代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺

摘要

本发明公开了一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，包括先用刷洗去除表面大颗粒，再用乳化剂浸泡控制晶片表面的吸附状态，然后用清洗剂去除晶片表面的脏污，再用含有催化剂的臭氧水清洗去除晶片表面的有机物和金属离子，之后使用清洗剂去除催化剂，最后置于异丙醇内去除晶片表面的亚微米颗粒，降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生，同时也避免了传统加热干燥过程中产生的静电，保证晶片表面不被二次污染。本发明的清洗工艺在去除了酸洗工艺的同时，能够提高去除有机物、金属污染物和微粒的效率。

权利要求

1.一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底晶片装入制程晶周盒，再将制程晶周盒置于纯水槽中；

步骤二：对步骤一中的蓝宝石衬底晶片的表面进行刷洗；

步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石衬底晶片传送喷淋；

步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石衬底晶片放入乳化池中浸泡；

步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一碱性清洗剂超声清洗槽中，进行超声清洗，所述第一碱性清洗剂的活性成份为有机碱和复合活性剂；

步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗；

步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石衬底晶片放入现制备的臭氧水中进行清洗；

步骤八：将步骤七处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗；

步骤九：将步骤八处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二碱性清洗剂超声清洗槽中，进行超声清洗，所述第二碱性清洗剂的活性成份为无机碱、复合活性剂和络合剂；

步骤十：将步骤九处理完的蓝宝石衬底晶片放入第三超纯水清洗槽中进行清洗；

步骤十一：将步骤十处理完的蓝宝石衬底晶片放入异丙醇脱水槽中静置，静置完成后进行慢拉脱水；

步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石衬底晶片放入成品晶周盒中，密封保存。

2.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤二中的刷洗，刷片时间为30-40s，纯水的温度控制在35°C 40°C。

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3.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤三中的喷淋，使用超纯水对蓝宝石衬底晶片进行喷淋，喷头角度倾斜15-20°，喷淋时间为

20-30s。

4.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤四中的乳化池，乳化剂溶液的浓度为0.1 0.2wt%，蓝宝石衬底晶片的浸泡时间为20-30min；

~

所述乳化剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、异十三醇聚氧乙烯醚和月桂醇聚氧乙烯醚中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤五中的第一碱性清洗剂的浓度为10 20wt%，温度为65±2℃，清洗时间为15-25min；

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所述有机碱在清洗剂中所占体积分数为10-15%，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5%；

所述有机碱为烷基胺、甲醇钠、丁基锂中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤六的第一超纯水清洗槽内的温度为20 30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-~

25min。

7.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤七中的臭氧水采用强激励方法进行现制备，所述臭氧水在制备后的1-5min内投入使用，臭氧浓度≥30mg/L，清洗时间为5-10min，所述臭氧水中加入催化剂。

8.根据权利要求7所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述催化剂为金属氧化物，金属氧化物的浓度为0.1-1wt%。

9.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤八的第二超纯水清洗槽内的温度为20 30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-~

25min。

10.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤九中的第二碱性清洗剂的浓度为10 15wt%，温度为65±5℃，清洗时间为15-25min；

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所述无机碱在清洗剂中所占体积分数为15-20%，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5%，所述络合剂在清洗剂中所占体积分数为8-10%；

所述无机碱为氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种，所述络合剂为三乙醇胺、焦磷酸钾、羟基乙叉二膦酸中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤十中的第三超纯水清洗槽内的温度为20 30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-~

25min。

12.根据权利要求1所述的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，其特征在于：所述步骤十一中的异丙醇脱水槽，异丙醇的温度为65±2℃，静置时间为10-20min，蓝宝石衬底晶片移动的速度为0.5 2mm/s。

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说明书

代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺

技术领域

[0001] 本发明涉及蓝宝石加工制作技术领域，具体而言涉及一种蓝宝石衬底晶片抛光后的清洗方法。

背景技术

[0002] 目前，市面上普遍选用蓝宝石作为制作GaN基LED芯片的衬底材料，超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污
会严重影响LED的质量和成品率。在目前的LED生产中，绝大多数废品是由于衬底表面污染
引起的，而在衬底晶片生产中，几乎每道工序都有清洗问题，因此蓝宝石衬底清洗工艺对蓝
宝石衬底的品质影响很大。

[0003] 目前蓝宝石行业的清洗方式主要有干法和湿法清洗两种，其中，湿法清洗具有诸如，高选择比，低成本，高产能，清洗效果明显等优势而占主导地位。湿法清洗是利用溶剂、
各种酸碱、表面活性剂和水的混合物通过腐蚀、溶解等化学反应，结合一定的机械作用以去
除镜片表面的沾污物。目前，国内大部分衬底制造厂家在利用湿法清洗衬底晶片时会优先
利用硫酸、双氧水去除衬底表面的氧化层，这样虽然可以有效去除衬底表面油脂类等分子
较大有机物，但浓硫酸和双氧水使用时化学危险性高，酸性废液、废气处理方式复杂，对环
境有一定的危害，但若改用柠檬酸、醋酸等化学危险性小的有机酸或弱酸代替浓硫酸，其清
洁效果又不理想。

[0004] 中国专利申请第201410366227.8号文件提出的一种蓝宝石晶片清洗工艺，是用加热的氢氧化钠溶液超声清洗去油污，再用加热的水基环保清洗机超声清洗去脏污，最后用
加热的水基环保清洗机超声清洗去残留，该工艺减少了强酸性、强腐蚀性洗剂的使用，但对
于粘附性较强、颗粒越小的污染清洗效果较差。

[0005] 中国专利申请第201310362912.9号文件提出的一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法，使用螯合剂和表面活性剂配制成的混合清洗剂去除颗粒，同时防止二次吸附，
再使用电解金刚石膜所得的阳极强氧化液去除有机物，该工艺去除了酸洗工艺，但其去除
有机物、金属污染物和微粒的效率有待提高。

发明内容

[0006] 本发明目的在于针对现有的不足和缺陷，提出了一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，在去除了酸洗工艺的同时，能够提高去除去除有机物、金属污染物和微粒的效
率。

[0007] 为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

[0008] 一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，包括以下步骤：

[0009] 步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底晶片装入制程晶周盒，再将制程晶周盒置于纯水槽中；

[0010] 步骤二：对步骤一中的蓝宝石衬底晶片的表面进行刷洗；

[0011] 步骤三：将步骤二处理完的蓝宝石衬底晶片传送喷淋；

[0012] 步骤四：将步骤三处理完的蓝宝石衬底晶片放入乳化池中浸泡；

[0013] 步骤五：将步骤四处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一碱性清洗剂超声清洗槽中，进行超声清洗，所述第一碱性清洗剂的活性成份为有机碱和复合活性剂；

[0014] 步骤六：将步骤五处理完的蓝宝石衬底晶片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗；

[0015] 步骤七：将步骤六处理完的蓝宝石衬底晶片放入臭氧水清洗槽中进行清洗；

[0016] 步骤八：将步骤七处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗；

[0017] 步骤九：将步骤八处理完的蓝宝石衬底晶片放入第二碱性清洗剂超声清洗槽中，进行超声清洗，所述第二碱性清洗剂的活性成份为无机碱、表面活性剂和络合剂；

[0018] 步骤十：将步骤九处理完的蓝宝石衬底晶片放入第三超纯水清洗槽中进行清洗；

[0019] 步骤十一：将步骤十处理完的蓝宝石衬底晶片放入异丙醇脱水槽中静置，静置完成后进行慢拉脱水；

[0020] 步骤十二：将步骤十一处理完的蓝宝石衬底晶片放入成品晶周中，密封保存。

[0021] 进一步地，所述步骤二中的刷洗，采用PVA毛刷对蓝宝石衬底晶片表面进行刷洗，刷片时间为30-40s，纯水的温度控制在35℃～40℃，优先去除晶片表面的较大颗粒。

[0022] 进一步地，所述步骤三中的喷淋，使用超纯水对蓝宝石衬底晶片进行喷淋，喷头角度倾斜15-20°，喷淋时间为20-30s。

[0023] 进一步地，所述步骤四中的乳化池，乳化剂溶液的浓度为0.1～0.2wt％，蓝宝石衬片的浸泡时间为20-30min，有效控制晶片表面的吸附状态、亲水和疏水状态，防止表面颗粒
的二次吸附；

[0024] 所述乳化剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、异十三醇聚氧乙烯醚和月桂醇聚氧乙烯醚中的至少一种。

[0025] 进一步地，所述步骤五中的第一碱性清洗剂的浓度为10％～20wt％，温度为65±2℃，清洗时间为15-25min，去除晶片表面的脏污；

[0026] 所述有机碱在清洗剂中所占体积分数为10-15％，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5％；

[0027] 所述有机碱为烷基胺、甲醇钠、丁基锂中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种。

[0028] 进一步地，所述步骤六的第一超纯水清洗槽内的温度为20～30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。

[0029] 进一步地，所述步骤七中的臭氧水采用强激励方法进行现制备，臭氧浓度≥30mg/L，清洗时间为5-10min，所述臭氧水中加入催化剂，有效去除晶片表面的有机物和金属离
子。

[0030] 进一步地，所述催化剂为金属氧化物，金属氧化物的浓度为0.1-1％。

[0031] 进一步地，所述步骤八的第一超纯水清洗槽内的温度为20～30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。

[0032] 进一步地，所述步骤九中的第二碱性清洗剂的浓度为10％～15wt％，温度为65±5℃，清洗时间为15-25min；

[0033] 所述无机碱在清洗剂中所占体积分数为15-20％，所述复合活性剂在清洗剂中所占体积分数为3-5％，所述络合剂在清洗剂中所占体积分数为8-10％；

[0034] 所述无机碱为氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一种，所述复合活性剂为聚氧乙基烷基苯基醚、聚氧乙基烷基醚、聚氧乙基脂肪酸醚酯中的至少一种，所述络合剂为三
乙醇胺、焦磷酸钾、羟基乙叉二膦酸中的至少一种。

[0035] 进一步地，所述步骤十中的第三超纯水清洗槽内的温度为20～30℃，每分钟上下抛动30-50次，清洗时间为15-25min。

[0036] 进一步地，所述步骤九中的异丙醇脱水槽，异丙醇的温度为65±2℃，静置时间为10-20min，蓝宝石衬底晶片移动的速度为0.5～2mm/s，能够有效去除晶片表面的亚微米颗
粒，降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生，同时也避免了传统加热干燥过程中产
生的静电，保证晶片表面不被二次污染。

[0037] 与现有技术相比，本发明的代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺，先使用PVA毛刷对蓝宝石衬底晶片表面进行刷洗，优先去除晶片表面的较大颗粒，再浸泡在乳化池中对晶
片进行预处理，有效控制晶片表面的吸附状态、亲水和疏水状态，防止表面颗粒的二次吸
附，接着使用环保的清洗剂去除晶片的脏污，再使用臭氧水去除晶片表面的有机物和金属
离子，之后使用清洗剂，通过络合作用去除催化剂，最后使用加热的异丙醇对晶片进行脱水
处理，去除晶片表面的亚微米颗粒，降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生，同时也
避免了传统加热干燥过程中产生的静电，保证晶片表面不被二次污染。

[0038] 有益效果在于：

[0039] 1、无强酸成分，环保无污染，同时也就取消了废酸的处理的复杂步骤，人员操作安全性更高。

[0040] 2、所用臭氧水为现制备，在制备后的1-5min内投入使用，臭氧的分解率低，防止了臭氧因容易分解成氧气造成其氧化性能降低甚至失效，采用强激励方法把O3溶于水形成高
浓度臭氧水，制备过程安全有效。

[0041] 3、臭氧的氧化还原电势比硫酸，盐酸及双氧水都高，因此去除有机物、金属污染物及微粒的效率更高，从而降低了晶片的清洗难度，增强了清洗的效果，提高了晶片表面洁净
度；另外，在臭氧水中增加了金属氧化物，通过金属氧化物催化臭氧，进一步提高了臭氧的
氧化性，通过催化剂催化的臭氧水对晶片的清洗，晶片的表面洁净度更高，其表面脏污数量
低于业内要求的200以内，达到或超过业内要求水准，且清洗效率可高达98％以上。

[0042] 4、通过第二碱性清洗剂中的络合剂将作为催化剂的金属氧化物中的金属离子络合，生成可溶于水的物质，同时无机碱和复合活性剂起到辅助巩固的效果，协同作用，是催
化剂在发挥作用的同时，避免了催化剂对晶片的二次污染。

[0043] 5、去除酸洗工艺的同时减少了清洗设备的种类，节约了清洗时间，提高了工业化生产能力。

具体实施方式

[0044] 为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例说明如下。

[0045] 本公开的实施例不必定意在包括本发明的所有方面。应当理解，上面介绍的多种构思和实施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一
种来实施。

[0046] 本实施例中的第一碱性清洗剂优选为山之风win-27，第二碱性清洗剂优选为三达奥克的VS7000，乳化剂优选为脂肪醇聚氧乙烯醚，臭氧水使用臭氧产生装置现制备，并在制
备后的2min内投入使用，采用强激励方法把O3溶于水形成高浓度臭氧水，臭氧水中加入的
催化剂优选为氧化亚铁。

[0047] 实施例1：

[0048] 一种代替蓝宝石衬底片酸洗的清洗工艺，其清洗工艺如下：

[0049] 步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；

[0050] 步骤二：使用PVA毛刷对蓝宝石衬底表面进行刷洗，纯水温度为35℃，刷片时间为30s；

[0051] 步骤三：传送喷淋；将喷头角度倾斜15°，利用超纯水对蓝宝石衬底片表面进行喷淋导流，停留时间为20s；

[0052] 步骤四：将淋洗好的衬底片放入乳化剂中，乳化剂浓度为0.1wt％，浸泡时间为30min；

[0053] 步骤五：将浸泡好的晶片放置到第一碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为67℃；

[0054] 步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动50次，第一超纯水清洗槽内的温度为30℃；

[0055] 步骤七：将衬底片放入臭氧水清洗槽中进行清洗，臭氧水浓度为30mg/L，催化剂的浓度为0.1％，清洗时间为10min；

[0056] 步骤八：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动50次，第二超纯水清洗槽内的温度为30℃；

[0057] 步骤九：将浸泡好的晶片放置到第二碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为15％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为70℃；

[0058] 步骤十：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第三超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动50次，第二超纯水清洗槽内的温度为30℃；

[0059] 步骤十一：将清洗后蓝宝石衬底片放入加热过的异丙醇中静置，异丙醇加热温度为63℃，静置时间为20min，20min钟到后用慢拉手臂将晶片缓慢提升，手臂提拉速度为
0.5mm/s。

[0060] 实施例2：

[0061] 一种代替蓝宝石衬底片酸洗的清洗工艺，其清洗工艺如下：

[0062] 步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；

[0063] 步骤二：使用PVA毛刷对蓝宝石衬底表面进行刷洗，纯水温度为40℃，刷片时间为40s；

[0064] 步骤三：传送喷淋；将喷头角度倾斜15°，利用超纯水对蓝宝石衬底片表面进行喷淋导流，停留时间为20s；

[0065] 步骤四：将淋洗好的衬底片放入乳化剂中，乳化剂浓度为0.2wt％，浸泡时间为20min，；

[0066] 步骤五：将浸泡好的晶片放置到第一碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为63℃；

[0067] 步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动30次，第一超纯水清洗槽内的温度为20℃；

[0068] 步骤七：将衬底片放入臭氧水清洗槽中进行清洗，臭氧水浓度为34mg/L，催化剂的浓度为1％，清洗时间为5min；

[0069] 步骤八：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动30次，第二超纯水清洗槽内的温度为20℃；

[0070] 步骤九：将浸泡好的晶片放置到第二碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；

[0071] 步骤十：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第三超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动30次，第二超纯水清洗槽内的温度为20℃；

[0072] 步骤十一：将清洗后蓝宝石衬底片放入加热过的异丙醇中静置，异丙醇加热温度为67℃，静置时间为10min，10min钟到后用慢拉手臂将晶片缓慢提升，手臂提拉速度为2mm/
s。

[0073] 实施例3：

[0074] 一种代替蓝宝石衬底片酸洗的清洗工艺，其清洗工艺如下：

[0075] 步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；

[0076] 步骤二：使用PVA毛刷对蓝宝石衬底表面进行刷洗，纯水温度为35℃，刷片时间为35s；

[0077] 步骤三：传送喷淋；将喷头角度倾斜15°，利用超纯水对蓝宝石衬底片表面进行喷淋导流，停留时间为20s；

[0078] 步骤四：将淋洗好的衬底片放入乳化剂中，乳化剂浓度为0.15wt％，浸泡时间为25min，；

[0079] 步骤五：将浸泡好的晶片放置到第一碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为15wt％，清洗时间为20min，清洗剂清洗槽内温度为65℃；

[0080] 步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为20min，每分钟上下抛动40次，第一超纯水清洗槽内的温度为25℃；

[0081] 步骤七：将衬底片放入臭氧水清洗槽中进行清洗，臭氧水浓度为32mg/L，催化剂的浓度为0.5％，清洗时间为8min；

[0082] 步骤八：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为20min，每分钟上下抛动40次，第二超纯水清洗槽内的温度为25℃；

[0083] 步骤九：将浸泡好的晶片放置到第二碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为12％，清洗时间为20min，清洗剂清洗槽内温度为65℃；

[0084] 步骤十：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第三超纯水超声清洗槽中进行清洗，清洗时间为20min，每分钟上下抛动40次，第二超纯水清洗槽内的温度为25℃；

[0085] 步骤十一：将清洗后蓝宝石衬底片放入加热过的异丙醇中静置，异丙醇加热温度为65℃，静置时间为15min，15min钟到后用慢拉手臂将晶片缓慢提升，手臂提拉速度为
1.3mm/s。

[0086] 对比例1：

[0087] 步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；

[0088] 步骤二：将晶片放置到SM007酸槽进行浸泡，浓度为20％，温度为25℃，浸泡时间为1h；

[0089] 步骤三：将浸泡好的晶片放置到KOH碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；

[0090] 步骤四：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动30次，第一超纯水清洗槽内的温度为20℃；

[0091] 步骤五：将浸泡好的晶片放置到奥首APVS3002碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为20wt％，清洗时间为15min，清洗剂清洗槽内温度为60℃；

[0092] 步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为15min，每分钟上下抛动30次，第二超纯水清洗槽温度为20℃

[0093] 步骤七：将衬底片放入SPM槽中清洗，槽中溶液为硫酸和双氧水混合溶液，硫酸比例为70％，双氧水比例为15％，温度为140℃，时间为20min；

[0094] 步骤八：将酸洗好的晶片，使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为30℃，刷片时间为25s；

[0095] 步骤九：将刷洗好的晶片使用旋干机进行旋干。

[0096] 对比例2：

[0097] 步骤一：将已单面抛光的蓝宝石衬底片装入制程晶周盒，置制程晶周盒于纯水槽中；

[0098] 步骤二：将晶片放置到SM007酸槽进行浸泡，浓度为10％，温度为25℃，浸泡时间为2h；

[0099] 步骤三：将浸泡好的晶片放置到KOH碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为5wt％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为65℃；

[0100] 步骤四：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第一超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动40次，第一超纯水清洗槽内的温度为25℃；

[0101] 步骤五：将浸泡好的晶片放置到奥首APVS3002碱性清洗剂超声清洗槽中进行清洗，清洗剂浓度为10wt％，清洗时间为25min，清洗剂清洗槽内温度为70℃；

[0102] 步骤六：将清洗后的蓝宝石衬底片放入第二超纯水清洗槽中进行清洗，清洗时间为25min，每分钟上下抛动40次，第二超纯水清洗槽温度为25℃

[0103] 步骤七：将衬底片放入SPM槽中清洗，槽中溶液为硫酸和双氧水混合溶液，硫酸比例为80％，双氧水比例为10％，温度为120℃，时间为15min；

[0104] 步骤八：将酸洗好的晶片，使用PVA毛刷进行刷洗，纯水温度为25℃，刷片时间为35s；

[0105] 步骤九：将刷洗好的晶片使用旋干机进行旋干。

[0106] 【清洗后的蓝宝石衬底晶片检测】

[0107] 对通过实施例1-3及对比例1-2清洗出来的蓝宝石衬底晶片进行检测，使用Candela检测设备检验其表面脏污，通过AFM测试其表面粗糙度，其结果如下表所示：

[0108]   表面脏污颗粒数量/颗 表面粗糙度/nm实施例1 45 0.142
实施例2 38 0.135
实施例3 41 0.137
对比例1 95 0.184
对比例2 112 0.203

[0109] 通过本发明的清洗工艺，清洗后的蓝宝石衬底晶片表面脏污颗粒数量均值在38-45之间，远远超过业内要求的200颗以内的要求，其且表面粗糙度在0.135-0.142nm之间，晶
片的表面脏污颗粒数量及表面粗糙度均比传统的酸洗工艺清洗出来的晶片好。

[0110] 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因
此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。