一种背板的制作方法

摘要

本发明提供一种背板的制作方法，该方法包括：在衬底基板上制作第二金属层；对所述第二金属层进行图案化处理，形成阳极以及阴极；在所述第二金属层上形成第一钝化层，对所述第一钝化层进行图案化处理，以形成开口区域，所述开口区域用于将所述阳极和所述阴极裸露在外；在所述第一钝化层以及所述阳极和所述阴极上制作第二钝化层；在所述第二钝化层上制作遮光层，对所述遮光层进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层去除；将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除。本发明的背板的制作方法，能够提高发光器件的焊接效果和背板良率。

权利要求

1.一种背板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上制作第二金属层；

对所述第二金属层进行图案化处理，形成阳极以及阴极；

在所述第二金属层上形成第一钝化层，对所述第一钝化层进行图案化处理，以形成开口区域，所述开口区域用于将所述阳极和所述阴极裸露在外；

在所述开口区域以外的所述第一钝化层上制作透明导电层；

在所述第一钝化层以及所述阳极和所述阴极上制作第二钝化层；

对所述透明导电层进行退火处理；

在所述第二钝化层上制作遮光层，对所述遮光层进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层去除；

将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除。

2.根据权利要求1所述的背板的制作方法，其特征在于，所述将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除的步骤包括：通过干刻工艺将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除。

3.根据权利要求1所述的背板的制作方法，其特征在于，其中所述背板包括连接区域；

所述在所述第一钝化层上制作第二钝化层的步骤之前，所述方法还包括：在位于所述连接区域的第一钝化层上制作所述透明导电层。

4.根据权利要求3所述的背板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上制作第二金属层的步骤之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理形成栅极和连接线；所述透明导电层与所述连接线连接。

5.根据权利要求4所述的背板的制作方法，其特征在于，在衬底基板上制作第一金属层的步骤之后，以及所述在衬底基板上制作第二金属层的步骤之前，所述方法还包括：在所述第一金属层上制作半导体层。

6.根据权利要求5所述的背板的制作方法，其特征在于，所述对所述第二金属层进行图案化处理的步骤包括：对所述第二金属层进行图案化处理，还形成源极、漏极，其中所述源极和所述漏极分别与所述半导体层连接。

7.根据权利要求1所述的背板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述开口区域绑定发光器件，其中所述发光器件的第一端与所述阳极连接，所述发光器件的第二端与所述阴极连接。

8.根据权利要求7所述的背板的制作方法，其特征在于，所述发光器件为微型发光二极管。

9.根据权利要求1所述的背板的制作方法，其特征在于，所述遮光层的材料为黑色光阻。

说明书

一种背板的制作方法

【技术领域】

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种背板的制作方法。【背景技术】

[0002] 以发光器件为Mini‑LED为例，现有的背板制作中需要制作遮光层，以避免光线对器件性能的影响；遮光层通过清洗、涂胶、曝光、显影等工序制作得到，背板制作过程中，在透明导电层形成过程中会将其上方的绝缘层与绑定区域对应的位置处进行开孔，以裸露出
底部的金属层，从而便于Mini‑LED焊接，在实际制作遮光层过程中，由于金属层(Al、Cu等)裸露在外，导致显影液会腐蚀金属层，甚至部分金属会扩散至遮光层，从而形成显影阻挡
层，导致金属层上方的遮光层残留；此外遮光层的烘烤也会对裸露的金属层造成氧化影响
发光器件的焊接效果，从而降低了背板的良率。

[0003] 因此，有必要提供一种背板的制作方法，以解决现有技术所存在的问题。【发明内容】

[0004] 本发明的目的在于提供一种背板的制作方法，能够避免金属层被腐蚀以及氧化，提高了发光器件的焊接效果和背板良率。

[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供一种背板的制作方法，包括：

[0006] 在衬底基板上制作第二金属层；

[0007] 对所述第二金属层进行图案化处理，形成阳极以及阴极；

[0008] 在所述第二金属层上形成第一钝化层，对所述第一钝化层进行图案化处理，以形成开口区域，所述开口区域用于将所述阳极和所述阴极裸露在外；

[0009] 在所述第一钝化层以及所述阳极和所述阴极上制作第二钝化层；

[0010] 在所述第二钝化层上制作遮光层，对所述遮光层进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层去除；

[0011] 将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除。

[0012] 本发明的背板的制作方法，包括在衬底基板上制作第二金属层；对所述第二金属层进行图案化处理，形成阳极以及阴极；在第二金属层上形成第一钝化层，对所述第一钝化
层进行图案化处理，以形成开口区域，所述开口区域用于将所述阳极和所述阴极裸露在外；
在所述第一钝化层以及所述阳极和所述阴极上制作第二钝化层；在所述第二钝化层上制作
遮光层，对所述遮光层进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层去除；将
所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除；由于在对遮光层进行图案化处理之前，先在
阳极和阴极上形成第二钝化层，从而避免显影液腐蚀第二金属层，以及避免金属扩散至遮
光层，提高了发光器件的焊接效果和背板良率。
【附图说明】

[0013] 图1为本发明实施例一的背板的制作方法的第一步至第三步的结构示意图；

[0014] 图2为本发明实施例一的背板的制作方法的第四步和第五步的结构示意图；

[0015] 图3为本发明实施例一的背板的制作方法的第六步的结构示意图；

[0016] 图4为本发明实施例二的背板的制作方法的第一步至第八步的结构示意图；

[0017] 图5为本发明实施例二的背板的制作方法的第九步的结构示意图。【具体实施方式】

[0018] 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以
限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

[0019] 本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

[0020] 请参照图1至图3，本发明实施例一提供的背板的制作方法，包括：

[0021] S101、在衬底基板上制作第二金属层；

[0022] 例如如图1所示，在衬底基板11上制作第二金属层15。第二金属层15的材料可以为铝或者铜。

[0023] S102、对所述第二金属层进行图案化处理，形成阳极以及阴极；

[0024] 例如，如图1所示，对所述第二金属层15进行图案化处理，形成阳极153以及阴极154。

[0025] S103、在第二金属层上形成第一钝化层，对所述第一钝化层进行图案化处理，以形成开口区域，所述开口区域用于将所述阳极和所述阴极裸露在外；

[0026] 例如，如图1所示，在第二金属层15上形成第一钝化层16，对所述第一钝化层16进行图案化处理，以形成开口区域(图中未示出)，所述开口区域用于将所述阳极153和所述阴
极154裸露在外。

[0027] S104、在所述第一钝化层以及所述阳极和所述阴极上制作第二钝化层；

[0028] 例如，如图2所示，在所述第一钝化层16以及所述阳极153和所述阴极154上制作第二钝化层18。

[0029] S105、在所述第二钝化层上制作遮光层，对所述遮光层进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层去除；

[0030] 例如，在所述第二钝化层18上制作遮光层19，并对所述遮光层19进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层19去除。此处的图案化处理可以包括曝光、显影
等步骤，显影过程中通常使用到显影液。

[0031] S106、将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除。

[0032] 例如，如图3所示，将所述阳极153和所述阴极154上方的第二钝化层18去除，从而将阳极和阴极裸露在外，以便于绑定发光器件。发光器件可以包括Micro‑LED、OLED、Mini‑LED中的一种。

[0033] 本实施例由于在对遮光层进行图案化处理之前，先在阳极和阴极上形成第二钝化层，从而避免显影液腐蚀第二金属层，以及避免金属扩散至遮光层，提高了发光器件的焊接
效果和背板良率。

[0034] 请参照图4和图5，本发明实施例二提供的背板的制作方法，包括：

[0035] S201、在所述衬底基板上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理形成栅极和连接线；

[0036] 其中所述背板包括连接区域。

[0037] 例如，如图4所示，在所述衬底基板11上制作第一金属层12，对所述第一金属层12进行图案化处理形成连接线121和栅极122；之后还可在所述栅极121和连接线122上形成绝
缘层13。

[0038] S202、在所述第一金属层上制作半导体层；

[0039] 例如，在一实施方式中，在所述绝缘层13上形成半导体层14。

[0040] S203、在半导体层上制作第二金属层；

[0041] 例如，如图4所示，在半导体层14上制作第二金属层15。第二金属层15的材料可以为铝或者铜。

[0042] S204、对所述第二金属层进行图案化处理，形成阳极以及阴极；

[0043] 例如，如图4所示，对所述第二金属层15进行图案化处理，形成源极151、漏极152、以及阳极153和阴极154。所述源极151和所述漏极152分别与所述半导体层14连接。

[0044] S205、在第二金属层上形成第一钝化层，对所述第一钝化层进行图案化处理，以形成开口区域，所述开口区域用于将所述阳极和所述阴极裸露在外；

[0045] 例如，如图4所示，在第二金属层15上形成第一钝化层16，对所述第一钝化层16进行图案化处理，以形成开口区域(图中未示出)，所述开口区域用于将所述阳极153和所述阴
极154裸露在外。

[0046] S206、在位于所述连接区域的第一钝化层上制作透明导电层。

[0047] 例如，在与所述连接区域的第一钝化层16上制作透明导电层17。其中所述连接区域的位置与所述连接线121的位置对应。所述透明导电层17的材料为ITO。所述透明导电层
17与所述连接线121连接。

[0048] S207、在所述第一钝化层以及所述阳极和所述阴极上制作第二钝化层；

[0049] 例如，如图4所示，在所述第一钝化层16以及所述阳极153和所述阴极154上制作第二钝化层18。第二钝化层18的材料可以包括SiNx和SiO2中的至少一种。

[0050] S208、在所述第二钝化层上制作遮光层，对所述遮光层进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层去除；

[0051] 例如，在所述第二钝化层18上制作遮光层19，并对所述遮光层19进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层19去除。其中所述遮光层19的材料优选为黑色光
阻。

[0052] S209、将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除。

[0053] 例如，如图5所示，将所述阳极153和所述阴极154上方的第二钝化层18去除，从而将阳极153和阴极154裸露在外，以便于绑定发光器件。发光器件可以包括Micro‑LED、OLED、Mini‑LED中的一种。

[0054] 在一实施方式中，为了避免腐蚀阳极和阴极，所述将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除的步骤可包括：

[0055] S2091、通过干刻工艺将将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除。

[0056] 例如，以图案化后的遮光层18作为遮挡体对第二钝化层进行干法蚀刻，从而裸露出绑定区域(也即与开口区域对应)，之后进行清洗或剥离工艺来清除阳极和阴极表面的残
留物，所述绑定区域用于绑定发光器件。也即绑定区域与开口区域的位置对应。

[0057] S210、在所述开口区域绑定发光器件，其中所述发光器件的第一端与所述阳极连接，所述发光器件的第二端与所述阴极连接。

[0058] 所述发光器件的第一端为阳极，所述发光器件的第二端为阴极。

[0059] 在一实施方式中，为了进一步提高显示效果，所述发光器件为微型发光二极管。

[0060] 在另一实施例中，所述在所述第一钝化层上制作第二钝化层的步骤之后，以及所述在所述第二钝化层上制作遮光层的步骤之前，所述方法还包括：

[0061] S208’、对所述透明导电层17进行退火处理。

[0062] 通过退火处理，可以减小透明导电层17的电阻，进一步提高导电性能。由于在制作完第二钝化层18后，才对透明导电层17进行退火处理，因此可以避免对裸露的阳极和阴极
造成氧化，进一步提高了发光器件的焊接效果。

[0063] 本发明的背板的制作方法，包括在衬底基板上制作第二金属层；对所述第二金属层进行图案化处理，形成阳极以及阴极；在所述第二金属层上形成第一钝化层，对所述第一
钝化层进行图案化处理，以形成开口区域，所述开口区域用于将所述阳极和所述阴极裸露
在外；在所述第一钝化层以及所述阳极和所述阴极上制作第二钝化层；在所述第二钝化层
上制作遮光层，对所述遮光层进行图案化处理，以使与所述开口区域对应位置处的遮光层
去除；将所述阳极和所述阴极上方的第二钝化层去除；由于在对遮光层进行图案化处理之
前，先在阳极和阴极上形成第二钝化层，从而避免显影液腐蚀第二金属层，以及避免金属扩
散至遮光层，提高了发光器件的焊接效果和背板良率。

[0064] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润
饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。