显示装置及其制造方法

摘要

一种显示装置，包括驱动基板及第一发光二极管元件。驱动基板具有多个驱动结构。每一驱动结构包括一第一接垫、一第二接垫、一第三接垫及一第四接垫。多个驱动结构包括一第一驱动结构。第一发光二极管元件电性连接至第一驱动结构的第一接垫及第二接垫，且第一发光二极管元件跨越第一驱动结构的第三接垫与第四接垫的一连线。上述显示装置的制造方法也被提出。

权利要求

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

一驱动基板，具有多个驱动结构，其中该些驱动结构的每一个包括一第一接垫、一第二接垫、一第三接垫及一第四接垫；以及一第一发光二极管元件，其中该些驱动结构包括一第一驱动结构，该第一发光二极管元件电性连接至该第一驱动结构的该第一接垫及该第二接垫，且该第一发光二极管元件跨越该第一驱动结构的该第三接垫与该第四接垫的一连线。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一接垫与该第三接垫具有相同的一第一电位，且该第二接垫与该第四接垫具有相同的一第二电位。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一接垫、该第二接垫、该第三接垫及该第四接垫在结构上分离。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一接垫及该第三接垫在结构上相连接。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第二接垫及该第四接垫在结构上相连接。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，更包括：一第二发光二极管元件，其中该些驱动结构更包括一第二驱动结构，该第二发光二极管元件电性连接至该第二驱动结构的该第三接垫及该第四接垫，该第一驱动结构的该第一接垫及该第一驱动结构的该第二接垫在一第一方向上排列，该第二驱动结构的该第三接垫及该第二驱动结构的该第四接垫在一第二方向上排列，且该第一方向与该第二方向交叉。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一发光二极管元件包括：一第一型半导体层；

一第二型半导体层；

一主动层，设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

一第一电极，电性连接至该第一型半导体层；以及

一第二电极，电性连接至该第二型半导体层，其中该第一电极设置于该第一型半导体层与该第一接垫之间，且该第二电极设置于该第二型半导体层与该第二接垫之间。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一发光二极管元件包括：一第一型半导体层；

一第二型半导体层；

一主动层，设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

一第一电极，电性连接至该第一型半导体层；以及

一第二电极，电性连接至该第二型半导体层，其中该第一型半导体层设置于该第一电极与该第一接垫之间，且该第二型半导体层设置于该第二电极与该第二接垫之间。

9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一发光二极管元件包括：一第一型半导体层；

一第二型半导体层；

一主动层，设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

一第一电极，电性连接至该第一型半导体层；以及

一第二电极，电性连接至该第二型半导体层，其中该第一型半导体层设置于该第一电极与该第一接垫之间，且该第二电极设置于该第二型半导体层与该第二接垫之间。

10.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一驱动基板，具有多个驱动结构，其中该些驱动结构的每一个包括一第一接垫、一第二接垫、一第三接垫及一第四接垫，该第一接垫及该第二接垫在一第一方向上排列，该第三接垫及该第四接垫在一第二方向上排列，且该第一方向与该第二方向交叉；以及转置多个第一发光二极管元件至该驱动基板，其中该些第一发光二极管元件电性连接至该些驱动结构之多个第一驱动结构的多个第一接垫及多个第二接垫。

11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该些驱动结构更包括一第二驱动结构，且该显示装置的制造方法更包括：在该些第一发光二极管元件已转置于该驱动基板之后，令多个第二发光二极管元件向该驱动基板移动，以使该些第二发光二极管元件的一第二发光二极管元件转置于该第二驱动结构上，其中该些第二发光二极管元件的另一第二发光二极管元件被该些第一发光二极管元件的一第一发光二极管元件阻挡。

12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，更包括：令该第二发光二极管元件电性连接至该第二驱动结构的该第三接垫及该第四接垫。

说明书

显示装置及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明是有关于一种发光装置及其制造方法，且特别是有关于一种显示装置及其制造方法。

背景技术

[0002] 发光二极管显示装置包括驱动基板以及被转置(transferred)于驱动基板上的多个微型发光二极管(mirco-LEDs)。继承发光二极管的特性，发光二极管显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。此外，相较于有机发光二极管显示装置，发光二极管显示装置还具有色彩易调校、发光寿命长、无影像烙印等优势。因此，发光二极管显示装置被视为下一世代的显示技术。

[0003] 然而，初步完成的发光二极管显示装置多存在缺陷(defect)，如何不依赖备援(redundancy)且快速、省晶粒的修补发光二极管显示装置为现阶段开发发光二极管显示装置所遭遇的一大课题。

发明内容

[0004] 本发明提供一种显示装置，易修补。

[0005] 本发明提供一种显示装置的制造方法，能制作出易修补的显示装置。

[0006] 本发明的一种显示装置，包括驱动基板及第一发光二极管元件。驱动基板具有多个驱动结构。多个驱动结构的每一个包括一第一接垫、一第二接垫、一第三接垫及一第四接垫。多个驱动结构包括一第一驱动结构。第一发光二极管元件电性连接至第一驱动结构的第一接垫及第二接垫，且第一发光二极管元件跨越第一驱动结构的第三接垫与第四接垫的一连线。

[0007] 在本发明的一实施例中，上述的第一接垫与第三接垫具有相同的第一电位，且第二接垫与第四接垫具有相同的第二电位。

[0008] 在本发明的一实施例中，上述的第一接垫、第二接垫、第三接垫及第四接垫在结构上分离。

[0009] 在本发明的一实施例中，上述的第一接垫及第三接垫相连接。

[0010] 在本发明的一实施例中，上述的第二接垫及第四接垫相连接。

[0011] 在本发明的一实施例中，上述的显示装置更包括第二发光二极管元件。多个驱动结构更包括第二驱动结构。第二发光二极管元件电性连接至第二驱动结构的第三接垫及第四接垫。第一驱动结构的第一接垫及第一驱动结构的第二接垫在第一方向上排列，第二驱动结构的第三接垫及第二驱动结构的第四接垫在第二方向上排列，且第一方向与第二方向交叉。

[0012] 在本发明的一实施例中，上述的第一发光二极管元件包括第一型半导体层、第二型半导体层、设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间的主动层、电性连接至第一型半导体层的第一电极以及电性连接至第二型半导体层的第二电极，其中第一电极设置于第一半导体层与第一接垫之间，且第二电极设置于第二半导体层与第二接垫之间。

[0013] 在本发明的一实施例中，上述的第一发光二极管元件包括第一型半导体层、第二型半导体层、设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间的主动层、电性连接至第一型半导体层的第一电极以及电性连接至第二型半导体层的第二电极，其中第一半导体层设置于第一电极与第一接垫之间，且第二半导体层设置于第二电极与第二接垫之间。

[0014] 在本发明的一实施例中，上述的第一发光二极管元件包括第一型半导体层、第二型半导体层、设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间的主动层、电性连接至第一型半导体层的第一电极以及电性连接至第二型半导体层的第二电极，其中第一半导体层设置于第一电极与第一接垫之间，且第二电极设置于第二半导体层与第二接垫之间。

[0015] 一种显示装置的制造方法，包括下列步骤：提供驱动基板，具有多个驱动结构，其中每一驱动结构包括第一接垫、第二接垫、第三接垫及第四接垫，第一接垫及第二接垫在第一方向上排列，第三接垫及第四接垫在第二方向上排列，且第一方向与第二方向交叉；以及转置多个第一发光二极管元件至驱动基板，其中多个第一发光二极管元件电性连接至多个驱动结构的多个第一驱动结构的多个第一接垫及多个第二接垫。

[0016] 在本发明的一实施例中，上述的多个驱动结构更包括一第二驱动结构，且显示装置的制造方法更包括：在多个第一发光二极管元件已转置于驱动基板之后，令多个第二发光二极管元件向驱动基板移动，以使多个第二发光二极管元件的一第二发光二极管元件转置于第二驱动结构上，其中多个第二发光二极管元件的另一第二发光二极管元件被多个第一发光二极管元件的一第一发光二极管元件阻挡。

[0017] 在本发明的一实施例中，上述的显示装置的制造方法更包括：令第二发光二极管元件电性连接至第二驱动结构的第三接垫及第四接垫。

[0018] 以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

[0019] 图1A至图1D为本发明第一实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。

[0020] 图2A至图2D为本发明第一实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。

[0021] 图3A至图3E为本发明第二实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。

[0022] 图4A至图4E为本发明第二实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。

[0023] 图5A至图5E为本发明第三实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。

[0024] 图6A至图6E为本发明第三实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。

[0025] 图7A至图7D为本发明第四实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。

[0026] 图8A至图8D为本发明第四实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。

[0027] 其中，附图标记：

[0028] 10、10’、10A、10A’、10B、10B’、10C、10C’：显示装置

[0029] 110：基底

[0030] 120：驱动线路层

[0031] 121：第一接垫

[0032] 122：第二接垫

[0033] 123：第三接垫

[0034] 124：第四接垫

[0035] 130、130-1、130-2：发光二极管元件

[0036] 131：第一型半导体层

[0037] 132：第二型半导体层

[0038] 133：主动层

[0039] 134：第一电极

[0040] 135：第二电极

[0041] 136、137、138：导电物

[0042] 140：固定层

[0043] 151：第一连接元件

[0044] 152：第二连接元件

[0045] 153：连接元件

[0046] C：电容

[0047] DS、DS1、DS2：驱动结构

[0048] DL：数据线

[0049] d1：第一方向

[0050] d2：第二方向

[0051] GL：扫描线

[0052] L：连线

[0053] SUB：驱动基板

[0054] T1：第一晶体管

[0055] T1a、T2a：第一端

[0056] T1b、T2b：第二端

[0057] T1c、T2c：控制端

[0058] T2：第二晶体管

[0059] VDD：电源线

[0060] VSS：共用线

[0061] Ι-Ι’、П-П’、Ш-Ш’：剖线

[0062] α：夹角

具体实施方式

[0063] 下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

[0064] 现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

[0065] 应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理和/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。

[0066] 本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

[0067] 除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

[0068] 图1A至图1D为本发明第一实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。

[0069] 图2A至图2D为本发明第一实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。图2A至图2D分别对应图1A至图1D的剖线Ι-Ι’、剖线П-П’及剖线Ш-Ш’。

[0070] 以下配合图1A至图1D及图2A至图2D说明本发明第一实施例的显示装置10、10’(标示于图1B及图1D)的制造流程及其构造。

[0071] 请参照图1A及图2A，首先，提供驱动基板SUB。驱动基板SUB也可称背板(backplane)。在本实施例中，驱动基板SUB可包括基底110及设置于基底110上的驱动线路层120。驱动线路层120具有多个驱动结构DS。

[0072] 举例而言，在本实施例中，一驱动结构DS可包括一第一晶体管T1、一第二晶体管T2、一电容C、一数据线DL、一扫描线GL、一电源线VDD、一共用线VSS、一第一接垫121、一第二接垫122、一第三接垫123及一第四接垫124。

[0073] 第一晶体管T1具有第一端T1a、第二端T1b及控制端T1c。第二晶体管T2具有第一端T2a、第二端T2b及控制端T2c。第一晶体管T1的第一端T1a电性连接至数据线DL。第一晶体管T1的控制端T1c电性连接至扫描线GL。第一晶体管T1的第二端T1b电性连接至第二晶体管T2的控制端T2c。第二晶体管T2的第一端T2a电性连接至电源线VDD。电容C电性连接至第二晶体管T2的第一端T2a及第二晶体管T2的控制端T2c。

[0074] 第一接垫121与第三接垫123具有相同的第一电位。第二接垫122与第四接垫124具有相同的第二电位。第一电位与第二电位可具有一电位差，所述电位差用以驱动发光二极管元件130(标示于图1D)，以使发光二极管元件130具有对应的亮度，进而显示画面。

[0075] 举例而言，在本实施例中，第一接垫121及第三接垫123可皆电性连接至第二晶体管T2的第二端T2b，且第二接垫122及第四接垫124可皆电性连接至共用线VSS，但本发明不以此为限。

[0076] 具有第一电位的第一接垫121与具有第二电位的第二接垫122及具有第二电位的第四接垫124于结构上分离，且具有第一电位的第三接垫123与具有第二电位的第二接垫122及具有第二电位的第四接垫124于结构上分离。

[0077] 举例而言，在本实施例中，第一接垫121、第二接垫122、第三接垫123及第四接垫124可选择性地在结构上互相分离，但本发明不以此为限。

[0078] 一驱动结构DS的一第一接垫121及一第二接垫122可视为用以与一发光二极管元件130(标示于图1D)电性连接的一第一接垫组。一驱动元件DS的一第三接垫123及一第四接垫124可视为用以与另一发光二极管元件130电性连接的一第二接垫组。

[0079] 第一接垫组的第一接垫121及第二接垫122在第一方向d1上排列。第二接垫组的第三接垫123及第四接垫124在第二方向d2上排列，且第一方向d1与第二方向d2交叉。也就是说，第一方向d1与第二方向d2具有夹角α，而0o<α<180o。举例而言，在本实施例中，第一方向d1与第二方向d2的夹角α可以是90o，但本发明不以此为限。

[0080] 请参照图1B及图2B，接着，利用一提取元件(未示出)转置多个发光二极管元件130至驱动基板SUB，且令多个发光二极管元件130电性连接至多个驱动结构DS的多个第一接垫121及多个第二接垫122。

[0081] 图1B及图2B示出了一个发光二极管元件130转置于一个驱动结构DS的一第一接垫121及一第二接垫122为示例，本领域具有通常知识者根据图1B及图2B应能了解多个发光二极管元件130如何转置于多个驱动结构DS的多个第一接垫121及多个第二接垫122，于此便不再重复示出。

[0082] 请参照图2B，发光二极管元件130包括第一型半导体层131、第二型半导体层132、主动层133、第一电极134及第二电极135。主动层133设置于第一型半导体层131与第二型半导体层132之间。第一电极134电性连接至第一型半导体层131。第二电极135电性连接至第二型半导体层132。

[0083] 在本实施例中，发光二极管元件130转置到驱动基板SUB时，发光二极管元件130可同时与驱动结构DS电性连接。具体而言，在本实施例中，发光二极管元件130-1被转置时，发光二极管元件130-1的第一电极134及第二电极135可选择性地面向驱动基板SUB，且发光二极管元件130-1的第一电极134及第二电极135上可分别设有导电物136、137(例如但不限于：锡球、银胶、异方性导电胶…等)。当提取元件上的发光二极管元件130-1靠近驱动基板SUB时，发光二极管元件130-1的第一电极134及第二电极135上的导电物136、137可分别与驱动基板SUB的第一接垫121及第二接垫122连接，而使发光二极管元件130-1的第一电极134及第二电极135分别电性连接至驱动基板SUB的第一接垫121及第二接垫122。

[0084] 发光二极管元件130-1利用上述倒装芯片(flip chip)方式形成在驱动基板SUB上后，发光二极管元件130-1的第一电极134设置于发光二极管元件130-1的第一半导体层131与第一接垫121之间，且发光二极管元件130-1的第二电极135设置于发光二极管元件130-1的第二半导体层132与第二接垫122之间。

[0085] 请参照图1B，值得注意的是，在多个发光二极管元件130-1电性连接至多个驱动结构DS的多个第一接垫121及多个第二接垫122后，与一驱动结构DS的一第一接垫121及一第二接垫122电性连接的一发光二极管元件130-1跨越一第三接垫123及一第四接垫124的连线L。于此，便初步完成显示装置10。

[0086] 接着，检查显示装置10。经检查，若发现至少一驱动结构DS2上未设置发光二极管元件130，则可进行后续图1C、图1D、图2C及图2D所示的修补动作；或者，发现至少一驱动结构DS2上的至少一发光二极管元件130异常，则可在移除异常的发光二极管元件130后，进行后续图1C、图1D、图2C及图2D所示的修补动作；以下配合图1C、图1D、图2C及图2D说明之。

[0087] 请参照图1C、图1D、图2C及图2D，在多个发光二极管元件130-1已转置于驱动基板SUB后，令提取元件(未示出)提取多个发光二极管元件130-2并旋转一角度。然后，令提取元件向驱动基板SUB移动，以使发光二极管元件130-2转置于驱动结构DS2上，其中发光二极管元件130-2电性连接至驱动结构DS2的第三接垫123及第四接垫124。

[0088] 在本实施例中，发光二极管元件130-2转置到驱动基板SUB时，发光二极管元件130-2可同时与驱动结构DS电性连接。具体而言，在本实施例中，发光二极管元件130-2被转置时，发光二极管元件130-2的第一电极134及第二电极135可选择性地面向驱动基板SUB，且发光二极管元件130-2的第一电极134及第二电极135上可分别设有导电物136、137(例如但不限于：锡球、银胶、异方性导电胶…等)。当提取元件上的发光二极管元件130-2靠近驱动基板SUB时，发光二极管元件130-2之第一电极134及第二电极135上的导电物136、137可分别与驱动基板SUB的第三接垫123及第四接垫124连接，而使发光二极管元件130-2的第一电极134及第二电极135分别电性连接至驱动基板SUB的第三接垫123及第四接垫124。

[0089] 发光二极管元件130-2利用上述倒装芯片(flip chip)方式形成在驱动基板SUB上后，发光二极管元件130-2的第一电极134设置于发光二极管元件130-2的第一半导体层131与第三接垫123之间，且发光二极管元件130-2的第二电极135设置于发光二极管元件130-2的第二半导体层132与第四接垫124之间。于此，便完成修补后的显示装置10’。

[0090] 请参照图1C及图2C，值得注意的是，在一发光二极管元件130-2转置于一驱动结构DS2的过程中，提取元件上的另一发光二极管元件130-2(例如图1C的左侧的发光二极管元件130-2)会被已设置于驱动基板SUB上的一发光二极管元件130-1阻挡。请参照图1C、图1D、图2C及图2D，当未被发光二极管元件130-1阻挡的发光二极管元件130-2(例如图1C的右侧的发光二极管元件130-2)已转置于驱动结构DS2上且提取元件离开驱动基板SUB时，先前被发光二极管元件130-1阻挡的发光二极管元件130-2会被提取元件带走而能再度被使用(例如：于下一次的修补动作中，设置于另一个驱动结构DS2上)。

[0091] 藉此，无须在制造显示装置10之初，便于一个驱动结构DS上设置多个发光二极管元件130，而能减少发光二极管元件130的使用数量，降低显示装置10的制造成本。并且，通过上述修补方法能快速修补显示装置10。此外，于修补过程中，被已形成在驱动基板SUB上的发光二极管元件130-1阻挡的发光二极管元件130-2能回收再利用，因而能降低修补成本。

[0092] 虽然，上述修补方法须搭配具有第一接垫121、第二接垫122、第三接垫123及第四接垫124的驱动结构DS方能使用，但由于第一接垫121与第二接垫122在第一方向d1上排列，第三接垫123及第四接垫124在第二方向d2上排列，且第一方向d1与第二方向d2交叉(亦即，第一接垫121、第二接垫122、第三接垫123及第四接垫124紧密排列)，因此，第一接垫121、第二接垫122、第三接垫123及第四接垫124的设置并不会过度影响显示装置10、10’的解析度，且因第一接垫121、第二接垫122、第三接垫123及第四接垫124紧密排列的缘故，相较一般配置备用驱动方法的结构，本发明的一实施例更可稍微节省空间。

[0093] 下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

[0094] 图3A至图3E为本发明第二实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。

[0095] 图4A至图4E为本发明第二实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。图4A至图4E分别对应图3A至图3E的剖线Ι-Ι’、剖线П-П’及剖线Ш-Ш’。图3A至图3E省略图4A至图
4E的固定层140。

[0096] 第二实施例的显示装置10A、10A’及其制造方法与第一实施例的显示装置10、10’及其制造方法类似，两者的差异在于：在第二实施例中，发光二极管元件130为横向式(lateral)，而横向式发光二极管元件130电性连接至驱动基板SUB的方式与前述实施例略有不同，以下配合图3A至图3E及图4A至图4E说明之。

[0097] 请参照图3A及图4A，首先，提供驱动基板SUB。驱动基板SUB具有多个驱动结构DS。与第一实施例不同的是，驱动基板SUB的多个驱动结构DS上还设有固定层140。

[0098] 请参照图3B及图4B，接着，利用一提取元件(未示出)转置多个发光二极管元件130至驱动基板SUB，且令多个发光二极管元件130电性连接至多个驱动结构DS的多个第一接垫121及多个第二接垫122。

[0099] 具体而言，在本实施例中，转置发光二极管元件130时，发光二极管元件130的第一电极134及第二电极135可选择性地背向驱动基板SUB，而发光二极管元件130的第二半导体层132可固定于固定层140上；然后，于发光二极管元件130的第一电极134及发光二极管元件130的第二电极135上分别形成第一连接元件151及第二连接元件152，其中发光二极管元件130-1的第一电极134通过第一连接元件151电性连接至驱动结构DS的第一接垫121，且发光二极管元件130-1的第二电极135通过第二连接元件152电性连接至驱动结构DS的第二接垫122。

[0100] 在多个发光二极管元件130电性连接至驱动基板SUB的多个第一接垫121及多个第二接垫122后，与一驱动结构DS1的一第一接垫121及一第二接垫122电性连接的一发光二极管元件130-1跨越驱动结构DS1的一第三接垫123及一第四接垫124的连线L。于此，便初步完成显示装置10A。

[0101] 接着，检查显示装置10A。经检查，若至少一驱动结构DS2上未设置发光二极管元件130，则可进行后续图3C至图3E、图4C至图4E所示的修补动作；或者，若发现至少一驱动结构DS2上的至少一发光二极管元件130异常，则可在移除异常的发光二极管元件130后，进行后续图3C至图3E、图4C至图4E所示的修补动作；以下配合图3C至图3E、图4C至图4E说明之。

[0102] 请参照图3C、图3D、图4C及图4D，在多个发光二极管元件130-1已转置于驱动基板SUB后，令提取元件(未示出)提取多个发光二极管元件130-2并旋转一角度。然后，令提取元件向驱动基板SUB移动，以使发光二极管元件130-2转置于驱动结构DS2上。

[0103] 请参照图3C及图4C，类似地，在一发光二极管元件130-2转置于驱动结构DS2的过程中，提取元件上的另一发光二极管元件130-2会被已设置于驱动基板SUB上的一发光二极管元件130-1阻挡。请参照图3C、图3D、图4C及图4D，当未被发光二极管元件130-1阻挡的发光二极管元件130-2已转置于驱动结构DS2上而提取元件离开驱动基板SUB时，先前被发光二极管元件130-1阻挡的发光二极管元件130-2会被提取元件带走而能再度被使用(例如：于下一次的修补动作中，设置于另一个驱动结构DS2上)。

[0104] 请参照图3E及图4E，接着，在发光二极管元件130-2的第一电极134及发光二极管元件130-2的第二电极135上分别形成第一连接元件151及第二连接元件152，其中发光二极管元件130-2的第一电极134通过第一连接元件151电性连接至驱动结构DS2的第三接垫123，且发光二极管元件130-2的第二电极135通过第二连接元件152电性连接至驱动结构DS2的第四接垫124。于此，便完成修补后的显示装置10A’。

[0105] 本实施例的显示装置10A’与前述的显示装置10’类似，两者的差异在于：在本实施例中，发光二极管元件130-1的第一半导体层131设置于发光二极管元件130-1的第一电极134与第一接垫121之间，且发光二极管元件130-1的第二半导体层132设置于发光二极管元件130-1的第二电极135与第二接垫122之间；发光二极管元件130-2的第一半导体层131设置于发光二极管元件130-2的第一电极134与第三接垫123之间，发光二极管元件130-2的第二半导体层132设置于发光二极管元件130-2的第二电极135与第四接垫124之间。

[0106] 图5A至图5E为本发明第三实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。

[0107] 图6A至图6E为本发明第三实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。图6A至图6E对应图5A至图5E的剖线Ι-Ι’、剖线П-П’及剖线Ш-Ш’。

[0108] 第三实施例的显示装置10B、10B’及其制造方法与第一实施例的显示装置10、10’及其制造方法类似，两者的差异在于：在第二实施例中，发光二极管元件130为垂直式(vertical)，而垂直式发光二极管元件130电性连接至驱动基板SUB的方式与前述实施例略有不同，以下配合图5A至图5E及图6A至图6E说明之。

[0109] 请参照图5A及图6A，首先，提供驱动基板SUB。驱动基板SUB具有多个驱动结构DS。

[0110] 请参照图5B及图6B，接着，利用一提取元件(未示出)转置多个发光二极管元件130至驱动基板SUB，且令多个发光二极管元件130电性连接至多个驱动结构DS的多个第一接垫121及多个第二接垫122。

[0111] 具体而言，在本实施例中，于转置发光二极管元件130时，发光二极管元件130的一电极(例如但不限于：第二电极135)上可设有导电物138(例如但不限于：锡球、银胶、异方性导电胶…等)。提取元件上的发光二极管元件130-1靠近驱动基板SUB时，发光二极管元件130-1的一电极(例如但不限于：第二电极135)上的导电物138可与驱动基板SUB之第一接垫组的一接垫(例如但不限于：第二接垫122)连接，而使发光二极管元件130-1电性连接至驱动基板SUB。

[0112] 接着，在发光二极管元件130的另一电极(例如但不限于：第一电极134)上形成连接元件153，其中发光二极管元件130的另一电极(例如但不限于：第一电极134)通过连接元件153电性连接至驱动基板SUB的第一接垫组的另一接垫(例如但不限于：第一接垫121)。于此，便初步完成显示装置10B。

[0113] 接着，检查显示装置10B。经检查，若发现至少一驱动结构DS2上未设置发光二极管元件130，则可进行后续图5C至图5E、图6C至图6E所示的修补动作；或者，若发现至少一驱动结构DS2上的至少一发光二极管元件130异常，则可在移除异常的发光二极管元件130后，进行后续图5C至图5E、图6C至图6E所示的修补动作；以下配合图5C至图5E、图6C至图6E说明之。

[0114] 请参照图5C、图5D、图6C及图6D，在多个发光二极管元件130-1已转置于驱动基板SUB后，令提取元件(未示出)提取多个发光二极管元件130-2并旋转一角度。然后，令提取元件向驱动基板SUB移动，以使发光二极管元件130-2转置于驱动结构DS2上。

[0115] 在本实施例中，转置多个发光二极管元件130-2时，至少一发光二极管元件130-2可与驱动结构DS2电性连接。

[0116] 具体而言，在本实施例中，于转置发光二极管元件130-2时，发光二极管元件130-2的一电极(例如但不限于：第二电极135)上可设有导电物138(例如但不限于：锡球、银胶、异方性导电胶…等)。提取元件上的发光二极管元件130-2靠近驱动基板SUB时，发光二极管元件130-2之一电极(例如但不限于：第二电极135)上的导电物138可与驱动基板SUB之第二接垫组的一接垫(例如但不限于：第四接垫124)连接，而使发光二极管元件130-2电性连接至驱动基板SUB。

[0117] 请参照图5C及图6C，类似地，在一发光二极管元件130-2转置于驱动结构DS2的过程中，提取元件上的另一发光二极管元件130-2会被已设置于驱动基板SUB上的一发光二极管元件130-1阻挡。请参照图5C、图5D、图6C及图6D，当未被发光二极管元件130-1阻挡的发光二极管元件130-2已转置于驱动结构DS2上而提取元件离开驱动基板SUB时，先前被发光二极管元件130-1阻挡的发光二极管元件130-2会被提取元件带走而能再度被使用(例如：于下一次的修补动作中，设置于另一个驱动结构DS2上)。

[0118] 请参照图5E及图6E，接着，在发光二极管元件130-2的另一电极(例如但不限于：第一电极134)上形成连接元件153，其中发光二极管元件130-2的另一电极(例如但不限于：第一电极134)通过连接元件153电性连接至驱动结构DS2的第二接垫组的另一接垫(例如但不限于：第三接垫123)。于此，便完成修补后的显示装置10B’。

[0119] 本实施例的显示装置10B’与前述的显示装置10’类似，两者的差异在于：在本实施例中，发光二极管元件130-1的第一半导体层131设置于发光二极管元件130-1的第一电极134与第一接垫121之间，且发光二极管元件130-1的第二电极135设置于发光二极管元件
130-1的第二半导体层132与第二接垫122之间；发光二极管元件130-2的第一半导体层131设置于发光二极管元件130-2的第一电极134与第三接垫123之间，且发光二极管元件130-2的第二电极135设置于发光二极管元件130-2的第二半导体层132与第四接垫124之间。

[0120] 图7A至图7D为本发明第四实施例的显示装置的制造流程的上视示意图。图8A至图8D为本发明第四实施例的显示装置的制造流程的剖面示意图。图8A至图8D分别对应图7A至图7D的剖线Ι-Ι’、剖线П-П’及剖线Ш-Ш’。

[0121] 第四实施例之显示装置10C、10C’及其制造方法与第一实施例的显示装置10、10’及其制造方法类似，两者的差异在于：在本实施例中，具有相同的第一电位的第一接垫121及第三接垫123相连接，和/或具有相同的第二电位第二接垫122及第四接垫124相连接。也就是说，在本实施例中，第一接垫121及第三接垫123可为同一第一导电图案的两部分，和/或第二接垫122及第四接垫124可为同一第二导电图案的两部分。

[0122] 第四实施例的显示装置10C、10C’的制造方法与第一实施例的显示装置10、10’的制造方法类似，本领域具有通常知识者根据前述说明、图7A至图7D及图8A至图8D应能实现显示装置10C、10C’，于此便不再重述。

[0123] 当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。