像素电路转让专利
申请号 : CN202010115031.7
文献号 : CN111243528B
文献日 : 2021-05-25
发明人 : 林志隆 , 张瑞宏 , 林捷安 , 郑贸熏
申请人 : 友达光电股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种像素电路,包括:
一第一晶体管,具有接收一系统高电压的一第一端、一第二端、及接收一发光信号的一控制端;
一第二晶体管,具有耦接该第一晶体管的该第二端的一第一端、接收一数据电压的一第二端及接收一第一扫描信号的一控制端;
一第三晶体管,具有耦接该第一晶体管的该第二端的一第一端、一第二端及一控制端;
一第一电容,具有接收该系统高电压的一第一端及耦接该第三晶体管的该控制端的一第二端;
一第四晶体管,具有耦接该第二晶体管的该控制端的一第一端、耦接该第二晶体管的该第二端的一第二端及接收一第二扫描信号的一控制端;
一第五晶体管,具有耦接该第二晶体管的该第二端的一第一端、接收一系统低电压的一第二端及接收一第三扫描信号的一控制端;
一第六晶体管,具有耦接该第三晶体管的该第二端的一第一端、一第二端及接收该发光信号的一控制端;
一有机发光二极管,具有耦接该第六晶体管的该第二端的一阳极及接收一系统低电压的一阴极;以及
一漏电流平衡电路,耦接该第三晶体管的该第一端、该第三晶体管的该控制端及该有机发光二极管的该阳极,且接收该第二扫描信号及第三扫描信号,以在一发光期间提供流向该第三晶体管的该控制端的多个漏电流。
2.如权利要求1所述的像素电路,其中该漏电流平衡电路包括:一第七晶体管,具有耦接该第一电容的该第二端的一第一端、耦接该第一晶体管的该第二端的一第二端及接收该第三扫描信号的一控制端;
一第八晶体管,具有耦接该第三晶体管的该控制端的一第一端、一第二端及接收该第二扫描信号的一控制端;以及
一第二电容,具有耦接该第八晶体管的该第二端的一第一端及耦接有机发光二极管的该阳极的一第二端。
3.如权利要求2所述的像素电路,其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管及该第八晶体管均为低温多晶硅晶体管。
4.如权利要求2所述的像素电路,其中该第三扫描信号致能于一重置期间,该第一扫描信号致能于一写入期间,该第二扫描信号致能于该重置期间及该写入期间,并且该发光信号致能于该发光期间。
5.如权利要求4所述的像素电路,其中该重置期间早于该写入期间之前,且该写入期间早于该发光期间。
6.如权利要求4所述的像素电路,其中该第二扫描信号的致能期间大于等于该第一扫描信号的致能期间与该第三扫描信号的致能期间的总和。
7.如权利要求1所述的像素电路,还包括:一第九晶体管,具有耦接有机发光二极管的该阳极的一第一端、接收该系统低电压的一第二端及接收该第二扫描信号的一控制端。
说明书 :
像素电路
技术领域
背景技术
素电路来改善或抑制漏电流的影响。
发明内容
第一晶体管具有接收一系统高电压的一第一端、一第二端、及接收一发光信号的一控制端。
第二晶体管具有耦接第一晶体管的第二端的一第一端、接收一数据电压的一第二端及接收
一第一扫描信号的一控制端。第三晶体管具有耦接第一晶体管的第二端的一第一端、一第
二端及一控制端。第一电容具有接收系统高电压的一第一端及耦接第三晶体管的控制端的
一第二端。第四晶体管具有耦接第二晶体管的控制端的一第一端、耦接第二晶体管的第二
端的一第二端及接收一第二扫描信号的一控制端。第五晶体管具有耦接第二晶体管的第二
端的一第一端、接收一系统低电压的一第二端及接收一第三扫描信号的一控制端。第六晶
体管具有耦接第三晶体管的第二端的一第一端、一第二端及接收发光信号的一控制端。有
机发光二极管具有耦接第三晶体管的第二端的一阳极及接收一系统低电压的一阴极。漏电
流平衡电路耦接第三晶体管的第一端、第三晶体管的控制端及有机发光二极管的阳极,且
接收第二扫描信号及第三扫描信号,以在一发光期间提供流向第三晶体管的控制端的多个
漏电流。
的影响。
附图说明
具体实施方式
定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的
含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分
开。因此,下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部
件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的,术语“及/或”包括一个或多个相关所列项
目的任何和所有组合。还应当理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”及/或“包括”指定
所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件,但不排除一个或多个其它特征、
区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9、有机发光二极管OLED、第
一电容C1及第二电容C2,其中第八晶体管T8、第九晶体管T9及第二电容C2可视为漏电流平
衡电路110,并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管
T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8及第九晶体管T9可以分别是低温多晶硅
(LTPS)晶体管。
第二端及接收第一扫描信号S1[n+1]的控制端。第三晶体管T3具有耦接第一晶体管T1的第
二端的第一端、第二端及控制端。第一电容C1具有接收系统高电压OVDD的第一端及耦接第
三晶体管T3的控制端的第二端。
的第二端的第一端、接收系统低电压OVSS的第二端及接收第三扫描信号S1[n]的控制端。第
六晶体管T6具有耦接第三晶体管T3的第二端的第一端、第二端及接收发光信号EM[n]的控
制端。有机发光二极管OLED具有耦接第三晶体管T3的第二端的阳极及接收系统低电压OVSS
的阴极。
控制端的第一端、第二端及接收第二扫描信号S2[n]的控制端。第二电容C2具有耦接第八晶
体管T8的第二端的第一端及耦接有机发光二极管OLED的阳极的第二端。第九晶体管T9具有
耦接有机发光二极管OLED的阳极的第一端、接收系统低电压OVSS的第二端及接收第二扫描
信号S2[n]的控制端。
号S2[n]及第三扫描信号S1[n],以在发光期间提供流向第三晶体管T3的控制端的多个漏电
流。因此,可补偿第四晶体管T4在发光期间流向第三晶体管T3的第二端(即节点C)的漏电
流,以抑制/消除第四晶体管T4的漏电流对节点A(亦即第一电容C1的第二端)的影响。
施例不以此为限,其中图2所示仅为单一画面期间中的部分期间的驱动波形。并且,在本实
施例中,重置期间PRT、写入期间PWT及发光期间PEM为按序配置,亦即重置期间PRT早于写入
期间PWT之前,且写入期间PWT早于发光期间PEM。
晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第七晶体管T7、第八晶体管T8及第九晶体管T9导
通,第一晶体管T1、第二晶体管T2及第六晶体管T6截止,第三晶体管T3的导通状态取决于节
点A的电压。系统低电压OVSS经由导通的第四晶体管T4、第五晶体管T5传送至节点A及C,以
改善晶体管的迟滞效应。并且,经由导通的第七晶体管T7及第八晶体管T8,节点B及D会被重
置为系统低电压OVSS。有机发光二极管OLED的阳极端(即节点E)也被重置为系统低电压
OVSS,以获得更高的画面对比度。
晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第八晶体管T8及第九晶体管T9导通,第一晶体管
T1、第五晶体管T5、第六晶体管T6及第七晶体管T7截止,第三晶体管T3的导通状态取决于节
点A的电压。节点B的电压等于数据电压VDATA,节点E的电压等于系统低电压OVSS,节点A、C、D
的电压等于数据电压VDATA‑第三晶体管T3的临界电压。通过将第三晶体管T3的控制端的电
压补偿到数据电压VDATA减去第三晶体管T3的临界电压,可提高画面显示的均匀度。
晶体管T1、第三晶体管T3及第六晶体管T6导通,第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管
T5、第七晶体管T7、第八晶体管T8及第九晶体管T9截止,第三晶体管T3的导通状态取决于节
点A的电压。节点A的电压等于数据电压VDATA‑第三晶体管T3的临界电压,节点B的电压等于
系统高电压OVDD,节点C、E的电压等于有机发光二极管OLED的发光临界电压,节点D的电压
等于数据电压VDATA‑第三晶体管T3的临界电压‑系统低电压OVSS+有机发光二极管OLED的发
光临界电压。
漏电流,借此可补偿第四晶体管T4的漏电流,以改善或抑制漏电流对亮度显示的影响。详细
来说,当节点A的电压下降,第七晶体管T7及第八晶体管T8的漏电压会因为压差而上升,并
且第四晶体管T4的漏电流会因为压差而下降,因此可拉提节点A的电压;当节点A的电压上
升,第七晶体管T7及第八晶体管T8的漏电压会因为压差而下降,并且第四晶体管T4的漏电
流会因为压差而上什,因此可拉低节点A的电压。因此,可使节点A的电压大致维持于数据电
压VDATA‑第三晶体管T3的临界电压。
信号S1[n+1]的致能期间与第三扫描信号S1[n]的致能期间的总和。但在其他实施例中,第
二扫描信号S2[n]的致能期间可大于第一扫描信号S1[n+1]的致能期间与第三扫描信号S1
[n]的致能期间的总和,此依据电路设计而定。
的影响。
范围当视权利要求所界定者为准。