薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法转让专利

申请号 : CN201910480282.2

文献号 : CN111057997B

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发明人 : 金永周

申请人 : 皮姆思株式会社

摘要 :

本发明涉及薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法。薄膜工序用开放掩膜片包括形成于具有规定厚度的金属片上的至少一个开口部,开口部包括:盆地形凹陷,从金属片的上部面朝向下部侧蚀刻而成,具有第一宽度和第一深度;上部槽,从盆地形凹陷的表面朝向下部侧蚀刻而成,具有小于第一宽度的第二宽度和第二深度;以及下部槽,从金属片的下部面朝向上部侧蚀刻而成,与上部槽相连通,具有第三宽度和第三深度,其中,首先,通过蚀刻来形成盆地形凹陷,之后,上部槽及下部槽同时蚀刻而成,来形成盆地形凹陷的表面与金属片的下部面之间的贯通孔。本发明可使在薄膜层边缘中的不合格及阴影现象最小化。