本发明属于光电倍增管技术领域，尤其涉及光电阴极，公开一种高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极及其制备方法、系统，碱源组件包含三根碱源，分别为K源、Na源以及Cs源；碱源组件通过尾管与排气台相连获超高真空度；侧窗型光电倍增管包含玻璃外壳、阴极以及多个倍增极，阴极和多个倍增极构造为具有一定弧度的金属片，其内表面镀有金属锑层；侧窗型光电倍增管通过排气尾管连接到碱源组件上；对应碱源施加电流使其自热，释放碱金属蒸气与锑层反应形成多碱阴极结构。其中通过监控漏电流和光电流的变化，监控K、Na、Cs的引入过程，实现精确控制K、Na、Cs的引入量，避免因K、Na、Cs引入过多或过少导致的阴极灵敏度偏低的问题。
1.一种高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备系统，其特征在于，包括侧窗型光电倍增管和碱源组件，其中：碱源组件包含一圆柱形玻璃玻璃管套(24)，圆柱形玻璃玻璃管套(24)内设置三根碱源，分别为K源(231)、Na源(233)以及Cs源(232)，三根碱各自通过镍丝与碱源的管脚电极(22)相连，构成电路回路，通过管脚电极(22)给对应碱源施加一定的电流以使碱源自身发热，通过释放的碱金属蒸气形成多碱阴极结构；
碱源组件通过尾管(21)与排气台相连，以获超高真空度；
侧窗型光电倍增管包含玻璃外壳(12)、芯柱(11)，芯柱包含排气尾管(111)和可阀电极丝(112)，侧窗型光电倍增管的内部设置有一网电极(14)、一阴极(16)以及多个倍增极(151～159)、一阳极(18)以及挡片(17)，其中阴极(16)和多个倍增极(151～159)构造为具有一定弧度的金属片，其内表面镀有金属锑层；上述网电极(14)、阴极(16)、多个倍增极(151～
159)、阳极(18)以及挡片(17)通过在第一陶瓷片(131)和第二陶瓷片(132)固定并支撑在玻璃外壳(12)的圆柱形腔体中；
侧窗型光电倍增管通过排气尾管(111)连接到碱源组件上；
其中，在制备高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极过程中，向K源(231)、Na源(233)以及Cs源(232)分别通以一定电流，引发K源(231)、Na源(233)以及Cs源(232)释放出对应碱金属蒸气，碱金属蒸气通过排气尾管进入到侧窗型光电倍增管的玻璃外壳内部，与阴极(16)和倍增极(151～159)上的金属锑层发生反应形成锑碱光电阴极，从而实现对光电倍增管整管的激活；
其中，在碱金属蒸气反应过程中，通过监控漏电流和光电流的变化，监控前述过程中的K、Na、Cs的引入过程，控制K、Na、Cs的引入量。
2.根据权利要求1所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备系统，其特征在于，所述阴极(16)和多个倍增极(151～159)均为具有一定弧度的金属镍片。
3.根据权利要求1所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备系统，其特征在于，所述碱源组件内部的真空度达到5×10-4Pa。
4.根据权利要求1所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备系统，其特征在于，漏电流和光电流的变化的监控过程，以侧窗型光电倍增管的阴极(16)作为阴极，以多个倍增极(151～159)中的第一倍增极(151)作为阳极，施加100V正电压；通过微电流计采集漏电流和光电流，其中关灯时，微电流计显示值为暗电流值，开灯时微电流计显示为暗电流和光电流值，通过开关灯前后微电流计显示的差值作为监测的光电流值。
5.一种根据前述权利要求1-4中任意一项的制备系统实现的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、真空烘烤排气与接线；
6.根据权利要求5所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备方法，其特征在于，所述步骤1的过程包括：对碱源组件进行真空烘烤排气：抽真空处理，当真空度达到1×10-3Pa时，启动加热，以5℃/min的升温速率升温至260℃，保温烘烤2h之后，自然降温至室温；
导线接线：连接K源(231)、Na源(233)以及Cs源(232)对应的外部供电电源线，供电电源为直流电源；然后连接漏电流、光电流监控的监控线，电源正极连接第一倍增极(151)，即第一级打拿极，负极连接光电倍增管的阴极(16)。
7.根据权利要求5所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备方法，其特征在于，所述步骤2的阴极激活过程包括：启动加热，升温至达到200℃以上，然后监控漏电流随温度的变化，随着温度升高漏电流从0.1nA逐步上涨，逐步升高到10～20nA以上，待漏电流稳定到30-40nA时，判定侧窗型光电倍增管内部的温度达到均衡。
8.根据权利要求5所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备方法，其特征在于，所述步骤3的漏电流监控K激活阶段包括：向K源通4.8-7A的电流，使K源自身发热发生反应释放出K蒸气，K蒸气从碱源组件进入侧窗型光电倍增管内，与阴极和多个倍增极上的锑发生反应，形成锑钾化合物；其中当监控漏电流出现涨幅拐点时，切断K源电流，停止引入K，Sb与K反应完全，形成K3Sb结构。
9.根据权利要求5所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备方法，其特征在于，所述步骤4的漏电流监控Na激活阶段包括：待K激活阶段完成后，升温至220℃以上，其中待漏电流稳定在30-40nA，再给Na源通
4.8-6.5A的电流；其中，在进行Na激活的过程中，采用少量多次与逐步减少的引Na方式，即每次少量引Na，待反应Na与K3Sb反应消耗完后，再进行下一次引Na操作，其具体操作包括：给Na源通4.8～6.5A电流，释放Na蒸气与K3Sb反应，此时漏电快速上涨至60～150nA，持续引Na 5～7min后，关闭Na碱源的电源，停止引Na。
保持220℃以上的高温持续烘烤，待漏电流在一拐点下降的降幅大于15nA/min时，降低到电流到初始的30-40nA；
重复上述可用上述方法持续进行多次引Na激活，并使用漏电流判断Na的消耗量；当阴极颜色由绿色变为蓝色时，并且监控此时光电流达到这一阶段最大峰值时，停止引Na。
10.根据权利要求5所述的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备方法，其特征在于，所述步骤5的漏电流监控Cs激活阶段包括：待Na激活阶段完成后，降温值220℃以下，给Cs源通4.8～6.5A电流，漏电流快速上涨8-
30μA，光电流几乎为0，持续引Cs 15～20min，然后关闭Cs电源；漏电流开始下降，光电流上涨，当漏电流降低50-60nA时，光电回涨到最大值；
重读2-3次上述操作，使得光电流达到这一阶段最大峰值，完成Cs激活。
11.一种采用权利要求5-10中任意一项所述的方法制备得到的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极。
高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极及其制备方法、
系统
技术领域
[0001] 本发明属于光电阴极技术领域，具体涉及一种用于侧窗型光电倍增管的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极及其制备方法。
背景技术
[0002] 光电阴极，尤其是用在真空光电子器件例如光电倍增管中使用的光电阴极，是一种用于捕获从外部射入的光子，并基于外光电效应激发出光电子的器件。在光电倍增管等真空光电器件中，使不同波长的辐射信号转化为电信号，均依靠光电阴极实现。常用的光电阴极主要包括双碱阴极、多碱阴极，应用在补同类型的整管中。
[0003] 反射式多碱光电阴极是一种常应用于侧窗型光电倍增管光电发射材料，它能将光子转换成为光电子，并最终以电信号或图像形式进行输出。侧窗型光电倍增管是广泛应用于生物医疗、光谱分析、环境监测等领域的一种光电探测器件，阴极灵敏度是其关键指标。通常多碱光电阴极采用K-Na-Cs-Sb多碱阴极结构，其中的Na与K越接近2:1，阴极结构越优秀，灵敏度越高，对应光电流会越大。
[0004] 目前，现有技术中一般通过对制备过程的控制来提高反射式多碱阴极的灵敏度，例如通过监控阴极制作过程的光电流，引K、Na、Cs的三个阶段，分别使其光电流达到最大即可，从而使阴极Na:K更接近2:1，以获得最佳的阴极结构和最大的灵敏度。
[0005] 但在实际的阴极制作过程中，引K过程的光电流通常较小，难以实现对光电流的监控。而且在引Na过程中，由于Na与K3Sb反应比较慢，所以我们看到在引Na过程中光电流几乎没有变化或者变化比较不明显。引Cs过程，同样地，光电流极小。因此我们在试验阶段通过光电流和反射率的监控来实现对引K、Na、Cs的三个阶段的控制以控制膜层的蒸镀，但在量产过程中，我们发现由于上述光电流的极小以及变化的不明显，尤其是引Cs、K的过程中，光电流极小，引Na的过程由于反应慢的原因，导致难以在批量生产过程中通过光电流对反射式多碱阴极K、Na、Cs的激活过程精确监控，甚至在激活的部分阶段，光电流监控会完全失效，起不到监控作用。这就导致使用光电监控制作的阴极，灵敏度较低，甚至无灵敏度。
发明内容
[0006] 本发明的第一方面的目的在于提出一种高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极及其制备方法、系统，基于漏电流监控进行反射式多碱阴极K、Na、Cs激活，同时辅以光电流监控，实现精确控制K、Na、Cs的引入量，避免因K、Na、Cs引入过多或过少导致的阴极灵敏度偏低的问题。
[0007] 为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
[0008] 一种高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备系统，包括侧窗型光电倍增管和碱源组件，其中：
[0009] 碱源组件包含一圆柱形玻璃玻璃管套，圆柱形玻璃玻璃管套内设置三根碱源，分别为K源、Na源以及Cs源，三根碱各自通过镍丝与碱源的管脚电极相连，构成电路回路，通过管脚电极给对应碱源施加一定的电流以使碱源自身发热，通过释放的碱金属蒸气形成多碱阴极结构；
[0010] 碱源组件通过尾管与排气台相连，以获超高真空度；
[0011] 侧窗型光电倍增管包含玻璃外壳、芯柱，芯柱包含排气尾管和可阀电极丝，侧窗型光电倍增管的内部设置有一网电极、一阴极以及多个倍增极、一阳极以及挡片，其中阴极和多个倍增极构造为具有一定弧度的金属片，其内表面镀有金属锑层；上述网电极、阴极、多个倍增极、阳极以及挡片通过在第一陶瓷片和第二陶瓷片固定并支撑在玻璃外壳的圆柱形腔体中；
[0012] 侧窗型光电倍增管通过排气尾管连接到碱源组件上；
[0013] 其中，在制备高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极过程中，向K源、Na源以及Cs源分别通以一定电流，引发K源、Na源以及Cs源释放出对应碱金属蒸气，碱金属蒸气通过排气尾管进入到侧窗型光电倍增管的玻璃外壳内部，与阴极和倍增极上的金属锑层发生反应形成锑碱光电阴极，从而实现对光电倍增管整管的激活；
[0014] 其中，在碱金属蒸气反应过程中，通过监控漏电流和光电流的变化，监控前述过程中的K、Na、Cs的引入过程，控制K、Na、Cs的引入量。
[0015] 本发明还提出一种根据前述制备系统实现的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备方法，包括以下步骤：
[0016] 步骤1、真空烘烤排气与接线；
[0017] 步骤2、阴极激活；
[0018] 步骤3、漏电流监控K激活阶段；
[0019] 步骤4、漏电流监控Na激活阶段；
[0020] 步骤5、漏电流监控Cs激活过程。
[0021] 其中，步骤2的阴极激活过程包括：
[0022] 启动加热，升温至达到200℃以上，然后监控漏电流随温度的变化，随着温度升高漏电流从0.1nA逐步上涨，逐步升高到10～20nA以上，待漏电流稳定到30-40nA时，判定侧窗型光电倍增管内部的温度达到均衡。
[0023] 其中，所述步骤3的漏电流监控K激活阶段包括：
[0024] 向K源通4.8-7A的电流，使K源自身发热发生反应释放出K蒸气，K蒸气从碱源组件进入侧窗型光电倍增管内，与阴极和多个倍增极上的锑发生反应，形成锑钾化合物；其中当监控漏电流出现涨幅拐点时，切断K源电流，停止引入K，Sb与K反应完全，形成K3Sb结构；
[0025] 其中，所述步骤4的漏电流监控Na激活阶段包括：
[0026] 待K激活阶段完成后，升温至220℃以上，其中待漏电流稳定在30-40nA，再给Na源通4.8-6.5A的电流；其中，在进行Na激活的过程中，采用少量多次与逐步减少的引Na方式，即每次少量引Na，待反应Na与K3Sb反应消耗完后，再进行下一次引Na操作，其具体操作包括：
[0027] 给Na源通4.8～6.5A电流，释放Na蒸气与K3Sb反应，此时漏电快速上涨至60～150nA，持续引Na 5～7min后，关闭Na碱源的电源，停止引Na。
[0028] 保持220℃以上的高温持续烘烤，待漏电流在一拐点下降的降幅大于15nA/min时，降低到电流到初始的30-40nA；
[0029] 重复上述可用上述方法持续进行多次引Na激活，并使用漏电流判断Na的消耗量；当阴极颜色由绿色变为蓝色时，并且监控此时光电流达到这一阶段最大峰值时，停止引Na。
[0030] 其中，所述步骤5的漏电流监控Cs激活阶段包括：
[0031] 待Na激活阶段完成后，降温值220℃以下，给Cs源通4.8～6.5A电流，漏电流快速上涨8-30μA，光电流几乎为0，持续引Cs 15～20min，然后关闭Cs电源；漏电流开始下降，光电流上涨，当漏电流降低50-60nA时，光电回涨到最大值；
[0032] 重读2-3次上述操作，使得光电流达到这一阶段最大峰值，完成Cs激活。
[0033] 侧窗型光电倍增管使用的K-Na-Cs-Sb反射式多碱阴极，其灵敏度决定了侧窗型光电倍增管的光电探测性能。为了提高反射式多碱阴极的灵敏度和长波响应能力，传统的方式一般会采用实时监控阴极制作的光电流的方法，使得阴极制作的K、Na、Cs的每一个过程最大光电流，已获得最大的阴极灵敏度。
[0034] 然而，在实际的阴极制作过程，引K、Na和Cs的时，光电流很小，甚至没有光电流，这就导致光电流监控多碱阴极制作失效，不能实现对K、Na、Cs的精确控制，无法获得最佳阴极结构，因而导致阴极灵敏度较低，长波响应较差。特别是引Na过程，由于Na与K3Sb反应较慢，引Na的前期过程，光电流几乎没有变化。此时，无法用光电流监控引入Na量，容易造成Na引入过量，导致阴极灵敏度极低，甚至没有性能。
[0035] 因此，本发明的方案中提出一种基于种漏电流监控制作反射式多碱阴极的方法，基于监控多碱阴极碱金属激活过程的漏电流，结合光电流和阴极颜色，实现对阴极激活过程中K、Na和Cs引入量的精确控制，使阴极形成最佳的化学结构，提高K-Na-Cs-Sb反射式多碱阴极的灵敏度，拓宽其长波响应范围。
附图说明
[0036] 附图不意在按比例绘制。在附图中，在各个图中示出的每个相同或近似相同的组成部分可以用相同的标号表示。
[0037] 图1是K-Na-Cs-Sb反射式多碱阴极的装置结构。
[0038] 图2是侧窗光电倍增管整管沿图1的位置A的截面图。
[0039] 图3是采用不同监控手段制作的多碱阴极的光谱响应曲线。
具体实施方式
[0040] 为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
[0041] 在本公开中参照附图来描述本发明的各方面，附图中示出了许多说明的实施例。本公开的实施例不必定意在包括本发明的所有方面。应当理解，上面介绍的多种构思和实施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施，这是因为本发明所公开的构思和实施例并不限于任何实施方式。另外，本发明公开的一些方面可以单独使用，或者与本发明公开的其他方面的任何适当组合来使用。
[0042] 结合图1、2所示，本发明示例性实施例提出一种高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备系统，包括侧窗型光电倍增管和碱源组件两部分。
[0043] 碱源组件包含一圆柱形玻璃玻璃管套24，圆柱形玻璃玻璃管套24内设置三根碱源，分别为K源231、Na源233以及Cs源232，三根碱各自通过镍丝与碱源的管脚电极22相连，构成电路回路，通过管脚电极22给对应碱源施加一定的电流以使碱源自身发热，通过释放的碱金属蒸气形成多碱阴极结构。
[0044] 碱源组件通过尾管21与排气台相连，以获超高真空度。优选地，碱源组件内部的真空度达到5×10-4Pa。
[0045] 侧窗型光电倍增管包含玻璃外壳12、芯柱11，芯柱包含排气尾管111和可阀电极丝112，侧窗型光电倍增管的内部设置有一网电极14、一阴极(16)以及多个倍增极151～159、一阳极18以及挡片17，其中阴极16和多个倍增极151～159构造为具有一定弧度的金属片，其内表面镀有金属锑层。优选地，阴极16和多个倍增极151～159均为具有一定弧度的金属镍片。
[0046] 网电极14、阴极(16)、多个倍增极151～159、阳极18以及挡片17通过在第一陶瓷片131和第二陶瓷片132固定并支撑在玻璃外壳12的圆柱形腔体中。
[0047] 侧窗型光电倍增管通过排气尾管111连接到碱源组件上。
[0048] 其中，在制备高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极过程中，向K源231、Na源233以及Cs源232分别通以一定电流，引发K源231、Na源233以及Cs源232释放出对应碱金属蒸气，碱金属蒸气通过排气尾管进入到侧窗型光电倍增管的玻璃外壳内部，与阴极16和倍增极151～159上的金属锑层发生反应形成锑碱光电阴极，从而实现对光电倍增管整管的激活。
[0049] 尤其是，在碱金属蒸气反应过程中，通过监控漏电流和光电流的变化，监控前述过程中的K、Na、Cs的引入过程，控制K、Na、Cs的引入量。
[0050] 结合图1，漏电流和光电流的变化的监控过程，以侧窗型光电倍增管的阴极16作为阴极，以多个倍增极151～159中的第一倍增极151作为阳极，施加100V正电压；通过微电流计采集漏电流和光电流，其中关灯时，微电流计显示值为暗电流值，开灯时微电流计显示为暗电流和光电流值，通过开关灯前后微电流计显示的差值作为监测的光电流值。
[0051] 下面结合图1、2所示，更加具体地描述本发明的高灵敏度K-Na-Cs-Sb反射式多碱光电阴极的制备过程。
[0052] 真空烘烤排气
[0053] 启动排气台，进行抽真空处理，当真空度达到1×10-3Pa时，启动加热，以5℃/min的升温速率升温至260℃，保温烘烤2h之后，自然降温至室温。
[0054] 导线连接
[0055] 连接K源231、Na源233以及Cs源232对应的外部供电电源线，供电电源为直流电源。
[0056] 再连接漏电流、光电流监控的监控线，电源正极连接第一倍增极151，即第一级打拿极，负极连接光电倍增管的阴极16。
[0057] 阴极激活
[0058] 启动加热，升温至达到200℃以上，然后监控漏电流随温度的变化，随着温度升高漏电流从0.1nA逐步上涨，逐步升高到10～20nA以上，待漏电流稳定到30-40nA时，判定侧窗型光电倍增管内部的温度达到均衡。
[0059] 漏电流监控K激活阶段
[0060] 向K源通4.8-7A的电流，使K源自身发热发生反应释放出K蒸气，K蒸气从碱源组件进入侧窗型光电倍增管内，与阴极和多个倍增极上的锑发生反应，形成锑钾化合物；其中当监控漏电流出现涨幅拐点时，切断K源电流，停止引入K，Sb与K反应完全，形成K3Sb结构。
[0061] 在本发明的实施过程中，当Sb没有被K反应完时，K会被Sb持续吸收反应形成锑钾化合物，漏电不会发生明显的猛涨。当Sb被K完全反应后，K不再被吸收，此时光电倍增管管内的K蒸气浓度会突然猛涨，使得阴极和第一倍增极间的导电变强，同样在100V电压下，漏电流也会随之猛涨。
[0062] 因此，通过漏电流来判断，K激活阶段锑与钾是否完全反应，是否形成了稳定的K3Sb。因此，我们在监控漏电流出现涨幅拐点时，确定形成稳定的K3Sb，快速切断K源电流。
[0063] 漏电流监控Na激活阶段
[0064] 待K激活阶段完成后，升温至220℃以上，其中待漏电流稳定在30-40nA，再给Na源通4.8-6.5A的电流；其中，在进行Na激活的过程中，采用少量多次与逐步减少的引Na方式，即每次少量引Na，待反应Na与K3Sb反应消耗完后，再进行下一次引Na操作，其具体操作包括：
[0065] 给Na源通4.8～6.5A电流，释放Na蒸气与K3Sb反应，此时漏电快速上涨至60～150nA，持续引Na 5～7min后，关闭Na碱源的电源，停止引Na。
[0066] 保持220℃以上的高温持续烘烤，待漏电流在一拐点下降的降幅大于15nA/min时，降低到电流到初始的30-40nA；
[0067] 重复上述可用上述方法持续进行多次引Na激活，并使用漏电流判断Na的消耗量；当阴极颜色由绿色变为蓝色时，并且监控此时光电流达到这一阶段最大峰值时，停止引Na。
[0068] 在本发明的实施例中，需要精确控制进Na量，采用“少量多次，逐步减少”的引Na原则，即每次少量引Na，待反应Na倍K3Sb反应消耗完后，再进行引Na。判断引入的Na与K3Sb反应消耗完就至关重要，若Na没被消耗完就进行二次引Na，就容易造成Na过量，导致阴极灵敏度低或无性能。
[0069] 在Na激活过程中，Na进入到光电倍增管整管内，会吸附到管壳、镍片上，停止引Na后，倍被吸附的Na缓慢脱附，脱附的Na又被K3Sb反应掉，形成动态平衡，腔体的Na蒸气浓度相对稳定，漏电流稳定。当整管的Na被消耗完时，腔体内的Na蒸气浓度会瞬间快速快速下降，漏电流就会快速下降。因此，本发明采用漏电监控引Na过程的Na反应消耗程度，实现对Na激活过程的精确控制。
[0070] 漏电流监控Cs激活阶段
[0071] 待Na激活阶段完成后，降温值220℃以下，给Cs源通4.8～6.5A电流，漏电流快速上涨8-30μA，光电流几乎为0，持续引Cs 15～20min，然后关闭Cs电源；漏电流开始下降，光电流上涨，当漏电流降低50-60nA时，光电回涨到最大值；
[0072] 重读2-3次上述操作，使得光电流达到这一阶段最大峰值，完成Cs激活。
[0073] 由此，通过采用漏电监控反射式多碱阴极的K、Na、Cs激活过程，实现K、Na、Cs的精确控制，特别实现对Na的精确控制，可使阴极获得最佳Na/K比，从而提高多碱阴极的灵敏度和长波响应。
[0074] 如图3所示的采用漏电流监控制作的阴极的测试示意，各波长的量子效率均高于传统方案仅采用光电流、反射率监控制作的光电阴极，且响应的截止波长也更长，所以获得的灵敏度明显高。
[0075] 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
