阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法

摘要

提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：基底基板；第一接合焊盘层，其包括位于基底基板的第一侧上的多个第一接合焊盘；第二接合焊盘层，其包括位于基底基板的第二侧上的多个第二接合焊盘，其中第二侧与第一侧相对；以及，多条信号线，其位于第二接合焊盘层的远离基底基板的一侧。多个第二接合焊盘中的对应一个贯穿基底基板，以电连接至多个第一接合焊盘中的对应一个。多个第一接合焊盘中的对应一个包括沿从第二侧至第一侧的方向远离基底基板的第一侧突出的突出部分。

权利要求

1.一种显示设备，包括阵列基板、以及与所述阵列基板连接的一个或多个集成驱动电路；

其中，所述一个或多个集成驱动电路附接至基底基板的第一侧；

所述阵列基板，包括：

基底基板；

第一接合焊盘层，其包括位于所述基底基板的第一侧上的多个第一接合焊盘；

第二接合焊盘层，其包括位于所述基底基板的第二侧上的多个第二接合焊盘，其中所述第二侧与所述第一侧相对；以及多条信号线，其位于所述第二接合焊盘层的远离所述基底基板的一侧；

其中，所述多条信号线分别电连接至所述多个第二接合焊盘；

所述多个第二接合焊盘中的对应一个贯穿所述基底基板，以电连接至所述多个第一接合焊盘中的对应一个；并且所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个包括沿从所述第二侧至所述第一侧的方向远离所述基底基板的所述第一侧突出的突出部分；

所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个还包括沿从所述第一侧至所述第二侧的方向凹进所述基底基板的所述第一侧的底部分；并且所述多个第二接合焊盘中的所述对应一个通过所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的所述底部分电连接至所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的所述突出部分；

所述突出部分和所述底部分一体成型；

所述突出部分直接用于绑定连接所述集成驱动电路。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第二接合焊盘中的所述对应一个在所述基底基板上的正投影与所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述底部分在所述基底基板上的正投影覆盖所述突出部分在所述基底基板上的正投影。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，其中，所述突出部分沿从所述第二侧至所述第一侧的方向相对于所述基底基板的所述第一侧具有大于500nm的厚度。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，其中，所述多条信号线包括多条栅线和多条数据线；

所述多个第一接合焊盘包括多个第一栅线接合焊盘和多个第一数据线接合焊盘；

所述多个第二接合焊盘包括多个第二栅线接合焊盘和多个第二数据线接合焊盘；

所述多个第一栅线接合焊盘分别通过所述多个第二栅线接合焊盘分别电连接至所述多条栅线；并且所述多个第一数据线接合焊盘分别通过所述多个第二数据线接合焊盘分别电连接至所述多条数据线。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，其中，所述第一接合焊盘层具有多子层结构。

7.一种制造显示设备的方法，包括制作阵列基板、以及与所述阵列基板连接的一个或多个集成驱动电路；其中，所述一个或多个集成驱动电路附接至基底基板的第一侧；制作所述阵列基板包括：在基底基板的第一侧上形成包括多个第一接合焊盘的第一接合焊盘层；

在所述基底基板的第二侧上形成包括多个第二接合焊盘的第二接合焊盘层，其中所述第二侧与所述第一侧相对；以及在所述第二接合焊盘层的远离所述基底基板的一侧形成多条信号线；

其中，所述多条信号线分别电连接至所述多个第二接合焊盘；

所述多个第二接合焊盘中的对应一个贯穿所述基底基板，以电连接至所述多个第一接合焊盘中的对应一个；并且所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个包括沿从所述第二侧至所述第一侧的方向远离所述基底基板的所述第一侧突出的突出部分；所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个还包括：底部分；所述多个第二接合焊盘中的所述对应一个通过所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的所述底部分电连接至所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的所述突出部分；

所述突出部分和所述底部分一体成型；

所述突出部分直接用于绑定连接所述集成驱动电路。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一接合焊盘层包括：提供支撑基板；

在所述支撑基板中或在所述支撑基板上的层中形成多个第一过孔；

形成至少部分地填充在所述多个第一过孔中的第一导电材料层；以及对所述第一导电材料层进行构图，以获得所述多个第一接合焊盘，从而形成所述第一接合焊盘层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述多个第一过孔包括：在所述支撑基板上形成第一绝缘材料层；

其中，所述多个第一过孔形成为至少部分地延伸至所述第一绝缘材料层中；并且所述第一导电材料层形成在所述第一绝缘材料层的远离所述支撑基板的一侧。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述多个第一过孔包括：对所述支撑基板进行构图以形成所述多个第一过孔；

其中，所述多个第一过孔至少部分地延伸至所述支撑基板中；并且所述第一导电材料层形成在所述支撑基板上。

11.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，在形成所述第一接合焊盘层之后，还包括：在所述第一接合焊盘层的远离所述第一绝缘材料层的一侧形成第二绝缘材料层；

形成贯穿所述第二绝缘材料层的多个第二过孔，从而形成所述基底基板；

在所述基底基板的远离所述第一接合焊盘层的一侧形成第二导电材料层，其中，所述第二导电材料层至少部分地填充在所述多个第二过孔中；以及对所述第二导电材料层进行构图，以获得所述多个第二接合焊盘，从而形成所述第二接合焊盘层。

12.根据权利要求11所述的方法，在形成所述多个第一过孔之后和在形成所述第一导电材料层之前，还包括：在所述支撑基板上形成剥离层；

其中，所述第一导电材料层和所述基底基板形成在所述剥离层的远离所述支撑基板的一侧。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述剥离层形成为与所述支撑基板直接接触；

并且

所述剥离层具有对所述支撑基板的第一粘合强度、对所述基底基板的第二粘合强度以及对所述第一接合焊盘层的第三粘合强度，所述第一粘合强度大于所述第二粘合强度并且大于所述第三粘合强度。

14.根据权利要求12所述的方法，在形成所述多个第一过孔之后和在形成所述第一导电材料层之前，还包括：在所述第一绝缘材料层的远离所述支撑基板的一侧形成中间层；

其中，所述剥离层形成在所述中间层的远离所述第一绝缘材料层的一侧；并且所述剥离层具有对所述中间层的第一粘合强度、对所述基底基板的第二粘合强度以及对所述第一接合焊盘层的第三粘合强度，所述第一粘合强度大于所述第二粘合强度并且大于所述第三粘合强度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述多个第一接合焊盘和所述剥离层一起形成实质上平坦的表面。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述底部分突出高于所述剥离层的整个表面。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，利用无机绝缘材料形成所述中间层；

利用有机树脂材料形成所述剥离层；

利用柔性材料形成所述第一绝缘材料层；并且

利用金属材料形成所述第一接合焊盘层和所述第二接合焊盘层。

18.根据权利要求12所述的方法，还包括：

将所述剥离层与所述基底基板和所述第一接合焊盘层分离，从而移除所述剥离层和所述支撑基板，从而暴露所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的所述突出部分。

说明书

阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术，更具体地，涉及阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法。

背景技术

[0002] 已经开发了许多技术来减小显示面板的边框宽度。例如，阵列上栅极(gate‑on‑array，GOA)技术将栅极驱动电路集成在阵列基板上，使得可以减小显示面板两侧的边框宽度。又例如，覆晶薄膜技术使得能够将集成电路接合在柔性印刷电路板上，并且将柔性印刷电路板折叠在显示面板的背侧，从而减小显示面板的下侧的边框宽度。

发明内容

[0003] 一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：基底基板；第一接合焊盘层，其包括位于基底基板的第一侧上的多个第一接合焊盘；第二接合焊盘层，其包括位于基底基板的第二侧上的多个第二接合焊盘，其中第二侧与第一侧相对；以及，多条信号线，其位于第二接合焊盘层的远离基底基板的一侧；其中，所述多条信号线分别电连接至所述多个第二接合焊盘；所述多个第二接合焊盘中的对应一个贯穿基底基板，以电连接至所述多个第一接合焊盘中的对应一个；并且，所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个包括沿从第二侧至第一侧的方向远离基底基板的第一侧突出的突出部分。

[0004] 可选地，所述多个第二接合焊盘中的所述对应一个在基底基板上的正投影与所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠。

[0005] 可选地，所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个还包括沿从第一侧至第二侧的方向凹进基底基板的第一侧的底部分；并且，所述多个第二接合焊盘中的所述对应一个通过所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的底部分电连接至所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的突出部分。

[0006] 可选地，底部分在基底基板上的正投影覆盖突出部分在基底基板上的正投影。

[0007] 可选地，突出部分沿从第二侧至第一侧的方向相对于基底基板的第一侧具有大于500nm的厚度。

[0008] 可选地，所述多条信号线包括多条栅线和多条数据线；所述多个第一接合焊盘包括多个第一栅线接合焊盘和多个第一数据线接合焊盘；所述多个第二接合焊盘包括多个第二栅线接合焊盘和多个第二数据线接合焊盘；所述多个第一栅线接合焊盘分别通过所述多个第二栅线接合焊盘分别电连接至所述多条栅线；并且所述多个第一数据线接合焊盘分别通过所述多个第二数据线接合焊盘分别电连接至所述多条数据线。

[0009] 可选地，第一接合焊盘层具有多子层结构。

[0010] 另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的阵列基板以及与阵列基板连接的一个或多个集成驱动电路；其中，所述一个或多个集成驱动电路附接至基底基板的第一侧。

[0011] 另一方面，本发明提供了一种制造阵列基板的方法，包括：在基底基板的第一侧上形成包括多个第一接合焊盘的第一接合焊盘层；在基底基板的第二侧上形成包括多个第二接合焊盘的第二接合焊盘层，其中第二侧与第一侧相对；以及，在第二接合焊盘层的远离基底基板的一侧形成多条信号线；其中，所述多条信号线分别电连接至所述多个第二接合焊盘；所述多个第二接合焊盘中的对应一个贯穿基底基板，以电连接至所述多个第一接合焊盘中的对应一个；并且，所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个包括沿从第二侧至第一侧的方向远离基底基板的第一侧突出的突出部分。

[0012] 可选地，形成第一接合焊盘层包括：提供支撑基板；在支撑基板中或在支撑基板上的层中形成多个第一过孔；形成至少部分地填充在所述多个第一过孔中的第一导电材料层；以及，对第一导电材料层进行构图，以获得所述多个第一接合焊盘，从而形成第一接合焊盘层。

[0013] 可选地，形成所述多个第一过孔包括：在支撑基板上形成第一绝缘材料层；其中，所述多个第一过孔形成为至少部分地延伸至第一绝缘材料层中；并且，第一导电材料层形成在第一绝缘材料层的远离支撑基板的一侧。

[0014] 可选地，形成所述多个第一过孔包括：对支撑基板进行构图以形成所述多个第一过孔；其中，所述多个第一过孔至少部分地延伸至支撑基板中；并且，第一导电材料层形成在支撑基板上。

[0015] 可选地，在形成第一接合焊盘层之后，所述方法还包括：在第一接合焊盘层的远离第一绝缘材料层的一侧形成第二绝缘材料层；形成贯穿第二绝缘材料层的多个第二过孔，从而形成基底基板；在基底基板的远离第一接合焊盘层的一侧形成第二导电材料层，其中，第二导电材料层至少部分地填充在所述多个第二过孔中；以及，对第二导电材料层进行构图，以获得所述多个第二接合焊盘，从而形成第二接合焊盘层。

[0016] 可选地，在形成所述多个第一过孔之后和在形成第一导电材料层之前，所述方法还包括：在支撑基板上形成剥离层；其中，第一导电材料层和基底基板形成在剥离层的远离支撑基板的一侧。

[0017] 可选地，剥离层形成为与支撑基板直接接触；并且剥离层具有对支撑基板的第一粘合强度、对基底基板的第二粘合强度以及对第一接合焊盘层的第三粘合强度，第一粘合强度大于第二粘合强度并且大于第三粘合强度。

[0018] 可选地，在形成所述多个第一过孔之后和在形成第一导电材料层之前，所述方法还包括：在第一绝缘材料层的远离支撑基板的一侧形成中间层；其中，剥离层形成在中间层的远离第一绝缘材料层的一侧；并且剥离层具有对中间层的第一粘合强度、对基底基板的第二粘合强度以及对第一接合焊盘层的第三粘合强度，第一粘合强度大于第二粘合强度并且大于第三粘合强度。

[0019] 可选地，所述多个第一接合焊盘和剥离层一起形成实质上平坦的表面。

[0020] 可选地，所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个还包括：底部分；并且，底部分突出高于剥离层的整个表面。

[0021] 可选地，利用无机绝缘材料形成中间层；利用有机树脂材料形成剥离层；利用柔性材料形成第一绝缘材料层；并且，利用金属材料形成第一接合焊盘层和第二接合焊盘层。

[0022] 可选地，所述方法还包括：将剥离层与基底基板和第一接合焊盘层分离，从而移除剥离层和支撑基板，从而暴露所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的突出部分。

附图说明

[0023] 以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。

[0024] 图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。

[0025] 图2是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。

[0026] 图3A至图3F示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的方法。

[0027] 图4A至图4G示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的方法。

[0028] 图5是根据本公开的一些实施例中的显示设备的截面图。

具体实施方式

[0029] 现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。

[0030] 本公开提供了一种显示面板或阵列基板，其具有集成在显示面板或阵列基板的背侧上的驱动电路。在这种情况下，可以进一步减小显示面板的边框宽度，这是因为这些驱动电路没有布置在边框部分上。可以通过例如through‑PI‑via(TPV)技术来实现信号线与驱动电路之间的电连接。在本公开中发现，难以将驱动电路接合至显示面板或阵列基板的背侧上的接合焊盘，原因在于接合焊盘的表面与显示面板或阵列基板的背侧的表面实质上位于同一水平。

[0031] 因此，本公开特别提供了阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种阵列基板。在一些实施例中，阵列基板包括：基底基板；第一接合焊盘层，其包括位于基底基板的第一侧上的多个第一接合焊盘；第二接合焊盘层，其包括位于基底基板的第二侧上的多个第二接合焊盘，其中第二侧与第一侧相对；以及，多条信号线，其位于第二接合焊盘层的远离基底基板的一侧。可选地，所述多条信号线分别电连接至所述多个第二接合焊盘。可选地，所述多个第二接合焊盘中的对应一个贯穿基底基板，以电连接至所述多个第一接合焊盘中的对应一个。可选地，所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个包括沿从第二侧至第一侧的方向远离基底基板的第一侧突出的突出部分。

[0032] 图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。参照图1，在一些实施例中，阵列基板包括多个子像素Sp。阵列基板包括分别位于所述多个子像素Sp中的多个发光元件LE。具体而言，阵列基板包括：基底基板10；第一接合焊盘层PL1，其包括位于基底基板10的第一侧S1上的多个第一接合焊盘PD1；第二接合焊盘层PL2，其包括位于基底基板10的第二侧S2上的多个第二接合焊盘PD2，其中第二侧S2与第一侧S1相对；以及，多条信号线SL，其位于第二接合焊盘层PL2的远离基底基板10的一侧。可选地，第一侧S1是阵列基板的暴露于外部环境的背侧，并且第二侧S2是基底基板10的位于阵列基板的内部的一侧并且与阵列基板的其它层直接接触。

[0033] 在一些实施例中，所述多条信号线SL分别电连接至所述多个第二接合焊盘PD2。可选地，所述多个第二接合焊盘PD2中的对应一个贯穿基底基板10，以电连接至所述多个第一接合焊盘PD1中的对应一个。可选地，所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个包括沿从第二侧S2至第一侧S1的方向远离基底基板10的第一侧S1突出的突出部分P。在图1的阵列基板中，所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个仅包括突出部分P。

[0034] 所述多条信号线SL包括用于与待置于基底基板的第一侧S1上的各种相应驱动电路接合的各种适当的信号线。参照图1，在一些实施例中，所述多条信号线SL包括多条栅线GL和多条数据线DL。所述多条栅线GL中的对应一条电连接至多个薄膜晶体管TFT中的对应一个的栅电极G。所述多条数据线DL中的对应一条电连接至所述多个薄膜晶体管TFT中的所述对应一个的源电极S。

[0035] 在一些实施例中，所述多个第一接合焊盘PD1包括多个第一栅线接合焊盘(其分别连接至所述多条栅线GL)和多个第一数据线接合焊盘(其分别连接至所述多条数据线DL)。可选地，所述多个第二接合焊盘PD2包括多个第二栅线接合焊盘(其分别连接至所述多条栅线GL)和多个第二数据线接合焊盘(其分别连接至所述多条数据线DL)。所述多个第一栅线接合焊盘分别通过所述多个第二栅线接合焊盘分别电连接至所述多条栅线GL。所述多个第一数据线接合焊盘分别通过所述多个第二数据线接合焊盘分别电连接至所述多条数据线DL。

[0036] 可选地，所述多条信号线SL还包括多条公共电压信号线。可选地，所述多条信号线SL还包括多条触控信号线。可选地，所述多条信号线SL还包括多条电力线。可选地，所述多条信号线SL还包括多条时钟信号线。

[0037] 各种适当的驱动电路可以附接至基底基板10的第一侧S1并且接合至所述多条信号线SL。驱动电路的示例包括：用于向所述多条栅线GL提供栅极扫描信号的栅极驱动电路、用于向所述多条数据线DL提供数据信号的数据驱动电路、用于向所述多条触控信号线提供触摸扫描信号的触控驱动电路。这些驱动电路可以为集成电路。

[0038] 参照图1，在一些实施例中，阵列基板还包括多个薄膜晶体管TFT。在一个示例中，并且参照图1，所述多个薄膜晶体管TFT中的对应一个包括：有源层ACT，其位于基底基板10上；栅绝缘层GI，其位于有源层ACT的远离基底基板10的一侧；栅电极G，其位于栅绝缘层GI的远离有源层ACT的一侧；源电极S和漏电极D，其分别电连接至有源层ACT。源电极S电连接至所述多条数据线DL中的对应一条，该对应一条数据线至少贯穿栅绝缘层GI以电连接至所述多个第二接合焊盘PD2中的对应一个。所述多个第二接合焊盘PD2中的所述对应一个贯穿基底基板10，以电连接至所述多个第一接合焊盘PD1中的对应一个。所述多个第一接合焊盘PD1中的连接至源电极S中的该对应一个接合至待布置在基底基板的第一侧S1上的数据驱动电路。

[0039] 参照图1，在一些实施例中，阵列基板还包括多个发光元件LE。在一个示例中，并且参照图1，所述多个发光元件LE中的对应一个包括第一电极E1、发光层EL和第二电极E2。第二电极E2与所述多个薄膜晶体管TFT中的对应一个的漏电极电连接。第一电极E1可以为阴极并且提供有公共电压。

[0040] 各种适当发光元件可用于本阵列基板中。适当发光元件的示例包括：有机发光二极管、量子点发光二极管和微发光二极管。在一个示例中，所述多个发光元件LE是多个微发光二极管。在一些实施例中，多个微发光二极管中的对应一个包括：第一电极；第一类型掺杂半导体层；多量子阱层，其位于第一类型掺杂半导体层上；第二类型掺杂半导体层，其位于多量子阱层的远离第一类型掺杂半导体层的一侧；和第二电极。可选地，第一类型掺杂半导体层是p掺杂半导体层，并且第二类型掺杂半导体层是n掺杂半导体层。可选地，第一类型掺杂半导体层是n掺杂半导体层，并且第二类型掺杂半导体层是p掺杂半导体层。可选地，p掺杂半导体层是p掺杂GaN层，并且n掺杂半导体层是n掺杂GaN层。

[0041] 在一些实施例中，基底基板10是包括柔性材料的柔性基底基板。各种适当的弹性体聚合物材料可用于制作基底基板10。适当弹性体聚合物的示例包括：聚酰亚胺、有机硅聚合物、聚硅氧烷、聚环氧化物、硅基聚合物(例如，聚二甲基硅氧烷类材料，如聚二甲基硅氧烷、六甲基二硅氧烷和聚苯基甲基硅氧烷)、聚氨酯类材料(例如聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚醚聚氨酯和聚碳酸酯‑聚氨酯弹性物)、聚氟乙烯、丙烯酸酯聚合物、丙烯酸酯三元共聚物、橡胶(例如，氯丁橡胶、丙烯酸类橡胶和丁腈橡胶)、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、醋酸丙酸纤维素、聚甲基丙烯酸酯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯腈、聚糠醇、聚苯乙烯、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚己内酯、以及它们的任何组合。

[0042] 在一些实施例中，并且参照图1，所述多个第二接合焊盘PD2中的所述对应一个在基底基板10上的正投影与所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个在基底基板10上的正投影至少部分地重叠。可选地，所述多个第二接合焊盘PD2中的所述对应一个在基底基板10上的正投影覆盖所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个在基底基板10上的正投影。可选地，所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个在基底基板10上的正投影覆盖所述多个第二接合焊盘PD2中的所述对应一个在基底基板10上的正投影。

[0043] 图2是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。参照图2，在一些实施例中，所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个包括沿从第二侧S2至第一侧S1的方向远离基底基板10的第一侧S1突出的突出部分P，并且还包括沿从第一侧S1至第二侧S2的方向凹进基底基板10的第一侧S1的底部分B。所述多个第二接合焊盘PD2中的所述对应一个通过所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个的底部分B电连接至所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个的突出部分P。

[0044] 在一些实施例中，并且参照图2，底部分B在基底基板10上的正投影与突出部分P在基底基板10上的正投影至少部分地重叠。可选地，底部分B在基底基板10上的正投影覆盖突出部分P在基底基板10上的正投影。可选地，突出部分P在基底基板10上的正投影覆盖底部分B在基底基板10上的正投影。

[0045] 可选地，突出部分P沿从第二侧至第一侧的方向相对于基底基板的第一侧具有大于500nm(例如，大于600nm、大于700nm或大于800nm)的厚度。可选地，突出部分P具有在20μm至70μm(例如，20μm至40μm、40μm至60μm或60μm至70μm)的范围内的宽度。可选地，突出部分P具有在500μm至1000μm(例如，500μm至700μm、700μm至900μm或900μm至1000μm)的范围内的长度。

[0046] 各种适当的导电材料和各种适当制造方法可以用于制作第一接合焊盘层PL1和第二接合焊盘层PL2。例如，可以(例如通过溅射、气相沉积、溶液涂布或旋转涂布)在基板上沉积导电材料；并且(例如，通过诸如湿法刻蚀工艺之类的光刻)对导电材料进行构图以形成导电材料层。用于制作导电材料层的适当导电材料的示例包括但不限于：各种金属材料，比如铝、钨、铜、钼、银、铬、钛、钽、及包含它们的合金或层压制件；和各种导电金属氧化物，比如铟锡氧化物。

[0047] 在一些实施例中，第一接合焊盘层具有多子层结构。可选地，多子层结构至少包括层压在一起的第一金属子层和第二金属子层。在一个示例中，多子层结构包括层压在一起的铜子层和钛子层。

[0048] 另一方面，本公开提供了一种制造阵列基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板的第一侧上形成包括多个第一接合焊盘的第一接合焊盘层；在基底基板的第二侧上形成包括多个第二接合焊盘的第二接合焊盘层，其中第二侧与第一侧相对；以及，在第二接合焊盘层的远离基底基板的一侧形成多条信号线。可选地，所述多条信号线分别电连接至所述多个第二接合焊盘。可选地，所述多个第二接合焊盘中的对应一个贯穿基底基板，以电连接至所述多个第一接合焊盘中的对应一个。可选地，所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个包括沿从第二侧至第一侧的方向远离基底基板的第一侧突出的突出部分。

[0049] 在一些实施例中，形成第一接合焊盘层的步骤包括：提供支撑基板；在支撑基板中或在支撑基板上的层中形成多个第一过孔；形成至少部分地填充在所述多个第一过孔中的第一导电材料层；以及，对第一导电材料层进行构图，以获得所述多个第一接合焊盘，从而形成第一接合焊盘层。

[0050] 在一些实施例中，形成所述多个第一过孔的步骤包括：在支撑基板上形成第一绝缘材料层。可选地，所述多个第一过孔形成为至少部分地延伸至第一绝缘材料层中；并且，第一导电材料层形成在第一绝缘材料层的远离支撑基板的一侧。

[0051] 在一些实施例中，形成所述多个第一过孔的步骤包括：对支撑基板进行构图以形成所述多个第一过孔。可选地，所述多个第一过孔至少部分地延伸至支撑基板中；并且，第一导电材料层形成在支撑基板上。

[0052] 在一些实施例中，在形成第一接合焊盘层之后，所述方法还包括：在第一接合焊盘层的远离第一绝缘材料层的一侧形成第二绝缘材料层；形成贯穿第二绝缘材料层的多个第二过孔，从而形成基底基板；在基底基板的远离第一接合焊盘层的一侧形成第二导电材料层，其中，第二导电材料层至少部分地填充在所述多个第二过孔中；以及，对第二导电材料层进行构图，以获得所述多个第二接合焊盘，从而形成第二接合焊盘层。

[0053] 在一些实施例中，在形成所述多个第一过孔之后和在形成第一导电材料层之前，所述方法还包括：在支撑基板上形成剥离层。可选地，第一导电材料层和基底基板形成在剥离层的远离支撑基板的一侧。

[0054] 可选地，剥离层形成为与支撑基板直接接触。可选地，剥离层具有对支撑基板的第一粘合强度、对基底基板的第二粘合强度以及对第一接合焊盘层的第三粘合强度，第一粘合强度大于第二粘合强度并且大于第三粘合强度。

[0055] 可选地，在形成所述多个第一过孔之后和在形成第一导电材料层之前，所述方法还包括：在第一绝缘材料层的远离支撑基板的一侧形成中间层。可选地，剥离层形成在中间层的远离第一绝缘材料层的一侧；并且剥离层具有对中间层的第一粘合强度、对基底基板的第二粘合强度以及对第一接合焊盘层的第三粘合强度，第一粘合强度大于第二粘合强度并且大于第三粘合强度。

[0056] 可选地，所述多个第一接合焊盘和剥离层一起形成实质上平坦的表面。

[0057] 可选地，所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个还包括：底部分。可选地，底部分突出高于剥离层的整个表面，包括剥离层在未被所述多个第一接合焊盘覆盖的区域中的表面。

[0058] 可选地，利用无机绝缘材料形成中间层；利用有机树脂材料形成剥离层；利用柔性材料形成第一绝缘材料层；并且，利用金属材料形成第一接合焊盘层和第二接合焊盘层。

[0059] 在一些实施例中，所述方法还包括：将剥离层与基底基板和第一接合焊盘层分离，从而移除剥离层和支撑基板，从而暴露所述多个第一接合焊盘中的所述对应一个的突出部分。

[0060] 图3A至图3F示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的方法。参照图3A，提供支撑基板30，并且在支撑基板30中形成多个第一过孔v1。可选地，所述多个第一过孔v1是盲过孔，其仅部分地延伸至支撑基板30中，如图3A所示。在一个示例中，在形成所述多个第一过孔v1之前，在支撑基板30的将要形成所述多个第一过孔v1的区域中，首先改性支撑基板30的材料，随后利用诸如氢氟酸溶液之类的蚀刻剂对该材料进行蚀刻。可以控制蚀刻持续时间以实现所述多个第一过孔v1的期望深度。可选地，所述多个第一过孔v1形成为具有500nm至1000nm的范围内的厚度。

[0061] 参照图3B，在形成所述多个过孔v1之后，在支撑基板30上形成剥离层40。剥离层40形成为覆盖支撑基板30的表面(包括所述多个第一过孔的内表面)。剥离层40形成为与支撑基板30直接接触。各种适当剥离材料和各种适当制造方法可以用于制作剥离层40。适于制作剥离层40的剥离材料的示例包括各种有机树脂，尤其是耐热的有机树脂。可选地，剥离层40形成为具有等于或大于50nm的厚度。

[0062] 参照图3C，在形成剥离层40之后，在剥离层40的远离支撑基板30的一侧形成第一接合焊盘层PL1。第一接合焊盘层PL1形成为包括至少部分地填充在所述多个第一过孔中的多个第一接合焊盘PD1。可选地，形成第一接合焊盘层PL1的步骤包括：形成至少部分地填充在所述多个第一过孔中的第一导电材料层；以及，对第一导电材料层进行构图，以获得所述多个第一接合焊盘PD1，从而形成第一接合焊盘层PL1。在一个示例中，通过磁控溅射来沉积第一导电材料，从而形成第一导电材料层。

[0063] 在一些实施例中，第一接合焊盘层PL1(以及由此所述多个第一接合焊盘PD1中的每一个)形成为具有多子层结构。可选地，第一接合焊盘层PL1形成为具有两个子层。可选地，第一接合焊盘层PL1形成为具有三个子层。在一个示例中，多子层结构包括钛/铝/钛层压结构，并且可选地，每个钛子层的厚度是50nm，并且铝子层的厚度是650nm。在另一个示例中，多子层结构包括含钼合金/铜/含钼合金层压结构，并且可选地，每个含钼合金子层的厚度是30nm，并且铜子层的厚度是300nm。在另一个示例中，多子层结构包括钼/铝钕合金/钼层压结构，并且可选地，每个钼子层的厚度是20nm，并且铝钕合金子层的厚度是300nm。可选地，第一导电材料层形成为具有多子层结构。

[0064] 在另一个示例中，形成第一导电材料层的步骤包括：首先沉积包括第一金属的第一子层(例如，种子子层)，随后电镀第二金属以在第一子层上形成第二子层。具有对剥离层40的相对高粘合度并且具有相对良好的防止第二金属扩散的能力的任意金属或合金可用作用于制作种子子层的材料。可选地，种子子层形成为具有1nm至10nm的范围内的厚度。用于制作种子子层的适当金属材料的示例包括：钛、钽、铬、钛钨合金、氮化钽和氮化钛。用于制作第二子层的适当金属材料的示例包括铜。第二子层形成在种子子层的远离剥离层40的一侧。

[0065] 参照图3D，在所述多个第一接合焊盘PD1和剥离层40的远离支撑基板30的一侧形成基底基板10。基底基板10形成为具有贯穿其的多个第二过孔v2。在一个示例中，基底基板10由聚酰亚胺制成。可选地，形成基底基板10的步骤包括：在第一接合焊盘层PL1和剥离层
40的远离支撑基板30的一侧形成绝缘材料层；以及，形成贯穿绝缘材料层的多个第二过孔v2，从而形成基底基板10。

[0066] 在一些实施例中，剥离层40具有对支撑基板30的第一粘合强度、对基底基板10的第二粘合强度以及对第一接合焊盘层PL1的第三粘合强度，第一粘合强度大于第二粘合强度并且大于第三粘合强度。

[0067] 参照图3E，在基底基板10的远离支撑基板30的一侧形成第二接合焊盘层PL2。第二接合焊盘层PL2形成为包括位于基底基板10的第二侧S2上的多个第二接合焊盘PD2。所述多个第二接合焊盘PD2中的对应一个贯穿基底基板10，以电连接至所述多个第一接合焊盘PD1中的对应一个。所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个包括沿从第二侧S2至第一侧S1的方向远离基底基板10的第一侧S1突出的突出部分P。可选地，形成第二接合焊盘层PL2的步骤包括：形成至少部分地填充在所述多个第二过孔中的第二导电材料层；以及，对第二导电材料层进行构图，以获得所述多个第二接合焊盘PD2，从而形成第二接合焊盘层PL2。在一个示例中，通过磁控溅射来沉积导电材料(例如，铜)，从而形成第二导电材料层。

[0068] 参照图3F，随后形成多条信号线SL和多个薄膜晶体管TFT。所述多条信号线SL形成为分别电连接至所述多个第二接合焊盘PD2。在一个示例中，多个微LED被接合至接触焊盘(例如，CP1和CP2)上。

[0069] 参照图3F和图1，通过例如激光剥离将剥离层40与基底基板10和第一接合焊盘层PL1分离。剥离层40和支撑基板30被移除，从而暴露所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个的突出部分P。

[0070] 图4A至图4G示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的方法。参照图4A，提供支撑基板30，并且在支撑基板30上形成第一绝缘材料层50。第一绝缘材料层50形成为具有至少部分地延伸至第一绝缘材料层50中的多个第一过孔v1。可选地，所述多个第一过孔v1中的每一个形成为具有800nm至1000nm的范围内的厚度。可选地，所述多个第一过孔v1中的每一个形成为具有20μm至70μm的范围内的宽度。可选地，所述多个第一过孔v1中的每一个形成为具有500μm至1000μm的范围内的长度。可选地，所述多个第一过孔v1是盲过孔，其仅部分地延伸至第一绝缘材料层50中，如图4A所示。

[0071] 参照图4B，在形成所述多个第一过孔之后，在第一绝缘材料层50的远离支撑基板30的一侧形成中间层60。中间层60形成为覆盖第一绝缘材料层50的表面(包括所述多个第一过孔的内表面)。中间层60形成为与第一绝缘材料层50直接接触。

[0072] 各种适当绝缘材料和各种适当制造方法可以用于制作中间层60。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积绝缘材料并对其进行构图。适于制作中间层60的无机绝缘材料的示例包括：氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy，例如，Si3N4)、以及氮氧化硅(SiOxNy)。可选地，中间层60形成为具有等于或大于100nm的厚度。

[0073] 参照图4C，在形成中间层60之后，在中间层60的远离第一绝缘材料层50的一侧形成剥离层40。各种适当剥离材料和各种适当制造方法可以用于制作剥离层40。适于制作剥离层40的剥离材料的示例包括各种有机树脂，尤其是耐热的有机树脂。可选地，剥离层40形成为具有等于或大于50nm的厚度。

[0074] 参照图4D，在形成剥离层40之后，在剥离层40的远离支撑基板30的一侧形成第一接合焊盘层PL1。第一接合焊盘层PL1形成为包括至少部分地填充在所述多个第一过孔中的多个第一接合焊盘PD1。可选地，形成第一接合焊盘层PL1的步骤包括：形成至少部分地填充在所述多个第一过孔中的第一导电材料层；以及，对第一导电材料层进行构图，以获得所述多个第一接合焊盘PD1，从而形成第一接合焊盘层PL1。在一个示例中，通过磁控溅射来沉积第一导电材料，从而形成第一导电材料层。

[0075] 在一些实施例中，第一接合焊盘层PL1(以及由此所述多个第一接合焊盘PD1中的每一个)形成为具有多子层结构。可选地，第一接合焊盘层PL1形成为具有两个子层。可选地，第一接合焊盘层PL1形成为具有三个子层。在一个示例中，多子层结构包括钛/铝/钛层压结构，并且可选地，每个钛子层的厚度是50nm，并且铝子层的厚度是650nm。在另一个示例中，多子层结构包括含钼合金/铜/含钼合金层压结构，并且可选地，每个含钼合金子层的厚度是30nm，并且铜子层的厚度是300nm。在另一个示例中，多子层结构包括钼/铝钕合金/钼层压结构，并且可选地，每个钼子层的厚度是20nm，并且铝钕合金子层的厚度是300nm。可选地，第一导电材料层形成为具有多子层结构。

[0076] 在另一个示例中，形成第一导电材料层的步骤包括：首先沉积包括第一金属的第一子层(例如，种子子层)，随后电镀第二金属以在第一子层上形成第二子层。具有对剥离层40的相对高粘合度并且具有相对良好的防止第二金属扩散的能力的任意金属或合金可用作用于制作种子子层的材料。可选地，种子子层形成为具有1nm至10nm的范围内的厚度。用于制作种子子层的适当金属材料的示例包括：钛、钽、铬、钛钨合金、氮化钽和氮化钛。用于制作第二子层的适当金属材料的示例包括铜。第二子层形成在种子子层的远离剥离层40的一侧。

[0077] 所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个包括沿从第二侧S2至第一侧S1的方向远离基底基板10的第一侧S1突出的突出部分P；并且，底部分B突出高于剥离层40的整个表面，包括剥离层40在未被所述多个第一接合焊盘PD1覆盖的区域中的表面。

[0078] 参照图4E，在所述多个第一接合焊盘PD1和剥离层40的远离支撑基板30的一侧形成基底基板10。基底基板10形成为具有贯穿其的多个第二过孔v2。在一个示例中，基底基板10由聚酰亚胺制成。可选地，形成基底基板10的步骤包括：在第一接合焊盘层PL1和剥离层
40的远离支撑基板30的一侧形成绝缘材料层；以及，形成贯穿绝缘材料层的多个第二过孔v2，从而形成基底基板10。可选地，基底基板形成为具有大约5μm的厚度。

[0079] 在一些实施例中，剥离层40具有对中间层60的第一粘合强度、对基底基板10的第二粘合强度以及对第一接合焊盘层PL1的第三粘合强度，第一粘合强度大于第二粘合强度并且大于第三粘合强度。

[0080] 参照图4F，在基底基板10的远离支撑基板30的一侧形成第二接合焊盘层PL2。第二接合焊盘层PL2形成为包括位于基底基板10的第二侧S2上的多个第二接合焊盘PD2。所述多个第二接合焊盘PD2中的对应一个贯穿基底基板10，以电连接至所述多个第一接合焊盘PD1中的对应一个。可选地，形成第二接合焊盘层PL2的步骤包括：形成至少部分地填充在所述多个第二过孔中的第二导电材料层；以及，对第二导电材料层进行构图，以获得所述多个第二接合焊盘PD2，从而形成第二接合焊盘层PL2。在一个示例中，通过磁控溅射来沉积导电材料(例如，铜)，从而形成第二导电材料层。

[0081] 参照图4G，随后形成多条信号线SL和多个薄膜晶体管TFT。所述多条信号线SL形成为分别电连接至所述多个第二接合焊盘PD2。在一个示例中，多个微LED被接合至接触焊盘(例如，CP1和CP2)上。

[0082] 参照图4G和图2，通过例如激光剥离将剥离层40与基底基板10和第一接合焊盘层PL1分离。剥离层40、中间层60、第一绝缘材料层50和支撑基板30被移除，从而暴露所述多个第一接合焊盘PD1中的所述对应一个的突出部分P。

[0083] 另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括本文描述的阵列基板或通过本文描述的方法制造的阵列基板。图5是根据本公开的一些实施例中的显示设备的截面图。参照图5，显示设备还包括与阵列基板连接的一个或多个集成驱动电路20。在一个示例中，所述一个或多个集成驱动电路20附接至基底基板10的第一侧S1。所述多条信号线SL通过所述多个第一接合焊盘PD1和所述多个第二接合焊盘PD2分别连接至所述一个或多个集成驱动电路20。各种适当的驱动电路可以附接至基底基板10的第一侧S1并且接合至所述多条信号线SL。驱动电路的示例包括：用于向所述多条栅线GL提供栅极扫描信号的栅极驱动电路、用于向所述多条数据线DL提供数据信号的数据驱动电路、用于向所述多条触控信号线提供触摸扫描信号的触控驱动电路。这些驱动电路可以为集成电路。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。

[0084] 出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。