显示面板及制备方法

摘要

本发明提供一种显示面板及制备方法，该显示面板包括依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层以及阴极层，其中，第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，第二电子传输层中Liq材料的含量小于ETM材料的含量。当显示面板运行过程中，通过第一电子传输层和第二电子传输层的设置，降低电子传输速率与空穴传输速率的差值，从而可以提高发光层中空穴与电子的复合平衡，降低了显示面板的驱动电压，延长了显示面板的使用寿命。

权利要求

1.一种显示面板，包括依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，其特征在于，所述电子传输层包括与所述发光层接触的第一电子传输层，以及与所述阴极层接触的第二电子传输层，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层均包括Liq材料和ETM材料，且所述第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，所述第二电子传输层中Liq材料的含量小于所述ETM材料的含量，其中，所述ETM材料的导电性大于Liq材料的导电性，所述Liq材料为八羟基喹啉锂。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述ETM材料为氧杂噁唑，噻唑，三氮唑类化合物三‑二氮嗪化合物，三氮杂苯化合物，喹喔啉化合物，二蒽化合物，含硅杂环化合物，喹啉类化合物，菲咯啉化合物，金属螯合物，氟取代的苯化合物中的任意一种。

3.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

依次堆叠形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层；

在所述发光层上形成第一电子传输层，所述第一电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且所述第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，其中，所述ETM材料的导电性大于Liq材料的导电性，所述Liq材料为八羟基喹啉锂；

在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层，所述第二电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且所述第二电子传输层中Liq材料的含量小于ETM材料的含量；

在所述第二电子传输层上形成阴极层。

4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述发光层上形成第一电子传输层的步骤包括：提供一蒸镀设备，所述蒸镀设备包括第一蒸发源和第三蒸发源，以及位于第一蒸发源和第三蒸发源之间的第二蒸发源，所述第一蒸发源和第三蒸发源中放置Liq蒸发材料，所述第二蒸发源中放置ETM蒸发材料；

将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述发光层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离，所述第三蒸发源到所述发光层的蒸发距离大于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离；

从初始位置向终点位置移动所述蒸镀设备，并向所述发光层蒸镀；

其中，所述初始位置是指所述第一蒸发源的蒸镀区最右侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置；所述终点位置是指所述第三蒸发源蒸镀区最左侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置。

5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层的步骤包括：在第一蒸发源和第三蒸发源中放置ETM蒸发材料，第二蒸发源中放置Liq蒸发材料；

将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离，所述第三蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离大于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离；

从初始位置向终点位置移动所述蒸镀设备，并向所述第一电子传输层蒸镀。

6.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述发光层上形成第一电子传输层的步骤包括：提供一蒸镀设备，所述蒸镀设备包括第一蒸发源和第二蒸发源，所述第一蒸发源中放置有Liq蒸发材料，所述第二蒸发源中放置ETM蒸发材料；

将所述蒸镀设备移动到初始位置，此时，所述第一蒸发源到所述发光层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离；

将所述蒸镀设备从初始位置移动终点位置、再从终点位置移动至初始位置、最后从初始位置移动至终点位置，以完成向所述发光层上蒸镀所述第一电子传输层的过程；

其中，所述初始位置是指所述第一蒸发源的蒸镀区最右侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置；所述终点位置是指所述第三蒸发源蒸镀区最左侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层的步骤包括：在第一蒸发源中放置ETM蒸发材料，第二蒸发源中放置Liq蒸发材料；

将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离；

将所述蒸镀设备从初始位置移动终点位置、再从终点位置移动至初始位置、最后从初始位置移动至终点位置，以完成向所述第一电子传输层上蒸镀第二电子传输层的过程。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述ETM材料为氧杂噁唑，噻唑，三氮唑类化合物三‑二氮嗪化合物，三氮杂苯化合物，喹喔啉化合物，二蒽化合物，含硅杂环化合物，喹啉类化合物，菲咯啉化合物，金属螯合物，氟取代的苯化合物中的任意一种。

说明书

显示面板及制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及制备方法。

背景技术

[0002] 显示面板通常包括阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极，阴极用于产生电子，阳极用于产生空穴，电子和空穴会在发光层进行结合形成
激子，通过激子来激发发光层中有机分子，进而产生光源。

[0003] 由于空穴传输层的空穴传输速率大于电子传输层的电子传输速率，使得传输至发光层中空穴的数量大于电子的数量，这些多余的空穴在发光层中发生堆积，致使发光层中
有机分子裂解，增加显示面板的驱动电压，降低显示面板的寿命。为了平衡发光层中的电
荷，通常在空穴注入层与空穴注入层之间设置中间层，通过中间层来降低传递至发光层中
空穴的数量。

[0004] 但是，中间层与空穴注入层和空穴传输层的匹配度较差，致使中间层与空穴注入层之间、中间层与空穴传输层之间的存在较大势垒，仍然会增加显示面板的驱动电压，降低
显示面板的寿命。

发明内容

[0005] 本发明实施例提供一种显示面板及制备方法，以解决现有技术中显示面板中驱动电压较高，致使发光层中有机分子裂解，显示面板使用寿命低的问题。

[0006] 为了实现上述的目的，本发明实施例采用如下技术方案：

[0007] 本发明实施例一方面提供一种显示面板，包括依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，其中，所述电子传输层包括
与所述发光层接触的第一电子传输层，以及与所述阴极层接触的第二电子传输层，所述第
一电子传输层和所述第二电子传输层均包括Liq材料和ETM材料，且所述第一电子传输层中
Liq材料的含量大于ETM材料的含量，所述第二电子传输层中Liq材料的含量小于所述ETM材
料的含量。

[0008] 如上所述的显示面板，其中，所述ETM材料为氧杂噁唑，噻唑，三氮唑类化合物三‑二氮嗪化合物，三氮杂苯化合物，喹喔啉化合物，二蒽化合物，含硅杂环化合物，喹啉类化合
物，菲咯啉化合物，金属螯合物，氟取代的苯化合物中的任意一种。

[0009] 如上所述的显示面板，其中，所述Liq材料为八羟基喹啉锂。

[0010] 另一方面，本发明提供了一种显示面板的制备方法，包括依次堆叠形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层。

[0011] 在所述发光层上形成第一电子传输层，所述第一电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且所述第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量。

[0012] 在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层，所述第二电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且所述第二电子传输层中Liq材料的含量小于ETM材料的含量；在所述第二电
子传输层上形成阴极层。

[0013] 如上所述的显示面板的制备方法，其中，在所述发光层上形成第一电子传输层的步骤包括：提供一蒸镀设备，所述蒸镀设备包括第一蒸发源和第三蒸发源，以及位于第一蒸
发源和第三蒸发源之间的第二蒸发源，所述第一蒸发源和第三蒸发源中放置Liq蒸发材料，
所述第二蒸发源中放置ETM蒸发材料。

[0014] 将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述发光层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离，所述第三蒸发源到所述发光层的蒸发距离大于
所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离。

[0015] 从初始位置向终点位置移动所述蒸镀设备，并向所述发光层蒸镀。

[0016] 如上所述的显示面板的制备方法，其中，在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层的步骤包括：在第一蒸发源和第三蒸发源中放置ETM蒸发材料，第二蒸发源中放置
Liq蒸发材料。

[0017] 将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离，所述第三蒸发源到所述第一
电子传输层的蒸发距离大于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离。

[0018] 从初始位置向终点位置移动所述蒸镀设备，并向所述第一电子传输层蒸镀。

[0019] 如上所述的显示面板的制备方法，其中，在所述发光层上形成第一电子传输层的步骤包括：

[0020] 提供一蒸镀设备，所述蒸镀设备包括第一蒸发源和第二蒸发源，所述第一蒸发源中放置有Liq蒸发材料，所述第二蒸发源中放置ETM蒸发材料。

[0021] 将所述蒸镀设备移动到初始位置，此时，所述第一蒸发源到所述发光层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离。

[0022] 所述蒸镀设备从初始位置移动终点位置、再从终点位置移动至初始位置、最后从初始位置移动至终点位置，以完成向所述发光层上蒸镀所述第一电子传输层的过程。

[0023] 如上所述的显示面板的制备方法，其中，在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层的步骤包括：

[0024] 在第一蒸发源中放置ETM蒸发材料，第二蒸发源中放置Liq蒸发材料。

[0025] 将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离。

[0026] 将所述蒸镀设备从初始位置移动终点位置、再从终点位置移动至初始位置、最后从初始位置移动至终点位置，以完成向所述第一电子传输层上蒸镀第二电子传输层的过
程。

[0027] 如上所述的显示面板的制备方法，其中，所述ETM材料为氧杂噁唑，噻唑，三氮唑类化合物三‑二氮嗪化合物，三氮杂苯化合物，喹喔啉化合物，二蒽化合物，含硅杂环化合物，
喹啉类化合物，菲咯啉化合物，金属螯合物，氟取代的苯化合物中的任意一种。

[0028] 如上所述的显示面板的制备方法，其中，所述Liq材料为八羟基喹啉锂。

[0029] 本发明实施例提供了一种显示面板，电子传输层包括第一电子传输层和与第二电子传输层，且第一电子传输层、第二电子传输层中均包括Liq材料和ETM材料，其中，liq材料
的导电性低于ETM材料的导电性，在本发明实施例中，使得第二电子传输层中ETM材料的含
量大于Liq材料的含量，可以提高第二电子传输层的电子注入能力，避免传递至发光层中电
子量少，导致发光层中存在多余的电荷，造成电荷的堆积，进而致使发光层中有机分子裂
解，降低显示面板的使用寿命。

[0030] 同时，本发明实施例通过调整第一电子传输层中Liq材料和ETM材料的含量，使得第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，此时，第一电子传输层对电子的传
输起到缓冲作用，避免第一电子传输层的传输速率较快，导致发光层中存在多余的电子，造
成电子堆积，进而导致发光层中有机分子裂解，降低显示面板的使用寿命。

[0031] 除了上面所描述的本发明实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明实施例提供的显示面板及制备方
法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有
益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

附图说明

[0032] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

[0033] 图1是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；

[0034] 图2是本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；

[0035] 图3是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的初始位置示意图；

[0036] 图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的第一中间位置示意图；

[0037] 图5是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的第二中间位置示意图；

[0038] 图6是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的终点位置的示意图；

[0039] 图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的起始位置的示意图；

[0040] 图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的终点位置的示意图。

[0041] 附图标记说明：

[0042] 10：阳极层；

[0043] 20：空穴注入层；

[0044] 30：空穴传输层；

[0045] 40：发光层；

[0046] 50：电子传输层；

[0047] 501：第一电子传输层；

[0048] 502：第二电子传输层；

[0049] 60：电子注入层；

[0050] 70：阴极层；

[0051] 80：第一蒸发源；

[0052] 90：第二蒸发源；

[0053] 100：第三蒸发源。

具体实施方式

[0054] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员
在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。因此，
以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的
范围，而仅仅表示本发明的选定实施方式。

[0055] 在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

[0056] 在显示面板中，空穴传输层的空穴传输速率大于电子传输层的电子传输速率，传输至发光层中空穴的数量大于电子的数量，致使发光层存在多余的空穴，致使发光层中有
机分子裂解，增加了显示面板的驱动电压，降低了显示面板的寿命。

[0057] 为了平衡发光层中的电荷，通常会在空穴注入层与空穴注入层之间设置中间层，通过中间层来降低传递至发光层中空穴的数量。

[0058] 为了降低空穴传输能力，中间层会采用限制空穴传输速率的材料，那么中间层与空穴传输层、中间层与空穴注入层的能级就会不同，致使中间层与空穴传输层的界面处、中
间层与空穴注入层的界面处存在较大的势垒，势垒存在会导致空穴在上述两个界面处堆
积，仍然会存在显示面板驱动电压升高，降低的使用寿命。

[0059] 针对上述问题，本发明实施例提供了一种显示面板，对电子传输层进行改进，将现有技术中的一层电子传输层设计为两层传输速率不同的第一电子传输层和第二电子传输
层，利用第一电子传输层和第二电子传输层来降低电子传输速率与空穴传输速率的差值，
从而提高发光层中电子与空穴的复合平衡，同时，并不需要额外引入新的材料，不存在第一
电子传输层与第二电子传输层的匹配度差的问题，延长了显示面板的使用寿命。

[0060] 下面结合附图进行详细说明本实施例提供的显示面板及制备方法。

[0061] 请参考图1，本发明实施例提供了一种显示面板，其包括依次层叠设置的阳极层10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60以及阴极层70，
其中，电子传输层50包括与发光层40接触的第一电子传输层501，以及与阴极层70接触的第
二电子传输层502，第一电子传输层501和第二电子传输层502均包括Liq材料和ETM材料，且
第一电子传输层501中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，第二电子传输层502中Liq材料
的含量小于ETM材料的含量。

[0062] 显示面板可以从下往上依次包括阳极层10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、第一电子传输层501、第二电子传输层502、电子注入层60以及阴极层70，其中，阳极层10
用于产生空穴，空穴经由空穴注入层20、空穴传输层30进入发光层40中，阴极层70用于产生
电子，电子经由电子注入层60、第二电子传输层502、第一电子传输层501进入发光层40，电
子和空穴在发光层40中进行结合，以形成激子，激子会激发发光层中有机分子，来产生光
源。

[0063] 第一电子传输层501和第二电子传输层502的材料与现有技术电子传输层50的材料一致，均包括ETM材料和Liq材料，且，ETM材料的导电性大于Liq材料的导电性。

[0064] 第二电子传输层502中的Liq材料的含量小于ETM材料的含量，可以提高第二电子传输层502的电子注入能力，避免传递至发光层40中电子的数量较少，导致发光层40中存在
多余的电荷，造成电荷的堆积，进而致使发光层40中有机分子裂解，降低显示面板的使用寿
命。

[0065] 同时，第一电子传输层501的Liq材料和ETM材料的含量，使得第一电子传输层501中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，此时，第一电子传输层501对电子的传输起到缓冲作
用，避免第一电子传输层501的传输速率较快，导致发光层中存在多余的电子，造成电子堆
积，进而导致发光层中有机分子裂解，降低显示面板的使用寿命。

[0066] 另外，显示面板还可以包括设置在阳极层10背离发光层40的侧面上衬底，也可以包括设置阴极层70背离发光层40的侧面上的封装层。其中，衬底作为显示面板的承载部件，
用于支撑设置在其上各个层，衬底的材质可以有多种选择，比如：衬底可以为硬质衬底，如
玻璃衬底、塑料衬底，也可以为柔性衬底，如聚酰亚胺衬底。封装层用于封装显示面板的各
个层，防止水氧等进入显示面板的各个层中，保证了显示面板的可靠工作。

[0067] 当显示面板运行过程中，阴极层70产生的电子，利用第二电子传输层502，提高了电子的传输速率，同时，又利用第一电子传输层501对电子的传输起到一定缓冲作用，避免
出现电子的传输速率过快，降低电子传输速率与空穴传输速率的差值，从而可以提高发光
层中空穴与电子的复合平衡，降低了显示面板的驱动电压，延长了显示面板的使用寿命。

[0068] 另外，第一电子传输层501还可以对空穴的传输起到一定阻挡作用，避免空穴通过第一电子传输层501、第二电子传输层502进入阴极层70中，造成发光层中电子与空穴的数
量仍然不匹配。

[0069] 在一种可行的具体实施方式中，ETM材料为氧杂噁唑，噻唑，三氮唑类化合物，三‑二氮嗪化合物，三氮杂苯化合物，喹喔啉化合物，二蒽化合物，含硅杂环化合物，喹啉类化合
物，菲咯啉化合物，金属螯合物，氟取代的苯化合物中的任意一种。

[0070] 电子传输层材料（Electron Tranaport Materials，简称为ETM）的作用是使阴极注入的电子能够透过电子传输层传输至发光层中，因此，需要要求ETM具有较高的电子传输
能力、成膜性和稳定性。

[0071] Liq材料为八羟基喹啉锂，是一种较为理想的有机电致发光器件的材料，将Liq材料掺杂剂掺入电子传输材料中，可以明显改善电子传输层的传输能力。

[0072] 请参考图2，本发明实施例还提供了一种显示面板及制备方法，可以通过蒸镀的方式依次在衬底上堆叠形成阳极层10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40；记为步骤
S101

[0073] 在发光层40上形成第一电子传输层501，记为步骤S102，其中，第一电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量。

[0074] 在第一电子传输层501上形成第二电子传输层502，记为步骤S103，其中，第二电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且第二电子传输层中Liq材料的含量小于ETM材料的含量。

[0075] 在第二电子传输层502上形成阴极层70，记为步骤S104，可以理解的，为了保证电子的注入能力，可以在第二电子传输层502与阴极层70之间设置电子注入层60。

[0076] 但是显示面板的制备方法，也不仅限于上述的方式，可以在蒸镀设备中单独制备各个层，然后采用粘结的方式进行组合，以形成整体的显示面板。

[0077] 作为一种可实施的方式，S102还可以根据如下的方式实现：

[0078] 提供一蒸镀设备，蒸镀设备可以为现有技术中常用的设备，并将S101步骤中蒸镀完的产品放置到蒸镀设备中，并使其位于蒸发源的上方。

[0079] 其中，蒸镀设备包括第一蒸发源80和第三蒸发源100，以及位于第一蒸发源80和第三蒸发源100之间的第二蒸发源90，第一蒸发源80和第三蒸发源100中放置Liq蒸发材料，第
二蒸发源90中放置ETM蒸发材料。在本实施例中，第一蒸发源80、第二蒸发源90、第三蒸发源
100沿着X轴的负向间隔分布，即，第一蒸发源位于最右侧、第三蒸发源100位于最左侧。并将
发光层的最左端记为A点、最右端记为C点、中心位置处记为B点。

[0080] 图3‑图8中的箭头方向是指蒸镀设备的移动方向。

[0081] 将蒸镀设备移动到初始位置，如图3所示，初始位置是指第一蒸发源80的蒸镀区最右侧的边缘接触到A点的位置。此时，第一蒸发源80到发光层40的蒸发距离小于第二蒸发源
90到发光层40的蒸发距离，第三蒸发源100到发光层40的蒸发距离大于第二蒸发源90到发
光层40的蒸发距离。其中，蒸发距离是指蒸发源的中心到发光层40之间的距离，即图3中所
示的距离H。第一蒸发源的蒸镀区，如图3、图4中所示的L区域。其中，第一中间位置和第二中
间位置可以理解为蒸镀设备从A点移向C点过程中，所处的状态。

[0082] 从初始位置向终点位置移动蒸镀设备，并向发光层40蒸镀，终点位置是指第三蒸发源100蒸镀区最左侧的边缘接触到C点的位置，如图6所示。

[0083] 以发光层40上A点为例，详细阐述A点的ETM蒸发材料、Liq蒸发材料的含量变化：

[0084] 当蒸镀设备在初始位置时，第一蒸发源80和第二蒸发源90的蒸发区域的最右侧的边缘优先接触到A点，此时，第一蒸发源的中心至A点蒸发距离小于第二蒸发源的中心至A点
的蒸发距离，那么在A点处Liq材料含量大于ETM材料的含量。

[0085] 继续移动蒸镀设备，直至第一蒸镀源80的法线正好接触到A点时，如图4所示，此时第一蒸发源80蒸镀到A点处Liq材料含量达到最大。

[0086] 继续移动蒸镀设备，此时第一蒸发源80的中心至A点蒸发距离会越来越大，而第二蒸发源90的中心至A点的蒸发距离会越来越小，此时，A点处Liq材料含量逐渐减小，A点处
ETM材料的含量逐渐增大，直至第三蒸发源蒸发区域最右侧的边缘接触到A点。

[0087] 继续移动蒸镀设备，此时，第三蒸发源100会向发光层40上蒸镀Liq材料，A点处的Liq材料的含量会逐渐增大，ETM材料的含量减小，如图5所示。

[0088] 继续移动蒸镀设备，直至第三蒸发源100的蒸镀区的最左侧的边缘接触到C，如图6所示，完成第一电子传输层的蒸镀工艺。

[0089] 在蒸镀设备的移动过程中，A点处相当于多蒸镀了一次Liq材料，Liq材料的含量大于ETM材料的含量，同理，发光层40上A‑C区域上，任一点的含量的变化均与上述的描述相
同，因此，采用步骤S102的蒸镀方式，得到的第一电子传输层501中Liq材料的含量大于ETM
材料的含量。此时，第一电子传输层501对电子的传输起到缓冲作用，避免第一电子传输层
501的传输速率较快，导致发光层中存在多余的电子，造成电子堆积，进而导致发光层中有
机分子裂解，降低显示面板的使用寿命

[0090] 作为一种可实施的方式，S103还可以根据如下的方式实现：

[0091] 在第一蒸发源80和第三蒸发源100中放置ETM蒸发材料，第二蒸发源90中放置Liq蒸发材料；将蒸镀设备移动到初始位置，第一蒸发源80到第一电子传输层501的蒸发距离小
于第二蒸发源90到第一电子传输层501的蒸发距离，第三蒸发源100到第一电子传输层501
的蒸发距离大于第二蒸发源90到第一电子传输层501的蒸发距离；从初始位置向终点位置
移动蒸镀设备，并向第一电子传输层501蒸镀。

[0092] 在此蒸镀过程中，Liq材料的含量和ETM材料的含量的变化和上述实施例中的相同，只不过是，在是S103步骤中形成第二电子传输层中Liq材料的含量小于ETM材料的含量。
本实施例在此不再多加赘述。

[0093] 作为一种可行的具体实施方式，S102步骤中包括：

[0094] 提供一蒸镀设备，蒸镀设备包括第一蒸发源80和第二蒸发源90，第一蒸发源80中放置有Liq蒸发材料，第二蒸发源90中放置ETM蒸发材料；其中，第一蒸发源80位于第二蒸发
源90的右侧；将蒸镀设备移动到初始位置，此时，第一蒸发源80到发光层40的蒸发距离小于
第二蒸发源90到发光层40的蒸发距离。

[0095] 将蒸镀设备从初始位置移动终点位置、再从终点位置移动至初始位置、最后从初始位置移动至终点位置，以完成向发光层40上蒸镀第一电子传输层501的工艺。

[0096] 在本实施例中，将发光层40的最左端记为A点、最右端记为B点、中心位置处记为C点。以第一电子传输层上A点为例，详细阐述此处的Liq蒸发材料、ETM蒸发材料的含量变化：

[0097] 参考图7，蒸镀设备从初始位置移动至终点位置时，Liq蒸发材料会优先接触到A点，且A点距第一蒸发源80中心的距离小于A点到第二蒸发源90中心的距离，此时，A点处Liq
的浓度大于ETM浓度。

[0098] 参考图8蒸镀设备从终点位置移动至初始位置时，ETM蒸发材料会优先接触到A点，且A点距第一蒸发源80中心的距离大于A点到第二蒸发源90中心的距离，此时A点处Liq的浓
度小于ETM浓度。

[0099] 最后，当蒸镀设备从初始位置移动至终点位置时，Liq蒸发材料会优先接触到A点，且A点距第一蒸发源80中心的距离小于A点到第二蒸发源90中心的距离，此时，A点处Liq的
浓度大于ETM浓度。因此，当蒸镀设备完成上述三次移动后，形成的第一电子传输层中Liq浓
度大于ETM浓度。

[0100] 为一种可行的具体实施方式，S102步骤中还可以包括：在第一蒸发源80中放置ETM蒸发材料，第二蒸发源90中放置Liq蒸发材料。

[0101] 将蒸镀设备移动到初始位置，第一蒸发源80到第一电子传输层501的蒸发距离小于第二蒸发源90到第一电子传输层501的蒸发距离；蒸镀设备从初始位置移动终点位置、再
从终点位置移动至初始位置、最后从初始位置移动至终点位置，以完成向第一电子传输层
501上蒸镀第二电子传输层502工艺。

[0102] 由于在此蒸镀工艺中，第一蒸发源80到第一电子传输层501的蒸发距离小于第二蒸发源90到第一电子传输层501的蒸发距离，ETM蒸发材料会优先接触到第一电子传输层
501，最终形成的第二电子传输层中ETM材料的含量大于Liq材料的含量，其原理如上，本实
施例在此不再赘述。

[0103] 其中，ETM材料可以为氧杂噁唑，噻唑，三氮唑类化合物三‑二氮嗪化合物，三氮杂苯化合物，喹喔啉化合物，二蒽化合物，含硅杂环化合物，喹啉类化合物，菲咯啉化合物，金
属螯合物，氟取代的苯化合物中的任意一种。Liq材料为八羟基喹啉锂。

[0104] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必
须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0105] 在以上描述中，参考术语"一个实施例"、"一些实施例"、"示例"、"具体示例"、或"一些示例"等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于
本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对
的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多
个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可
以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

[0106] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术
方案的范围。