基于单个衍射峰的计算形变晶体材料位错密度的方法转让专利
申请号 : CN202010041499.6
文献号 : CN111220634B
文献日 : 2021-02-26
发明人 : 陈凯 , 周光妮 , 张玉彬 , 朱文欣
申请人 : 西安交通大学
摘要 :
本公开揭示了一种基于单个衍射峰的计算形变晶体材料位错密度的方法,包括:利用同步辐射能量扫描X射线衍射技术,获得形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的实验强度分布曲线和无形变晶体材料的衍射强度相对于衍射矢量模的参考强度分布曲线;引入无量纲变量M,计算位错密度归一化后衍射峰的标准强度分布曲线;根据所述实验强度分布曲线和标准强度分布曲线,计算实验强度分布曲线的特定M值,记为M′;根据所述实验强度分布曲线、标准强度分布曲线和参考强度分布曲线的半高宽计算形变晶体材料的位错密度。本公开通过分析单个衍射峰的强度分布曲线就能获得形变晶体材料的位错密度,缩短了实验耗时。