt％，且所述R中包含RH；
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
8.如权利要求7所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ，其特征在于，所述T包括Fe和Co；
和/或，所述(Fe+Co)/B的原子比为12.9‑13；
9.如权利要求8所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ，其特征在于，所述(Fe+Co)/B的原子比为12.94、12.95、12.96、12.98、
和/或，所述B/X的原子比为3.2、3.6或3.8。
10.如权利要求7所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ，其特征在于，所述R中还包括Pr元素；
和/或，所述R的含量范围为31‑32wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.3‑1.7wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.2‑0.4wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.4‑0.6wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为0wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.1‑0.2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5‑1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.97‑1wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
11.如权利要求7所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ，其特征在于，所述Cu的含量范围为0.3‑0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.5‑0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.12‑0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为1‑2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.99‑1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
12.如权利要求7所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ，其特征在于，所述R的含量范围为31wt％、31.5wt％、或32wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.3wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.2wt％、0.3wt％、0.35wt％、0.4wt％、0.45wt％或
0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.4wt％、0.5wt％、0.51wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％或0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.1wt％、0.12wt％、0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5wt％、1wt％、1.2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.97wt％、0.98wt％、0.99wt％、1wt％或1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
13.一种用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：R：30.5‑32wt％，且所述R中包含RH；
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
14.如权利要求13所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物，其特征在于，以重量百分比计，所述R的含量范围为
31‑32wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.3‑1.7wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.2‑0.4wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.4‑0.6wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为0wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.1‑0.2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5‑1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.97‑1wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
15.如权利要求13所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物，其特征在于，所述Cu的含量范围为0.3‑0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.5‑0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.12‑0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为1‑2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.99‑1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
16.如权利要求13所述的用于制备如权利要求1‑6中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物，其特征在于，以重量百分比计，所述R的含量范围为
31wt％、31.5wt％、或32wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.3wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.2wt％、0.3wt％、0.35wt％、0.4wt％、0.45wt％或
0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量范围为0.4wt％、0.5wt％、0.51wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％或0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Nb的含量范围为0.1wt％、0.12wt％、0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5wt％、1wt％、1.2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.97wt％、0.98wt％、0.99wt％、1wt％或1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
17.一种R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将如权利要求
13～16中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物的熔融液经铸造、破碎、粉碎、成形、烧结，即可。
18.一种如权利要求17所述的制备方法制得的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ。
19.一种R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的制备方法，将如权利要求7～12和18中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ进行晶界扩散处理，即可。
20.一种如权利要求19所述的制备方法制得的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ。
21.一种R‑T‑B系永磁材料作为电子元器件的应用；
所述R‑T‑B系永磁材料为如权利要求1～6和20任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ；
和/或，所述R‑T‑B系永磁材料为如权利要求7～12和18中任一项所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ。
一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用
技术领域
[0001] 本发明涉及一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。
背景技术
[0002] 永磁材料作为支撑电子器件的关键材料被开发出来，发展方向向着高磁能积及高矫顽力的方向进行。R‑T‑B系永磁材料(R为稀土类元素中的至少一种)已知为永久磁铁中性
能最高的磁铁，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设
备用电机等各种电机和家电制品等。
[0003] 现有技术中，具有常规B含量的钕铁硼无法生成R6‑T13‑X相，磁性能较差；在具有类似配方体系的前提下，若通过降低钕铁硼成分中B含量(B含量大约在0.93wt％以下)，添加
Ga、Cu、Al、Si、Ti使磁体中生成R6‑T13‑X相(X包括Ga、Cu、Al、Si等)来提升磁体性能，则由于B
含量降低，磁体中极易形成R2T17、TiBx等杂相，使磁体的力学性能下降，材料更脆，不利于加
工及高速电机中使用。
[0004] 因此，亟需一种既能保证R‑T‑B系永磁材料磁性能，又能够不降低材料力学性能的R‑T‑B永磁材料。
发明内容
[0005] 本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中通过生成R6‑T13‑X相提升R‑T‑B系永磁材料磁性能时，磁体的力学性能下降的缺陷，而提供一种R‑T‑B系永磁材料、原料组
合物、制备方法、应用。
[0006] 本发明是通过以下技术方案来解决上述技术问题的：
[0007] 本发明提供一种R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中包含R，T和X；
[0008] 所述R为至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH为重稀土元素；
[0009] 所述RH至少包括Dy和/或Tb；
[0010] 所述T至少包含Fe；
[0011] 所述X为Al、Ga和Cu中的一种或多种，且所述X必须包括Al；
[0012] 所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ满足以下关系式：
[0013] (1)(Fe+Co)/B的原子比为12.5‑13.5；
[0014] (2)B/X的原子比为2.7‑4.1；
[0015] 所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，所述二颗粒晶界相和所述富稀土相包含组成为R6T13X的相。
[0016] 本发明中，上述关系式(1)(2)的建立依据为：发明人在研究R6‑T13‑X相的生成过程中发现，含有R6‑T13‑X相的磁体中存在富B贫X(X为Al、Ga和Cu中的一种或多种，且所述X必须
包括Al)区域，由此推断B与X有一定对应关系；而B含量少时，稀土量相对较高，从而Fe的比
例也发生变化。因此，本发明通过提高X含量，调整稀土量，使Fe和B的比例发生变化，从而只
需要常规B含量也能够生成R6‑T13‑X相(X为Al、Ga和Cu中的一种或多种)。
[0017] 本发明中，所述T包含Fe和Co。
[0018] 本发明中，较佳地，所述R6‑T13‑X相中，X为Al和Cu，例如Nd 27.9at％，Dy 1.85at％，Fe 64.25at％，Co 0.77at％，Al 4.63at％，Cu 0.42at％。
[0019] 本发明中，所述(Fe+Co)/B的原子比较佳地为12.8‑13.39，例如12.5、12.86、12.88、12.89、12.9或13.9。
[0020] 本发明中，所述B/X的原子比较佳地为2.8‑4，例如2.8、2.9、3.2、3.6、3.8、3.9或4。
[0021] 本发明中，较佳地，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ，以重量百分比计，其包括：
[0022] R：31.0‑32.5wt％，且所述R中包含RH；
[0023] Cu：0.20‑0.50wt％；
[0024] Al：0.40‑0.80wt％；
[0025] Ga：0‑0.30wt％；
[0026] Nb：0.10‑0.25wt％；
[0027] Co：0.5‑2.0wt％；
[0028] B：0.97‑1.03wt％；
[0029] wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
[0030] 所述R为至少包括Nd的稀土元素；
[0031] 所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
[0032] 余量为Fe及不可避免的杂质。
[0033] 其中，所述R中还可包括本领域常规的稀土元素，例如Pr。
[0034] 其中，所述R的含量范围较佳地为31.5‑32.5wt％，例如31wt％、31.5wt％、32wt％或32.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0035] 其中，所述RH的含量范围较佳地为0.8‑2.2wt％，例如0.8wt％、1.5wt％或2wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0036] 其中，所述Cu的含量范围较佳地为0.2‑0.4wt％或0.3‑0.5wt％，例如0.2wt％、0.3wt％、0.35wt％、0.4wt％、0.45wt％或0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的
重量百分比。
[0037] 其中，所述Al的含量范围较佳地为0.4‑0.6wt％或0.5‑0.8wt％，例如0.4wt％、0.5wt％、0.51wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％或0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁
材料Ⅰ中的重量百分比。
[0038] 其中，所述Ga的含量范围较佳地为0wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0039] 其中，所述Nb的含量范围较佳地为0.1‑0.2wt％或0.12‑0.25wt％，例如0.1wt％、0.12wt％、0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百
分比。
[0040] 其中，所述Co的含量范围较佳地为0.5‑1.5wt％或1‑2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0041] 其中，所述B的含量范围较佳地为0.97‑1wt％或0.99‑1.03wt％，例如0.97wt％、0.98wt％、0.99wt％、1wt％或1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分
比。
[0042] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：R 31.0‑32.5wt％；RH 0.8‑2.2wt％；Cu 0.30‑0.50wt％；Al 0.50‑0.70wt％；Nb 0.10‑
0.25wt％；Co 0.5‑2.0wt％；B 0.97‑1.03wt％；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重
量百分比；所述R为至少包括Nd的稀土元素；所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或
Tb；余量为Fe及不可避免的杂质。
[0043] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：R 31.5‑32.5wt％，RH 0.8‑2.2wt％；Cu 0.2‑0.4wt％；Al 0.4‑0.6wt％；Ga 0‑0.3wt％；Nb
0.1‑0.2wt％；Co 0.5‑1.5wt％；B 0.97‑1wt％；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重
量百分比；所述R为至少包括Nd的稀土元素；所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或
Tb；余量为Fe及不可避免的杂质。
[0044] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 31wt％，Tb 0.8wt％，Cu 0.3wt％，Al 0.5wt％，Nb 0.1wt％，Co 0.5wt％，B 0.97wt％，wt％
是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0045] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 31wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.5wt％，Al 0.7wt％，Nb 0.25wt％，Co 0.5wt％，B 1.03wt％，
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0046] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 32wt％，Dy 2wt％，Cu 0.4wt％，Al 0.6wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B 0.99wt％，wt％是指
在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0047] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.35wt％，Al 0.51wt％，Nb 0.15wt％，Co 1.5wt％，B 1wt％，
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0048] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：Nd 32.5wt％，Dy 2wt％，Cu 0.45wt％，Al 0.65wt％，Nb 0.12wt％，Co 1.2wt％，B 0.98wt％，
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0049] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 32wt％，Dy 2wt％，Cu 0.2wt％，Al 0.6wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B 0.99wt％，wt％是指
在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0050] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 32wt％，Dy 2wt％，Cu 0.5wt％，Al 0.4wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B 0.99wt％，wt％是指
在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0051] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 32wt％，Dy 2wt％，Cu 0.2wt％，Al 0.8wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B 0.99wt％，wt％是指
在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0052] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd 32wt％，Dy 2wt％，Cu 0.4wt％，Al 0.4wt％，Ga 0.3wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。
[0053] 本发明还提供了一种R‑T‑B系永磁材料Ⅱ，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中包含R，T和X；
[0054] 所述R为至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH为重稀土元素；
[0055] 所述RH至少包括Dy和/或Tb；
[0056] 所述T至少包含Fe；
[0057] 所述X为Al、Ga和Cu中的一种或多种，且所述X必须包括Al；
[0058] 所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ满足以下关系式：
[0059] (1)(Fe+Co)/B的原子比为12.5‑13.7；
[0060] (2)B/X的原子比为2.8‑4.0。
[0061] 本发明中，较佳地，所述T包含Fe和Co。
[0062] 本发明中，所述(Fe+Co)/B的原子比较佳地为12.9‑13，例如12.94、12.95、12.96、12.98、12.99或13。
[0063] 本发明中，所述B/X的原子比较佳地为2.9‑3.9，例如3.2、3.6或3.8。
[0064] 本发明中，较佳地，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括以下组分：
[0065] R：30.5‑32wt％，且所述R中包含RH；
[0066] Cu：0.20‑0.50wt％；
[0067] Al：0.40‑0.80wt％；
[0068] Ga：0‑0.30wt％；
[0069] Nb：0.10‑0.25wt％；
[0070] Co：0.5‑2.0wt％；
[0071] B：0.97‑1.03wt％；
[0072] wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
[0073] 所述R为至少包括Nd的稀土元素；
[0074] 所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
[0075] 余量为Fe及不可避免的杂质。
[0076] 其中，所述R中还可包括本领域常规的稀土元素，例如Pr。
[0077] 其中，所述R的含量范围较佳地为31‑32wt％，例如31wt％、31.5wt％、或32wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0078] 其中，所述RH的含量范围较佳地为0.3‑1.7wt％，例如0.3wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0079] 其中，所述Cu的含量范围较佳地为0.2‑0.4wt％或0.3‑0.5wt％，例如0.2wt％、0.3wt％、0.35wt％、0.4wt％、0.45wt％或0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中
的重量百分比。
[0080] 其中，所述Al的含量范围较佳地为0.4‑0.6wt％或0.5‑0.8wt％，例如0.4wt％、0.5wt％、0.51wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％或0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁
材料Ⅱ中的重量百分比。
[0081] 其中，所述Ga的含量范围较佳地为0wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0082] 其中，所述Nb的含量范围较佳地为0.1‑0.2wt％或0.12‑0.25wt％，例如0.1wt％、0.12wt％、0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百
分比。
[0083] 其中，所述Co的含量范围较佳地为0.5‑1.5wt％或1‑2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0084] 其中，所述B的含量范围较佳地为0.97‑1wt％或0.99‑1.03wt％，例如0.97wt％、0.98wt％、0.99wt％、1wt％或1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分
比。
[0085] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：R 30.5‑32wt％；RH 0.3‑1.7wt％；Cu 0.30‑0.50wt％；Al 0.50‑0.70wt％；Nb 0.10‑
0.25wt％；Co 0.5‑2.0wt％；B 0.97‑1.03wt％；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重
量百分比；所述R为至少包括Nd的稀土元素；所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或
Tb；余量为Fe及不可避免的杂质。
[0086] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：R 31‑32wt％，RH 0.3‑1wt％；Cu 0.2‑0.4wt％；Al 0.4‑0.6wt％；Ga 0‑0.3wt％；Nb 0.1‑
0.2wt％；Co 0.5‑1.5wt％；B 0.97‑1wt％；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百
分比；所述R为至少包括Nd的稀土元素；所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
余量为Fe及不可避免的杂质。
[0087] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 30.5wt％，Tb 0.3wt％，Cu 0.3wt％，Al 0.5wt％，Nb 0.1wt％，Co 0.5wt％，B
0.97wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0088] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 30.5wt％，Dy 1wt％，Cu 0.5wt％，Al 0.7wt％，Nb 0.25wt％，Co 0.5wt％，B
1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0089] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.4wt％，Al 0.6wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0090] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 31wt％，Dy 1wt％，Cu 0.35wt％，Al 0.51wt％，Nb 0.15wt％，Co 1.5wt％，B 1wt％，
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0091] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：Nd 32wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.45wt％，Al 0.65wt％，Nb 0.12wt％，Co 1.2wt％，B 0.98wt％，
wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0092] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.2wt％，Al 0.6wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0093] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.5wt％，Al 0.4wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0094] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.2wt％，Al 0.8wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0095] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.4wt％，Al 0.4wt％，Ga 0.3wt％，Nb 0.2wt％，Co
1wt％，B 0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比。
[0096] 本发明还提供了一种R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物，以重量百分比计，其包括以下组分：
[0097] R：30.5‑32wt％，且所述R中包含RH；
[0098] Cu：0.20‑0.50wt％；
[0099] Al：0.40‑0.80wt％；
[0100] Ga：0‑0.30wt％；
[0101] Nb：0.10‑0.25wt％；
[0102] Co：0.5‑2.0wt％；
[0103] B：0.97‑1.03wt％；
[0104] wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比；
[0105] 所述R为至少包括Nd的稀土元素；
[0106] 所述RH为重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
[0107] 余量为Fe及不可避免的杂质。
[0108] 本发明中，所述R中还可包括本领域常规的稀土元素，例如Pr。
[0109] 本发明中，所述R的含量范围较佳地为31‑32wt％，例如31wt％、31.5wt％、或32wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0110] 本发明中，所述RH的含量范围较佳地为0.3‑1.7wt％，例如0.3wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0111] 本发明中，所述Cu的含量范围较佳地为0.2‑0.4wt％或0.3‑0.5wt％，例如0.2wt％、0.3wt％、0.35wt％、0.4wt％、0.45wt％或0.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁
材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0112] 本发明中，所述Al的含量范围较佳地为0.4‑0.6wt％或0.5‑0.8wt％，例如0.4wt％、0.5wt％、0.51wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％或0.8wt％，wt％是指在所述R‑T‑
B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0113] 本发明中，所述Ga的含量范围较佳地为0wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0114] 本发明中，所述Nb的含量范围较佳地为0.1‑0.2wt％或0.12‑0.25wt％，例如0.1wt％、0.12wt％、0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的
原料组合物中的重量百分比。
[0115] 本发明中，所述Co的含量范围较佳地为0.5‑1.5wt％或1‑2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百
分比。
[0116] 本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.97‑1wt％或0.99‑1.03wt％，例如0.97wt％、0.98wt％、0.99wt％、1wt％或1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的
原料组合物中的重量百分比。
[0117] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：R 30.5‑32wt％；RH 0.3‑1.7wt％；Cu 0.30‑0.50wt％；Al 0.50‑0.70wt％；Nb
0.10‑0.25wt％；Co 0.5‑2.0wt％；B 0.97‑1.03wt％；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ
的原料组合物中的重量百分比；所述R为至少包括Nd的稀土元素；所述RH为重稀土元素；所
述RH至少包括Dy和/或Tb；余量为Fe及不可避免的杂质。
[0118] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：R 31‑32wt％，RH 0.3‑1wt％；Cu 0.2‑0.4wt％；Al 0.4‑0.6wt％；Ga 0‑0.3wt％；
Nb 0.1‑0.2wt％；Co 0.5‑1.5wt％；B 0.97‑1wt％；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的
原料组合物中的重量百分比；所述R为至少包括Nd的稀土元素；所述RH为重稀土元素；所述
RH至少包括Dy和/或Tb；余量为Fe及不可避免的杂质。
[0119] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 30.5wt％，Tb 0.3wt％，Cu 0.3wt％，Al 0.5wt％，Nb 0.1wt％，Co
0.5wt％，B 0.97wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0120] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 30.5wt％，Dy 1wt％，Cu 0.5wt％，Al 0.7wt％，Nb 0.25wt％，Co 0.5wt％，
B 1.03wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0121] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.4wt％，Al 0.6wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0122] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 31wt％，Dy 1wt％，Cu 0.35wt％，Al 0.51wt％，Nb 0.15wt％，Co 1.5wt％，
B 1wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0123] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：Nd 32wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.45wt％，Al 0.65wt％，Nb 0.12wt％，Co 1.2wt％，
B 0.98wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0124] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.2wt％，Al 0.6wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0125] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.5wt％，Al 0.4wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0126] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.2wt％，Al 0.8wt％，Nb 0.2wt％，Co 1wt％，B
0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重量百分比。
[0127] 在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物包括：PrNd 31.5wt％，Dy 1.5wt％，Cu 0.4wt％，Al 0.4wt％，Ga 0.3wt％，Nb
0.2wt％，Co 1wt％，B 0.99wt％，wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物中的重
量百分比。
[0128] 本发明还提供了一种R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的制备方法，其包括下述步骤：将所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物的熔融液经铸造、破碎、粉碎、成形、烧结，即可。
[0129] 本发明中，所述R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物的熔融液可按本领域常规方法‑2
制得，例如：在高频真空感应熔炼炉中熔炼，即可。所述熔炼炉的真空度可为5×10 Pa。所述
熔炼的温度可为1500℃以下。
[0130] 本发明中，所述铸造的工艺可为本领域常规的铸造工艺，例如：在Ar气气氛中(例4 2 4
如5.5×10Pa的Ar气气氛下)，以10℃/秒‑10℃/秒的速度冷却，即可。
[0131] 本发明中，所述破碎的工艺可为本领域常规的破碎工艺，例如经吸氢、脱氢、冷却处理，即可。
[0132] 其中，所述吸氢可在氢气压力0.15MPa的条件下进行。
[0133] 其中，所述脱氢可在边抽真空边升温的条件下进行。
[0134] 本发明中，所述粉碎的工艺可为本领域常规的粉碎工艺，例如气流磨粉碎。
[0135] 其中，较佳地，所述粉碎的工艺在氧化气体含量100ppm以下的气氛下进行。
[0136] 所述氧化气体指的是氧气或水分含量。
[0137] 其中，所述气流磨粉碎的粉碎室压力可为0.38MPa。
[0138] 其中，所述气流磨粉碎的时间可为3小时。
[0139] 其中，所述粉碎后，可按本领域常规手段添加润滑剂，例如硬脂酸锌。所述润滑剂的添加量可为混合后粉末重量的0.10～0.15％，例如0.12％。
[0140] 本发明中，所述成形的工艺可为本领域常规的成形工艺，例如磁场成形法或热压热变形法。
[0141] 本发明中，所述烧结的工艺可为本领域常规的烧结工艺，例如，在真空条件下(例‑3
如在5×10 Pa的真空下)，经预热、烧结、冷却，即可。
[0142] 其中，所述预热的温度可为300‑600℃。所述预热的时间可为1～2h。优选地，所述预热为在300℃和600℃的温度下各预热1h。
[0143] 其中，所述烧结的温度可为本领域常规的烧结温度，例如900℃～1100℃，再例如1040℃。
[0144] 其中，所述烧结的时间可为本领域常规的烧结时间，例如2h。
[0145] 其中，所述冷却前可通入Ar气体使气压达到0.1MPa。
[0146] 本发明还提供了一种采用上述方法制得的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ。
[0147] 本发明还提供了一种R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的制备方法，将所述的R‑T‑B系永磁材料Ⅱ进行晶界扩散处理，即可。
[0148] 所述晶界扩散处理中的重稀土元素包括Dy和/或Tb。
[0149] 本发明中，所述晶界扩散处理可按本领域常规的工艺进行处理，例如Dy蒸汽扩散。
[0150] 其中，所述扩散热处理的温度可为800～900℃，例如850℃。
[0151] 其中，所述扩散热处理的时间可为12～48h，例如24h。
[0152] 其中，所述晶界扩散处理后，还可进行热处理。所述热处理的温度可为450‑550℃，例如500℃。所述热处理的时间可为3h。
[0153] 本发明还提供了一种采用上述方法制得的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ。
[0154] 本发明还提供了一种R‑T‑B系永磁材料作为电子元器件的应用。
[0155] 其中，所述电子元器件可为本领域常规，例如马达中的电子元器件。
[0156] 其中，所述R‑T‑B系永磁材料可为上述R‑T‑B系永磁材料Ⅰ和/或R‑T‑B系永磁材料Ⅱ。
[0157] 在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
[0158] 本发明所用试剂和原料均市售可得。
[0159] 本发明的积极进步效果在于：
[0160] (1)本发明的永磁材料力学性能保持良好：现有的低B永磁体，抗弯强度为270‑300Mpa；而本发明的永磁材料的抗弯强度为370‑402Mpa。
[0161] (2)本发明的永磁材料磁性能良好：Br≥13.20kGs，Hcj≥25.1kOe，实现了Br和Hcj的同步提升；并且最大磁能积≥42.5MGOe。
附图说明
[0162] 图1为实施例5的EPMA背散射图像。
[0163] 图2为对比例3的EPMA背散射图像。
具体实施方式
[0164] 下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商
品说明书选择。
[0165] 实施例及对比例中R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料配方如表1所示。
[0166] 表1 R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的原料组合物的组分和含量(wt％)
[0167]
[0168]
[0169] 注：R是指总稀土含量，具体地，是指Nd、PrNd、Tb和Dy的总含量。
[0170] 表2 R‑T‑B系永磁材料Ⅱ的组分和含量(wt％)
[0171]
[0172] 注：R是指总稀土含量，具体地，是指Nd、PrNd、Tb和Dy的总含量。
[0173] 实施例2‑9，以及对比例1‑7中R‑T‑B系烧结磁铁制备方法如下：
[0174] (1)熔炼过程：按表1所示配方，取配制好的原料放入氧化铝制的坩埚中，在高频真‑2
空感应熔炼炉中在5×10 Pa的真空中以1500℃以下的温度进行真空熔炼。
[0175] (2)铸造过程：在真空熔炼后的熔炼炉中通入Ar气体使气压达到5.5万Pa后，进行2 4
铸造，以10℃/秒‑10℃/秒的冷却速度获得急冷合金。
[0176] (3)氢破粉碎过程：在室温下，将放置急冷合金的氢破用炉抽真空，而后向氢破用炉内通入纯度为99.9％的氢气，维持氢气压力0.15MPa，充分吸氢后，边抽真空边升温，充分
脱氢，之后进行冷却，取出氢破粉碎后的粉末。
[0177] (4)微粉碎工序：在氧化气体含量100ppm以下的氮气气氛下，在粉碎室压力为0.38MPa的条件下对氢破粉碎后的粉末进行3小时的气流磨粉碎，得到细粉。氧化气体指的
是氧或水分。
[0178] (5)在气流磨粉碎后的粉末中添加硬脂酸锌，硬脂酸锌的添加量为混合后粉末重量的0.12％，再用V型混料机充分混合。
[0179] (6)磁场成形过程：使用直角取向型的磁场成型机，在1.6T的取向磁场中，在2
0.35ton/cm的成型压力下，将上述添加了硬脂酸锌的粉末一次成形成边长为25mm的立方
体，一次成形后在0.2T的磁场中退磁。为使一次成形后的成形体不接触到空气，将其进行密
2
封，再使用二次成形机(等静压成形机)在1.3ton/cm的压力下进行二次成形。
[0180] (7)烧结过程：将各成形体搬至烧结炉进行烧结，烧结在5×10‑3Pa的真空下，在300℃和600℃的温度下各保持1小时后，以1040℃的温度烧结2小时，之后通入Ar气体使气压达
到0.1MPa后，冷却至室温，得到R‑T‑B系永磁材料Ⅱ。
[0181] (8)晶界扩散处理过程：将金属Dy以及R‑T‑B系永磁材料Ⅱ放置于炉内，并高温加热使得Dy金属高温蒸发并在外来稀有气体的诱导下沉积在磁体表面并沿着晶界向磁体内
部扩散。
[0182] (9)热处理过程：烧结体在高纯度Ar气中，以500℃温度进行3小时热处理后，冷却至室温后取出，得到R‑T‑B系永磁材料Ⅰ。
[0183] 实施例1中R‑T‑B系烧结磁铁制备方法如下：
[0184] 按照按表1所示配方，以及实施例2的制备工艺制备实施例1钕铁硼烧结磁铁，不同之处在于：晶界扩散过程中，在磁铁表面溅射附着Tb元素的金属。
[0185] 效果实施例
[0186] 分别取实施例1‑9和对比例1‑7制得的R‑T‑B系烧结磁铁，包括晶界扩散前的烧结磁铁(也就是R‑T‑B系永磁材料Ⅱ)和晶界扩散后的烧结磁铁(R‑T‑B系永磁材料Ⅰ)，测定其
磁性能、力学性能和成分，FE‑EPMA观察其磁体的相组成。
[0187] (1)R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的各成分使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP‑OES)进行测定，其中R6T13X相根据FE‑EPMA测试得到。下表3所示为成分检测结果。
[0188] 表3 R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的组分和含量(wt％)
[0189]
[0190] 注：R是指总稀土含量，具体地，是指Nd、PrNd、Tb和Dy的总含量。
[0191] (2)磁性能评价：烧结磁铁使用中国计量院的NIM‑10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测。
[0192] 力学性能：在万能试验机设备上采用三点弯曲法进行测定，试样尺寸为45mm×10mm×3mm，所测抗弯强度是断口沿平行磁场取向方向的断裂强度。
[0193] 下表4所示为磁性能和力学性能检测结果。
[0194] 表4 R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的性能
[0195]
[0196]
[0197] 由表4可知：
[0198] 1)本申请中的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ性能优异，Br≥13.20kGs，Hcj≥25.1kOe，实现了Br和Hcj的同步提升；并且最大磁能积≥42.5MGOe(实施例1‑9)；
[0199] 2)基于本申请的配方，无论是调高R和Al的含量，还是降低R和Al的含量，均不能生成R6T13X相，R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的磁性能和抗弯强度均下降(对比例1和对比例3)；
[0200] 3)基于本申请的配方，将B的含量调至常规含量，但是若其他组分含量不在本申请限定的范围内，也无法生成R6T13X相，R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的磁性能和抗弯强度均下降(对比
例2)；
[0201] 4)基于本申请的配方，若不能保证(Fe+Co)/B和B/X的比值在本申请限定的范围内，即使生成了R6T13X相，R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的磁性能和抗弯强度也不能得到同时的提升
(对比例4～7)。
[0202] (3)FE‑EPMA检测：对烧结磁铁的垂直取向面进行抛光，采用场发射电子探针显微分析仪(FE‑EPMA)(日本电子株式会社(JEOL)，8530F)检测。首先拍摄背散射图像，然后对不
同对比度的相进行定量分析确定相组成，测试条件为加速电压15kV，探针束流50nA。
[0203] 取实施例5和对比例3所制得的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ进行FE‑EPMA检测，结果下表4、图1和图2所示。其中：
[0204] 根据实施例5所制得的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ的EPMA背散射图像(如图1)，结合表5中定量分析结果可知：灰白色区域1为R6‑T13‑X相，R为Nd和Dy，T主要为Fe和Co，X为Al和Cu，黑
色区域2为R2Fe14B主相，亮白色区域3为其他富R相。
[0205] 对比例3的EPMA背散射结果主要为黑色区域的主相和亮白色的富R相，未检测到R6‑T13‑X相(如图2)。
[0206] 表5
[0207](at％) Nd Dy Fe Co Al Cu B 相成分
点1 27.9 1.85 64.25 0.77 4.63 0.42 0 R6‑T13‑X
点2 10.6 0.33 81.33 0.68 1.18 0.06 5.72 R2‑T14‑B
